3. TRANSISTOREN 3.1. EINLEITUNG 3.2. AUFBAU UND WIRKUNGSWEISE DES TRANSISTORS PRINZIPIELLER AUFBAU DES TRANSISTORS
|
|
- Brigitte Adenauer
- vor 8 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 3. TRANSISTOREN 3.. EINLEITUNG Der hete verwendete (Bipolar-) Transistor wrde von Bardeen Brattain nd Shockley 948 in den Bell Laboratorien af der Grndlage der Gleichrichtertheorie von Schottky erfnden. Hierbei handelt es sich m eine Dreischichtenfolge. Als erstes Material wrde anfänglich Germanim verwendet. Später wrde es drch Silizim, wegen dessen höherer Temperatrbeständigkeit verdrängt, nd ist bis hete das Grndmaterial für Halbleiterbateile schlechthin. Der Transistor ersetzte die damals für Verstärkeranwendngen üblicherweise verwendete Elektronenröhre. Hete ist der Transistor allgegenwärtig. Die Bezeichnng Transistor setzt sich zsammen as Transfer nd Resistor. Transistor Transfer - Resistor 3.. AUFBAU UND WIRKUNGSWEISE DES TRANSISTORS Ziel dieses Kapitels: Die Wirkngsweise eines Transistors verstehen lernen. Afba eines Transistors kennen lernen. Wichtigste Eigenschaften eines Transistors kennen lernen. Schlüsselworte: NPN-, nd PNP Transistor PRINZIPIELLER AUFBAU DES TRANSISTORS Der prinzipielle Afba eines (Bipolar-) Transistors sieht folgendermassen as: N P P N NPN Transistor N P PNP Transistor P. Walther, T. Klter, 00 59
2 Ein Bipolartransistor besteht as drei Schichtfolgen NPN oder PNP von dotiertem Halbleitermaterial. Beim hete verwendeten Silizim ist die Schichtfolge NPN am meisten verbreitet. Bei diesem Afba handelt es sich m zwei Dioden, die in Serie geschaltet sind. Die mittlere Zone mss dabei besonders dünn (m- Bereich) sein. Nachfolgende Tabelle zeigt die Verhältnisse im Überblick. Tabelle Transistortyp Halbleiterschichtfolge Diodenvergleich Schaltzeichen NPN-Transistor N P N Kollektor Basis Emitter B E B E PNP-Transistor P N P Kollektor Basis Emitter B E B E Die drei Elektroden werden Kollektor, Basis B nd Emitter E genannt. Der Name der Basis stammt von Basis, Grndlage, af der der Afba des Transistors rsprünglich realisiert wrde. Emitter kommt von assenden (von Ladngsträgern), Kollektor von einsammeln von Ladngsträgern. Der hetige Afba ist nicht mehr wie z Beginn nd so hat die Basis nicht mehr die Bedetng von Grndlage, die Bezeichnng Basis ist aber geblieben WIRKUNGSWEISE DES TRANSISTORS Im Normalbetrieb ist die Basis-Emitterdiode in Drchlassrichtng gepolt nd die Kollektor-Basisdiode in Sperrrichtng, so dass eigentlich kein Kollektorstrom fliessen kann. Hier spielt aber die Geometrie des Afbas eine grosse Rolle. Die Dicke der Basisschicht beträgt nämlich nr etwa m. Af diese Weise sind die beiden Dioden im Transistor nicht nabhängig voneinander, siehe daz schematischer Afba weiter nten. P. Walther, T. Klter, 00 60
3 Kollektor N Kollektor Basis P U E Basis U E U BE N U BE Emitter Emitter Betriebsbedingngen eines Transistors (hier NPN). Die Basis-Emitterdiode ist in Drchlassrichtng gepolt nd es fliesst ein Basisstrom. Die Kollektor- Basisdiode ist in Sperrrichtng gepolt. Da die Basisschicht sehr dünn ist, gelangen Ladngsträger (beim NPN Transistor die Elektronen, beim PNP Transistor die Löcher), die vom Emitter her in die Basis gelangen, in die ladngsträgerfreie Diffsionsschicht der Kollektor-Basisdiode. Dort werden sie vom Kollektor eingesammelt. So fliesst ach ein Kollektorstrom. Ja, es ist sogar so, dass die meisten dieser Ladngsträger in diese ladngsträgerfreie Zone gelangen nd nr sehr wenige as der Basis heras fliessen. Das Verhältnis Kollektorstrom z Basisstrom I /I B beträgt bei Kleinsignaltransistoren für allgemeine Anwendngszwecke etwa 00/. Dieses Stromverhältnis nennt man Stromverstärkng. Kollektor Stromverhältnisse beim Transistor N I ~99% Basis P U E I B ~% U E U BE N U BE I E =00% Emitter Fliesst kein Basisstrom, gelangen keine Ladngsträger vom Emitter her in die Basis, (man spricht in diesem Zsammenhang ach von Ladngsträgerinjektion), so fliesst ach kein Kollektorstrom I. Es gilt also: P. Walther, T. Klter, 00 6
4 I = B I B. Wobei B der Gleichstromverstärkngsfaktor I /I B bedetet SPANNUNGEN UND STRÖME BEIM TRANSISTOR Folgende Ströme nd Spannngen spielen beim Transistor eine Rolle. U B I Es gilt: I B U E U E = U B + U BE nd U BE E I E = I B + I I E Konvention: A Spannngspfeil = U AB = -U BA B bedetet: Spannng (od. Potential) gemessen am Pnkt A bezüglich Pnkt B. Die Strompfeile geben die konventionelle Stromrichtng an (vom Plspol zm Minspol der Speisng. asserhalb der Speisng). Verständnisfragen:. Wie fnktioniert ein Transistor nd was ist besonders entscheidend fürs Fnktionieren?. Welche Arten von Transistoren gibt es? 3. Was bedetet das Verhältnis I /I B? P. Walther, T. Klter, 00 6
5 3.3. GRUNDSHALTUNGEN DES TRANSISTORS Es gibt verschiedene Grndschaltngen mit Transistoren zr Verstärkng von Signalen. Diese sollen hier der Reihe nach krz vorgestellt werden. Ziel dieses Kapitels: Die Grndverstärkerschaltngen von Transistoren kennen lernen. Schlüsselworte: Emitterschaltng, Basisschaltng, Kollektorschaltng DIE EMITTERSHALTUNG Die sog. Emitterschaltng ist die in der Technik wichtigste Verstärkerschaltng. Dabei ist der Emitter der Referenzanschlss. Sowohl die Eingangs- als ach die Asgangsspannng beziehen sich af diese. Das folgende Bild zeigt dies schematisch. Asgang Eingang Emitterschaltng Die Emitterschaltng wird zr allgemeinen Verstärkng eines Signals verwendet, ist aber ach für einfache Schalteranwendngen geeignet. Mit dieser Schaltng können die grössten Spannngsverstärkngen erreicht werden. Über die speziellen Eigenschaften soll später asführlicher die Rede sein. P. Walther, T. Klter, 00 63
6 3.3.. DIE BASISSHALTUNG Die sog. Basisschaltng hat die Basis als Referenzanschlss. Die Eingangsspannng liegt am Emitter gegenüber der Basis an. Diese Schaltng eignet sich besonders für Hochfreqenzanwendngen, da die Basis mit der Masse verbnden ist, die die Wirkng einer Schirmng hat nd einen möglichen Einflss vom As- af den Eingang vermindert. Af diese Grndschaltng soll später nicht näher eingegangen werden, da wir es weniger mit Hochfreqenzanwendngen z tn haben werden. Eingang Asgang Basisschaltng DIE KOLLEKTORSHALTUNG Als dritte Schaltngsmöglichkeit ist die Kollektorschaltng z nennen. Diese hat keine grosse technische Bedetng nd so soll ach diese später nicht im Detail betrachtet werden. Z beachten ist, das der Emitter mit dem Kollektor vertascht sind. Dennoch soll sie krz vorgestellt werden. Eingang Asgang Kollektorschaltng Verständnisfragen:. Woz dient die Emitterschaltng?. Woz dient die Basisschaltng? 3. Was ist das Besondere an der Basisschaltng? P. Walther, T. Klter, 00 64
