BSM 75 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

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1 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties KollektorEmitterSperrspannung collectoremitter voltage V CES 6 V KollektorDauergleichstrom DCcollector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current GesamtVerlustleistung total power dissipation GateEmitterSpitzenspannung gateemitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I 2 t value, Diode IsolationsPrüfspannung insulation test voltage T c = C I C,nom. A T c = C I C 1 A t P = 1ms, T c = C I CRM 15 A T c = C, Transistor P tot 355 W V GES +/ 2V V I F A t P = 1ms I FRM 15 A V R = V, t p = 1ms, T vj = 1 C I 2 t 45 A 2 s RMS, f= 5Hz, t= 1min. V ISOL 2,5 kv Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. KollektorEmitter Sättigungsspannung collectoremitter saturation voltage I C = A, V GE = 15V, T vj = C V CE sat 1,95 2,45 V I C = A, V GE = 15V, T vj = 1 C 2,2 V GateSchwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance KollektorEmitter Reststrom collectoremitter cutoff current GateEmitter Reststrom gateemitter leakage current I C = 1,5mA, V CE = V GE, T vj = C V GE(th) 4,5 5,5 6,5 V f= 1MHz, T vj = C, V CE = V, V GE = V C ies 3,3 nf f= 1MHz, T vj = C, V CE = V, V GE = V C res,3 nf V CE = 6V, V GE = V, T vj = C 1 5 µa V CE = 6V, V GE = V, T vj = 1 C 1 ma V CE = V, V GE = 2V, T vj = C I GES 4 na I CES prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2426 approved by: Michael Hornkamp revision: 1 1 (8)

2 Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turnon energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turnoff energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data I C = A, V CC = 3V V GE = ±15V, R G = 3,Ω, T vj = C t d,on 63 ns V GE = ±15V, R G = 3,Ω, T vj = 1 C 65 ns I C = A, V CC = 3V V GE = ±15V, R G = 3,Ω, T vj = C t r 22 ns V GE = ±15V, R G = 3,Ω, T vj = 1 C ns I C = A, V CC = 3V V GE = ±15V, R G = 3,Ω, T vj = C t d,off 155 ns V GE = ±15V, R G = 3,Ω, T vj = 1 C 17 ns I C = A, V CC = 3V V GE = ±15V, R G = 3,Ω, T vj = C t f 2 ns V GE = ±15V, R G = 3,Ω, T vj = 1 C 35 ns I C = A, V CC = 3V, V GE = 15V R G = 3,Ω, T vj = 1 C, L σ = 3nH I C = A, V CC = 3V, V GE = 15V R G = 3,Ω, T vj = 1 C, L σ = 3nH t P 1µsec, V GE 15V T vj 1 C, V CC =36V, V CEmax = V CES L σce di/dt E on E off I SC,7 2,4 34 mj mj A Modulinduktivität stray inductance module ModulLeitungswiderstand, Anschlüsse Chip lead resistance, terminals chip L σce 4 nh T c = C R CC'+EE' 1,2 mω Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode min. typ. max. Durchlaßspannung I F = A, V GE = V, T vj = C 1, 1,6 V V F forward voltage I F = A, V GE = V, T vj = 1 C 1,2 V Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recoverred charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy I F = A, di F /dt= 3A/µsec V R = 3V, V GE = 1V, T vj = C I RM 95 A V R = 3V, V GE = 1V, T vj = 1 C 115 A I F = A, di F /dt= 3A/µsec V R = 3V, V GE = 1V, T vj = C Q r 5,1 µc V R = 3V, V GE = 1V, T vj = 1 C 7,9 µc I F = A, di F /dt= 3A/µsec V R = 3V, V GE = 1V, T vj = C E rec mj V R = 3V, V GE = 1V, T vj = 1 C 2,3 mj 2 (8)

3 Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Diode / diode, DC R thjc min. typ. max.,35 K/W,66 K/W ÜbergangsWärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature pro Modul / per module λ Paste = 1W/m*K / λ grease = 1W/m*K R thck,3 K/W T vj 15 C T op 4 1 C T stg 4 1 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage insulation Al 2 O 3 15 mm Luftstrecke clearance 8,5 mm CTI comperative tracking index 2 Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung mounting torque Schraube M6 screw M6 M1 5 Nm % Gewicht weight G 18 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3 (8)

4 15 Ausgangskennlinie (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) V GE = 15V 1 Tvj = C Tvj = 1 C 1 5,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 V CE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) T vj = 1 C VGE = 8V VGE = 9V VGE = 1V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 2V 5,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V CE [V] 4 (8)

5 15 Übertragungscharakteristik (typisch) I C = f (V GE ) Transfer characteristic (typical) V CE = 2V 1 Tvj = C Tvj = 1 C V GE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f (V F ) Forward characteristic of inverse diode (typical) 15 1 Tvj = C Tvj = 1 C 1 I F [A] 5,,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 V F [V] 5 (8)

6 Schaltverluste (typisch) E on = f (I C ), E off = f (I C ), E rec = f (I C ) Switching losses (typical) R G,on = 3,Ω, Ω,=R G,off = 3,Ω, V CC = 3V, T vj = 1 C 5, 4,5 4, Eon Eoff Erec 3,5 E [mj] 3, 2,5 2, 1,5 1,,5, Schaltverluste (typisch) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) Switching losses (typical) I C = A, V CC = 3V, T vj = 1 C 5, 4,5 4, Eon Eoff Erec 3,5 E [mj] 3, 2,5 2, 1,5 1,,5, R G [Ω] 6 (8)

7 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t) 1,1 Z thjc [K / W],1 Zth:IGBT Zth:Diode,1,1,1,1 1 1 t [sec] i r i [K/kW] : IGBT 14,8 183,4 123,4 28,4 τ i [sec] : IGBT,18,24,651,6626 r i [K/kW] : Diode 232,6 223,1 14,1 64,2 τ i [sec] : Diode,487,169,169,9115 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) V GE = +15V, R G,off = 3,Ω, T vj = 1 C IC,Modul IC,Chip V CE [V] 7 (8)

8 Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 13 M5 1 2,8 x, (8)

9 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle die gemeinsame Durchführung eines Risiko und Qualitätsassessments; den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend to perform joint Risk and Quality Assessments; the conclusion of Quality Agreements; to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.