optical axis (0.25) Circuitry GPX06992 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

Transkript

1 Gabellichtschranken Slotted Interrupters Vorläufige Daten / Preliminary Data SFH 901, SFH 90 SFH 90, SFH 904 SFH SFH 901 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified GPX0699 fpx0699 Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Verschiedene Gehäuse mit SFH 4110 und SFH 100 F als Basiskomponenten - SFH 901: ohne Befestigungslasche, auf Anfrage als automatisch bestückbare Version erhältlich - SFH 90: Befestigungslasche auf - und Detektorseite - SFH 90: Befestigungslasche auf der Detektorseite - SFH 904: Befestigungslasche auf der seite - SFH 906: ohne Befestigungslasche, mit Positionierstiften Features Compact type GaAs infrared emitter (950 nm) Silicon phototransistor detector with daylight-cutoff filter Different packages using SFH 4110 and SFH 100 F as basic components - SFH 901: without mounting tab, version for automatical assembly available on request - SFH 90: mounting tab on emitter and sensor side - SFH 90: mounting tab on sensor side - SFH 904: mounting tab on emitter side - SFH 906: without mounting tab, with positioning pins Data Sheet

2 GPX0699 GPX06994 SFH 90 SFH 90 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified fpx06994 fpx0699 Data Sheet

3 GPX06995 GPX06997 SFH 904 SFH 906 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified fpx06997 fpx06995 Data Sheet

4 Anwendungen Geschwindigkeitsüberwachung Motorsteuerung Überwachung des Papiervorschubs in Druckern, Kopier- und Faxgeräten Speicherlaufwerke Steuerung des Druckkopfes in Druckern Münzdetektion Optoelektronische Schalter Applications Speed control Motor control Monitoring of paper feed in printers, copiers, facsimiles Disk drives Control of print head in printers Coin detection Optoelectronic switches Typ Type SFH 901 SFH 90 SFH 90 SFH 904 SFH 906 Bestellnummer Ordering Code Q670-P508 Q670-P5084 Q670-P5085 Q670-P5086 on request Gehäuse Package Schwarzes Polykarbonat Plastikgehäuse, Anschlüsse im.54-mm Raster, Senderseite durch Buchstaben E, Empfängerseite durch Buchstaben S gekennzeichnet, Kathode / Transistoremitter durch schräge Kante gekennzeichnet. Black polycarbonate plastic material housing, solder tabs.54-mm (1/10 ) spacing, emitter side marked with letter E, sensor side marked with letter S, cathode / emitter of transistor marked with edge at an angle. Data Sheet

5 Grenzwerte T A = 5 C Maximum Ratings Bezeichnung Description Wert Value Einheit Unit Sender (GaAs-Diode) (GaAs Diode) Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance V R 5 V I F (DC) 60 ma P tot 100 mw R thja 80 K/W Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (Silicon Phototransistor) Kollektor--Spannung Collector-emitter voltage Kollektor--Spannung, (t min) Collector-emitter voltage, (t min) -Kollektor-Spannung -collector voltage Kollektorstrom Collector current Verlustleistung Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance V CE 0 V V CE 70 V EC 7 I C 50 ma P tot 150 mw R thja 80 K/W Gabellichtschranke Slotted Interrupter Lagertemperatur Storage temperature range Betriebstemperatur Operating temperature range Elektrostatische Entladung Electrostatic discharge T stg C T op ESD kv Data Sheet

6 Kennwerte T A = 5 C Characteristics Bezeichnung Description Wert Value Einheit Unit Sender (GaAs-Diode) (GaAs Diode) Wellenlänge der Strahlung Wavelength of peak emission Durchlaβspannung Forward voltage I F = 0 ma, t p = 0 ms Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Kapazität Capacitance V R = 0 V, f = 1 MHz λ peak 950 nm V F 1. ( 1.4) V I R 0.01 ( 1) µa C 0 16 pf Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (Silicon Phototransistor) Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spectr. Bereich der Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max Kapazität Capacitance V CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Dunkelstrom Dark current V CE = 0 V λ S max 90 nm λ nm C CE 6.5 pf I CEO ( 50) na Data Sheet

7 Kennwerte T A = 5 C (cont d) Characteristics Bezeichnung Description Wert Value Einheit Unit Gabellichtschranke Slotted interrupter Kollektor-strom Collector-emitter current I F = 0 ma; V CE = 5 V Kollektor--Sättigungsspannung Collector-emitter-saturation voltage I F = 0 ma; I C = 0. ma Anstiegs- und Abfallzeit Rise and fall time V CC = 5 V, I C = 1 ma, R L = 1 kω I CE min. > 0.7 ma I CE typ. V CE sat V t r 1 t f 17 µs µs Löthinweise Soldering conditions Bauform Type Tauch-, Schwalllötung Dip, wave soldering Peak temp. (solderbath) Max. time in peak zone Reflowlötung Reflow soldering Peak temp. (package temp.) SFH 90x 60 C 10 s n. a. _ Max. time in peak zone Kolbenlötung Iron soldering (Iron temp.) 00 C < 5 s Data Sheet

8 Forward current I F = f (V F ) Single pulse, t p = 0 µs Max. permissible forward current I F = f (T A ) Dark current I CEO = f (T A ) V CE = 0 V, E = ma Ι F OHFD Ι F ma R thja = 80 K/W OHF007 Ι 10 na CEO 10 OHF V 4 VF C 10 TA C 100 TA Total power dissipation for emitter and detector P tot = f (T A ) 160 P tot 140 Detector OHF C 100 TA Data Sheet