7 3.4. KENNLINIENFELDER UND KENNWERTE EINES TRANSISTORS Der Transistor lässt sich drch die Grössen I E, I, I B nd U E, U BE nd U B beschreiben. Man stellt die für die Beschreibng des Transistors wichtigen Beziehngen nter diesen 6 Grössen grafisch in sog. Kennlinienfeldern nd Kennlinien dar. Ziel dieses Kapitels: Die Fnktionsweise eines Transistors mit Hilfe von Kennlinien verstehen lernen. Schlüsselworte: Eingangswiderstand, Asgangswiderstand, Gleichstromverstärkngsfaktor B Kleinsignalverstärkngs- Faktor, Rückwirkngsfaktor, h-parameter DAS EINGANGSKENNLINIENFELD Hierbei wird folgende Messschaltng zgrndegelegt: I B (A) I I B U E const. Speisng U BE U U B I B U BE (V) Sim Messanordnng Kennlinie I B =f(u BE ); U E = const. Die Eingangskennlinie eines Transistors entspricht in etwa der Kennlinie einer gewöhnlichen Silizimdiode. Die Schwellspannng beträgt ca. 0.7 V. Wie bereits von der Diode her bekannt, ist der differentielle Widerstand abhängig davon, wo sich der Betriebspnkt af der Krve befindet, dh. hier beim Transistor, bei welchem Arbeitspnkt der Transistor später betrieben wird. Der differentielle oder dynamische Eingangswiderstand r BE entspricht der Tangente an die Krve im jeweiligen Arbeitspnkt (wird später besprochen). P. Walther, T. Klter, 00 65
8 r BE = U I BE B wobei für U E gilt: U E = const. r BE wird ach als differentieller Eingangswiderstand nd als h-parameter mit h e bezeichnet. Nachstehende Figr zeigt die qalitative Abhängigkeit dieser Eingangskrve von der Kollektorspannng. I B U E <U E <U E3 U BE DAS AUSGANGSKENNLINIENFELD Hierbei wird folgende Messschaltng zgrndegelegt: I I I B U U E variabel U BE I E Messanordnng Asgangskennlinienfeld I = f(u E ) Sim As dieser Kennlinienschar lässt sich der sog. differentielle Asgangswiderstand r E ermitteln. P. Walther, T. Klter, 00 66
9 Er latet: r E = U I E wobei für I B gilt: I B = const. Der entsprechende h-parameters h e ist der Kehrwert des differentiellen Asgangswiderstands r E. h e =/ r E mit der Dimension [S] für Leitwert DAS STROMSTEUERUNGSKENNLINIENFELD Hierbei wird folgende Messschaltng zgrndegelegt: I I I B I U E = const. A Messschaltng I = f (I B ) für U E = const. Sim In dieser Kennlinie steckt der Gleichstromverstärkngsfaktor B, B = I IB für U E = const. sowie der Kleinsignalverstärkngsfaktor ach differentieller Verstärkngsfaktor genannt. = I I B für U E = const. Der entsprechende h-parameter heisst h e nd ist gleich. P. Walther, T. Klter, 00 67
10 DIE RÜKWIRKUNGSKENNLINIEN Hierbei wird folgende Messschaltng zgrndegelegt: I I B U U E = variabel U Messanordnng U BE = f(u E ) für I B = const. Hierbei handelt es sich m den differentiellen Rückwirkngsfaktor D vom Asgang af den Eingang. D = U U BE E mit I B = const. Dieser Faktor D wird ach als h-parameter h e bezeichnet. Diese vier beschriebenen Eigenschaften werden in der Regel in einem sog. Vierqadrantenkennlinienfeld dargestellt. Man erhält so einen Überblick über die Eigenschaften eines Transistors. Im. Qadranten stehen die Asgangskennlinien, im. Qadranten findet man die Stromverstärkngseigenschaften, im 3. Qadranten sind die Eingangseigenschaften z finden nd im 4. Qadranten findet man die Rückwirkngseigenschaften eines Transistors. P. Walther, T. Klter, 00 68
11 Nachstehend zr Übersicht alle vier Qadranten af einen Blick: Verständnisfragen:. Wie bestimmt man den Eingangswiderstand eines Transistors?. Wo liest man den Gleichstromverstärkngsfaktor eines Transistors ab? 3. Was ist der Kleinsignalverstärkngsfaktor nd wie wird er bezeichnet? 4. Was ist der Asgangsleitwert? 5. Was versteht man nter Spannngsrückwirkng? P. Walther, T. Klter, 00 69
12 3.5. DER ARBEITSPUNKT EINER TRANSISTORSHALTUNG Damit ein Transistor als Verstärkerelement verwendet werden kann, mss ein sog. Arbeitspnkt festgelegt werden. Dieser entspricht einer statischen Betriebsbedingng nd bezieht sich nr af Gleichstrom- nd Spannngsgrössen. Dieser Arbeitspnkt ist eine Vorassetzng für den Betrieb als Verstärker für Kleinsignale. Ziel dieses Kapitels: Verstehen lernen, was ein Arbeitspnkt einer Verstärkerschaltng ist. Lernen, wie der Arbeitspnkt gewählt wird. Eine Verstärkerschaltng berechnen lernen. Schlüsselworte: Arbeitspnkt, Kleinsignalverstärkng, Verstärkerschaltng EINFAHSTE VERSTÄRKERSHALTUNG Für die Diskssion wählen wir nachstehende einfachste Verstärkerschaltng: V R R e +6V a e Re R 0V a Ra 0Meg Damit die Amplitde am Asgang gleich viel nach oben wie nten schwingen kann, wählen wir für die Kollektorspannng 6V (=V/). Für den Kollektorrhestrom wählen wir willkürlich 3 ma. Dies ist ein Erfahrngswert nd lässt sich nicht so schnell erklären. Für Kleinsignaltransistoren ist dieser Wert vernünftiger- P. Walther, T. Klter, 00 70
13 weise zwischen ca.ma nd 0mA, wenn keine weiteren Anforderngen gestellt werden, wie z.b. höchstmögliche Freqenzübertragng oder kleiner Asgangswiderstand der Schaltng etc. Damit ergibt sich für den Widerstand R L ein Wert von k. R = 6V/3mA = k. Für die beiden Extremfälle wo der Transistor ganz drchgesteert ist, U E = 0V, nd gar nicht angesteert U E = V, ist ergeben sich die beiden Extremwerte für die Kollektorströme von: U E = 0V; I = V/k = 6mA nd U E = V; I = 0V/k = 0mA. Mit diesen beiden Werten kann die sog. Arbeitsgerade in das Asgangskennlinienfeld eingetragen werden. 6mA 6V V P. Walther, T. Klter, 00 7
14 Asgehend vom Arbeitspnkt im I. Qadranten, könnte jetzt im II. Qadranten der entsprechende Basisstrom af grafische Weise ermittelt werden. Dieser Weg ist nicht empfehlenswert, da der Verstärkngsfaktor B bis z einem Faktor 6 variieren kann. Man verlässt sich daher lieber af die Basisspannng, die weit genaer ist, nämlich ca. 0,7 Volt. Man wählt den Basisspannngsteiler, bestehend as R nd R so, dass ein wesentlich grösserer Qerstrom I q drch R fliesst, so dass der Basisstrom für die Berechnng der Widerstände von ntergeordneter Bedetng ist. Als Anhaltspnkt kann mit einer kleinsten Verstärkng B von ca. 00 gerechnet werden. Damit werden die Widerstände folgendermassen bestimmt: R = V 0.7V 30A 300A 34,k nd R = 0,7V 300A,33k Damit ergeben sich folgende Spannngen in der Schaltng: V V I q+i B I I B I R,3V R a RB,3V R a e e e Re I q R 0,7V 6V a Ra 0Meg e Re 0.7V 6V a Ra 0Meg Standardschaltng Sim Vereinfachte Schaltng Sim Für die einfache Schaltng rechts wählt man für R (hier mit RB bezeichnet) RB =,3V/30A =376k. Diese vereinfachte Schaltng ist aber as besagten Gründen nicht empfehlenswert! P. Walther, T. Klter, 00 7
15 3.5.. STEUERUNG EINES TRANSISTORS Der Arbeitspnkt wird so gewählt, dass Änderngen der Signale in beiden Richtngen möglich sind. Im Falle eines Verstärkers für Signale soll eine Aslenkng z kleineren nd grösseren Strömen hin möglich sein. Dies sind die Pnkte in der 4 Qadranten-Darstellng der Transistorkennlinien. Damit gilt für nser Beispiel: - U E = 6V, - I = 3mA, - I B = 30A, nd - U BE = 0,7V. Wird der Basisrhestrom, hier von 30A mit einem Signalstrom von +/- 0A überlagert, so ergibt sich ein minimaler Basisstrom von 0A nd ein maximaler Basisstrom von 40A. As der I B -I Kennlinie des Transistors (II. Qadrant) lassen sich die entsprechenden Kollektorströme bestimmen. Ebenso können alle zm Arbeitspnkt gehörenden typischen Grössen mit Hilfe der 4-Qadranten Darstellng bestimmt werden, wie Eingangswiderstand r BE nd mit Hilfe der Arbeitsgeraden ach die Signal-Asgangsspannng. Wir halten fest: I. In einem Transistor kann der Strom nr in einer Richtng fliessen. II. Die Basis-, Kollektor- nd Emitterströme können nr in ihrer Intensität variiert werden. Deshalb gilt:. Der gesamte Basisstrom setzt sich as Rhestrom I B nd Wechselstrom i B zsammen.. Der gesamte Kollektorstrom setzt sich as Rhestrom I nd Wechselstrom i zsammen. 3. Die gesamte Basisspannng setzt sich as Rhespannng U BE nd Wechselspannng BE zsammen. 4. Die gesamte Kollektorspannng setzt sich as Rhespannng U E nd Wechselspannng E zsammen. Bemerkng: Für Berechnngen von Verstärkerschaltngen werden sehr kleine Signalen verwendet damit das Verhalten der Schaltng als linear angenommen werden kann, d.h. keine Verzerrngen der Signale. P. Walther, T. Klter, 00 73
