Fertigung elektronischer Baugruppen - Formelzeichen, Symbole, Glossar

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1 Fertigung elektronischer Baugruppen - Formelzeichen, Symbole, Glossar Kurzzeichen Maßeinheit Bedeutung, Erklärung [1-3] A m 2 Fläche A Nm = V As = J Arbeit (Hinweis: A = -W) A m 2 Flächenvektor B T = Vs m -2 = Wb / m² magnetische Flussdichte, Vektor C F = As / V = C / V Kapazität, dielektrisch c - konstante, allgemein c 0 m/s Lichtgeschwindigkeit, 1/c 0 = 0 0 ; ( l 2, *10 8 m/s) c ECE g/ah Elektrochem. Äquivalent E V / m elektrische Feldstärke, Betrag E ev, Nm = W s Energie E e W / m 2 Bestrahlungsstärke oder Strahlungsleistungsdichte E V ev Valenzband-Energieniveau E v Lux, lx Beleuchtungsstärke E V / m elektrische Feldstärke, Vektor F As/mol FARADAY-Konstante (= 9,6485*10 4 As/mol) [4] F 1N = V As / m = kg m s -2 Kraft, Vektor f 1 Hz = 1 / s Frequenz G A / V = S Elektrischer Leitwert G xxx Generationsrate von Ladungsträgern H A / m magnetische Feldstärke (Erregung), Vektor h J s = W s 2 = V As 2 PLANCK sches Wirkungsquantum (= 6, *10-34 ) I A elektrischer Strom I K A Kurzschlussstrom i - Laufindex J A / m 2 elektrische Stromdichte J A / m 2 elektrische Stromdichte, Vektor k W s / K BOLTZMANN-Konstante (= 1,380658*10-23 Ws/K) k K s -1 mol m -2 Edukt an der Kathode L H = Vs / A = Wb / A Induktivität L D m Diffusionslänge m kg Masse m e kg Masse des Elektrons (ca. 9,1095*10-31 kg) m ION kg Masse des Ions m MOL g/mol Molare Masse (Molmasse) N A 1/mol AVOGADRO-Konstante (= 6,02214* /mol) [4] n - Variable n - Teilchenmenge n - optischer Brechungsindex, Brechzahl n cm -3 Anzahl / Dichte beweglicher Elektronen vba00febg_formel_sym_gloss.lwp Seite 1

2 n 1 (Flächen-) Normalenvektor der Ebene P VA = W Leistung p Pa Druck Q 1C = As Ladung q 0 1C = As Elementarladung (e = 1,602189*10-19 As) R = V/A elektrischer Widerstand R J/mol*K molare Gaskonstante (= 8314,41 J/mol*K ) R th K / W Thermischer Widerstand bzw. Wärmewiderstand r m Radius s m Wegelement T K Temperatur t s Zeit U, U e V elektrische Spannung V m 3 Volumen V mol m 3 /mol molares Normalvolumen (= Molvolumen) v m 3 Volumenelement W N m = J Arbeit (= Kraft F * Weg s) W ev, Nm = W s = J Energie, Arbeit (veraltet) x - Koordinate im kartesischem System y - Koordinate im kartesischem System z - Koordinate im kartesischem System z - Chemische Wertigkeit a alpha 1/cm Absorptionskoeffizient a th alpha 1/K Temperaturkoeffizient Delta - LAPLACE-Operator, Vektorgröße As epsilon Vm Dielektrizitätskonstante = 0 $ rel (allgemeiner, spezifischer dielektrischer Leitwert) As, F / m Dielektrizitätskonstante im Vakuum (= 8,854188* Vm F/m) etha - Wirkungsgrad der Energiewandlung theta grd Vertikalwinkel [0, 180 ] K Temperatur kappa 1 m 1 = S / m spezifische elektrische Leitfähigkeit ( = 1/) lambda m Wellenlänge, Weglänge Vs μ my Am Permeabilität = 0 $ rel (spezifischer magnetischer Leitwert) Vs my, F / m, N / A² Permeabilität im Vakuum (= 1,256637* Am = F / m) ny 1/s = Hz Frequenz der Photonen rho m, mm 2 m 1 spezif. elektr. Widerstand ( = 1/) kg m -3, g cm -3 Stoffdichte phi grd Winkel [0, 360 ] V elektrisches Potential (Skalar) Omega Steradiant, sr Raumwinkel; = S/r 2 = 4, 1sr = 1m 2 /1m 2 [1] omega 1/s Kreisfrequenz (= 2f) vba00febg_formel_sym_gloss.lwp Seite 2

