Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141
|
|
- Axel Keller
- vor 6 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow half angle ± 9 Enger Halbwinkel ± 9 Short switching times Kurze Schaltzeiten Small outline dimensions Geringe Außenabmessungen Same package as phototransistor SFH 31 F Gehäusegleich mit Fototransistor SFH 31 F High coupling factor in light barriers with SFH 31 Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in F Verbindung mit SFH 31 F Applications Discrete interrupters Data transmission Position sensing Barcode reader For control and drive circuits Anwendungen Diskrete Lichtschranken Datenübertragung Positionsüberwachung Barcode-Leser Messen/Steuern/Regeln Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden
2 Ordering Information Bestellinformation Radiant Intensity Strahlstärke I F = 2 ma, t p = 2 ms I e [mw/sr] Ordering Code Bestellnummer 35 ( 16) Q65111A6138 Note: Anm.: Measured at a solid angle of Ω =.1 sr Gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage Sperrspannung Forward current Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p 1 µs, D = ) Total power dissipation Verlustleistung ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-1 - HBM) 1) page 9 Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 9 T op ; T stg C V R 5 V I F 6 ma I FSM 1 A P tot 1 mw V ESD 2 kv R thja 35 K / W Thermal resistance junction - soldering point Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle R thjs 2 K / W
3 Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Peak wavelength Emissionswellenlänge (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Centroid wavelength Schwerpunktwellenlänge (I F = 2 ma, t p = 2 ms) (typ) λ peak 95 nm (typ) λ centroid 94 nm Spectral bandwidth at 5% of I max (typ) λ 42 nm Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Half angle Halbwinkel Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall time of I e ( 1% and 9% of I e max ) Schaltzeit von I e ( 1% und 9% von I e max ) (I F = 2 ma, R L = 5 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 A, t p = 1 µs) Reverse current Sperrstrom Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = 2 ma, t p = 2 ms) (typ) ϕ ± 9 (typ) L x W.3 x.3 mm x mm (typ) t r, t f 12 ns (typ (max)) V F 1.3 ( 1.6) V (typ) V F 3.6 ( 4.6) V (typ (max)) I R not designed for reverse operation µa (typ) Φ e 12 mw Temperature coefficient of I e or Φ e (typ) TC I -.3 % / K Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e Temperature coefficient of V F (typ) TC V -.8 mv / K Temperaturkoeffizient von V F Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (typ) TC λ.3 nm / K
4 Grouping (T A = 25 C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke I F = 2 ma, t p = 2 ms I F = 2 ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = 1 µs I e, min [mw / sr] I e, max [mw / sr] I e, typ [mw / sr] SFH 4141-S SFH 4141-T SFH 4141-U Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω =.1 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1). 2) page 9 Radiant Intensity 2) Seite 9 Strahlstärke I e / I e (2 ma) = f(i F ), single pulse, t p = 1 µs, T A = 25 C Ι e 2 1 Ι e (2 ma) 1 1 OHF5669 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F, max = f(t A ), R thja = 35 K / W I F 7 ma 6 5 OHF ma C 1 T A I F
5 2) page 9 Forward Current 2) Seite 9 Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = 1 µs, T A = 25 C I F 1 ma 3 OHF5642 Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter OHF t A P I t F D P = IF T T D = V s 1 V F t p Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ), T A = 25 C 2) Seite 9 2) page OHF5672 ϕ
6 Package Outline Maßzeichnung Emitter/ Cathode 16.5 (.65) 16. (.63) R.9 (.35) R.7 (.28).5 (.2) x (.122) 2.9 (.114) 2.2 (.87) 2. (.79) 2.54 (.1) 1.42 (.56) 1.22 (.48).6 (.24).4 (.16) 1.4 (.41).84 (.33) (.7) (.68) 4.1 (.161) 3.9 (.154) 1.4 (.41).84 (.33) 3. (.118) 2.8 (.11).5 (.2).3 (.12).9 (.35).7 (.28) Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch) (.63) 1.4 (.55) 1.3 (.51) 1.1 (.43).84 (.33).64 (.25) GEOY6976 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign Dimensions in mm. / Maße in mm
7 TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC TTW / IEC TTW 3 C T C - 26 C First wave Preheating 13 C 12 C 1 C 1 s max., max. contact time 5 s per wave T < 15 K Second wave Typical OHA4645 Continuous line: typical process Dotted line: process limits Cooling ca. 3.5 K/s typical ca. 2 K/s ca. 5 K/s s 24 t
8 Disclaimer Language english will prevail in case of any discrepancies or deviations between the two language wordings. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bei abweichenden Angaben im zweisprachigen Wortlaut haben die Angaben in englischer Sprache Vorrang. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist
9 Glossary 1) Thermal resistance: junction -ambient, mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm 2 each 2) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm 2 2) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert
10 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved
High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten
214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4545 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED
MehrInfrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141
215-1-21 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1. SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550
214-2-5 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 455 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrInfrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH verbunden
215-1-29 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1. SFH 4851 Features: Wavelength 85nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4845
215-1-8 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1.1 SFH 4845 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrInfrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356
215-1-16 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. SFH 4356 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 85nm Wellenlänge 85nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Good spectral match
MehrInfrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4556P
214-12-4 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. Features: Wavelength 85nm Short switching times Available on tape and reel (in Ammopack) Good spectral match to silicon photodetectors
MehrTypical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 Short switching times Kurze Schaltzeiten
2014-05-20 Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Draft Version α.0 SFH 4544 Features: Besondere Merkmale: Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle
MehrHigh Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4341
214-1-15 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4341 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten
214-1-16 High Power Infrared Emitter (8 nm) IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 46 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot
MehrInfrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883
214-9-25 Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883 SFH 4813 Features: Fabricated in a liquid phase epitaxy process Anode is electrically
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Same package dimensions as BPX 81 gleiche Gehäuseabmaße wie BPX 81
215-1-16 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszensdiode (94 nm) Version 1. SFH 4941 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Same package dimensions
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrHigh optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1.
