Prüfung Elektronik 1

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "Prüfung Elektronik 1"

Transkript

1 Prof. Dr.-Ing. J. Siegl 01. Februar 2007 Georg Simon Ohm Fachhochschule Nürnberg FB Elektrotechnik-Feinwerktechnik-Informationstechnik; Vorname: Unterschrift Name: Matrikelnummer: Prüfung Elektronik 1 Semester EI3; Bearbeitungsdauer: 90 Minuten; Hilfsmittel: 3 Seiten selbsterstellte Unterlagen, Taschenrechner; 12 Aufgabenseiten Ein Transistor als Bauelement zieht 100mA Kollektorstrom bei einer Kollektor-Emitter- Spannung von 20V. Das Bauelement weist einen thermischen Übergangs-Widerstand R ThJG = 8K/W von Junction - J zum Gehäuse - G auf. Es wird am Gehäuse ein Kühlkörper angebracht, dessen thermischer Übergangs-Widerstand R ThKU = 12K/W beträgt. Der Übergangs-Widerstand vom Gehäuse zum Kühlkörper sei vernachlässigbar. Die Umgebungstemperatur liegt bei 50 o C. Welche statische Temperatur T j stellt sich im inneren des Bauteils ein? κ Cu = ( 1 Ωcm) ε 0 = 885, ( F m) μ 0 = 126, 10 6 ( H m) Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 1

2 2. In welche Rubriken teilt man im Allgemeinen ein Datenblatt eines elektronischen Bauteils ein? 3. Nennen Sie den typischen Anwendungsbereich eines Drahtwiderstandes. 4. Geben Sie den Wert des dargestellten Widerstands mit Toleranzangabe an. braun gelb violett rot silber Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 2

3 5. Skizzieren Sie ein typisches Ersatzschaltbild für einen bedrahteten 1kΩ-Widerstand mit 15mm Anschlussdrähten unter Berücksichtigung höherer Frequenzen. Geben Sie typische Werte für die Elemente im Ersatzschaltbild an. 6. Wie groß ist die Kapazität zwischen zwei kupferbeschichteten Lagen einer Leiterplatte mit 100mm Breite und 160mm Länge bei einer Beschichtung mit 0,2mm Dicke eines Materials mit einer Permittivitätszahl ε r = Skizzieren Sie in nachstehendem Diagramm den typischen Impedanzverlauf eines Folienkondensators mit einer Kapazität von 160nF, dessen innere Induktivität 16nH und der innere serielle Verlustwiderstand 1Ω beträgt. 1kΩ 100Ω 10Ω 1Ω 0.1Ω 10kHz 100kHz 1MHz 10MHz 100MHz Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 3

4 8. In nachstehender Schaltung wird der Schalter S1 geschlossen. Der Kollektorstrom des Transistors Q1 ändert sich wie dargestellt. a) Begründen Sie den Spannungsverlauf V(2) an der Induktivität L1 beim Abschalten des Stromes (Verlauf um 20,07us) durch eine konkrete Gleichung mit Zahlenwerten. b) Wodurch wird der Strom des Transistors bei offenem Schalter S1 bestimmt? R1 5V L1 V 47k S uH Q1 Abschaltzeitpunkt t 9. a) Welche maximale Junction-Temperatur im inneren eines Si-Halbleiters (z.b. Bipolar-Transistor) ist üblicherweise möglich? b) Wodurch ist physikalisch die Obergrenze der Junction-Temperatur gegeben? Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 4

5 10. Das Bild zeigt einen eigenleitenden Halbleiter. Wie und warum verändert sich das Bild bei einem p-dotierten Halbleiter (Skizze und Erläuterung). 11. Bestimmen Sie die Leitfähigkeit eines n-dotierten Halbleiters mit einer Dichte der Dotierstoffkonzentration von N D = /cm 3 wenn die Ladungsträgerbeweglichkeit μ n = 1250cm 2 /Vs ist (T = 300K). Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 5

6 12. In einem mit Bor p-dotierten Si-Halbleiter mit N A = /cm 3 erfolgt eine n-dotierung mit Phosphor mit N D = /cm 3. Bei T = 300K beträgt die Eigenleitungsdichte n i0 = 1, /cm 3. Welche Elektronendichte und Löcherdichte besteht vor und nach der Phosphordotierung? 13. Der nachstehend skizzierte pn-übergang sei gegeben. Wann und wodurch entsteht eine Raumladungszone im pn-übergang? Was kennzeichnen die rechteckförmigen Symbole, was die rund dargestellten Symbole? Skizzieren Sie die Ladungsverteilung ρ( x) im pn- Übergang und skizzieren Sie die Feldstärkeverteilung E(x). Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 6

7 14. Geben Sie die idealtypische Gleichung für eine Diode an und erläutern Sie die dafür erforderlichen Parameter. Skizzieren Sie ln(i D ) = f (U D ) bei U D >0 einer realen Diode; erläutern Sie die dafür erforderlichen Parameter; welcher Ast wird mit welchen Modell- Parametern charakterisiert? Welcher Parameter bestimmt die Flussspannung der Diode, geben Sie typische Werte der Parameter für eine Si-Diode an. ln(i D ) ma ua na 0V pa 1V U D fa 15. Geben Sie ein DC-Modell und ein AC-Modell für eine Si-Diode in Flussrichtung und in Sperrichtung (mit typischen Werten) an. In Flussrichtung wird die Si-Diode in einem Arbeitspunktstrom von 1mA betrieben. DC-Fluss: DC-Sperr: AC-Fluss: AC-Sperr: Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 7

8 16. Geben Sie eine Testbench mit Angaben zur Beschaltung einschließlich der Parameter der Signalquelle u 1 für die Ermittlung der Speicherzeit einer Diode an. Skizzieren Sie den Verlauf von u D und i D für Ihren Schaltungsvorschlag. Wie bestimmt sich die Diffusionskapazität C D aus der Transitzeit TT? u 1 i D t u D t t 17. Geben Sie eine Testbench mit Angaben zur Beschaltung einschließlich der Parameter der Signalquelle u 1 für die Ermittlung der Sperrschichtkapazität einer Diode an. u 1 t Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 8