16 In nserem Beispiel entspricht eine Stromänderng an der Basis von +/- 0A einer Basis- Spannngsänderng von +/-50mV (Vorsicht keine lineare Beziehng zwischen I B nd U BE!). Die entsprechende Kollektorstromänderng ist etwa +/- ma nd damit die Spannng U E =+/-V. Eine Verstärkerstfe kann mit folgenden Grössen gekennzeichnet werden. Spannngsverstärkng: v U = Û Û E BE, wobei v U Spannngsverstärkng, Û E Spitzenspannng zwischen Kollektor nd Emitter nd Û BE die Spitzenspannng zwischen Basis nd Emitter bedeten. Stromverstärkng: v I = Î Î B, wobei v I Stromverstärkng, Î Spitzenkollektorstrom nd Î B Spitzenbasisstrom bedeten. In nserem Beispiel also: v U = Û Û E BE = V/50mV = 40, v I = Î Î B = ma/0a = 00, v P = v U * v I = 00 * 40 = (Leistngsverstärkng). Hinweis: die Phase der Asgangsspannng ist gegenüber der Eingangsspannng m 80 gedreht. As den Kennlinien ist ersichtlich, dass zwischen Eingangsstrom nd Asgangsstrom etwa eine lineare Beziehng besteht. Zwischen Eingangsspannng nd Eingangsstrom jedoch überhapt nicht wegen der Kennlinienkrümmng I B - U BE. Deshalb werden solche Schaltngen immer für Kleinsignale (alle Grössen verhalten sich linear) dimensioniert. P. Walther, T. Klter, 00 74
17 Soll eine Wechselspannng mit einer solchen Transistorstfe nverzerrt verstärkt werden, mss dafür gesorgt werden, dass zr Wechselspannng am Eingang ein daz proportionaler Wechselstrom in die Basis fliesst. Dies geschieht mittels einer hochohmigen Spannngsqelle am Eingang oder mittels eines Widerstandes in Serie zr Basis, siehe daz Beispiel: UA R R a Ri e khz R Ra a Sim Wenn der Innenwiderstand R i der Spannngsqelle gross geng ist, so ergibt sich ein annähernd proportionaler Zsammenhang zwischen Eingangsspannng e nd Eingangsstrom i e. Diese Betriebsart nennt man ach Stromsteerng nd ist die am meisten verwendete Steerart bei Bipolartransistoren. Bemerkng zm Verstärkngsfaktor: Da der Faktor nicht gena bekannt ist, lässt sich die Verstärkng einer oben beschriebenen Schaltng ach nicht präzis vorasberechnen. Falls die Verstärkng v gena sein soll, mss die Schaltng anders afgebat werden (Rückkopplng), daz später mehr TEMPERATURSTABILISIERUNG DES ARBEITSPUNKTES Eine weitere Unzlänglichkeit soll ns jetzt beschäftigen, nämlich die Beeinflssng des Arbeitspnktes nd der Eigenschaften der Verstärkerschaltng drch die Temperatr. As der mathematischen Beschreibng der Diodenkennlinie wissen wir, dass die entsprechende Kennlinie temperatrabhängig ist. Und zwar leitet sie besser bei höherer nd schlechter bei tiefer Temperatr. I F I Rmax (e UF mut ) P. Walther, T. Klter, 00 75
18 mit: kt U T ; (U T = 5mV bei Ramtemp.) e k =,38E-3 J/K nd T = +73; e =,6E-9 Die Basis-Emitterdiode eines Transistors hat ein sehr ähnliches Verhalten. Nimmt die Temperatr des Kristalls des Transistors z, steigt der Basisstrom I B bei gleichbleibender Basis-Emitterspannng U BE. Die Gleichstromverstärkng B, bzw. die Kleinsignalverstärkng sind selbst nicht sehr von der Temperatr abhängig, so dass mit znehmendem Basisstrom I B drch eine Temperatrerhöhng ach der Kollektorstrom I steigt. Dies verschiebt den Arbeitspnkt. Mit Hilfe einer Gegenkopplng im Emitter kann dieser Einflss vermindert werden. Man schaltet einen Widerstand R E geeigneter Grösse in Serie zm Emitter, siehe daz nachstehende Schaltng. UA V V -0m/0mV U e R R I a khz I E Ra R U RE U RE E Sim Um den Einflss des Widerstandes R E z besser z verstehen, ein Beispiel: Annahme: Rhestrom im kalten Zstand I 0 = 0mA (drch Wahl von R nd R ) U BE = 0,7V R E = 00. U E = I E * R E = 0mA * 00 = V. Damit wird U R = U RE + U BE = V + 0,7V =,7V nd U R = U B -,7V = V -,7V = 0,3V. Nn können R nd R bestimmt werden. Diese müssen so gewählt werden, dass U R =,7 V beträgt. Dabei soll I B vernachlässigbar sein. Dies gilt dann, wenn I R = I q >> I B. P. Walther, T. Klter, 00 76
19 Zr Wirkng dieses Widerstandes R E. Falls drch Temperatrerhöhng der Kollektorstrom z.b. von 0mA af 0,5 ma ansteigt, so erhöht sich dadrch die Spannng am Widerstand R E von,0v af,05v. U RE = U E = I E * R E = 0,5mA * 00 =,05V. (I = I E ) U R wird drch die Temperatrerhöhng nicht verändert, bleibt also,7v. Dadrch vermindert sich die Spannng U BE af 0,65V. U BE =,7V -,05V = 0,65V. Wie z sehen ist, wirkt dieser Widerstand R E dem Temperatreinflss entgegen. Eine weitere Möglichkeit, dem Temperatreinflss entgegenzwirken ist der Einsatz eines NT-Widerstandes in den Basiskreis, wie ntenstehendes Beispiel zeigt: UA R R a e NT R Die Temperatr des NT mss die gleiche wie diejenige des Transistors sein. Eine Znahme der Temperatr würde den Kollektorstrom I erhöhen, gleichzeitig wird aber die Basisspannng U BE verkleinert, da der Widerstand des NT abnimmt, so dass der Kollektorstrom I nabhängig von der Temperatr ist. Verständnisfragen:. Woz bracht es einen Arbeitspnkt?. Wo beginnt man den Arbeitspnkt z wählen? 3. Was ist bei der Wahl der Basiswiderstände z beachten? 4. Woz ist ein Eingangskondensator nötig? 5. Wie kommt Verstärkng einer Signalspannng zstande? 6. Was kann gegen den Einflss der Temperatr af den Arbeitspnkt getan werden? P. Walther, T. Klter, 00 77
20 3.6. TRANSISTORERSATZSHALTUNG FÜR KLEINSIGNALE Nachdem nn die Transistorverstärkerschaltng für einen Arbeitspnkt dimensioniert ist, dass sie in der Lage ist, ein Signal z verstärken, beschäftigen wir ns nn damit, wie eine Verstärkerschaltng als sog. Blackbox verstanden werden kann, die nr lineares Verhalten afweist nd die Berechnng der Verstärkereigenschaften vereinfacht. Arbeitspnktüberlegngen werden hier keine gemacht. Eine solche Verstärkerschaltng wird als Vierpol dargestellt. Ziel dieses Kapitels: Verstärkerschaltng als Blackbox verstehen. Eingangs- nd Asgangseigenschaften einer Verstärkerschaltng verstehen lernen. Die Bedetng der sog. h-parameter, sowie die Vierpoldarstellng einer Verstärkerschaltng nd die Vierpoldarstellng eines Transistors kennen lernen. Schlüsselworte: Kleinsignalersatzschaltbild, h-parameter, Vierpol, EIN BIPOLARTRANSISTOR ALS VIERPOL Eine Verstärkerschaltng kann vereinfacht als Vierpol dargestellt werden, der zwei Eingangsanschlüsse nd zwei Asgangsanschlüsse afweist, wie nachfolgende Figr zeigt: R G i i G G Linearer Vierpol R L Eingang Asgang Eigenschaften des Vierpols: allgemeiner linearer Vierpol P. Walther, T. Klter, 00 78
21 Die Verstärkngen sind: Spannng: v = / Strom: v i = i / i Der Eingangswiderstand: r e = / y e = / i Der Asgangswiderstand: r a = / y a = / i UG = 0V, Für die Berechnng der Eigenschaften für Kleinsignale eines Vierpols mit Bipolartransistoren kann ein Gleichngssystem mit Hybridmatrixelementen (Hybrid = Mischling) verwendet werden. = h i + h i = h i + h wobei den Matrixelemente folgende Bedetng zkommt: h der Kleinsignaleingangswiderstand ( = 0V; Asgang krzgeschlossen) h die Kleinsignalspannngsrückwirkng (i =0A; Eingang offen) h die Kleinsignalstromverstärkng ( = 0V; Asgang krzgeschlossen) h der Kleinsignalasgangsleitwert (i = 0A; Eingang offen) In Vektorschreibweise: i i H wobei h H h h h bedetet. Zm Vergleich andere Vierpolgleichngen: Leitwertform: i = y + y i = y + y P. Walther, T. Klter, 00 79