212-3-8 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. / acc. to: OS-PCN-29-21-A2 SFH 458 Features: Besondere Merkmale: High optical power Sehr hohe
MehrUV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to: OS-PCN A2 IRL 81 A
214-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to: OS-PCN-211-3-A2 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274
211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit
MehrCHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4053
215-9-4 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (85 nm) CHIPLED (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 453 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH
27-4-4 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typical peak wavelength 95nm Typische
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 400
215-8-31 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 4 Features: Cathode is electrically connected to the case High reliability Matches all Si-Photodetectors Hermetically sealed package
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 LD 274. GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability
215-8-25 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052
213-11-29 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 452 Features: Besondere Merkmale: High optical power Hohe Gesamtleistung Small package
MehrWELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //
WELRON Elektronik GmbH // el: 982 6727- // Fax: 982 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product -
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95 nm Sehr
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254
2013-04-29 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254 Features: Besondere Merkmale: Homogenous Radiation Pattern Homogene Abstrahlung
MehrRichtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.
21-12-1 OSRAM OSTAR Observation (8nm) Version 1. SFH 474 Features: Besondere Merkmale: White frame to achieve high optical power Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung 4.3 W optical power at I F =1A 4.3
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
MehrSilicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.
15-9-1 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. SFH 54 Features: Especially suitable for applications from 74 nm to
MehrInfrared Emitter Arrays (940 nm) IR-Lumineszenzdioden-Zeilen (940 nm) Draft Version α.1 SFH 4942/ 4943/ 4944/ 4945/ 4946/ 4947/ 4948/ 4949/ 4940
2014-08-13 Infrared Emitter Arrays (940 nm) IR-Lumineszenzdioden-Zeilen (940 nm) Draft Version α.1 SFH 4942/ 4943/ 4944/ 4945/ 4946/ 4947/ 4948/ 4949/ 4940 Features: Wavelength 950nm Leadframe arrays,
MehrFertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 43 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot
MehrStrahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeit
213-9-2 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4253 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher
MehrCHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053
212-8-25 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (85 nm) CHIPLED (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 453 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr
MehrSilicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA
215-9-1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S1%) 75 nm to 11 nm Wellenlängenbereich (S1%) 75 nm bis 11 nm Short switching time (typ.
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484
MehrHoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit
27-4-3 GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1. SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Peak wavelength of 95 nm Wellenlänge der Strahlung 95 nm Narrow
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4056
212-1-11 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 456 Features: Besondere Merkmale: Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1 Sehr
MehrHigh Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.
213-1-31 High Power Infrared Emitter (85nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (85nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.1 SFH 4551 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrSilicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 PFA
215-9-1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S1%) 75 nm to 11 nm Wellenlängenbereich (S1%) 75 nm bis 11 nm Short switching time (typ.
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden
215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4846 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
MehrUV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel
MehrInfrarot-LED Infrared-LED SFH 4281
Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88nm Homogene Abstrahlcharakteristik IR Reflow und TTW Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC Standard J-STD-2A
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 431 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED
MehrOrdering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.