9 18. a) Skizzieren Sie den physikalischen Aufbau eines planaren npn-transistors. Welche inneren (physikalischen) und äußeren Voraussetzungen sind notwendig, um den Transistoreffekt zu bewirken? b) Geben Sie ein DC-Ersatzschaltbild im Normalbetrieb an. Welche Parameter sind dafür erforderlich und welche typischen Werte liegen diesen Parametern zugrunde? 19. Wie groß ist I E, I B, I C bei 25 o C und U B = 5V, wenn U BE = 700mV beträgt. Wie ändert sich der Kollektorstrom, wenn U BE von 700mV auf 713mV erhöht wird? Wie groß ist der Kollektorstrom bei I E = 0? U B IS = A B = 200 I B I C Q1 U CE I CB0 = 10 9 A U BE I E Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 9

10 20. Geben Sie zwei geeignete Beschaltungen für einen Si-Bipolar-Transistor (B = 100) mit ohmschem Lastwiderstand RC im Kollektorpfad an, so dass der Transistor als Verstärker im Normalbetrieb bei I C (A) = 2mA arbeitet bei einer Versorgungsspannung von 5V. Berücksichtigen Sie dabei Gesichtspunkte für einen stabilen Arbeitspunkt. Wie muss der Lastwiderstand RC dabei zweckmäßig dimensioniert werden, um größtmögliche Aussteuerbarkeit zu erzielen? 21. Skizzieren Sie ein AC-Ersatzschaltbild eines im Normalbetrieb arbeitenden npn-si- Transistors mit RC = 1kΩ Lastwiderstand, wenn der Arbeitspunktstrom I C (A) = 2mA beträgt (zu berücksichtigende Parameter: r e, g m, β = 200, C C = 5pF, C D = 20pF). Geben Sie für Ihren Schaltungsvorschlag die Verstärkung und den Eingangswiderstand an. Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 10

11 22. Was versteht man unter dem Early -Effekt und wie wird dadurch das AC-Ersatzschaltbild bei VA = 50V im vorhergehenden Beispiel verändert? 23. Ein N-JFET mit U P = -2V, β = 4mA V 2 wird mit einer Spannungsquelle am Eingang mit U GS = 0V beschaltet. Im Drainpfad befindet sich der Widerstand RD. Wie groß ist der sich einstellende Drainstrom bei einer Versorgungsspannung von 10V? Unter welchen Bedingungen stellt sich Widerstandsbetrieb bzw. Stromquellenbetrieb ein? Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 11

12 24. a) Skizzieren Sie ein AC-Ersatzschaltbild eines im Stromquellenbetrieb arbeitenden N-JFET, wenn der Arbeitspunktstrom I (A) D = 2 ma beträgt; dabei ist die Beschaltung der vorigen Aufgabe zugrunde zu legen (U P = -2V, β = 4mA V 2, 10V Versorg.) b) Welcher DC-Anteil der Spannung U GS ist jetzt einzustellen? c) Wie groß ist der Lastwiderstand im Drainpfad zu wählen, um größtmögliche Aussteuerung zu erzielen? d) Welche Verstärkung ergibt sich mit dem Lastwiderestand von c)? 25. Gegeben ist die nachstehende MOS-Transistorschaltung. Schließen Sie den Bulk- Anschluss geeignet an. Kennzeichnen Sie den Drain-Anschluss. Welcher Drainstrom fließt, wenn R1 hinreichend niederohmig ist? Wie groß darf der Widerstand R1 maximal sein, so dass Stromquellenbetrieb gegeben ist? 5V M1 R1 K p = 40μA V 2 W = 10μm L = 2μm = 2V U p Prüfung Elektronik 1 WS 0607 Seite 12

Formelsammlung Baugruppen

Formelsammlung Baugruppen Formelsammlung Baugruppen RCL-Schaltungen. Kondensator Das Ersatzschaltbild eines Kondensators C besteht aus einem Widerstand R p parallel zu C, einem Serienwiderstand R s und einer Induktivität L s in

Mehr

Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen

Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Elektrotechnisches rundlagen-labor I Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Versuch Nr. 9 Erforderliche eräte Anzahl ezeichnung, Daten L-Nr. 1 Netzgerät 0... 15V 103 1 Netzgerät 0... 30V 227 3

Mehr

2 Diode. 2.1 Formelsammlung. Diffusionsspannung Φ i = kt q ln N AN D n 2 i (2.1) Überschussladungsträgerdichten an den Rändern der Raumladungszone

2 Diode. 2.1 Formelsammlung. Diffusionsspannung Φ i = kt q ln N AN D n 2 i (2.1) Überschussladungsträgerdichten an den Rändern der Raumladungszone 2 Diode 2.1 Formelsammlung Diffusionsspannung Φ i = kt q ln N AN D n 2 i (2.1) Überschussladungsträgerdichten an den Rändern der Raumladungszone ( q ) ] p n( n )=p n0 [ep kt U pn 1 bzw. (2.2) ( q ) ] n

Mehr

MB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8. Wintersemester 2014/15 Elektronik

MB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8. Wintersemester 2014/15 Elektronik MB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Matr.-Nr.: Hörsaal: Wintersemester

Mehr

Versuch 3: Kennlinienfeld eines Transistors der Transistor als Stromverstärker

Versuch 3: Kennlinienfeld eines Transistors der Transistor als Stromverstärker Bergische Universität Wuppertal Praktikum Fachbereich E Werkstoffe und Grundschaltungen Bachelor Electrical Engineering Univ.-Prof. Dr. T. Riedl WS 20... / 20... Hinweis: Zu Beginn des Praktikums muss

Mehr

Aufgabe 1: Planarspule (20 Punkte)

Aufgabe 1: Planarspule (20 Punkte) 1 Aufgabe 1: Planarspule (20 Punkte) Gegeben ist die Planarspule gemäß Abb. 1.1. Die Leiterbahnen sind aus Kupfer, das Trägermaterial ist Teflon. Die Spule soll als Filterelement (Drossel) für ein 1 GHz-Signal

Mehr

Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, lassen sich unabhängig von anderen Teilaufgaben lösen.

Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, lassen sich unabhängig von anderen Teilaufgaben lösen. Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung Messtechnik 2 Studiengang: Mechatronik, Elektrotechnik Bachelor SS2014 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 23.7.2014 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann,

Mehr

Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben.

Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines p-halbleiters.

Mehr

Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente

Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente - Einführung für Studierende der Universität Potsdam - H. T. Vierhaus BTU Cottbus Technische Informatik P-N-Übergang HL-Kristall, Einkristall p-dotiert

Mehr

Schnupperstudium. Einführung. Aufbau einer Audioverstärkerschaltung. Audioverstärker letzte Änderung: 4. Februar 2009. S.

Schnupperstudium. Einführung. Aufbau einer Audioverstärkerschaltung. Audioverstärker letzte Änderung: 4. Februar 2009. S. Schnupperstudium S. Tschirley Audioverstärker letzte Änderung: 4. Februar 2009 Einführung Einer der Schwerpunkte im Studiengang Kommunikationstechnik und Elektronik der TFH Berlin ist die analoge Schaltungstechnik.

Mehr

Bei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen.

Bei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen. Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung E/ME-BAC/DIPL Elektronische Bauelemente SS2012 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 18.7.2012 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr. Frey Taschenrechner

Mehr

3. Halbleiter und Elektronik

3. Halbleiter und Elektronik 3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden

Mehr

3.Transistor. 1 Bipolartransistor. Christoph Mahnke 27.4.2006. 1.1 Dimensionierung

3.Transistor. 1 Bipolartransistor. Christoph Mahnke 27.4.2006. 1.1 Dimensionierung 1 Bipolartransistor. 1.1 Dimensionierung 3.Transistor Christoph Mahnke 7.4.006 Für den Transistor (Nr.4) stand ein Kennlinienfeld zu Verfügung, auf dem ein Arbeitspunkt gewählt werden sollte. Abbildung

Mehr

Übung Bauelemente und Schaltungstechnik. Wintersemester 2005/2006

Übung Bauelemente und Schaltungstechnik. Wintersemester 2005/2006 Übung Bauelemente und Schaltungstechnik Wintersemester 2005/2006 Prof. Dr. Dietmar Ehrhardt Universität Siegen im Februar 2006 Übung 1 - Widerstände und Heißleiter 1.1 Gegeben sei ein Schichtwiderstand

Mehr

Versuchsvorbereitung P1-51

Versuchsvorbereitung P1-51 Versuchsvorbereitung P1-51 Tobias Volkenandt 22. Januar 2006 Im Versuch zu TRANSISTOREN soll weniger die Physik dieses Bauteils erläutern, sondern eher Einblicke in die Anwendung von Transistoren bieten.

Mehr

Beispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte

Beispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte Aufgabe 1: Halbleiterphysik I 1.1) Skizzieren Sie (ausreichend groß) das Bändermodell eines n-halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau, das intrinsische Ferminiveau und das Ferminiveau bei Raumtemperatur,

Mehr

Elektrotechnisches Laboratorium

Elektrotechnisches Laboratorium E Labor Schutzbeschaltungen 1 Höhere Technische Bundes-, Lehr- u. Versuchsanstalt (BULME) Graz Gösting Abgabedatum: Elektrotechnisches Laboratorium Jahrgang: 2004/05 Gruppe: 3 Name: Schriebl, Forjan, Schuster

Mehr

Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik 2 (GET2) Versuch 2

Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik 2 (GET2) Versuch 2 Werner-v.-Siemens-Labor für elektrische Antriebssysteme Prof. Dr.-Ing. Dr. h.c. H. Biechl Prof. Dr.-Ing. E.-P. Meyer Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik 2 (GET2) Versuch 2 Messungen mit dem Oszilloskop

Mehr

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI Fachhochschule Münster University of Applied Sciences Versuch: 3 Gruppe: Datum: Antestat: Teilnehmer: Abtestat: (Name) (Vorname) Versuch 3:

Mehr

Aufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 4 10 am 14.03.1997

Aufg. P max 1 10 Klausur Elektrotechnik 2 14 3 8 4 10 am 14.03.1997 Name, Vorname: Matr.Nr.: Hinweise zur Klausur: Aufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 6141 4 10 am 14.03.1997 5 18 6 11 Σ 71 N P Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 1,5 h. Zugelassene Hilfsmittel

Mehr

Breitbandverstärker. Samuel Benz. Laborbericht an der Fachhochschule Zürich. vorgelegt von. Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich

Breitbandverstärker. Samuel Benz. Laborbericht an der Fachhochschule Zürich. vorgelegt von. Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Breitbandverstärker Laborbericht an der Fachhochschule Zürich vorgelegt von Samuel Benz Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Zürich, 7. Juni 2003 Samuel Benz Inhaltsverzeichnis Vorgaben.

Mehr

KÜHLKÖRPER RISIKEN UND NEBENWIRKUNGEN EINE ART BEIPACKZETTEL ALEXANDER C. FRANK, DIPL. ING. ETH ZÜRICH, V1.0 MÄRZ 2008 WWW.CHANGPUAK.

KÜHLKÖRPER RISIKEN UND NEBENWIRKUNGEN EINE ART BEIPACKZETTEL ALEXANDER C. FRANK, DIPL. ING. ETH ZÜRICH, V1.0 MÄRZ 2008 WWW.CHANGPUAK. KÜHLKÖRPER RISIKEN UND NEBENWIRKUNGEN EINE ART BEIPACKZETTEL ALEXANDER C. FRANK, DIPL. ING. ETH ZÜRICH, V1.0 MÄRZ 2008 WWW.CHANGPUAK.CH EINLEITUNG In Halbleitern entstehen Verluste, die in Form von Wärme

Mehr

Die Arbeitspunkteinstellung beim Bipolartransistor

Die Arbeitspunkteinstellung beim Bipolartransistor Die Arbeitspunkteinstellung beim Bipolartransistor In der Schaltungstechnik stellt sich immer wieder das Problem der Arbeitspunkteinstellung eines Bipolartransistors (BJT). Bauteiltoleranzen des Transistors

Mehr

Versuch 14: Transistor

Versuch 14: Transistor Versuch 14: Transistor Transistoren werden sowohl als Schalter (in der Digitaltechnik) als auch als Verstärker betrieben. Hier sollen die Grundlagen des Transistors als Verstärkerelement erlernt werden,

Mehr

Fachbereich Physik Dr. Wolfgang Bodenberger

Fachbereich Physik Dr. Wolfgang Bodenberger UniversitätÉOsnabrück Fachbereich Physik Dr. Wolfgang Bodenberger Der Transistor als Schalter. In vielen Anwendungen der Impuls- und Digital- lektronik wird ein Transistor als einfacher in- und Aus-Schalter

Mehr

Vervollständigen Sie das Schema mit Stromversorgung und Widerstandsmessgerät!

