1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C
|
|
- Lena Huber
- vor 6 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 BSM 3 G 12 DN2 IGBT Power Module Single switch Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 3 G 12 DN2 12V 43 SINGLE SWITCH 1 C BSM 3 G 12 DN2 S 12V 43 SSW SENSE 1 C Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collectoremitter voltage 12 V Collectorgate voltage V CGR R GE = 2 kω 12 Gateemitter voltage V GE ± 2 DC collector current T C = 25 C T C = 8 C 43 3 Pulsed collector current, t p = 1 ms puls T C = 25 C 86 T C = 8 C 6 Power dissipation per IGBT P tot W T C = 25 C 25 Chip temperature T j + 15 C Storage temperature T stg Thermal resistance, chip case R thjc.5 K/W Diode thermal resistance, chip case R thjcd.125 Insulation test voltage, t = 1min. V is 25 Vac Creepage distance 2 mm Clearance 11 DIN humidity category, DIN 4 4 F sec IEC climatic category, DIN IEC / 125 / 56 1 Oct271997
2 BSM 3 G 12 DN2 Electrical Characteristics, at T j = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Static Characteristics Gate threshold voltage V GE =, = 12 m Collectoremitter saturation voltage V GE = 15 V, = 3, T j = 25 C V GE = 15 V, = 3, T j = 125 C Zero gate voltage collector current = 12 V, V GE = V, T j = 25 C = 12 V, V GE = V, T j = 125 C Gateemitter leakage current V GE = 2 V, = V C Characteristics Transconductance = 2 V, = 3 Input capacitance = 25 V, V GE = V, f = 1 MHz Output capacitance = 25 V, V GE = V, f = 1 MHz Reverse transfer capacitance = 25 V, V GE = V, f = 1 MHz V GE(th) (sat) ES g fs 124 C iss 22 C oss 3.3 C rss 1.2 V m n S nf 2 Oct271997
3 BSM 3 G 12 DN2 Electrical Characteristics, at T j = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Switching Characteristics, Inductive Load at T j = 125 C Turnon delay time V CC = 6 V, V GE = 15 V, = 3 R Gon = 3.3 Ω Rise time V CC = 6 V, V GE = 15 V, = 3 R Gon = 3.3 Ω Turnoff delay time V CC = 6 V, V GE = 15 V, = 3 R Goff = 3.3 Ω Fall time V CC = 6 V, V GE = 15 V, = 3 R Goff = 3.3 Ω t d(on) t r t d(off) t f ns FreeWheel Diode Diode forward voltage V F V I F = 3, V GE = V, T j = 25 C I F = 3, V GE = V, T j = 125 C 1.8 Reverse recovery time t rr µs I F = 3, V R = 6 V, V GE = V di F /dt = 25 /µs, T j = 125 C.55 Reverse recovery charge Q rr µc I F = 3, V R = 6 V, V GE = V di F /dt = 25 /µs T j = 25 C 14 T j = 125 C 4 3 Oct271997
4 BSM 3 G 12 DN2 Power dissipation P tot = ƒ(t C ) parameter: T j 15 C Safe operating area = ƒ( ) parameter: D =, T C = 25 C, T j 15 C 26 W P tot t p = 19.µs µs 1 1 ms ms C 16 T C DC V Collector current = ƒ(t C ) parameter: V GE 15 V, T j 15 C Transient thermal impedance IGBT Z th JC = ƒ(t p ) parameter: D = t p / T 5 1 K/W 4 Z thjc D = single pulse C 16 T C s 1 t p 4 Oct271997
5 BSM 3 G 12 DN2 Typ. output characteristics = f ( ) parameter: t p = 8 µs, T j = 25 C Typ. output characteristics = f ( ) parameter: t p = 8 µs, T j = 125 C V 15V 13V 11V 9V 7V V 15V 13V 11V 9V 7V V V 5 Typ. transfer characteristics = f (V GE ) parameter: t p = 8 µs, = 2 V V 14 V GE 5 Oct271997
6 BSM 3 G 12 DN2 Typ. gate charge V GE = ƒ(q Gate ) parameter: puls = 3 Typ. capacitances C = f ( ) parameter: V GE = V, f = 1 MHz V GE V 16 nf C Ciss 14 6 V 8 V Coss Crss nc 2 Q Gate V 4 Reverse biased safe operating area puls = f( ), T j = 15 C parameter: V GE = ± 15 V, t p 1 ms, L < 2 nh Short circuit safe operating area sc = f( ), T j = 15 C parameter: V GE = ± 15 V, t SC 1 µs, L < 2 nh puls sc / 1.5 di/dt = 1/µs 3/µs 5/µs 8 di/dt = 1/µs 3/µs 5/µs allowed number of short circuit: <1 time between short circuit: >1s V V 16 6 Oct271997
7 BSM 3 G 12 DN2 Typ. switching time I = f ( ), inductive load, T j = 125 C par.: = 6 V, V GE = ± 15 V, R G = 3.3 Ω 1 4 Typ. switching time t = f (R G ), inductive load, T j = 125 C par.: = 6 V, V GE = ± 15 V, = t ns t ns tdoff tdoff tdon tr 1 2 tr tdon tf 1 2 tf Ω 4 R G Typ. switching losses E = f ( ), inductive load, T j = 125 C par.: = 6 V, V GE = ± 15 V, R G = 3.3 Ω Typ. switching losses E = f (R G ), inductive load, T j = 125 C par.: = 6V, V GE = ± 15 V, = Eon E mws Eon E mws Eoff 6 Eoff Ω 4 R G 7 Oct271997
8 BSM 3 G 12 DN2 Forward characteristics of fast recovery reverse diode I F = f(v F ) parameter: T j 6 Transient thermal impedance Diode Z th JC = ƒ(t p ) parameter: D = t p / T 1 K/W 5 I F 45 Z thjc T j =125 C T j =25 C 1 2 D = single pulse V 3. V F s 1 t p 8 Oct271997