22 In Vektorschreibweise: i i Y wobei y Y y y y bedetet. Widerstandsform: = r i + r i = r i + r i in Vektorschreibweise: R i wobei r R r r r bedetet. Anmerkng: alle Grössen sind in der Regel komplexe Grössen. Bei niedrigen Freqenzen können aber, wie hier, die Beträge verwendet werden. Alle oben erwähnten Vierpolparameter lassen sich drch Messngen der vier Grössen,, i nd i bestimmen. Dabei sind die Leerlaf nd Krzschlssbedingngen z beachten. Folgende vier Fälle sind dafür also nützlich: ) i i Vierpol bestimmen von r, r i = 0A; Asgangsleerlaf ) i i Vierpol bestimmen von y, y, h nd h = 0V; Krzschlss am Asgang P. Walther, T. Klter, 00 80
23 3) i i Vierpol bestimmen von r, r, h nd h i = 0A; Leerlaf an den Eingangsklemmen 4) i i Vierpol bestimmen von y, nd y = 0V; Krzschlss an den Eingangsklemmen Experimentell können die Leitwertparameter nd andere folgendermassen bestimmt werden: Nehmen wir z. B. Fall ), dann gilt: i = 0V; => i = y => y = 0 i i = y => y = 0 Für Fall 4) gilt dann: i = 0V; => i = y => y = 0 i i = y => y = 0 Af ähnliche Weise erhält man die Hybridparameter: h = i 0 (Krzschlss-) Eingangswiderstand P. Walther, T. Klter, 00 8
24 h = i0 (Leerlaf-) Spannngsrückwirkng i h = i 0 (Krzschlss-) Stromverstärkng i h = i0 (Leerlaf-) Asgangsleitwert Für einen Bipolartransistor ergibt sich daras folgendes Kleinsignalersatzschaltbild, in dem alle genannten h-parameter enthalten sind: i i h e h e i ~ h e ~ h e Spannngsqelle Stromqelle Dieses Ersatzschaltbild ist as den Hybridparametern konstriert ERSATZSHALTBILDER DER DREI GRUNDSHALTUNGEN Nachstehend die Kleinsignalersatzschaltbilder für Bipolartransistoren in vereinfachter Form. Die Parameter h nd h werden vernachlässigt. Die Arbeitspnkte spielen hier keine Rolle. a) Emitterschaltng i BE i B B E E B BE E I B h e ~ h e i B I E E P. Walther, T. Klter, 00 8
25 b) Basisschaltng E i E i E I E ~ I E EB B B BE B h b h b i E B B c) Kollektorschaltng i B i E B I B h c i E E B E B h c i B ~ E Die Spannngsrückwirkng h e kann in den allermeisten Fällen vernachlässigt werden. Manchmal wird aber der Asgangsleitwert h berücksichtigt. Dann wird das folgende Modell für Emitterschaltng verwendet: B I B i c BE h e ~ h e E h e i B E E Bemerkng: Der Asgangsleitwert h e ist wie alle anderen Parameter vom Arbeitspnkt abhängig. Mit diesem Transistorersatzschaltbild für Kleinsignale kann nn ein Ersatzschaltbild der gesamten Verstärkerschaltng erstellt werden. Damit lassen sich die Eigenschaften der Verstärkerstfe, wie Eingangswiderstand, Verstärkng etc. bestimmen. Als Beispiel dient folgend einfache Verstärkerstfe: P. Walther, T. Klter, 00 83
26 UA R = 376k R R a R = k R = k Ri e R i = k khz R Ra RL h e = 00 h e =,7k h e = 8S Das entsprechende Kleinsignalersatzschaltbild sieht wie folgt as: R R5 R VG.0k.0k R4 R7 R3 R6 VG.0k.0k R i R R h e h e R R L h e i B G Z bestimmen sei der Eingangs- sowie der Asgangswiderstand der gesamten Verstärkerschaltng für Kleinsignale, ohne R L. r e = R // R // h e =, k r a = (h e + / R ) - = (8S + 500S) - =,95k ZWEISTUFIGE VERSTÄRKERSHALTUNG P. Walther, T. Klter, 00 84
27 Um die Signalverstärkng z erhöhen, können mehrere Verstärkerstfen hintereinandergeschaltet werden. Nachstehend ist eine zweistfige Verstärkerschaltng gezeigt, sowie deren Kleinsignalersatzschaltbild. Die Gesamtverstärkng ist dabei das Prodkt der Verstärkngsfaktoren der einzelnen Stfen. Schaltngsbeispiel: UA V R R R R V -m/mv khz Ri e R T k R T a RL Sim Beide Verstärkerstfen müssen bezüglich des Arbeitspnktes separat dimensioniert werden. Das entsprechende Kleinsignalersatzschaltbild daz sieht wie folgt as: VG R6.0k R5.0k R4 R8 R R VG3 R3.0k R.0k R0 R9 R7.0k R.0k VG e T K T a R i R L G R R h e h e R R R h e h e R Die Berechnng erfolgt wie bereits gesehen mit den Maschen nd Knotengleichngen für nd i. = h e i + h e Maschengleichng am Eingang i = h e i + h e Knotengleichng am Asgang Zm Schlss dieses Kapitels soll noch die Verstärkng im Detail einer Transistorschaltng mit Hilfe der h-parameter bestimmt werden. Asgehend von den bekannten Vierpolgleichngen: P. Walther, T. Klter, 00 85
28 = h e i + h e Maschengleichng am Eingang i = h e i + h e Knotengleichng am Asgang nd h h H mit: det H = h h - h h h h sowie dem Kleinsignalersatzschaltbild des Transistors i Transistor Knoten i h e h e i i h e Masche R R ~ h e ~ h e R Bem. z : die Richtng ergibt sich drch die Richtng von i! Knotenanalyse: h e i + i he + i = 0 h e i + h e + = 0 R wobei: i he = h e ; nd i = R somit erhält man: h e i = - (h e + ) => R hei he R P. Walther, T. Klter, 00 86
29 Bem: entgegengesetzt z h e i, da Qelle. Damit kann die Spannngsverstärkng v berechnet werden z: v hei he R h i h e e h hei he R hei i he he R e he R he he he he R Verstärkng einer Stfe ohne Berücksichtigng von R L! v h e h h e e h e R In Lehrbüchern trifft man oft af die Gleichng: v h e h h e e R h R e oder ach: v h e h e h h e e R h e h e R wobei h e h e - h e h e = det Wie bereits mehrfach erwähnt, können h e nd h e (falls h e <<R - ) oftmals vernachlässigt werden. Dann gilt näherngsweise: P. Walther, T. Klter, 00 87
30 v ~ h e h e R Für zweifache Verstärkerstfen gilt: v = v I v II Die Phasenlage des Signals am Asgang der zweiten Stfe ist ÜBERTRAGUNGSGRÖSSEN EINES VIERPOLS Die Übertragngsgrössen G(p) eines Vierpols sind im allgemeinen komplexe Grössen. Es kann sich dabei m eine Spannng einen Strom oder eine Leistng handelt. Zr Berechnng der Vierpoleigenschaften wird der Vierpol nochmals vereinfacht. Man verwendet den sog. Signalflssplan, siehe folgendes Bild: x (p) G(p) x (p) p = j Hierbei sind x (p) nd x (p) die Signalgrössen nd G(p) beschreibt die Eigenschaft des Vierpols. Dabei gilt: G(p) = x (p) / x (p) oder einfacher G = x / x Die vier wichtigsten Grössen sind a) Stromübertragngsfnktion G i, ach oft mit V i bezeichnet G i = V i = x / x b) Spannngsübertragngsfnktion G, ach oft mit V bezeichnet G = V = x / x c) Leistngsübertragngsfnktion G p, ach oft mit V p bezeichnet P. Walther, T. Klter, 00 88
31 G p = V p = x / x d) Logarithmische Übertragngsgrössen In einem System, das viele Verstärkerstfen afweist, war es früher mständlich, die Gesamtverstärkng drch Mltiplikation z berechnen. Man führte daher eine logarithmische Grösse ein, so dass die Systemeigenschaften drch Addition der Logarithmen leicht z berechnen waren. Hier sind das Neper, das Bel (oder Dezibel db) z erwähnen. Diese Berechnngen waren für Leistngseigenschaften der Verstärkerschaltng asgelegt. Definition des Neper (Np): G = / (ln p / p ) = a + jb; mit ln = natürlicher Logarithms Darin bedeten: a, das Dämpfngsmass in Neper (Np) b, das Phasenmass in rad p, p die Eingangs- bzw. die Asgangsleistng Definition des Dezibel (db): G = 0 log(p / p ) = a + jb; mit log = 0er- od. Briggscher Logarithms Darin bedeten: a, das Dämpfngsmass in Dezibel (db) b, das Phasenmass in rad p, p die Eingangs- bzw. die Asgangsleistng Davon abgeleitet die gebrächlichen Grössen für Spannngsübertragng; Dämpfng oder Verstärkng: as p i i = /z nd i = /z p i eingesetzt: p z = p z z z P. Walther, T. Klter, 00 89