Vervollständigen Sie das Schema mit Stromversorgung und Widerstandsmessgerät! Übungen Elektronik Versuch 1 Elektronische Bauelemente In diesem Versuch werden die Eigenschaften und das Verhalten nichtlinearer Bauelemente analysiert. Dazu werden die Kennlinien aufgenommen. Für die

Mehr

Aufgaben Wechselstromwiderstände

Aufgaben Wechselstromwiderstände Aufgaben Wechselstromwiderstände 69. Eine aus Übersee mitgebrachte Glühlampe (0 V/ 50 ma) soll mithilfe einer geeignet zu wählenden Spule mit vernachlässigbarem ohmschen Widerstand an der Netzsteckdose

Mehr

Bipolartransistoren. Humboldt-Universität zu Berlin Institut für Physik Elektronik-Praktikum. Versuch 2

Bipolartransistoren. Humboldt-Universität zu Berlin Institut für Physik Elektronik-Praktikum. Versuch 2 Versuch 2 Bipolartransistoren 1. Einleitung In diesem Versuch werden zunächst die elementaren Eigenschaften bipolarer Transistoren untersucht. Anschließend erfolgt ihr Einsatz in einigen Verstärker- Grundschaltungen.

Mehr

Versuch 17.2 Der Transistor

Versuch 17.2 Der Transistor Physikalisches A-Praktikum Versuch 17.2 Der Transistor Praktikanten: Gruppe: Julius Strake Niklas Bölter B006 Betreuer: Johannes Schmidt Durchgeführt: 11.09.2012 Unterschrift: E-Mail: niklas.boelter@stud.uni-goettingen.de

Mehr

Übungsaufgaben Elektrotechnik (ab WS2011)

Übungsaufgaben Elektrotechnik (ab WS2011) Flugzeug- Elektrik und Elektronik Prof. Dr. Ing. Günter Schmitz Aufgabe 1 Übungsaufgaben Elektrotechnik (ab WS2011) Gegeben sei eine Zusammenschaltung einiger Widerstände gemäß Bild. Bestimmen Sie den

Mehr

Transistor FET. Roland Küng, 2010

Transistor FET. Roland Küng, 2010 Transistor FET Roland Küng, 2010 1 Transistor: FET Im Gegensatz zu den stromgesteuerten Bipolartransistoren sind Feldeffekttransistoren spannungsgesteuerte Schaltungselemente. Die Steuerung erfolgt über

Mehr

Nr. 11 Transistor als Verstärker Teil A

Nr. 11 Transistor als Verstärker Teil A Nr. 11 Transistor als Verstärker Teil Der Transistor ( Transmitting Resistor ), was so etwas wie steuerbarer Widerstand bedeutet, hat vor Jahrzehnten durch blösung der Elektronenröhre eine technische Revolution

Mehr

Versuch 21. Der Transistor

Versuch 21. Der Transistor Physikalisches Praktikum Versuch 21 Der Transistor Name: Christian Köhler Datum der Durchführung: 07.02.2007 Gruppe Mitarbeiter: Henning Hansen Assistent: Jakob Walowski testiert: 3 1 Einleitung Der Transistor

Mehr

Entstehung der Diffusionsspannung beim pn-übergang

Entstehung der Diffusionsspannung beim pn-übergang 2. Halbleiterdiode 2.1 pn-übergang Die elementare Struktur für den Aufbau elektronischer Schaltungen sind aneinander grenzende komplementär dotierte Halbleitermaterialien. Beim Übergang eines n-dotierten

Mehr

Praktikum Nr. 3. Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum

Praktikum Nr. 3. Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik Versuchsbericht für das elektronische Praktikum Praktikum Nr. 3 Manuel Schwarz Matrikelnr.: 207XXX Pascal Hahulla Matrikelnr.: 207XXX Thema: Transistorschaltungen

Mehr

DIY. Personal Fabrica1on. Elektronik. Juergen Eckert Informa1k 7

DIY. Personal Fabrica1on. Elektronik. Juergen Eckert Informa1k 7 DIY Personal Fabrica1on Elektronik Juergen Eckert Informa1k 7 Ätz und LötTutorial 26.11. Übung: Layout mit Eagle (CadsoL) 3.12. 3 Slots: 1214, 1416 und 1618Uhr st!!! Blink(1) Clone No1fica1on RGB Led Kostenlos

Mehr

Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1

Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1 Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor latt 1 Aufbau eines Transistors Ein npn-transistor entsteht, wenn man zwei n-dotierte Schichten mit einer dünnen dazwischen liegenden p-dotierten Schicht

Mehr

E-Praktikum Dioden und Bipolartransistoren

E-Praktikum Dioden und Bipolartransistoren E-Praktikum Dioden und Bipolartransistoren Anna Andrle (55727), Sebastian Pfitzner (553983) Gruppe 12 3. Juli 215 Abstract In diesem Versuch werden die Strom-Spannungskennlinien verschiedener Dioden inklusive

Mehr

ELEKTRONIK - Beispiele - Dioden

ELEKTRONIK - Beispiele - Dioden ELEKTRONIK - Beispiele - Dioden DI Werner Damböck (D.1) (D.2) geg: U 1 = 20V Bestimme den Vorwiderstand R um einen maximalen Strom von 150mA in der Diode nicht zu überschreiten. Zeichne den Arbeitspunkt

Mehr

7 Transistor-Schaltungen

7 Transistor-Schaltungen 7 Verstärker 7 Arbeitspunkt und Stabilität Wird ein Transistor als Verstärker benutzt, so möchte man ein möglichst lineares Verhalten erreichen Dafür muss zunächst der Arbeitspunkt richtig eingestellt

Mehr

R C2 R B2 R C1 C 2. u A U B T 1 T 2 = 15 V. u E R R B1

R C2 R B2 R C1 C 2. u A U B T 1 T 2 = 15 V. u E R R B1 Fachhochschule Gießen-Friedberg,Fachbereich Elektrotechnik 1 Elektronik-Praktikum Versuch 24: Astabile, monostabile und bistabile Kippschaltungen mit diskreten Bauelementen 1 Allgemeines Alle in diesem

Mehr

Mosfet. ELEXBO A-Car-Engineering. ELEXBO Elektro-Experimentier-Box MOSFET-Kit. -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren.