9 BSM 3 G 12 DN2 Circuit Diagram Package Outlines Dimensions in mm Weight: 42 g 9 Oct271997
10 Technische Information / Technical Information IGBTModule IGBTModules BSM3G12DN2 nhang CSerie ppendix Cseries Gehäuse spezifische Werte Housing specific values Modulinduktivität stray inductance module typ. L sce 16 nh Gehäusemaße CSerie Package outline Cseries ppendix Cseries ppendix_cserie_bsm3g12dn2.xls 2192
11 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte nwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese nwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen bteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher rt werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir pplication Notes bereit. ufgrund der technischen nforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden nwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle die gemeinsame Durchführung eines Risiko und Qualitätsassessments; den bschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. ny such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend to perform joint Risk and Quality ssessments; the conclusion of Quality greements; to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.
Type V CE I C Package Ordering Code BSM 150 GB 120 DN2 1200V 210A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2108-A70
BSM 15 GB 12 DN2 IGBT Power Module Halfbridge Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate Type V CE Package Ordering Code BSM 15 GB 12 DN2 12V 21 HLFBRIDGE 2 C67762187 Maximum
MehrMarketing Information FD 600 R 16 KF4
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information FD R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 C2 E2 E2 G1 C2 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16 18 4
MehrMarketing Information FZ 800 R 12 KF 4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany GmbH + o. KG Marketing Information FZ 8 R 12 KF 4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection to be done
MehrFZ 1800 R 17 KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom
MehrMarketing Information BSM 50 GD 170 DL
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM GD 17 DL 118.11 94.5 119 19.5 3.81 121.5 99.9 4 x 19.5 = 76.2 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 3.81 15.24 6 7 8 9 11 12 1.15x1. 5
MehrFS35R12W1T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC / V Š» = V I ÒÓÑ = / I ç = Typische nwendungen
MehrBSM 75 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 70
MehrN Kenndaten Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Kenndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Stoßspitzensperrspannung non-repetitive
MehrMarketing Information FZ 800 R 16 KF4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information FZ R 16 KF4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection (to be done) G external connection
MehrDatenblatt / Data sheet D690S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Kenndaten Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrDatenblatt / Data sheet D450S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Kenndaten Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrMarketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45 15 5,5 SW27 M12 Type Circuit symbol Cathode Anode S Connection pin Case U Case Connection pin Ma
MehrTechnische Information / Technical Information D 901 S T. tvj = -40 C... tvj max f = 50Hz. tc = 85 C, f = 50Hz tc = 60 C, f = 50Hz
chnelle Gleichrichterdiode D 901 35... 45 T Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische pitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrTechnische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 25 C...T vj max V RRM 2000 V repetitive peak forward reverse voltage
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrFP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrBSM10GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFF6R12ME4 EconoDUL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoDUL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC / V Š» = 12V I ÒÓÑ = 6 / I
MehrTechnische Information / Technical Information
Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische enndaten orwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = -4 C... T vj max DRM, RRM 12 repetitive
MehrSFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900
Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900 feo06270 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken
MehrDatenblatt / Data sheet
Key Parameters V DRM / V RRM I TAVM I TSM V T0 r T R thjc Base plate 1800 V 600 A (T C =100 C) 22000 A 0,75 V 0,215 mω 0,0745 60 mm For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog
MehrBSM50GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
Mehr2PS1200R17KE3-4G. Technical Information. Vorläufige Daten preliminary data. Key data 1x 571A AC at 690V AC, forced air (fan not implemented)
Key data 1x 571A AC at 690V AC, forced air (fan not implemented) General information for: Stacks for various inverter application. Semiconductors, heat sinks, drivers and sensors included. These are only
MehrFB15R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrDD100N16S. Technische Information / technical information. Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module
Key Parameters V DRM / V RRM I FAVM I FSM V T0 r T R thjc Base plate Weight 1600 V 130 A (T C =100 C) 2500 A 3570A (T C =55 C) 0,87 V 2,54 mω 0,19 20 mm 75 g For type designation please refer to actual
MehrTechnische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V RRM 1600 V
MehrTechnische Information / Technical Information
Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung
MehrFP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Kenndaten Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Thermische
MehrEMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 B32922 X2 MKP/SH 40/100/21/C
EMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 X2 capacitors with very small dimensions Rated ac voltage 275 and 300 V, 50/60 Hz Construction Dielectric: polypropylene (MKP) Plastic case (UL 94
MehrLeistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 251 N
European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D N,, E-Cu- mm² E-CE- mm² E-Cu- mm² E-Cu- mm² Siliconschlauch Silicon tube Siliconschlauch
MehrTechnische Information / Technical Information D 1641 SX 45T. tvj = 0 C... tvj max f = 50Hz. tc = 60 C. f = 50Hz I FRMSM 3200 A
Features pecially designed for operation with small snubber Low losses, soft recovery 140 C imum junction temperature Electroactive passivation by a-c:h Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
MehrTDB6HK360N16P. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPACK 4 Modul und PressFIT / NTC EconoPACK 4 module and PressFIT / NTC / V Š» = 1600V I ÒÓÑ = 360A / I ç = 720A Typische Anwendungen Typical Applications Halbgesteuerte B6-Brücke Half Controlled B6-bridge
MehrTechnische Information / technical information DD710N16K
Key Parameters V DRM / V RRM 1600V I FAVM I FSM 710A (T C =100 C) 3570A 26000A (T C =55 C) v T0 0,75V r T R thjc Baseplate Weight 0,145mΩ 0,062 60mm 1500g For type designation please refer to actual shortform
MehrFP40R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFP75R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrSIFI-A Series. SIFI-A for normal insertion loss Rated voltage 250 V~, 50/60 Hz Rated current 1 A to 20 A
2-ine Filters SIFI- Series 4111 SIFI- for normal insertion loss Rated voltage 2 V~, / Hz Rated current 1 to Construction Two-line filter Metal case Polyurethane potting (U 94 V-) Features Compact design
MehrFF450R12IE4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
FF45R2IE4 PrimePACK 2 mit schnell schaltendem Medium Power IGBT4 und NTC für niederinduktiven Umrichteraufbau PrimePACK 2 with fast switching Medium Power IGBT4 and NTC for low inductive set-up IGBT-Wechselrichter
MehrSIMID 1210-100. Size 1210 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 100 µh Rated current 65 to 800 ma
Size 12 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 0 µh Rated current 65 to 800 ma Construction Ceramic or ferrite core Laser-welded winding Flame-retardant encapsulation Features Very wide temperature
Mehr0.6 0.4. 4.0 3.6 Chip position. ø2.9 GEO06653. Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 39 2.54 mm spacing Collector (Transistor) Cathode (Diode).7 1.8 1.2 29 27.8 Area not flat 5.2 4.5 (3.5) 4.1 3.9 6.3 5.9 ø3.1 ø2.9 4. 3.6 Chip
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-D
