NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43-5

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43-5"

Transkript

1 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm Hohe Linearität Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluß, geeignet bis 125 C Gruppiert lieferbar Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln Features Especially suitable for applications from 450 nm to 1100 nm High linearity Hermetically sealed metal package (TO-18) with base connection suitable up to 125 C Available in groups Applications Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Typ Type BPX 43 BPX 43-2/3 BPX 43-3 BPX 43-3/4 BPX 43-4 BPX 43-4/5 BPX 43-5 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P16 Q62702-P3580 Q62702-P16-S3 Q62702-P3581 Q62702-P16-S4 Q62702-P3582 Q P16-S

2 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Verlustleistung, T A = 25 C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Wert Value T op ; T stg C T S 260 C T S 300 C V CE 50 V I C 50 ma I CS 200 ma V EB 7 V Einheit Unit P tot 220 mw R thja 450 K/W

3 Kennwerte (T A = 25 C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Parameter Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von S max Spectral range of sensitivity S = 10% of S max Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area λ S max 880 nm λ nm A mm 2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L B L W 1 1 mm mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle H mm ϕ ± 15 Grad deg. Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode E e = 0.5 mw/cm 2, V CB = 5 V E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, V CB = 5 V I PCB 11 I PCB 35 µa µa Kapazität Capacitance V CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 V CB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 V EB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 C CE C CB C EB pf pf pf Dunkelstrom Dark current V CE = 25 V, E = 0 I CEO 20 ( 300) na

4 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Parameter Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, V CE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage I C = I PCEmin 1) 0.3 E e = 0.5 mw/cm 2 Stromverstärkung Current gain E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V Wert Value I PCE I PCE Einheit Unit ma ma t r, t f ms V CEsat mv I PCE I PCB 1) I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. 1) I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group

5 Relative Spectral Sensitivity S rel = f (λ) Photocurrent I PCE = f (E e ), V CE = 5 V Total Power Dissipation P tot = f (T A ) Output Characteristics I C = f (V CE ), I B = Parameter Output Characteristics I C = f (V CE ), I B = Parameter Dark Current I CEO = f (V CE ), E = 0 Photocurrent I PCE /I PCE25 o = f (T A ), V CE = 5 V Dark Current I CEO /I CEO25o = f (T A ), V CE = 25 V, E = 0 Collector-Emitter Capacitance C CE = f (V CE ), f = 1 MHz, E =

6 Collector-Base Capacitance C CB = f (V CB ), f = 1 MHz, E = 0 Emitter-Base Capacitance C EB = f (V EB ), f = 1 MHz, E = 0 Directional Characteristics S rel = f (ϕ)

7 Maßzeichnung Package Outlines ø0.45 (0.018) Chip position 14.5 (0.571) 12.5 (0.492) (2.7 (0.106)) ø4.8 (0.189) ø4.6 (0.181) 5.1 (0.201) 4.8 (0.189) 6.2 (0.244) 5.4 (0.213) Radiant sensitive area 1.1 (0.043) 0.9 (0.035) 1.1 (0.043) 0.9 (0.035) E C B 2.54 (0.100) spacing ø5.6 (0.220) ø5.3 (0.209) GMOY6019 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D Regensburg All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103-4

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103-4 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm Hohe Linearität TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,

Mehr

BPY 62. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62. Wesentliche Merkmale

BPY 62. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62. Wesentliche Merkmale NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet für

Mehr

BPX 80 BPX NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX

BPX 80 BPX NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. feo06367 fez06365 Wesentliche Merkmale

Mehr

SFH 300 SFH 300 FA. ṄPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 300 SFH 300 FA

SFH 300 SFH 300 FA. ṄPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 300 SFH 300 FA ṄPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. feof6652 feo06652 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für

Mehr

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei

Mehr

BP 103 B BP 103 BF BP 103 B BP 103 BF

BP 103 B BP 103 BF BP 103 B BP 103 BF ṄPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter BP 103 B Maβe in mm, wenn nicht

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 1 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm () und bei

Mehr

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm Angepaßt

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 26 K Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 11 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

Mehr

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 35 nm bis 11 nm Sperrstromarm (typ. 2 pa) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