Mosfet. ELEXBO A-Car-Engineering. ELEXBO Elektro-Experimentier-Box MOSFET-Kit. -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren. Mosfet 1 -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren. Aufbau und Bauteile J-Fet N-Kanal BF244 J-Fet P-Kanal J175 4 Mosfet N-Kanal sperrend IRLZ24NPBF Mosfet-P-Kanal sperrend STP12PF06

Mehr

Leistungselektronik Grundlagen und Standardanwendungen. Übung 6: Verlustleistung und Kühlung

Leistungselektronik Grundlagen und Standardanwendungen. Übung 6: Verlustleistung und Kühlung Lehrstuhl für Elektrische Antriebssysteme und Leistungselektronik Technische Universität München Arcisstraße 21 D 8333 München Email: eal@ei.tum.de Internet: http://www.eal.ei.tum.de Prof. Dr.-Ing. Ralph

Mehr

1. 2 1.1. 2 1.1.1. 2 1.1.2. 1.2. 2. 3 2.1. 2.1.1. 2.1.2. 3 2.1.3. 2.2. 2.2.1. 2.2.2. 5 3. 3.1. RG58

1. 2 1.1. 2 1.1.1. 2 1.1.2. 1.2. 2. 3 2.1. 2.1.1. 2.1.2. 3 2.1.3. 2.2. 2.2.1. 2.2.2. 5 3. 3.1. RG58 Leitungen Inhalt 1. Tastköpfe 2 1.1. Kompensation von Tastköpfen 2 1.1.1. Aufbau eines Tastkopfes. 2 1.1.2. Versuchsaufbau.2 1.2. Messen mit Tastköpfen..3 2. Reflexionen. 3 2.1. Spannungsreflexionen...3

Mehr

Übungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1

Übungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1 Fachhochschule Esslingen - Hochschule für Technik Fachbereich Informationstechnik Übungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1 Fachhochschule Esslingen - Hochschule für Technik Fachbereich Informationstechnik

Mehr

Messung von Zeitverläufen und Kennlinien mit Hilfe des Oszilloskop

Messung von Zeitverläufen und Kennlinien mit Hilfe des Oszilloskop TFH Berlin Messtechnik Labor Seite 1 von 7 Messung von Zeitverläufen und Kennlinien mit Hilfe des Oszilloskop Ort: TFH Berlin Datum: 07.04.2004 Uhrzeit: von 8.00 bis 11.30 Dozent: Kommilitonen: Prof. Dr.-Ing.

Mehr

352 - Halbleiterdiode

352 - Halbleiterdiode 352 - Halbleiterdiode 1. Aufgaben 1.1 Nehmen Sie die Kennlinie einer Si- und einer Ge-Halbleiterdiode auf. 1.2 Untersuchen Sie die Gleichrichtungswirkung einer Si-Halbleiterdiode. 1.3 Glätten Sie die Spannung

Mehr

8 Weitere Kriterien bei der Einstellung des AP

8 Weitere Kriterien bei der Einstellung des AP 8 WEITERE KRITERIEN BEI DER EINSTELLUNG DES AP 8 Weitere Kriterien bei der Einstellung des AP 8. Aussteuerbereich Der Aussteuerbereich läßt sich anhand von Abb. (30) für minimale und maximale Ausgangsspannungen

Mehr

SCHÜEX MECKLENBURG-VORPOMMERN

SCHÜEX MECKLENBURG-VORPOMMERN DEUTSCHE GESELLSCHAFT FÜR ZERSTÖRUNGSFREIE PRÜFUNG E.V. ZfP-Sonderpreis der DGZfP beim Landeswettbewerb Jugend forscht SCHÜEX MECKLENBURG-VORPOMMERN Der Transistor - Anschlussermittlung und Kennlinienaufnahme

Mehr

Physik III - Anfängerpraktikum- Versuch 307 - Der Transistor

Physik III - Anfängerpraktikum- Versuch 307 - Der Transistor Physik III - Anfängerpraktikum- Versuch 307 - Der Transistor Sebastian Rollke (103095) und Daniel Brenner (105292) 21. September 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Zielsetzung 3 2 Einleitung 3 2.1 Bändermodell

Mehr

Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik

Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003 Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 2 30.06.2003 Inhaltsverzeichnis Zustände...3 UND austein ; UND Gatter...4 ODER austein ; ODER Gatter...5 NICHT

Mehr

Das Experimentierbrettchen (Aufbau, Messpunkte): A B + 9V

Das Experimentierbrettchen (Aufbau, Messpunkte): A B + 9V Kojak-Sirene: Experimente zur Funktionsweise 1. astabile Kippstufe 2. astabile Kippstufe Die Schaltung der Kojak-Sirene besteht aus zwei miteinander verbundenen astabilen Kippstufen (Anhang) und einem

Mehr

Grundlagenpraktikum 2.Teil. Versuch : Transistorschaltungen. A: Vorbereitung Siehe hierzu auch die Laborordnung. (s. Anhang)

Grundlagenpraktikum 2.Teil. Versuch : Transistorschaltungen. A: Vorbereitung Siehe hierzu auch die Laborordnung. (s. Anhang) Grundlagenpraktikum 2.Teil Versuch : Transistorschaltungen Fassung vom 14.07.2005 A: Vorbereitung Siehe hierzu auch die Laborordnung. (s. Anhang) Informieren Sie sich ausführlich über o Wirkungsweise des