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC / ϑ V Š» = 600V I
MehrTechnische Information / Technical Information
Thyristor Module with Chopper-IGBT TD B6HK 124 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode,
MehrB81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C B81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C. EMI Suppression Capacitors X2 / 275 Vac Not for new design
EMI Suppression Capacitors X2 / X2 capacitors with small dimensions Rated ac voltage 275 V, 50/60 Hz 1) Construction Dielectric: polyester (MKT) Internal series connection Plastic case (UL 94 V-0) Epoxy
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Kollektor-D
EconoPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC V Š» = V I ÒÓÑ = 5A / I ç = A Typische Anwendungen
MehrElectrical data DC Link min typ max units Voltage V V Overvoltage shutdown within 5000µs 850 V Unit 2 AC min typ max units Voltage depending o
Key data 1x 770 A rms at 400 V rms, forced air (fan included) General information Stacks for various inverter application. Semiconductors, heat sinks, drivers and sensors included. These are only technical
MehrKuhnke Technical Data. Contact Details
Kuhnke Technical Data The following page(s) are extracted from multi-page Kuhnke product catalogues or CDROMs and any page number shown is relevant to the original document. The PDF sheets here may have
Mehr3-Line Filters for Converters and Power Electronics B84143-G*-R110 B84143-G*-R112
B8443-G*-R0 B8443-G*-R2 Power line filters for three-phase systems Rated voltage 4/275 and 520/300 V~, 50/ Hz Rated current 8 to 220 A Construction Three-line filter Metal case Book size Features High
MehrEin- und Ausgangsspannung 220-240V / Leistung: 800 VA / Abmessungen: 203 x 147 x 445mm / Gewicht: 20kg / Normenzertifikate: EN 60950, EN 60601-1
Produktinformationen Powervar ABCE800-22IEC USV POWERVAR Unterbrechungsfreier Strommanager Der neue Security One USM oder unterbrechungsfreier Strommanager, hat viele neue Funktionen zu bieten. Sie können
MehrCONTROLLER RECEIVER REPEATER PAIRING SLIM CLIP
ANLEITUNGEN // INSTRUCTIONS CONTROLLER RECEIVER REPEATER PAIRING SLIM CLIP BEDIENUNGSANLEITUNG // INSTRUCTION MANUAL MONTAGEANLEITUNG // ASSEMBLY INSTRUCTION MONTAGEANLEITUNG // ASSEMBLY INSTRUCTION KOPPLUNG
MehrNPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei
MehrErläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters
1 Symbole, Begriffe, Normen Symbole und Begriffe der verwendeten Größen 1 Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode Anode C Kapazität; Kollektor
MehrSFH 203 P, SFH 203 PFA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 3 P SFH 3 PFA SFH 3 P SFH 3 PFA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
MehrDC/DC Converter 400 W
Eingangsbereich 4 : 1 Input Range 4 : 1 Wirkungsgrad bis 90 % Efficiency up to 90 % Full Brick Gehäuse Full Brick Case Eingangs-π-Filter Input-π-Filter Beschreibung 10 DC/DC-Wandler stehen in der Serie
Mehr1. Auftraggeber client. 1.1. Firmenname: company name: 1.2. Straße: street: 1.3. Ort: place: 1.4. Telefon: phone: 1.5. Fax: fax:
Seite 1 von 10 page 1 of 10 Antrag zur Zertifizierung eines PV Moduls und einer Fertigungsstätteninspektion des zu zertifizierenden Produkts Information about the certificate owner and the manufacturing
MehrAC/DC-Schaltnetzteile 100 W AC/DC Switching Power Supplies 100 W. Merkmale / Features. Eingangsbereich 90...264 V AC
E176177 Merkmale / Features Eingangsbereich 90...264 V AC / Universal Input 90...264 V AC Wirkungsgrad bis zu 90 % / Efficiency up to 90 % Full-Brick Gehäuse / Full Brick Package Aktiv PFC Funktion / Active
MehrINSTALLATION AND OPERATING INSTRUCTIONS FOR LPS203-M LPS203-M 操 作 指 示
BEDIENUNGSANLEITUNG To comply with the published safety standards, the following must be observed when using this power supply. Um den zur Zeit gültigen Sicherheitsbestimmungen zu genügen, müssen die nachstehenden
MehrProduktinformation 201407_182PNdeen
Produktinformation 201407_182PNdeen Deutsch Seite 1-2 English page 3 4 Produkt Information POWER LIFT HL 2.35 NT DT Fahrzeuge und Transporter werden immer schwerer, von der Automobilindustrie und den Autohäusern
MehrInstrument table HT-020. description/ technical data. table height min.: 650mm table height max.: 1320mm tabletop Multiplex beech: 700x 460mm.