3 Äquivalenzen - Umrechnungen von physikalisch-technischen Größen 1 ) Größe Einheit Zeichen SI-Basis, Umrechnung Arbeit Joule J 1 J = 1 Nm = 1 V As = 1 W s Aktivität Becquerel Bq 1 Bq = 1 / s Äquivalentdosis Sievert Sv 1 Sv = 1 m² / s² Beleuchtungsstärke Lux lx 1 lx = 1 cd sr / m² Druck Pascal Pa 1 Pa = 1 kg / (m s²) Energie Joule J 1 J = 1 Nm = 1 V As = 1 W s = 1 kg m² s -2 Energiedosis Gray Gy 1 Gy = 1 m² / s² Fläche, Querschnitt A mm² Fluss, dielektr. / Ladung Coulomb C 1 C = 1 As Fluss, magnet. Weber Wb 1 Wb = 1 Vs = kg m² / (A s²) Flussdichte (mag.) Tesla T 1 T = Vs / m² = 1 kg / (A s²) Frequenz Hertz Hz 1 Hz = 1 / s Induktivität Henry H 1 H = 1 Vs / A = 1 kg m² / (A ² s²) Kapazität Farad F 1 F = 1 As / V = 1 A ² s² / J² Kraft Newton N 1 N = 1 V As / m = 1 kg m s -2 Ladung / dielektr. Fluss Coulomb C 1 C = 1 As (Elektrizitätsmenge) Leistung Watt W 1 W = 1 VA = 1 Kg m² / s³ Leitwert (elektr.) Siemens S 1 S = 1/ = 1 A ² s³ / (kg m²) Lichtstrom Lumen lm 1 lm = 1 cd sr Spannung (elektr.) Volt V 1 V = 1 kg m² / (A s³) Widerstand (elektr.) Ohm 1 = 1 / S = 1 V / A = 1 kg m² / ( A ² s³) Abkürzungen / Akronyme / Glossar ACA AOI AXI ATO AVT A-Stage ATE BERT BGA BOD BOM Bscan BST B-Stage CAD CAP COB C-Stage Anisotropic Conducting Adhesive; Kleber, in Z-Achse leitend Automatische Optische Inspektion Automatische Röntgeninspektion Aluminium dotiertes Zinnoxid Aufbau- und Verbindungstechnik Aktivierungsgrad fürharzsystme / Polymere: unvernetzt, flüssig Automated Test Equipment Bit Error Rate Testing Ball Grid Array (Pinkonfiguration) Begin of Data (Datensatzkennzeichnung) Bill of Materials - Liste der Bauteile einer Leiterplatte Boundary Scan Boundary Scan Test Aktivierungsgrad fürharzsystme / Polymere: halb vernetzt, flexibel o. pastös Comuter Aided Design (Rechner gestützter Entwurf) Core Assisted Programming Chip-on-Board, Montagetechnik Aktivierungsgrad fürharzsystme / Polymere: vollständig vernetzt, fest 1 ) v. Ardenne, Musiol, Klemradt: Effekte der Physik und ihre Anwendungen, Verlag Harry Deutsch, 3. Aufl. 2005, S vba00febg_formel_sym_gloss.lwp Seite 3

4 DCA DGL DKL DMA EM EOD ESA FAP FAT FCT FF FPGA FPT FTO Gl. Gln. GW IBA IC ICT IEEE IP IR ISP JTAG HN ITO LP M MCU MDA MID MIL MLL NDKL NCA NGW OCE Pad PCB PCI PET PLD Pluggen Poly-Si Prepreg PXI SIP SMD Direct Chip Attach - Direktmontage von unbehausten Si-Chips auf der LP Differentialgleichung Durchkontaktierte Leiterplatte dynamisch-mechanische Analyse (= Verfahren zur Bestimmung von Kunststoffeigenschaften bei Leiterplatten (FR4)) Elektromigration End of Data (Datensatzkennzeichnung) Embedded System Access FPGA Assisted Programming FPGA Assisted Test Functional Circuit Test Füllfaktor Field Programmable Gate-Array Flying Probe Test Fluor dotiertes Zinnoxid Gleichung Gleichungen thermodynamisches Gleichgewicht Intrusive Board Access Integrated Circuit ( Chip ) In-Circuit-Test Institute of Electrical and Electronics Enginees Intellectual Property Infrarot In-System Programming Joint Test Action Group Hauptnenner Indium Tin Oxide Leiterplatte Metall, allgemein Micro Controller Unit Manufacuring Defect Analyzer Molded Interconnect Devices (Spritzguss-Variante einer 3D-Leiterplatte) = 1/1000 Inch = 25,4 μm Mehrlagen-Leiterplatte Nicht durchkontaktierte Leiterplatte Natice Connector Access thermodynamisches Nichtgleichgewicht On-Chip Emulation Kontaktfläche Printed Circuit Board (engl. = Leiterplatte) Peripheral Component Interconnect ( Bus ) Processor Emulation Test Programmable Logic Device Verfüllen eines Hohlraumes poly kristallines Silizium, auch multikristallin bezeichnet (mc) mit synth. Harzen vorimprägnierte Fasern (engl. preimpregnated fibres ) PCI extension for Instrumentation System in Package Surface Mounted Device vba00febg_formel_sym_gloss.lwp Seite 4

5 SMT Surface Mounted Technology SOC System on Chip TAP Test Access Board TCK Test Clock TCO Tranparent Conductive Oxide TDI Test Data In THD / THT Through Devices / Technology - Durchsteckbare (bedrahtete) Bauelemente / Technologie TRST Test Mode Reset TMS Test Mode Select TDO Test Data Out UUT Unit Under Test Via Durchkontaktierung μc μp Micro Controller Micro Processor Siehe auch Link: < Literatur zu Konstanten und Definitionen [1] Bronstein et al: Taschenbuch der Mathematik Verlag Harri Deutsch, 2006, S. 155, ISBN [2] Lehner: Elektromagnetische Feldtheorie, Springer Verlag, 3. Aufl. (1996), S [3] Frohne: Elektrische und magnetische Felder, B.G.Teubner Verlag, 1994, S [4] Atkins, P.W.: Physikalische Chemie, VHC-Verlag 1996 vba00febg_formel_sym_gloss.lwp Seite 5