Mehr

Transistoren. Bipolare Transistoren

Transistoren. Bipolare Transistoren Transistoren Transistor 1 Transistoren sind Halbleiterbauelemente mit drei Anschlüssen, die als Verstärker und Schalter Verwendung finden. Dabei erscheint das am Steuereingang zugeführte Signal am Ausgang

Mehr

Kirstin Hübner Armin Burgmeier Gruppe 15 10. Dezember 2007

Kirstin Hübner Armin Burgmeier Gruppe 15 10. Dezember 2007 Protokoll zum Versuch Transistorschaltungen Kirstin Hübner Armin Burgmeier Gruppe 15 10. Dezember 2007 1 Transistor-Kennlinien 1.1 Eingangskennlinie Nachdem wir die Schaltung wie in Bild 13 aufgebaut hatten,

Mehr

Trennstufen A3/1. Vibrationsmessumformer Speisegerät Reihe 9147. www.stahl.de

Trennstufen A3/1. Vibrationsmessumformer Speisegerät Reihe 9147. www.stahl.de > Für Schwingungs-, Beschleunigungs- und Geschwindigkeitssensoren in 2-und 3-Leiter Ausführung > Platzsparende zweikanalige Variante > Signalfrequenzen bis zu 50 khz > Einfache Einstellung über frontseitige

Mehr

Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen

Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen Dr.-Ing. G. Strassacker STRASSACKER lautsprechershop.de Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen 1.1 Übersicht Fets sind Halbleiter, die nicht wie bipolare Transistoren

Mehr

Zusammenstellung der in TARGET 3001! simulierten Grundschaltungen

Zusammenstellung der in TARGET 3001! simulierten Grundschaltungen Simulieren mit TARGET 31! Seite 1 von 24 Zusammenstellung der in TARGET 31! simulierten Grundschaltungen Alle simulierten Schaltungen sind als TARGET 31!Schaltungen vorhanden und beginnen mit SIM LED Kennlinie...2

Mehr

Versuch 21. Der Transistor. Wintersemester 2005 / 2006. Daniel Scholz. physik@mehr-davon.de

Versuch 21. Der Transistor. Wintersemester 2005 / 2006. Daniel Scholz. physik@mehr-davon.de Physikalisches Praktikum für das Hauptfach Physik Versuch 21 Der Transistor Wintersemester 2005 / 2006 Name: Mitarbeiter: EMail: Gruppe: Daniel Scholz Hauke Rohmeyer physik@mehr-davon.de B9 Assistent:

Mehr

Gruppe: 2/19 Versuch: 5 PRAKTIKUM MESSTECHNIK VERSUCH 5. Operationsverstärker. Versuchsdatum: 22.11.2005. Teilnehmer:

Gruppe: 2/19 Versuch: 5 PRAKTIKUM MESSTECHNIK VERSUCH 5. Operationsverstärker. Versuchsdatum: 22.11.2005. Teilnehmer: Gruppe: 2/9 Versuch: 5 PAKTIKM MESSTECHNIK VESCH 5 Operationsverstärker Versuchsdatum: 22..2005 Teilnehmer: . Versuchsvorbereitung Invertierender Verstärker Nichtinvertierender Verstärker Nichtinvertierender

Mehr

Elektromagnetische Verträglichkeit Versuch 1

Elektromagnetische Verträglichkeit Versuch 1 Fachhochschule Osnabrück Labor für Elektromagnetische Verträglichkeit Elektromagnetische Verträglichkeit Versuch 1 Kopplungsmechanismen auf elektrisch kurzen Leitungen Versuchstag: Teilnehmer: Testat:

Mehr

Laborübung Gegentaktendstufe Teil 1

Laborübung Gegentaktendstufe Teil 1 Inhaltsverzeichnis 1.0 Zielsetzung...2 2.0 Grundlegendes zu Gegentaktverstärkern...2 3.0 Aufgabenstellung...3 Gegeben:...3 3.1.0 Gegentaktverstärker bei B-Betrieb...3 3.1.1 Dimensionierung des Gegentaktverstärkers

Mehr

Experimentelle Bestimmung der Ersatzschaltbilder von SMD- Bauelementen

Experimentelle Bestimmung der Ersatzschaltbilder von SMD- Bauelementen Vortrag über die Bachelor Arbeit Experimentelle Bestimmung der Ersatzschaltbilder von SMD- Bauelementen von Ouajdi Ochi Fachgebiet Hochfrequenztechnik Prof. Dr-Ing. K.Solbach Freitag, 28. Mai 2010 Universität

Mehr

Feldeffekttransistoren

Feldeffekttransistoren Feldeffekttransistoren ortrag im Rahmen des Seminars Halbleiterbauelemente on Thomas Strauß Gliederung Unterschiede FET zu normalen Transistoren FET Anwendungsgebiete und orteile Die Feldeffekttransistorenfamilie

Mehr

Grundlagen der Datenverarbeitung

Grundlagen der Datenverarbeitung Grundlagen der Datenverarbeitung Bauelemente Mag. Christian Gürtler 5. Oktober 2014 Mag. Christian Gürtler Grundlagen der Datenverarbeitung 5. Oktober 2014 1 / 34 Inhaltsverzeichnis I 1 Einleitung 2 Halbleiter

Mehr

Kleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik

Kleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik Kleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik Florian Franzmann 21. September 2004 Inhaltsverzeichnis 1 Stromrichtung 4 2 Kondensator 4 2.1 Plattenkondensator...............................