Mehr

0.6 0.4. 4.0 3.6 Chip position. ø2.9 GEO06653. Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified

0.6 0.4. 4.0 3.6 Chip position. ø2.9 GEO06653. Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 39 2.54 mm spacing Collector (Transistor) Cathode (Diode).7 1.8 1.2 29 27.8 Area not flat 5.2 4.5 (3.5) 4.1 3.9 6.3 5.9 ø3.1 ø2.9 4. 3.6 Chip

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 38

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 38 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 38 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1120 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm () und bei 920 nm () Hohe Fotoempfindlichkeit DIL-Plastikbauform

Mehr

NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 32 SFH 32 FA SFH 32 SFH 32 FA Wesentliche Merkmale Speziell

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei 88 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5 mm-plastikbauform

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode SFH 221

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode SFH 221 Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode SFH 221 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm Hohe Fotoempfindlichkeit Hermetisch dichte

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 13 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 31 F Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für

Mehr

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet

Mehr

SFH 203 P, SFH 203 PFA

SFH 203 P, SFH 203 PFA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 3 P SFH 3 PFA SFH 3 P SFH 3 PFA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 P SFH 23 PFA SFH 23 P SFH 23 PFA Wesentliche Merkmale

Mehr

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 81

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 81 2007-03-30 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087)

BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087) Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E987) BPW 34 FA BPW

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 38

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 38 2015-08-21 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 38 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1120 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS

Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 14 F BP 14 FS BP 14 F BP 14 FS Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPY 62

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPY 62 215-8-21 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 4... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 303 FA

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 303 FA 215-6-11 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 Features: Spectral range of sensitivity: (typ) 75... 112 nm Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy Special: Base connection High

Mehr

Schnelle PIN-Fotodiode High Speed PIN-Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 2701

Schnelle PIN-Fotodiode High Speed PIN-Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 2701 Schnelle PIN-Fotodiode High Speed PIN-Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 7 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen von 4nm bis 5nm Sehr kurze Schaltzeit im spezifizierten

Mehr

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Schmitt-Trigger IC im TO-8 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-8 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5840 SFH 584 Wesentliche Merkmale SFH 5840: Ausgang active

Mehr

Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300

Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300 Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300 Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Einfache Unterscheidbarkeit von Sender (transparentes

Mehr

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 221

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 221 Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 221 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm

Mehr

DatasheetArchive.com. Request For Quotation

DatasheetArchive.com. Request For Quotation DatasheetArchive.com Request For Quotation Order the parts you need from our real-time inventory database. Simply complete a request for quotation form with your part information and a sales representative

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 309. Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: (typ)

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 309. Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: (typ) 2015-08-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 309 Features: Spectral range of sensitivity: (typ) 380... 1150 nm Package: 3mm Radial (T 1), Epoxy Special: High photosensitivity

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 314

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 314 215-8-27 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 314 SFH 314 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 46... 8 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 213-11-2 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 77... 19 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)

Mehr

Silicon NPN Phototransistor with Daylight - Cutoff Filter NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Version 1.

Silicon NPN Phototransistor with Daylight - Cutoff Filter NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Version 1. 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor with Daylight - Cutoff Filter NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Version 1.3 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 85...

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 73... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130

Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins Hohe Empfindlichkeit

Mehr

Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9310

Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9310 查询 SFH9310 供应商 Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9310 Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Anwendungen Geschwindigkeitsüberwachung

Mehr

DatasheetArchive.com. Request For Quotation

DatasheetArchive.com. Request For Quotation DatasheetArchive.com Request For Quotation Order the parts you need from our real-time inventory database. Simply complete a request for quotation form with your part information and a sales representative

Mehr

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data 65nm Resonant Cavity LED-Chip 65nm Resonant Cavity LED Die F372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale keine Schwelle hohe Leistung Kurze Schaltzeiten: 15ns Oberflächenstrahler Optimale

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484

Mehr

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. 15-9-1 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. SFH 54 Features: Especially suitable for applications from 74 nm to

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 31 SFH 31 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 45 nm... 11 nm (SFH 31), 74 nm... 11 nm (SFH 31

Mehr

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung 214-1-14 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.1 SFH 254 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface

