1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C

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1 BSM 3 G 12 DN2 IGBT Power Module Single switch Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 3 G 12 DN2 12V 43 SINGLE SWITCH 1 C BSM 3 G 12 DN2 S 12V 43 SSW SENSE 1 C Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collectoremitter voltage 12 V Collectorgate voltage V CGR R GE = 2 kω 12 Gateemitter voltage V GE ± 2 DC collector current T C = 25 C T C = 8 C 43 3 Pulsed collector current, t p = 1 ms puls T C = 25 C 86 T C = 8 C 6 Power dissipation per IGBT P tot W T C = 25 C 25 Chip temperature T j + 15 C Storage temperature T stg Thermal resistance, chip case R thjc.5 K/W Diode thermal resistance, chip case R thjcd.125 Insulation test voltage, t = 1min. V is 25 Vac Creepage distance 2 mm Clearance 11 DIN humidity category, DIN 4 4 F sec IEC climatic category, DIN IEC / 125 / 56 1 Oct271997

2 BSM 3 G 12 DN2 Electrical Characteristics, at T j = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Static Characteristics Gate threshold voltage V GE =, = 12 m Collectoremitter saturation voltage V GE = 15 V, = 3, T j = 25 C V GE = 15 V, = 3, T j = 125 C Zero gate voltage collector current = 12 V, V GE = V, T j = 25 C = 12 V, V GE = V, T j = 125 C Gateemitter leakage current V GE = 2 V, = V C Characteristics Transconductance = 2 V, = 3 Input capacitance = 25 V, V GE = V, f = 1 MHz Output capacitance = 25 V, V GE = V, f = 1 MHz Reverse transfer capacitance = 25 V, V GE = V, f = 1 MHz V GE(th) (sat) ES g fs 124 C iss 22 C oss 3.3 C rss 1.2 V m n S nf 2 Oct271997

3 BSM 3 G 12 DN2 Electrical Characteristics, at T j = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Switching Characteristics, Inductive Load at T j = 125 C Turnon delay time V CC = 6 V, V GE = 15 V, = 3 R Gon = 3.3 Ω Rise time V CC = 6 V, V GE = 15 V, = 3 R Gon = 3.3 Ω Turnoff delay time V CC = 6 V, V GE = 15 V, = 3 R Goff = 3.3 Ω Fall time V CC = 6 V, V GE = 15 V, = 3 R Goff = 3.3 Ω t d(on) t r t d(off) t f ns FreeWheel Diode Diode forward voltage V F V I F = 3, V GE = V, T j = 25 C I F = 3, V GE = V, T j = 125 C 1.8 Reverse recovery time t rr µs I F = 3, V R = 6 V, V GE = V di F /dt = 25 /µs, T j = 125 C.55 Reverse recovery charge Q rr µc I F = 3, V R = 6 V, V GE = V di F /dt = 25 /µs T j = 25 C 14 T j = 125 C 4 3 Oct271997

4 BSM 3 G 12 DN2 Power dissipation P tot = ƒ(t C ) parameter: T j 15 C Safe operating area = ƒ( ) parameter: D =, T C = 25 C, T j 15 C 26 W P tot t p = 19.µs µs 1 1 ms ms C 16 T C DC V Collector current = ƒ(t C ) parameter: V GE 15 V, T j 15 C Transient thermal impedance IGBT Z th JC = ƒ(t p ) parameter: D = t p / T 5 1 K/W 4 Z thjc D = single pulse C 16 T C s 1 t p 4 Oct271997

5 BSM 3 G 12 DN2 Typ. output characteristics = f ( ) parameter: t p = 8 µs, T j = 25 C Typ. output characteristics = f ( ) parameter: t p = 8 µs, T j = 125 C V 15V 13V 11V 9V 7V V 15V 13V 11V 9V 7V V V 5 Typ. transfer characteristics = f (V GE ) parameter: t p = 8 µs, = 2 V V 14 V GE 5 Oct271997

6 BSM 3 G 12 DN2 Typ. gate charge V GE = ƒ(q Gate ) parameter: puls = 3 Typ. capacitances C = f ( ) parameter: V GE = V, f = 1 MHz V GE V 16 nf C Ciss 14 6 V 8 V Coss Crss nc 2 Q Gate V 4 Reverse biased safe operating area puls = f( ), T j = 15 C parameter: V GE = ± 15 V, t p 1 ms, L < 2 nh Short circuit safe operating area sc = f( ), T j = 15 C parameter: V GE = ± 15 V, t SC 1 µs, L < 2 nh puls sc / 1.5 di/dt = 1/µs 3/µs 5/µs 8 di/dt = 1/µs 3/µs 5/µs allowed number of short circuit: <1 time between short circuit: >1s V V 16 6 Oct271997

7 BSM 3 G 12 DN2 Typ. switching time I = f ( ), inductive load, T j = 125 C par.: = 6 V, V GE = ± 15 V, R G = 3.3 Ω 1 4 Typ. switching time t = f (R G ), inductive load, T j = 125 C par.: = 6 V, V GE = ± 15 V, = t ns t ns tdoff tdoff tdon tr 1 2 tr tdon tf 1 2 tf Ω 4 R G Typ. switching losses E = f ( ), inductive load, T j = 125 C par.: = 6 V, V GE = ± 15 V, R G = 3.3 Ω Typ. switching losses E = f (R G ), inductive load, T j = 125 C par.: = 6V, V GE = ± 15 V, = Eon E mws Eon E mws Eoff 6 Eoff Ω 4 R G 7 Oct271997

8 BSM 3 G 12 DN2 Forward characteristics of fast recovery reverse diode I F = f(v F ) parameter: T j 6 Transient thermal impedance Diode Z th JC = ƒ(t p ) parameter: D = t p / T 1 K/W 5 I F 45 Z thjc T j =125 C T j =25 C 1 2 D = single pulse V 3. V F s 1 t p 8 Oct271997

9 BSM 3 G 12 DN2 Circuit Diagram Package Outlines Dimensions in mm Weight: 42 g 9 Oct271997

10 Technische Information / Technical Information IGBTModule IGBTModules BSM3G12DN2 nhang CSerie ppendix Cseries Gehäuse spezifische Werte Housing specific values Modulinduktivität stray inductance module typ. L sce 16 nh Gehäusemaße CSerie Package outline Cseries ppendix Cseries ppendix_cserie_bsm3g12dn2.xls 2192

11 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte nwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese nwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen bteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher rt werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir pplication Notes bereit. ufgrund der technischen nforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden nwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle die gemeinsame Durchführung eines Risiko und Qualitätsassessments; den bschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. ny such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend to perform joint Risk and Quality ssessments; the conclusion of Quality greements; to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.

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