Mehr

Thermosensoren Sensoren

Thermosensoren Sensoren Thermosensoren Sensoren (Fühler, Wandler) sind Einrichtungen, die eine physikalische Grösse normalerweise in ein elektrisches Signal umformen. Die Messung der Temperatur gehört wohl zu den häufigsten Aufgaben

Mehr

Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik 1 (GET1) Versuch 1

Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik 1 (GET1) Versuch 1 Werner-v.-Siemens-Labor für elektrische Antriebssysteme Prof. Dr.-Ing. Dr. h.c. H. iechl Prof. Dr.-Ing..-P. Meyer Praktikum Grundlagen der lektrotechnik 1 (GT1) Versuch 1 Multivibrator (Astabile Kippstufe)

Mehr

Fachhochschule Düsseldorf Fachbereich Maschinenbau und Verfahrenstechnik. Praktikum Elektrotechnik und Antriebstechnik

Fachhochschule Düsseldorf Fachbereich Maschinenbau und Verfahrenstechnik. Praktikum Elektrotechnik und Antriebstechnik FH D FB 4 Fachhochschule Düsseldorf Fachbereich Maschinenbau und Verfahrenstechnik Elektro- und elektrische Antriebstechnik Prof. Dr.-Ing. Jürgen Kiel Praktikum Elektrotechnik und Antriebstechnik Versuch

Mehr

Operationsverstärker

Operationsverstärker Versuch 4 Operationsverstärker 1. Einleitung In diesem Versuch sollen Sie einige Anwendungen von Operationsverstärkern (OPV) untersuchen. Gleichzeitig sollen Sie erlernen, im Schaltungseinsatz ihre typischen

Mehr

Planung und Dimensionierung einer Schaltung Nutzer mit großer Leistung mit dem Feldeffekttransistor schalten

Planung und Dimensionierung einer Schaltung Nutzer mit großer Leistung mit dem Feldeffekttransistor schalten 5 bekannte Beispiele aus der Mittelstufe 5. Lichtpfeifer Lastenheft: Ein Summer soll ansprechen, wenn der Sensor Helligkeit registriert Aktor Ein 9V-Summer wird ausgewählt, um mit einem 9V Block arbeiten

Mehr

Transistoren Funktionsweise und Kennlinien BJT, MOS-FET und J-FET

Transistoren Funktionsweise und Kennlinien BJT, MOS-FET und J-FET Transistoren Funktionsweise und n BJT, MOS-FET und J-FET Dieses Skript erklärt wie die heute am häufigsten verwendeten Transistoren funktionieren und welches ihre charakteristischen n sind. Vorbereitete

Mehr

Arbeitsblatt Elektrotechnik

Arbeitsblatt Elektrotechnik 11. Elektrotechnik Grundlagen Haustechnik Sanitär Arbeitsblatt Elektrotechnik Lernziele: SI-Einheiten nennen, anwenden und einfache Rechnungen aus führen. Den Unterschied zwischen Gleich- und Wechselstrom

Mehr

EO - Oszilloskop Blockpraktikum Frühjahr 2005

EO - Oszilloskop Blockpraktikum Frühjahr 2005 EO - Oszilloskop, Blockpraktikum Frühjahr 25 28. März 25 EO - Oszilloskop Blockpraktikum Frühjahr 25 Alexander Seizinger, Tobias Müller Assistent René Rexer Tübingen, den 28. März 25 Einführung In diesem

Mehr

PTC-Widerstand. Material. Thema. Aufbau. Experiment. Messergebnisse

PTC-Widerstand. Material. Thema. Aufbau. Experiment. Messergebnisse PTC-Widerstand 1 Universalsteckbox 1 EIN-AUS-Schalter 1 Widerstand 500 Ω 1 PTC-Widerstand 1 Amperemeter 1 Voltmeter Zündhölzer Der Widerstand von Halbleitern kann von der Temperatur abhängen. Versorgungsspannung:

Mehr

VORBEREITUNG: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSTÄRKER

VORBEREITUNG: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSTÄRKER VORBEREITUNG: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSTÄRKER FREYA GNAM, TOBIAS FREY 1. EMITTERSCHALTUNG DES TRANSISTORS 1.1. Aufbau des einstufigen Transistorverstärkers. Wie im Bild 1 der Vorbereitungshilfe wird

Mehr

Der Transistor als Verstärker

Der Transistor als Verstärker 6 Der Transistor als Verstärker 6.1 Verstärker mit n-kanal MOSFET Aufgabenstellung Gegeben sei die in Abb. 6.1 (links) dargestellte Verstärkerschaltung mit der Betriebsspannung U B = 15 V und dem Drainwiderstand

Mehr

AC-Verhalten von Halbleiterbauelementen

AC-Verhalten von Halbleiterbauelementen Interdisziplinäres Laborpraktikum Master ET Versuch 76 AC-Verhalten von Halbleiterbauelementen Institut für Nanoelektronik Technische Universität Hamburg-Harburg Inhalt. Einleitung. Literatur. Der Transistor.

Mehr

Versuch V05: Bipolar- und Feldeffekttransistoren

Versuch V05: Bipolar- und Feldeffekttransistoren Versuch V5: Bipolar- und Feldeffekttransistoren Henri Menke und Jan Trautwein Gruppe 1 11 Platz k (Betreuer: Torsten Rendler) (Datum: 1. November 13) In diesem Versuch werden die ingangs- und Ausgangskennlinien

Mehr

Parametrierung von Ersatzschaltbildmodellen und Simulation von Batterien mit MATLAB und Simulink

Parametrierung von Ersatzschaltbildmodellen und Simulation von Batterien mit MATLAB und Simulink Parametrierung von Ersatzschaltbildmodellen und Simulation von Batterien mit MATLAB und Simulink Julia Kowal Elektrische Energiespeichertechnik, TU Berlin MATLAB EXPO 12. Mai 215, München Motivation -

Mehr

7 Transistor. 7.1 Einführung

7 Transistor. 7.1 Einführung 106 7 Transistor 7.1 Einführung Transistoren sind Halbleiterbauelemente mit drei Elektroden. Der Strom zwischen zwei dieser Elektroden kann durch einen viel kleineren Strom (bzw. eine Spannung) am dritten

Mehr

Kennlinienaufnahme elektronische Bauelemente

Kennlinienaufnahme elektronische Bauelemente Messtechnik-Praktikum 06.05.08 Kennlinienaufnahme elektronische Bauelemente Silvio Fuchs & Simon Stützer 1 Augabenstellung 1. a) Bauen Sie eine Schaltung zur Aufnahme einer Strom-Spannungs-Kennlinie eines

Mehr

Übung 3: Oszilloskop

Übung 3: Oszilloskop Institut für Elektrische Meßtechnik und Meßsignalverarbeitung Institut für Grundlagen und Theorie der Elektrotechnik Institut für Elektrische Antriebstechnik und Maschinen Grundlagen der Elektrotechnik,

Mehr

Übungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012

Übungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012 Übungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012 1. In der folgenden Schaltung wird ein Transistor als Schalter betrieben (Kennlinien s.o.). R b I b U b = 15V R c U e U be Damit der Transistor möglichst schnell

Mehr

U N I V E R S I T Ä T R E G E N S B U R G

U N I V E R S I T Ä T R E G E N S B U R G U N I V E R S I T Ä T R E G E N S B U R G Naturwissenschaftliche Fakultät II - Physik Anleitung zum Physikpraktikum für Chemiker Versuch ww : Wechselstromwiderstand Dr. Tobias Korn Manuel März Inhaltsverzeichnis

Mehr

Herzlich willkommen zum Sommerfest des PING e.v.