Mehr

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21 2014-01-10 Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125

2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125 2007-04-12 2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 400 nm to Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 5441

Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 5441 Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 544 Wesentliche Merkmale SFH 5440: Ausgang active low SFH 544: Ausgang

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E v

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E v 27-4-2 Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ -Charakteristik Version 1. SFH 341 Features: Besondere Merkmale: Package: Smart DIL Gehäuse: Smart DIL Especially

Mehr

GPL Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

GPL Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. SM Multi OPLED SFH 722 orläufige Daten / Preliminary Data 3. 2.6 2.3 2..8.6 2 3 2..7.9.7 C C. typ 3.4 3. E (2.4) 3.7 3.3 Package marking 4..5.8.2.6.4 GPL6965 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen

Mehr

Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package

Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package Schnelle IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (95 nm) in 5 mm Radial Package SFH 451, SFH 452, SFH 453 SFH 451 SFH 452 SFH 453 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA 215-9-1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S1%) 75 nm to 11 nm Wellenlängenbereich (S1%) 75 nm bis 11 nm Short switching time (typ.

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 PFA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 PFA 215-9-1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S1%) 75 nm to 11 nm Wellenlängenbereich (S1%) 75 nm bis 11 nm Short switching time (typ.

Mehr

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88nm Homogene Abstrahlcharakteristik IR Reflow und TTW Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC Standard J-STD-2A

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 485 P Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS (R18R)

BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS (R18R) Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 34 FA,

Mehr

Reflexlichtschranke Reflective Interrupter SFH I CE I F = 10 ma, V CE = 5 V, d = 1 mm ma

Reflexlichtschranke Reflective Interrupter SFH I CE I F = 10 ma, V CE = 5 V, d = 1 mm ma Reflexlichtschranke Reflective Interrupter SFH 921 Wesentliche Merkmale Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor Tageslichtsperrfilter

Mehr

Doppeldiode von extrem hoher Gleichmäβigkeit homogeneousness

Doppeldiode von extrem hoher Gleichmäβigkeit homogeneousness 2014-01-13 Silicon Dual Photodiode Silizium-Doppelfotodiode Version 1.1 SFH 221 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 400 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln A variety of manufacturing and monitoring

Photointerrupters Lichtschranken For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln A variety of manufacturing and monitoring 27-4-3 Silicon NPN Phototransistor in SMR Package NPN-Silizium-Fototransistor in SMR Gehäuse Discontinued SFH 35 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 45... 16 nm Spektraler Bereich

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5130

Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5130 Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 513 Wesentliche Merkmale Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang Transparentes

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA 214-1-13 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 213 213 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S 1% ) 4 nm to 11 nm ( Wellenlängenbereich (S 1% ) 4nm bis 11nm 213) and 75

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 81. Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 81. Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 2015-06-24 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 81 Features: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Besondere Merkmale: Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Remote control Fernsteuerung BP 104 F 34 ( 25) Q62702P0084

Photointerrupters Lichtschranken Remote control Fernsteuerung BP 104 F 34 ( 25) Q62702P0084 214-1-17 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 BP 14 F Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of

Mehr

SFH 900 SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches

SFH 900 SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken für den

Mehr

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 320, SFH 320 FA

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 320, SFH 320 FA 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 32, SFH 32 FA SFH 32 SFH 32 FA Features: Spectral range of sensitivity: 45

Mehr

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95 nm Sehr

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 431 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Features

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (40mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge

Mehr

Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package 5 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse

Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package 5 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse 214-1- Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 23 SFH 23 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S%) 4 nm to 1 nm Wellenlängenbereich (S%) 4 nm bis 1 nm (SFH 23) and 75

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer 27-3-3 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 11 nm 4

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204 215-9-4 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

SFH Applications Data transmission Lock bar Infrared interface. Anwendungen Datenübertragung Wegfahrsperre Infrarotschnittstelle

SFH Applications Data transmission Lock bar Infrared interface. Anwendungen Datenübertragung Wegfahrsperre Infrarotschnittstelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (88 nm) and Si-Phototransistor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 722 Wesentliche Merkmale SMT-Gehäuse mit IR-Sender

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (I e = f [I

Mehr

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 214-8-1 Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 47...

Mehr