2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409
211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 49 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit
MehrHigh Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4140
214-4-4 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 414 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED (55mW) Infrarot LED mit hoher
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität
MehrNarrow beam LED in Mini MIDLED package (940 nm) Engwinklige LED im Mini MIDLED-Gehäuse (940 nm) Version 1.0 SFH 4441
213-3-22 Narrow beam LED in Mini MIDLED package (94 nm) Engwinklige LED im Mini MIDLED-Gehäuse (94 nm) Version 1. SFH 4441 Features: Besondere Merkmale: Highly Efficient Infrared LED Infrarot LED mit hoher
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface
MehrInfrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281
Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen Miniaturlichtschranken für Gleich-
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung
MehrTemperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung
214-1-14 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.1 SFH 254 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications
MehrSchnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209
Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 429 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse InGaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)
MehrGaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269
215-6-24 GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 26, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 Features: Besondere Merkmale: GaAs infrared emitting
MehrSFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times
IR-Lumineszenzdiode (94nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (94nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS CompliantLead (Pb) Free Product - RoHS SFH 442 SFH 443
MehrOSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 314
215-8-27 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 314 SFH 314 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 46... 8 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrOSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750
21-4-21 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) - 14 Version 1.1 SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2
Mehr650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data
65nm Resonant Cavity LED-Chip 65nm Resonant Cavity LED Die F372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale keine Schwelle hohe Leistung Kurze Schaltzeiten: 15ns Oberflächenstrahler Optimale
MehrSilicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer
215-9-1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 Features: Especially suitable for applications from 4 nm to 11 nm Short switching time (typ. 2 ns) 5 mm LED plastic package Also available
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 309. Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: (typ)
2015-08-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 309 Features: Spectral range of sensitivity: (typ) 380... 1150 nm Package: 3mm Radial (T 1), Epoxy Special: High photosensitivity
MehrNarrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Version 1.0 / acc. to OS-PCN A2 SFH 4641
212-3-8 Narrow beam LED in MIDLED package (94 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (94 nm) Version 1. / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4641 Features: Besondere Merkmale: High Power (35 mw) Infrared LED Infrarot
Mehr(LxBxH) 1.7 mm x 0.8 mm x 0.65 mm Short switching times Kurze Schaltzeiten High optical total power Sehr hohe Gesamtleistung
2014-01-15 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 / acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4050 Features: Besondere Merkmale: Very small package:
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4059SR
214-1-28 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. Features: High optical power Double Stack emitter Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6
MehrCHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Draft Version 0.0 SFH 4053
212-8-2 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (85 nm) CHIPLED (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Draft Version. SFH 453 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale:
MehrIR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 44 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot
MehrOutput: active "low" Ausgang: aktiv "low" Built-in Schmitt Trigger circuit Integrierter Schmitt-Trigger Compact package Miniatur-Gehäuse
2014-01-10 Schmitt-Trigger IC in Miniature Sidelooker Package with Lens Schmitt-Trigger IC im Miniatur Sidelooker Gehäuse mit Linse Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Output: active "low" Ausgang:
MehrHigh Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN A2
214-1-15 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4248, SFH 4249 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared
MehrSilicon NPN Phototransistor with Daylight - Cutoff Filter NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Version 1.
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor with Daylight - Cutoff Filter NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Version 1.3 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 85...
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Halbwinkel
MehrInfrared Emitter (850 nm) and green GaP-LED (570 nm) Infrarot Sender (850 nm) und grüne GaP-LED (570 nm) Version 1.1 SFH 7251
215-9-11 Infrared Emitter (85 nm) and green GaP-LED (57 nm) Infrarot Sender (85 nm) und grüne GaP-LED (57 nm) Version 1.1 SFH 7251 Features: SMT package with IR emitter (85 nm) and green emitter (57 nm)
MehrInfrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281
Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Not for new design Replacement: SFH4253 R Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen
MehrSchnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package
Schnelle IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (95 nm) in 5 mm Radial Package SFH 451, SFH 452, SFH 453 SFH 451 SFH 452 SFH 453 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit
MehrGaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 485
28-5-28 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (88 nm) Version 1. SFH 485 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High
MehrSFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ
Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4259
214-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4259 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot
MehrNarrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Version 1.2 SFH 4641
214-1-31 Narrow beam LED in MIDLED package (94 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (94 nm) Version 1.2 SFH 4641 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED (35 mw) Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4259S
213-8-8 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrStrahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Für Neuentwicklungen / for new designs Vorläufige Daten / Preliminary
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (40mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge
MehrNarrow beam LED in MIDLED package (850 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (850 nm) Version 1.3 SFH 4656
214-1-31 Narrow beam LED in MIDLED package (85 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (85 nm) Version 1.3 SFH 4656 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED (4 mw) Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA
2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrNarrow beam LED in MIDLED package (880 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (880 nm) Discontinued SFH 4685
29-3-19 Narrow beam LED in MIDLED package (88 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (88 nm) Discontinued SFH 4685 Features: Besondere Merkmale: AlGaAs-LED AlGaAs-LED Narrow halfangle (± 2 ) Enger Abstrahlwinkel
MehrIR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH
IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typische Peakwellenlänge 95nm Hohe Zuverlässigkeit
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 431 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Features
MehrSilizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 26 K Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 11 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
MehrGaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 P
27-4-2 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability
Mehr