Herzlich willkommen zum Sommerfest des PING e.v. Herzlich willkommen zum Sommerfest des PING e.v. Elektronik Basteltag bei PING! Leuchtdioden (LED) Taschenlampe Schritt-für-Schritt Aufbau Hilfestellung durch die anwesenden PINGels Taschenlampe darfst

Mehr

Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden

Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden von B. Kainka, Auszug aus: Grundwissen Elektronik Die Spannung eines einfachen Netzgeräts ist in hohem Maße von der Belastung abhängig. Auch bei Batterieversorgung

Mehr

ÜBUNGSBEISPIELE Beispiel 1.

ÜBUNGSBEISPIELE Beispiel 1. ÜBUNGSBEISPIELE Beispiel 1. Wieviele Ladungen sind für das Ruhepotentialpotential von -70 mv nötig?? Zusatzinfo: Membrankondensator 0.01F/m 2 a) Wieviele K + Ionen sind dies pro m 2?? Eine typische Zelle

Mehr

Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum. Praktikum Nr. 2. Thema: Widerstände und Dioden

Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum. Praktikum Nr. 2. Thema: Widerstände und Dioden Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik Versuchsbericht für das elektronische Praktikum Praktikum Nr. 2 Name: Pascal Hahulla Matrikelnr.: 207XXX Thema: Widerstände und Dioden Versuch durchgeführt

Mehr

E l e k t r o n i k I

E l e k t r o n i k I Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2002/03 Elektronik I Mob.:

Mehr

Die Photodiode (PD) ist ein optoelektronisches Bauteil, welches benutzt wird um Licht in ein elektrisches Signal umzuwandeln.

Die Photodiode (PD) ist ein optoelektronisches Bauteil, welches benutzt wird um Licht in ein elektrisches Signal umzuwandeln. Versuch 1: Die Photodiode Die Photodiode (PD) ist ein optoelektronisches Bauteil, welches benutzt wird um Licht in ein elektrisches Signal umzuwandeln. Es werden 3 verschiedene Betriebsarten von PDs unterschieden:

Mehr

Kalibrator-Multimeter METRAHIT MULTICAL

Kalibrator-Multimeter METRAHIT MULTICAL Kalibrator-Multimeter METRAHIT MULTICAL Kalibrator und Multimeter in einem Gehäuse / interner Speicher / Dualmode für gleichzeitiges Geben und Messen / Rampen und Treppenfunktion / Simulator für Strom,

Mehr

4. Nichtlineare Bauelemente, Schaltungen und Systeme

4. Nichtlineare Bauelemente, Schaltungen und Systeme 4. Nichtlineare Bauelemente, Schaltungen und Systeme (4.1) (4.2) (4.3) (4.4) 4.1 Nichtlineare Bauelemente 4.1.2 Nichtlinearer Widerstand Abb. 4.1. Stromgesteuerte Widerstände (4.5) Spannungsgesteuerte

Mehr

Kapitel 1: Diode. Abb. 1.1. Schaltzeichen und Aufbau einer Diode. Metall

Kapitel 1: Diode. Abb. 1.1. Schaltzeichen und Aufbau einer Diode. Metall Kapitel 1: Diode Die Diode ist ein Halbleiterbauelement mit zwei Anschlüssen, die mit Anode (anode,a) und Kathode (cathode,k) bezeichnet werden. Man unterscheidet zwischen Einzeldioden, die für die Montage

Mehr

EL1 - Die Diode. E1 - Die Diode Simon Schlesinger Andreas Behrendt

EL1 - Die Diode. E1 - Die Diode Simon Schlesinger Andreas Behrendt EL1 - Die Diode Einleitung: In diesem Versuch beschäftigen wir uns mit der pn-halbleiterdiode. Im ersten Versuchsteil beschäftigen wir uns mit einer grundlegenden Eigenschaft, nämlich die Kennlinien einer

Mehr

Versuch 21 Transistor

Versuch 21 Transistor Physikalisches Praktikum Versuch 21 Transistor Praktikanten: Johannes Dörr Gruppe: 14 mail@johannesdoerr.de physik.johannesdoerr.de Datum: 27.09.2006 Katharina Rabe Assistent: Sebastian Geburt kathinka1984@yahoo.de

Mehr

Amateurfunk-Kurs Ortsverband C Ø1, Vaterstetten 16.01.06

Amateurfunk-Kurs Ortsverband C Ø1, Vaterstetten 16.01.06 Netzteil 1 Netzgerätetechnik Die bei fast allen elektronischen Geräten benötigte Betriebspannung ist eine Gleichspannung, die üblicherweise in einem Bereich von 6..24 V liegt. Um diese Betriebspannungen

Mehr

ic-hk 155MHz-LASERSCHALTER

ic-hk 155MHz-LASERSCHALTER MHz-LASESCHALTE Ausgabe 0.0.0, Seite / APPLIKATIONSHINWEISE Einstellung des Laserstroms Sollen DC-Ströme bis 0 ma oder Pulsströme bis etwa 00 ma geschaltet werden, so reicht die Verwendung eines Kanals

Mehr

7. Unipolare Transistoren, MOSFETs

7. Unipolare Transistoren, MOSFETs 7.1. Funktionsweise Die Bezeichnung MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) deutet auf den Aufbau dieses Transistors hin: Das Halbleiterelement ist mit einer sehr dünnen, isolierenden

Mehr

Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren

Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 2 2 Grundlagen 2 2.1 MOSFET..................................... 2 2.2 JFET....................................... 3 2.3 Übersicht der

Mehr