32 In der Hochfreqenztechnik arbeitet man oftmals mit definierten Impedanzen, z. B. mit oder 40 etc. so dass das Verhältnis z / z = ist. Wenn weiter keine Phasenverschiebng zwischen Asgangs- nd Eingangssignal z erwarten ist, kann af die komplexe Schreibweise verzichtet werden. Dann ergibt sich für G die meistens verwendete Beziehng: G = 0 log (db); G = 0 (log ( ) log( ) )= 0 ( (log( ) (log( )) )) oder G = 0 log = 0 log für Dämpfng (d.h. wenn > ) oder für Verstärkng G = 0 log Verständnisfragen:. Woz ist das Vierpolmodell nützlich?. Was bedeten die h Parameter h e bis h e? 3. Wie lassen sie sich bestimmen? 4. Wie sieht das Kleinsignalersatzschaltbild für den Transistor as? 5. Wie jenes eines einfachen Verstärkers? 6. Wie latet die Formel für die Verstärkng in vereinfachter Form? 7. Was bedetet Dezibel? P. Walther, T. Klter, 00 90
1. Kennlinien. 2. Stabilisierung der Emitterschaltung. Schaltungstechnik 2 Übung 4
1. Kennlinien Der Transistor BC550C soll auf den Arbeitspunkt U CE = 4 V und I C = 15 ma eingestellt werden. a) Bestimmen Sie aus den Kennlinien (S. 2) die Werte für I B, B, U BE. b) Woher kommt die Neigung
Mehr1. Oszilloskop. Das Oszilloskop besitzt zwei Betriebsarten: Schaltsymbol Oszilloskop
. Oszilloskop Grndlagen Ein Oszilloskop ist ein elektronisches Messmittel zr grafischen Darstellng von schnell veränderlichen elektrischen Signalen in einem kartesischen Koordinaten-System (X- Y- Darstellng
MehrArbeitspunkt einer Diode
Arbeitspunkt einer Diode Liegt eine Diode mit einem Widerstand R in Reihe an einer Spannung U 0, so müssen sich die beiden diese Spannung teilen. Vom Widerstand wissen wir, dass er bei einer Spannung von
Mehr1. Theoretische Grundlagen
Fachbereich Elektrotechnik / Informationstechnik Elektrische Mess- nd Prüftechnik Laborpraktikm Abgabe der Aswertng dieses Verschs ist Vorassetzng für die Zlassng zm folgenden ermin Grndlagen der Leistngsmessng
MehrÜbungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012
Übungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012 1. In der folgenden Schaltung wird ein Transistor als Schalter betrieben (Kennlinien s.o.). R b I b U b = 15V R c U e U be Damit der Transistor möglichst schnell
MehrSchaltungen mit nichtlinearen Widerständen
HOCHSCHLE FÜ TECHNIK ND WITSCHAFT DESDEN (FH) niversity of Applied Sciences Fachbereich Elektrotechnik Praktikm Grndlagen der Elektrotechnik Versch: Schaltngen mit nichtlinearen Widerständen Verschsanleitng
MehrFachbereich Physik Dr. Wolfgang Bodenberger
UniversitätÉOsnabrück Fachbereich Physik Dr. Wolfgang Bodenberger Der Transistor als Schalter. In vielen Anwendungen der Impuls- und Digital- lektronik wird ein Transistor als einfacher in- und Aus-Schalter
MehrPraktikum Nr. 3. Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum
Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik Versuchsbericht für das elektronische Praktikum Praktikum Nr. 3 Manuel Schwarz Matrikelnr.: 207XXX Pascal Hahulla Matrikelnr.: 207XXX Thema: Transistorschaltungen
Mehr3. Halbleiter und Elektronik
3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden
MehrTO-220 TO-202 TO-92 TO-18. Transistoren mit verschiedenen Gehäusen
Transistoren TO-220 TO-202 SOT-42 TO-3 TO-18 TO-92 TO-5 Transistoren mit verschiedenen Gehäusen Das Wort Transistor ist ein Kunstwort. Es leitet sich von transfer resistor ab und beschreibt damit einen
MehrKennlinienaufnahme elektronische Bauelemente
Messtechnik-Praktikum 06.05.08 Kennlinienaufnahme elektronische Bauelemente Silvio Fuchs & Simon Stützer 1 Augabenstellung 1. a) Bauen Sie eine Schaltung zur Aufnahme einer Strom-Spannungs-Kennlinie eines
MehrPhysik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1
Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor latt 1 Aufbau eines Transistors Ein npn-transistor entsteht, wenn man zwei n-dotierte Schichten mit einer dünnen dazwischen liegenden p-dotierten Schicht
MehrMarkus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik
Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003 Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 2 30.06.2003 Inhaltsverzeichnis Zustände...3 UND austein ; UND Gatter...4 ODER austein ; ODER Gatter...5 NICHT
MehrLaborübung Gegentaktendstufe Teil 1
Inhaltsverzeichnis 1.0 Zielsetzung...2 2.0 Grundlegendes zu Gegentaktverstärkern...2 3.0 Aufgabenstellung...3 Gegeben:...3 3.1.0 Gegentaktverstärker bei B-Betrieb...3 3.1.1 Dimensionierung des Gegentaktverstärkers
MehrKapitalerhöhung - Verbuchung
Kapitalerhöhung - Verbuchung Beschreibung Eine Kapitalerhöhung ist eine Erhöhung des Aktienkapitals einer Aktiengesellschaft durch Emission von en Aktien. Es gibt unterschiedliche Formen von Kapitalerhöhung.
MehrProfessionelle Seminare im Bereich MS-Office
Der Name BEREICH.VERSCHIEBEN() ist etwas unglücklich gewählt. Man kann mit der Funktion Bereiche zwar verschieben, man kann Bereiche aber auch verkleinern oder vergrößern. Besser wäre es, die Funktion
MehrDabei ist der differentielle Widerstand, d.h. die Steigung der Geraden für. Fig.1: vereinfachte Diodenkennlinie für eine Si-Diode
Dioden - Anwendungen vereinfachte Diodenkennlinie Für die meisten Anwendungen von Dioden ist die exakte Berechnung des Diodenstroms nach der Shockley-Gleichung nicht erforderlich. In diesen Fällen kann
MehrUnterrichtsmaterialien in digitaler und in gedruckter Form. Auszug aus: Übungsbuch für den Grundkurs mit Tipps und Lösungen: Analysis
Unterrichtsmaterialien in digitaler und in gedruckter Form Auszug aus: Übungsbuch für den Grundkurs mit Tipps und Lösungen: Analysis Das komplette Material finden Sie hier: Download bei School-Scout.de
MehrStellen Sie bitte den Cursor in die Spalte B2 und rufen die Funktion Sverweis auf. Es öffnet sich folgendes Dialogfenster
Es gibt in Excel unter anderem die so genannten Suchfunktionen / Matrixfunktionen Damit können Sie Werte innerhalb eines bestimmten Bereichs suchen. Als Beispiel möchte ich die Funktion Sverweis zeigen.
MehrDie "Goldene Regel der Messtechnik" ist nicht mehr der Stand der Technik
Die "Goldene Regel der Messtechnik" Ator: Dipl.-Ing. Morteza Farmani Häfig wird von den Teilnehmern nserer Seminare zr Messsystemanalyse nd zr Messnsicherheitsstdie die Frage gestellt, für welche Toleranz
MehrWechselstromkreis mit verschiedenen Bauteilen
Wechselstromkreis mit verschiedenen Bauteilen Im Folgenden werden nun die Auswirkungen eines ohmschen Widerstands, eines induktiven Widerstands (Spule) und eines kapazitiven Widerstands (Kondensator) auf
MehrAufgaben Wechselstromwiderstände
Aufgaben Wechselstromwiderstände 69. Eine aus Übersee mitgebrachte Glühlampe (0 V/ 50 ma) soll mithilfe einer geeignet zu wählenden Spule mit vernachlässigbarem ohmschen Widerstand an der Netzsteckdose
MehrNr. 11 Transistor als Verstärker Teil A
Nr. 11 Transistor als Verstärker Teil Der Transistor ( Transmitting Resistor ), was so etwas wie steuerbarer Widerstand bedeutet, hat vor Jahrzehnten durch blösung der Elektronenröhre eine technische Revolution
MehrBei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen.
Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung E/ME-BAC/DIPL Elektronische Bauelemente SS2012 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 18.7.2012 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr. Frey Taschenrechner
MehrDas große ElterngeldPlus 1x1. Alles über das ElterngeldPlus. Wer kann ElterngeldPlus beantragen? ElterngeldPlus verstehen ein paar einleitende Fakten
Das große x -4 Alles über das Wer kann beantragen? Generell kann jeder beantragen! Eltern (Mütter UND Väter), die schon während ihrer Elternzeit wieder in Teilzeit arbeiten möchten. Eltern, die während
Mehr2 Gleichstrom-Schaltungen
für Maschinenbau und Mechatronik Carl Hanser Verlag München 2 Gleichstrom-Schaltungen Aufgabe 2.1 Berechnen Sie die Kenngrößen der Ersatzquellen. Aufgabe 2.5 Welchen Wirkungsgrad hätte die in den Aufgaben
MehrR C2 R B2 R C1 C 2. u A U B T 1 T 2 = 15 V. u E R R B1
Fachhochschule Gießen-Friedberg,Fachbereich Elektrotechnik 1 Elektronik-Praktikum Versuch 24: Astabile, monostabile und bistabile Kippschaltungen mit diskreten Bauelementen 1 Allgemeines Alle in diesem
MehrTangentengleichung. Wie lautet die Geradengleichung für die Tangente, y T =? Antwort:
Tangentengleichung Wie Sie wissen, gibt die erste Ableitung einer Funktion deren Steigung an. Betrachtet man eine fest vorgegebene Stelle, gibt f ( ) also die Steigung der Kurve und somit auch die Steigung
MehrZeichen bei Zahlen entschlüsseln
Zeichen bei Zahlen entschlüsseln In diesem Kapitel... Verwendung des Zahlenstrahls Absolut richtige Bestimmung von absoluten Werten Operationen bei Zahlen mit Vorzeichen: Addieren, Subtrahieren, Multiplizieren
MehrLineargleichungssysteme: Additions-/ Subtraktionsverfahren
Lineargleichungssysteme: Additions-/ Subtraktionsverfahren W. Kippels 22. Februar 2014 Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 2 2 Lineargleichungssysteme zweiten Grades 2 3 Lineargleichungssysteme höheren als
MehrStrom - Spannungscharakteristiken
Strom - Spannungscharakteristiken 1. Einführung Legt man an ein elektrisches Bauelement eine Spannung an, so fließt ein Strom. Den Zusammenhang zwischen beiden Größen beschreibt die Strom Spannungscharakteristik.
Mehr1 Mathematische Grundlagen
Mathematische Grundlagen - 1-1 Mathematische Grundlagen Der Begriff der Menge ist einer der grundlegenden Begriffe in der Mathematik. Mengen dienen dazu, Dinge oder Objekte zu einer Einheit zusammenzufassen.
MehrAUFGABENSAMMLUNG ZUM LEHRGEBIET. AUTOMATISIERUNGSTECHNIK bzw. KONTINUIERLICHE SYSTEME
Dr.-Ing. Tatjana Lange Fachhochschle für Technik nd Wirtschaft Fachbereich Elektrotechnik AUFGABENSAMMLUNG ZUM LEHRGEBIET AUTOMATISIERUNGSTECHNIK bzw. KONTINUIERLICHE SYSTEME. Differentialgleichngen Afgabe.:
MehrInformationsblatt Induktionsbeweis
Sommer 015 Informationsblatt Induktionsbeweis 31. März 015 Motivation Die vollständige Induktion ist ein wichtiges Beweisverfahren in der Informatik. Sie wird häufig dazu gebraucht, um mathematische Formeln
MehrWas ich als Bürgermeister für Lübbecke tun möchte
Wahlprogramm in leichter Sprache Was ich als Bürgermeister für Lübbecke tun möchte Hallo, ich bin Dirk Raddy! Ich bin 47 Jahre alt. Ich wohne in Hüllhorst. Ich mache gerne Sport. Ich fahre gerne Ski. Ich
MehrMean Time Between Failures (MTBF)
Mean Time Between Failures (MTBF) Hintergrundinformation zur MTBF Was steht hier? Die Mean Time Between Failure (MTBF) ist ein statistischer Mittelwert für den störungsfreien Betrieb eines elektronischen
MehrHIER GEHT ES UM IHR GUTES GELD ZINSRECHNUNG IM UNTERNEHMEN
HIER GEHT ES UM IHR GUTES GELD ZINSRECHNUNG IM UNTERNEHMEN Zinsen haben im täglichen Geschäftsleben große Bedeutung und somit auch die eigentliche Zinsrechnung, z.b: - Wenn Sie Ihre Rechnungen zu spät
MehrWas meinen die Leute eigentlich mit: Grexit?
Was meinen die Leute eigentlich mit: Grexit? Grexit sind eigentlich 2 Wörter. 1. Griechenland 2. Exit Exit ist ein englisches Wort. Es bedeutet: Ausgang. Aber was haben diese 2 Sachen mit-einander zu tun?
MehrVersuch 3: Kennlinienfeld eines Transistors der Transistor als Stromverstärker
Bergische Universität Wuppertal Praktikum Fachbereich E Werkstoffe und Grundschaltungen Bachelor Electrical Engineering Univ.-Prof. Dr. T. Riedl WS 20... / 20... Hinweis: Zu Beginn des Praktikums muss
MehrT6 THERMOELEMENT UND ABKÜHLUNGSGESETZ
PHYSIKALISCHE GRUNDLAGEN Wichtige Grndbegriffe: ermspannng, ermelement, ermkraft, Astrittsarbeit, Newtnsches Abkühlngsgesetz Beschreibng eines ermelementes: Ein ermelement besteht as zwei Drähten verschiedenen
MehrEntladen und Aufladen eines Kondensators über einen ohmschen Widerstand
Entladen und Aufladen eines Kondensators über einen ohmschen Widerstand Vorüberlegung In einem seriellen Stromkreis addieren sich die Teilspannungen zur Gesamtspannung Bei einer Gesamtspannung U ges, der
MehrVerbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik
Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik Versuch 5 Untersuchungen an Halbleiterdioden Teilnehmer: Name Vorname Matr.-Nr. Datum der
MehrSCHÜEX MECKLENBURG-VORPOMMERN
DEUTSCHE GESELLSCHAFT FÜR ZERSTÖRUNGSFREIE PRÜFUNG E.V. ZfP-Sonderpreis der DGZfP beim Landeswettbewerb Jugend forscht SCHÜEX MECKLENBURG-VORPOMMERN Der Transistor - Anschlussermittlung und Kennlinienaufnahme
MehrWiderstandsdrähte auf Rahmen Best.-Nr. MD03803
Widerstandsdrähte auf Rahmen Best.-Nr. MD03803 Beschreibung des Gerätes Auf einem rechteckigen Rahmen (1030 x 200 mm) sind 7 Widerstandsdrähte gespannt: Draht 1: Neusilber Ø 0,5 mm, Länge 50 cm, Imax.
Mehr1. Man schreibe die folgenden Aussagen jeweils in einen normalen Satz um. Zum Beispiel kann man die Aussage:
Zählen und Zahlbereiche Übungsblatt 1 1. Man schreibe die folgenden Aussagen jeweils in einen normalen Satz um. Zum Beispiel kann man die Aussage: Für alle m, n N gilt m + n = n + m. in den Satz umschreiben:
MehrDer Bipolar-Transistor und die Emitterschaltung Gruppe B412
TECHNISCHE UNIVERSITÄT MÜNCHEN Der Bipolar-Transistor und die Emitterschaltung Gruppe B412 Patrick Christ und Daniel Biedermann 16.10.2009 1. INHALTSVERZEICHNIS 1. INHALTSVERZEICHNIS... 2 2. AUFGABE 1...
MehrDas Leitbild vom Verein WIR
Das Leitbild vom Verein WIR Dieses Zeichen ist ein Gütesiegel. Texte mit diesem Gütesiegel sind leicht verständlich. Leicht Lesen gibt es in drei Stufen. B1: leicht verständlich A2: noch leichter verständlich
MehrKirstin Hübner Armin Burgmeier Gruppe 15 10. Dezember 2007
Protokoll zum Versuch Transistorschaltungen Kirstin Hübner Armin Burgmeier Gruppe 15 10. Dezember 2007 1 Transistor-Kennlinien 1.1 Eingangskennlinie Nachdem wir die Schaltung wie in Bild 13 aufgebaut hatten,
MehrAufgabe 1 Berechne den Gesamtwiderstand dieses einfachen Netzwerkes. Lösung Innerhalb dieser Schaltung sind alle Widerstände in Reihe geschaltet.
