Einführung. Einführung B

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1 Einführung 1 Ultrahochvakuumtechnologie (UHV) Aufdampfen und Molekularstrahlepitaxie Grundlagen der Teilchenoptik und Spektroskopie Chemische Analyse: Auger-Elektronenspektroskopie (AES) Mikrosonde (EDX) Sekundärionenmassenspektroskopie (SIMS) Rutherford Rückstreuung (RBS) Morphologie und Struktur der Oberflächen Relaxation, Rekonstruktion und Defekte Niederenergetische Elektronenbeugung (LEED) Refektion hochenergetisch gebeugter Elektronen (RHEED) Hochauflösende Röntgenbeugung (HRXRD) Röntgenreflexion Photoemission (UPS, XPS) Rasterelektronenmikroskopie (SEM) Rastertunnel- und Rasterkraftmikroskopie (STM und AFM) Einführung B 2 Optische Meßmethoden: Absorption-, Reflexions- und Transmissionsmessungen Ellipsometrie Photo- und Kathodolumineszenz IR- und Ramanspektroskopie Elektronische Meßmethoden: Hall-Effektmessung Schubnikov-de-Haas Oszillationen und Quantum-Hall-Effekt Kapazitäts-Spannungsmessung (CV) Tiefe Störstellenspektroskopie (DLTS) Die Vorlesung gibt einen Überblick über die experimentellen Meßmethoden der Oberflächen-, Festkörper- und Halbleiterphysik. Die Zusammenhänge für das Verständnis werden so dargestellt, daß Sie auch Studenten ohne spezielle Ausbildung in Quantenmechanik in ihren Grundzügen verstehen können. 1

2 Vakuumtechnik 3 Typische Anwendungen in der Industrie 4 2

3 Eigenschaften eines idealen Gases 5 Maxwell sche Geschwindigkeitsverteilung 6 3

4 Mittlere freie Weglänge eines Gases 7 Druckabhängige Größen Flughöhe eines Reiseflugzeuges 8 4

5 Begriffe der Vakuumtechnik 9 [m 3 /s] Vakuumsystem 10 Faustregel: Die Leitungen müssen möglichst kurz und weit sein 5

6 Verschiedene Strömungsarten im Vakuum 11 Leitwert/Widerstand einer Rohrleitung 12 6

7 Schematisches Diagramm eines Basisvakuumsystems 13 Serienschaltung von Rohren S S C eff 0 tot Parallelschaltung von Rohren Mit C als Leitwert (im Deutschen auch L bezeichnet) Normbreiten von Rohren 14 7

8 Saugvermögen und Saugleistung 15 Saugvermögen S: Saugleistung Q: Strömungswiderstand W: dv S V dt dv Q p p S dt p W Q Reihenschaltung: Wges Wi Parallelschaltung: Leitwert L: 1 1 W Wges i 1 Q L W p i i Effektives Saugvermögen S eff : Pumpwirkungsgrad : S Seff S S 1 L S 1 eff 1 S S 1 L Faustregel: Die Leitungen müssen möglichst kurz und weit sein Ausdrücke für die Gasflußrate 16 8

9 Symbole in der Vakuumtechnik 17 Druckbereiche der Vakuumtechnik 18 Grobvakuum Feinvakuum Hochvakuum Ultrahochvakuum 9

10 Typische Anwendungen 19 Ultrahochvakuum (UHV)-Technik Wie gut muß Vakuum sein? Druck p bestimmt wie viele (Gas-)Teilchen pro Sekunde und cm 2 auf Oberfläche auftreten Auftreffrate : Mittlere Energie: z [cm 2 /s] p 2 m v z k BT m v m v k BT v m 6kBT p z 2 3 mkbt z v Eine Monolage ist ca Teilchen Mit Molekulargewicht 28 (N 2 ) und T=300 K ergibt sich damit z = cm -2 s -1 p z 2 3 m k T B p [ Torr] Dies bedeutet, daß bei etwa 10-6 Torr, pro Sekunde eine Zahl von Molekülen, die einer Monolage entsprechen auf die Oberfläche auftrifft. Haftende Moleküle werden durch einen Haftkoeffizienten S bestimmt. (S = 1 d.h. jedes Atom bleibt an der Oberfläche haften!) 10

11 Ultrahochvakuum (UHV)-Technik 21 d.h. um eine Reine Oberfläche untersuchen zu können und zwar über einen Zeitraum von Stunden ist deshalb ein Vakuum von mbar oder weniger notwendig. UHV-Bedingungen Mit dem Haftkoeffizienten S kann eine neue Größe Langmuir (1L) definiert werden: Dies entspricht einer Dosis (Adsorbate/cm 2 ) die einem Aussetzen der Oberfläche (1s) einem Druck von 10-6 Torr entspricht oder z.b 10-8 Torr 100s. Druckeinheiten: Ultrahochvakuum (UHV)-Technik 22 11

12 Ultrahochvakuum (UHV)-Technik 23 Zur Erzeugung von UHV benötigt man die entsprechenden Pumpen Zur Messung des Drucks benötigt man Meßsonden Und eine Vakuumkammer: besteht aus VA-Stahlkörper (ausheizbar) hat verschiedene Öffnungen Fenster Messgeräte Herstellungsgeräte (z.b. Knudsenzellen) An den Wänden adsorbiert Restgas Ausheizen z.b. 10 h bei C Flansche werden mit Cu-Ringen gedichtet Bem.: für HV (< 10-7 mbar) reichen nicht ausheizbare Gummi oder Viton Dichtungen 12