Wagner&Guder UG(mbH) & Co.KG HT-020 Multiplex beech: 700x 460mm table weight: 40kg 6x multiple socket 230VAC Schuko under table with wheels, two of them with brakes Wagner&Guder UG(mbH) & Co.KG HT-100
MehrInternationale Energiewirtschaftstagung TU Wien 2015
Internationale Energiewirtschaftstagung TU Wien 2015 Techno-economic study of measures to increase the flexibility of decentralized cogeneration plants on a German chemical company Luis Plascencia, Dr.
MehrThe following products presented in this data sheet are being withdrawn. B66414B6008T002 2003-08-08 2004-02-29 2004-08-31
EFD/EV/DE Cores Series/Type: EFD /8/ The following products presented in this data sheet are being withdrawn. Ordering Code Substitute Product Date of Withdrawal Deadline Last Orders Last Shipments B66B6008T002
MehrVDE Prüf- und Zertifizierungsinstitut Zeichengenehmigung
Blatt / Page 2 Dieses Blatt gilt nur in Verbindung mit Blatt 1 des sausweises Nr.. This supplement is only valid in conjunction with page 1 of the. Terrestrische Photovoltaik-Module mit Silizium-Solarzellen
MehrVDE Prüf- und Zertifizierungsinstitut Zeichengenehmigung
usweis-nr. / Blatt / Page 2 ktenzeichen / File ref. Dieses Blatt gilt nur in Verbindung mit Blatt 1 des sausweises Nr.. This supplement is only valid in conjunction with page 1 of the. Terrestrische Photovoltaik-Module
MehrNotice: All mentioned inventors have to sign the Report of Invention (see page 3)!!!
REPORT OF INVENTION Please send a copy to An die Abteilung Technologietransfer der Universität/Hochschule An die Technologie-Lizenz-Büro (TLB) der Baden-Württembergischen Hochschulen GmbH Ettlinger Straße
MehrCompressed air - dewpoint 10K under ambient temperature - ISO8573-1, Kl. 3 Durchflussrichtung Flow direction EIN: von 1-2 AUS: von 2 3
3/2 Wegeventil mit PIEZO-Pilotventil Baureihe P20 3/2 way valve with Piezo-pilot valve Series P20 P20 381RF-* NW 2 Eigenerwärmungsfrei Ein Produkt für alle Ex-Bereiche Kompatibel zu Microcontrollern Kompatibel
MehrFMC. 52 Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH & Co. KG, Germany, Phone +49 (0)8684 18-0, info@rosenberger.de, www.rosenberger.com
The extremely small FMC connector series Flexible Microstrip Connectors are designed for PCB applications in the tightest spaces. Using bullets, equalization of radial and axial misalignments in board-to-board
MehrFundamentals of Electrical Engineering 1 Grundlagen der Elektrotechnik 1
Fundamentals of Electrical Engineering 1 Grundlagen der Elektrotechnik 1 Chapter: Operational Amplifiers / Operationsverstärker Michael E. Auer Source of figures: Alexander/Sadiku: Fundamentals of Electric
MehrBetriebsanleitung. Finhol Natural Tube Series - Booster. Technische Daten
Betriebsanleitung Natural Tube Series - Booster Aluminium Druckguss Gehäuse Gewicht ca. 300 gr. Masse: 145 x 95 x 50 mm Regler: Level Fussschalter Output/Input-Buchse 6,3 mm unsymmetrisch DC-Buchse: für
MehrKBU 4AYM. Kunststoffgehäuse
KBU 4AYM Silicon-Bridge Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung 4.0 A 35Y700 V Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx.