Widerstandsnetzwerke - Grundlagen Diese Aufgaben dienen zur Übung und Wiederholung. Versucht die Aufgaben selbständig zu lösen und verwendet die Lösungen nur zur Überprüfung eurer Ergebnisse oder wenn
MehrÜbungsaufgaben Tilgungsrechnung
1 Zusatzmaterialien zu Finanz- und Wirtschaftsmathematik im Unterricht, Band 1 Übungsaufgaben Tilgungsrechnung Überarbeitungsstand: 1.März 2016 Die grundlegenden Ideen der folgenden Aufgaben beruhen auf
Mehr3.Transistor. 1 Bipolartransistor. Christoph Mahnke 27.4.2006. 1.1 Dimensionierung
1 Bipolartransistor. 1.1 Dimensionierung 3.Transistor Christoph Mahnke 7.4.006 Für den Transistor (Nr.4) stand ein Kennlinienfeld zu Verfügung, auf dem ein Arbeitspunkt gewählt werden sollte. Abbildung
MehrAufgabensammlung. a) Berechnen Sie den Basis- und Kollektorstrom des Transistors T 4. b) Welche Transistoren leiten, welche sperren?
Aufgabensammlung Digitale Grundschaltungen 1. Aufgabe DG Gegeben sei folgende Schaltung. Am Eingang sei eine Spannung von 1,5V als High Pegel und eine Spannung von 2V als Low Pegel definiert. R C = 300Ω;
MehrVersuch 3. Frequenzgang eines Verstärkers
Versuch 3 Frequenzgang eines Verstärkers 1. Grundlagen Ein Verstärker ist eine aktive Schaltung, mit der die Amplitude eines Signals vergößert werden kann. Man spricht hier von Verstärkung v und definiert
MehrProjekt 2HEA 2005/06 Formelzettel Elektrotechnik
Projekt 2HEA 2005/06 Formelzettel Elektrotechnik Teilübung: Kondensator im Wechselspannunskreis Gruppenteilnehmer: Jakic, Topka Abgabedatum: 24.02.2006 Jakic, Topka Inhaltsverzeichnis 2HEA INHALTSVERZEICHNIS
MehrRekursionen. Georg Anegg 25. November 2009. Methoden und Techniken an Beispielen erklärt
Methoden und Techniken an Beispielen erklärt Georg Anegg 5. November 009 Beispiel. Die Folge {a n } sei wie folgt definiert (a, d, q R, q ): a 0 a, a n+ a n q + d (n 0) Man bestimme eine explizite Darstellung
MehrPraktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie
Praktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie Seite Inhalt 2 Einleitung 2 Vorbereitung 2 1. Statische Messung 3 2. Dynamische Messung 5 3. Einpuls-Mittelpunktschaltung 7 azit 8 Anhang Seite 1 Einleitung Bei
MehrOECD Programme for International Student Assessment PISA 2000. Lösungen der Beispielaufgaben aus dem Mathematiktest. Deutschland
OECD Programme for International Student Assessment Deutschland PISA 2000 Lösungen der Beispielaufgaben aus dem Mathematiktest Beispielaufgaben PISA-Hauptstudie 2000 Seite 3 UNIT ÄPFEL Beispielaufgaben
MehrSkalierung des Ausgangssignals
Skalierung des Ausgangssignals Definition der Messkette Zur Bestimmung einer unbekannten Messgröße, wie z.b. Kraft, Drehmoment oder Beschleunigung, werden Sensoren eingesetzt. Sensoren stehen am Anfang
MehrAufgaben. 2.1. Leiten Sie die Formeln (9) und (10) her! Vorbetrachtungen. Der High-Fall
Aufgaben 2.1. Leiten Sie die Formeln (9) und (10) her! Vorbetrachtungen I. Die open-collector-gatter auf der "in"-seite dürfen erst einen High erkennen, wenn alle open-collector-gatter der "out"-seite
MehrStatische Kennlinien von Halbleiterbauelementen
Elektrotechnisches rundlagen-labor I Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Versuch Nr. 9 Erforderliche eräte Anzahl ezeichnung, Daten L-Nr. 1 Netzgerät 0... 15V 103 1 Netzgerät 0... 30V 227 3
MehrFach BK4 Elektrotechnik Serie A. Prüfungsdatum. Kandidat / Nr. ... ... Allgemeine Bestimmungen: Notenschlüssel: Erreichte Punktzahl: Note: Visum:.../.
Kantonale Prüfungskommission Lehrabschlussprüfung Elektromonteure Fach BK4 Elektrotechnik Serie A Prüfungsdatum Kandidat / Nr................ Allgemeine Bestimmungen: ie Aufgaben dürfen nur an der Lehrabschlussprüfung
MehrGeneboost Best.- Nr. 2004011. 1. Aufbau Der Stromverstärker ist in ein Isoliergehäuse eingebaut. Er wird vom Netz (230 V/50 Hz, ohne Erdung) gespeist.
Geneboost Best.- Nr. 2004011 1. Aufbau Der Stromverstärker ist in ein Isoliergehäuse eingebaut. Er wird vom Netz (230 V/50 Hz, ohne Erdung) gespeist. An den BNC-Ausgangsbuchsen lässt sich mit einem störungsfreien
MehrAbituraufgabe zur Stochastik, Hessen 2009, Grundkurs (TR)
Abituraufgabe zur Stochastik, Hessen 2009, Grundkurs (TR) Eine Firma stellt USB-Sticks her. Sie werden in der Fabrik ungeprüft in Packungen zu je 20 Stück verpackt und an Händler ausgeliefert. 1 Ein Händler
MehrFrequenzgang eines RC-Tiefpasses (RC-Hochpasses)
51 Frequenzgang eines RC-Tiepasses (RC-Hochpasses) EBll-2 Augabe In dieser Übung soll ein RC-Tiepaß bzw. wahlweise eln RC- Hochpaß mit R = 10 kq und C = 22 nf augebaut und Deßtechnisch untersucht werden.
Mehrgeben. Die Wahrscheinlichkeit von 100% ist hier demnach nur der Gehen wir einmal davon aus, dass die von uns angenommenen
geben. Die Wahrscheinlichkeit von 100% ist hier demnach nur der Vollständigkeit halber aufgeführt. Gehen wir einmal davon aus, dass die von uns angenommenen 70% im Beispiel exakt berechnet sind. Was würde
Mehr12 LK Ph / Gr Elektrische Leistung im Wechselstromkreis 1/5 31.01.2007. ω Additionstheorem: 2 sin 2 2
1 K Ph / Gr Elektrsche estng m Wechselstromkres 1/5 3101007 estng m Wechselstromkres a) Ohmscher Wderstand = ˆ ( ω ) ( t) = sn ( ω t) t sn t ˆ ˆ P t = t t = sn ω t Momentane estng 1 cos ( t) ˆ ω = Addtonstheorem:
MehrEva Douma: Die Vorteile und Nachteile der Ökonomisierung in der Sozialen Arbeit
Eva Douma: Die Vorteile und Nachteile der Ökonomisierung in der Sozialen Arbeit Frau Dr. Eva Douma ist Organisations-Beraterin in Frankfurt am Main Das ist eine Zusammen-Fassung des Vortrages: Busines
Mehr11.3 Komplexe Potenzreihen und weitere komplexe Funktionen
.3 Komplexe Potenzreihen und weitere komplexe Funktionen Definition.) komplexe Folgen: z n = x n + j. y n mit zwei reellen Folgen x n und y n.) Konvergenz: Eine komplexe Folge z n = x n + j. y n heißt
MehrNetzgeführte Stromrichterschaltungen
4 Netzgeführte Stromrichterschaltngen In netzgeführten Stromrichtern wird die Wechselspannng des speisenden Netzes nicht nr zr Spannngsbildng af der Asgangsseite bentzt, sondern sie dient ach als treibende
MehrLineare Funktionen. 1 Proportionale Funktionen 3 1.1 Definition... 3 1.2 Eigenschaften... 3. 2 Steigungsdreieck 3
Lineare Funktionen Inhaltsverzeichnis 1 Proportionale Funktionen 3 1.1 Definition............................... 3 1.2 Eigenschaften............................. 3 2 Steigungsdreieck 3 3 Lineare Funktionen
MehrMusterlösungen zur Linearen Algebra II Blatt 5
Musterlösungen zur Linearen Algebra II Blatt 5 Aufgabe. Man betrachte die Matrix A := über dem Körper R und über dem Körper F und bestimme jeweils die Jordan- Normalform. Beweis. Das charakteristische
MehrHARDWARE-PRAKTIKUM. Versuch T-1. Kontaktlogik. Fachbereich Informatik. Universität Kaiserslautern
HARDWARE-PRATIUM Versuch T-1 ontaktlogik Fachbereich Informatik Universität aiserslautern eite 2 Versuch T-1 Versuch T-1 Vorbemerkungen chaltnetze lassen sich in drei lassen einteilen: 1. chaltnetze vom
MehrFestigkeit von FDM-3D-Druckteilen
Festigkeit von FDM-3D-Druckteilen Häufig werden bei 3D-Druck-Filamenten die Kunststoff-Festigkeit und physikalischen Eigenschaften diskutiert ohne die Einflüsse der Geometrie und der Verschweißung der
MehrKondensatoren ( Verdichter, von lat.: condensus: dichtgedrängt, bezogen auf die elektrischen Ladungen)
Der Kondensator Kondensatoren ( Verdichter, von lat.: condensus: dichtgedrängt, bezogen auf die elektrischen Ladungen) Kondensatoren sind Bauelemente, welche elektrische Ladungen bzw. elektrische Energie
MehrEinführung in FEM Motivationsbeispiel. Berechnungsbeispiel COMSOL Multiphysics: Elastizitätsberechnung eines F1 Frontflügels. www.comsol.
Einführng in FEM Motivationsbeispiel Berechnngsbeispiel COMSO Mltiphysics: Elastizitätsberechnng eines F Frontflügels. www.comsol.de Originalgeometrie CAD-Modell mit Berechnngsgitter FEM Ergebnis der Aslenkng
MehrAustausch- bzw. Übergangsprozesse und Gleichgewichtsverteilungen
Austausch- bzw. Übergangsrozesse und Gleichgewichtsverteilungen Wir betrachten ein System mit verschiedenen Zuständen, zwischen denen ein Austausch stattfinden kann. Etwa soziale Schichten in einer Gesellschaft:
MehrScandSorb C. Patronen- und Filtersysteme
ScandSorb C Patronen- nd Filtersysteme ScandSorb_C Patronen- nd Filtersysteme ANWENDUNGEN Reinlft Energiegewinnng Reinram Indstrie SCHLÜSSELFAKTOREN Das Bewsstsein vieler Unternehmen, die Gesndheit ihrer
MehrHow to do? Projekte - Zeiterfassung
How to do? Projekte - Zeiterfassung Stand: Version 4.0.1, 18.03.2009 1. EINLEITUNG...3 2. PROJEKTE UND STAMMDATEN...4 2.1 Projekte... 4 2.2 Projektmitarbeiter... 5 2.3 Tätigkeiten... 6 2.4 Unterprojekte...
MehrFachdidaktik der Informatik 18.12.08 Jörg Depner, Kathrin Gaißer
Fachdidaktik der Informatik 18.12.08 Jörg Depner, Kathrin Gaißer Klassendiagramme Ein Klassendiagramm dient in der objektorientierten Softwareentwicklung zur Darstellung von Klassen und den Beziehungen,
MehrVersuch 17.2 Der Transistor
Physikalisches A-Praktikum Versuch 17.2 Der Transistor Praktikanten: Gruppe: Julius Strake Niklas Bölter B006 Betreuer: Johannes Schmidt Durchgeführt: 11.09.2012 Unterschrift: E-Mail: niklas.boelter@stud.uni-goettingen.de
MehrPrimzahlen und RSA-Verschlüsselung
Primzahlen und RSA-Verschlüsselung Michael Fütterer und Jonathan Zachhuber 1 Einiges zu Primzahlen Ein paar Definitionen: Wir bezeichnen mit Z die Menge der positiven und negativen ganzen Zahlen, also
MehrWas ist Sozial-Raum-Orientierung?
Was ist Sozial-Raum-Orientierung? Dr. Wolfgang Hinte Universität Duisburg-Essen Institut für Stadt-Entwicklung und Sozial-Raum-Orientierte Arbeit Das ist eine Zusammen-Fassung des Vortrages: Sozialräume
MehrKonzepte der Informatik
Konzepte der Informatik Vorkurs Informatik zum WS 2011/2012 26.09. - 30.09.2011 17.10. - 21.10.2011 Dr. Werner Struckmann / Christoph Peltz Stark angelehnt an Kapitel 1 aus "Abenteuer Informatik" von Jens
MehrMeet the Germans. Lerntipp zur Schulung der Fertigkeit des Sprechens. Lerntipp und Redemittel zur Präsentation oder einen Vortrag halten
Meet the Germans Lerntipp zur Schulung der Fertigkeit des Sprechens Lerntipp und Redemittel zur Präsentation oder einen Vortrag halten Handreichungen für die Kursleitung Seite 2, Meet the Germans 2. Lerntipp
MehrThermodynamik. Basics. Dietmar Pflumm: KSR/MSE. April 2008
Thermodynamik Basics Dietmar Pflumm: KSR/MSE Thermodynamik Definition Die Thermodynamik... ist eine allgemeine Energielehre als Teilgebiet der Chemie befasst sie sich mit den Gesetzmässigkeiten der Umwandlungsvorgänge
MehrTechnical Note Nr. 101
Seite 1 von 6 DMS und Schleifringübertrager-Schaltungstechnik Über Schleifringübertrager können DMS-Signale in exzellenter Qualität übertragen werden. Hierbei haben sowohl die physikalischen Eigenschaften
MehrEinführung in. Logische Schaltungen
Einführung in Logische Schaltungen 1/7 Inhaltsverzeichnis 1. Einführung 1. Was sind logische Schaltungen 2. Grundlegende Elemente 3. Weitere Elemente 4. Beispiel einer logischen Schaltung 2. Notation von
MehrVergleichsklausur 12.1 Mathematik vom 20.12.2005
Vergleichsklausur 12.1 Mathematik vom 20.12.2005 Mit CAS S./5 Aufgabe Alternative: Ganzrationale Funktionen Berliner Bogen Das Gebäude in den Abbildungen heißt Berliner Bogen und steht in Hamburg. Ein
MehrLabor Messtechnik Versuch 4 Dehnungsmesstechnik
F Ingenierwesen FR Maschinenba Versch 4 Dehnngsmesstechnik Seite 1 von 8 Versch 4: Dehnngsmesstechnik 1. Verschsafba 1.1. Umfang des Versches Im Versch werden folgende Themenkreise behandelt: - Verschsstand
Mehr4. Das neue Recht der GmbH ein Überblick
4. Das neue Recht der GmbH ein Überblick Wie sieht die GmbH-Reform eigentlich aus und was sind ihre Auswirkungen? Hier bekommen Sie einen kompakten Überblick. Einer der wesentlichen Anstöße, das Recht
Mehr5. Bildauflösung ICT-Komp 10
5. Bildauflösung ICT-Komp 10 Was sind dpi? Das Maß für die Bildauflösung eines Bildes sind dpi. Jeder spricht davon, aber oft weiß man gar nicht genau was das ist. Die Bezeichnung "dpi" ist ein Maß, mit
MehrA Lösungen zu Einführungsaufgaben zu QueueTraffic
A Lösungen zu Einführungsaufgaben zu QueueTraffic 1. Selber Phasen einstellen a) Wo im Alltag: Baustelle, vor einem Zebrastreifen, Unfall... 2. Ankunftsrate und Verteilungen a) poissonverteilt: b) konstant:
Mehrbintec 4Ge LTE-Zugang für Ihre bestehende Infrastruktur
-Zgang für Ihre bestehende Infrastrktr Warm Was ist das gena Beim handelt es sich m ein Erweiterngsgerät, mit dessen Hilfe bestehende Netzwerk-Infrastrktren mit (4G) asgerüstet bzw. nachgerüstet werden
MehrAbitur 2007 Mathematik GK Stochastik Aufgabe C1
Seite 1 Abiturloesung.de - Abituraufgaben Abitur 2007 Mathematik GK Stochastik Aufgabe C1 Eine Werbeagentur ermittelte durch eine Umfrage im Auftrag eines Kosmetikunternehmens vor Beginn einer Werbekampagne
Mehrρ = 0,055 Ωmm 2 /m (20 C)
134.163 Grundlagen der Elektronik - Übungsbeispiele für den 11.05.2016 Beispiel C1: Berechnen Sie den Widerstand einer Glühlampe mit einem Wolframdraht von 0,024 mm Durchmesser und 30 cm Länge bei Raumtemperatur
MehrKapitalerhöhung - Verbuchung
Kapitalerhöhung - Verbuchung Beschreibung Eine Kapitalerhöhung ist eine Erhöhung des Aktienkapitals einer Aktiengesellschaft durch Emission von en Aktien. Es gibt unterschiedliche Formen von Kapitalerhöhung.
Mehr50. Mathematik-Olympiade 2. Stufe (Regionalrunde) Klasse 11 13. 501322 Lösung 10 Punkte
50. Mathematik-Olympiade. Stufe (Regionalrunde) Klasse 3 Lösungen c 00 Aufgabenausschuss des Mathematik-Olympiaden e.v. www.mathematik-olympiaden.de. Alle Rechte vorbehalten. 503 Lösung 0 Punkte Es seien
MehrPhysik & Musik. Stimmgabeln. 1 Auftrag
Physik & Musik 5 Stimmgabeln 1 Auftrag Physik & Musik Stimmgabeln Seite 1 Stimmgabeln Bearbeitungszeit: 30 Minuten Sozialform: Einzel- oder Partnerarbeit Voraussetzung: Posten 1: "Wie funktioniert ein
MehrWurzeln als Potenzen mit gebrochenen Exponenten. Vorkurs, Mathematik
Wurzeln als Potenzen mit gebrochenen Exponenten Zur Einstimmung Wir haben die Formel benutzt x m n = x m n nach der eine Exponentialzahl potenziert wird, indem man die Exponenten multipliziert. Dann sollte
Mehr