MehrVoIP Test mit HST-3000 und T-Online Anschluss Von Sascha Chwalek
Application Note VoIP Test mit HST-3000 und T-Online Anschluss Von Sascha Chwalek T-Online bietet jedem T-DSL Kunden einen kostenlosen VoIP-Anschluss unter der Bezeichnung DSL Telefonie an. Der Dienst
MehrSupplier Questionnaire
Supplier Questionnaire Dear madam, dear sir, We would like to add your company to our list of suppliers. Our company serves the defence industry and fills orders for replacement parts, including orders
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA
2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrHazards and measures against hazards by implementation of safe pneumatic circuits
Application of EN ISO 13849-1 in electro-pneumatic control systems Hazards and measures against hazards by implementation of safe pneumatic circuits These examples of switching circuits are offered free
Mehrfastpim 1 H fast switching H bridge module Features: - 1 Phase Input Rectifier Bridge - 1 Phase fast switching IGBT + FRED full H bridge - NTC
fast switching H bridge module Features: - 1 Phase Input Rectifier Bridge - 1 Phase fast switching IGBT + FRED full H bridge - NTC Copyright by Vincotech 1 Revision: 1 module types / Produkttypen Part-Number
MehrCloud for Customer Learning Resources. Customer
Cloud for Customer Learning Resources Customer Business Center Logon to Business Center for Cloud Solutions from SAP & choose Cloud for Customer https://www.sme.sap.com/irj/sme/ 2013 SAP AG or an SAP affiliate
MehrSPECIFICATION Item No.: T60404-P4640-X150
SPECFCATON tem No.: T60404-P4640-X150 Customer: Standard Type Customer part no..: Page 1 of 6 Electrical data PN Primary nominal r.m.s. current 1000 A R 1 M Measuring resistance 0... 100 Ω SN Secondary
MehrF4-75R12MS4. EconoDUAL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUAL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC
EconoDUL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC VCES = 2V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrAlgorithms for graph visualization
Algorithms for graph visualization Project - Orthogonal Grid Layout with Small Area W INTER SEMESTER 2013/2014 Martin No llenburg KIT Universita t des Landes Baden-Wu rttemberg und nationales Forschungszentrum
MehrTransparenz 2.0. Passive Nachverfolgung und Filterung von WebApps auf dem Prüfstand
Matthias Seul IBM Research & Development GmbH BSI-Sicherheitskongress 2013 Transparenz 2.0 Passive Nachverfolgung und Filterung von WebApps auf dem Prüfstand R1 Rechtliche Hinweise IBM Corporation 2013.
Mehrcom.tom PORTAL Registrierung
com.tom PORTAL Registrierung Copyright 2000-2010 Beck IPC GmbH Page 1 of 6 TABLE OF CONTENTS 1 AUFGABE... 3 2 DEFINITIONEN... 3 3 PRODUKTE... 3 4 REGISTRIERUNG... 3 5 PROJEKT-REGISTRIERUNG... 4 5.1 PROJEKT...
MehrTitelbild1 ANSYS. Customer Portal LogIn
Titelbild1 ANSYS Customer Portal LogIn 1 Neuanmeldung Neuanmeldung: Bitte Not yet a member anklicken Adressen-Check Adressdaten eintragen Customer No. ist hier bereits erforderlich HERE - Button Hier nochmal
MehrMarketing Information TT 425 N
Europen Power- Semiconductor nd Electronics Compny GmH + Co. KG Mrketing Informtion TT N screwing depth mx. 18, M1 plug A,8 x,8 K G 7K G 1 1 11 1 1 1 A K AK G K G K VWK Ferury 199 TT N, TD N, DT N Elektrische
MehrXML Template Transfer Transfer project templates easily between systems
Transfer project templates easily between systems A PLM Consulting Solution Public The consulting solution XML Template Transfer enables you to easily reuse existing project templates in different PPM
MehrISA-PLAN - Precision Resistor Type PBV
ISA-PLAN - Precision Resistor Type PBV Spec Sheet R361-1/2 July 97 Technical Data Resistance range 0.5 mohm - 1 Ohm Tolerances 0.5 %, 1 %, 5 % Temperature coefficient ( R > 10 mohm ) < 30 ppm/k ( 20 C
MehrCameraserver mini. commissioning. Ihre Vision ist unsere Aufgabe
Cameraserver mini commissioning Page 1 Cameraserver - commissioning Contents 1. Plug IN... 3 2. Turn ON... 3 3. Network configuration... 4 4. Client-Installation... 6 4.1 Desktop Client... 6 4.2 Silverlight
MehrÜberspannungsschutz für Bauteile und Schaltungen mit Hilfe von TVS-Dioden. Circuits using TVS Diodes
Überspannungsschutz für Bauteile und Schaltungen mit Hilfe von TVS-Dioden Overvoltage Protection of Devices and Circuits using TVS Diodes Was ist eine TVS Diode? What is a TVS diode? I F V C V BR V WM
MehrPowerful + Energy Saving Leistungsstark + Energiesparend
Cogeneration Plants Worldwide Powerful + Energy Saving Leistungsstark + Energiesparend Gas- and Diesel-CHP Gas- und Diesel-BHKW Powerful - Lindenberg-Anlagen GmbH The reputation of the company with its
MehrISO 15504 Reference Model
Process flow Remarks Role Documents, data, tools input, output Start Define purpose and scope Define process overview Define process details Define roles no Define metrics Pre-review Review yes Release
MehrVDE Prüf- und Zertifizierungsinstitut Gutachten mit Fertigungsüberwachung
Blatt / page 2 Dieses Blatt gilt nur in Verbindung mit Blatt 1 des Gutachtens mit Fertigungsüberwachung Nr.. surveillance No.. Steckverbinder für PV-Systeme, AC-Anwendung (COC) Connector for PV-Systems,
MehrStandard: ÖVE/ÖNORM E 8200-603. Filler/Tape
PVC-Starkstromkabel PVC power cable Standard: ÖVE/ÖNORM E 8200-603 4 3 2 1 Aufbau: Design: 1 Kupferleiter 2 PVC-Isolierung 3 Füllmischung/Bebänderung 4 Copper PVC insulation Filler/Tape PVC-Mantel PVC
MehrDatenblatt Flüssigkeitsringpumpe Data sheet liquidring pump
Datenblatt Flüssigkeitsringpumpe Data sheet liquidring pump Serie Series L-BV2 L_200 Flüssigkeitsringpumpen Liquid ring pumps 3 AC; 50/60 Hz 3 AC; 50/60 Hz Vakuumbetrieb Vacuum operation Typen Types 2BV2
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrTechnology for you. Media Solutions
Technology for you Media Solutions Media Units / Media Units Media Units Robuste Installationstechnik für jeden Klassenund Schulungsraum Robust installation technology for each class- and conference room
MehrVARIOFACE Systemverkabelung
VARIOFACE Systemverkabelung Systemkabel und Übergabemodule für Yokogawa ProSafe-RS INTERFACE Phoenix Contact Dezember 12 Beinhaltet Crossliste......2 Übergabemodule.. 3 VARIOFACE System Cabling System
MehrCable Tester NS-468. Safety instructions
Cable Tester NS-468 Safety instructions Do not use the cable tester NS-468 if it is damaged. This device is only for use inside dry and clean rooms. This device must be protected from moisture, splash
MehrGTP - Permanent Elektro Haftmagnet. GTP - Permanent Electro Magnet
GTP - GTP - GTP GTP Übersicht overview Baureihe Dimensionen FHalte GTP-20 Ø20 x 22 70 GTP-30 Ø30 x 32 130 GTP-34 Ø34 x 39.6 260 GTP-60 Ø60 x 53.5 620 Type Dimensions Fholding GTP-20 Ø20 x 22 70 GTP-30
MehrDear Colleague, Please give us a call and let us know how we can assist you. We look forward to talking to you soon. Thank you.
Dear Colleague, Thank you for visiting our website and downloading a product catalog from the R.M. Hoffman Company. We hope this information will be useful to you in solving the application you are working
MehrTypenbezeichnungen und Abkürzungen Short Form Catalog 2012
Typenbezeichnungen und Abkürzungen Short Form Catalog 2012 www.infineon.com/highpower Typenbezeichnungen Scheibenbauelemente T640 N 18 T O F T Thyristor D Diode 640 Dauergrenzstrom (A) 0 Standardkeramik-Scheibe
MehrUser Manual Bedienungsanleitung. www.snom.com. snom Wireless Headset Adapter snom Schnurlos-Headset-Adapter. English. Deutsch
English snom Wireless Headset Adapter snom Schnurlos-Headset-Adapter Deutsch User Manual Bedienungsanleitung 2007 snom technology AG All rights reserved. Version 1.00 www.snom.com English snom Wireless
Mehr