Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik"

Transkript

1 Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik Versuch 5 Untersuchungen an Halbleiterdioden Teilnehmer: Name Vorname Matr.-Nr. Datum der Versuchsdurchführung:

2 1 Untersuchungen an Halbleiterdioden Grundlagen 1. Allgemeiner Aufbau von Halbleiterbauelementen Elektrische Schaltungen, die Halbleiterbauelemente enthalten, bezeichnet man auch als elektronische Schaltungen. Halbleiterbauelemente bestehen grundsätzlich aus verschiedenartigen Schichten von Halbleiterstoffen. Als Grundmaterial verwendet man z. B. Silizium oder Germanium. Diese Stoffe sind vierwertig, enthalten also auf der äußeren Elektronenschale vier Elektronen. Fügt man diesem Material in sehr geringer Menge dreiwertigen Fremdstoff zu, so spricht man von einem P-dotierten Halbleiter. Da hierbei jedes Fremdatom ein Loch mitbringt, enthält das in dieser Weise dotierte Material viele Löcher. Fügt man andererseits dem Halbleitermaterial fünfwertigen Fremdstoff zu, so spricht man von einem N-dotierten Halbleiter. Hier bringt jedes Fremdatom ein freies Elektron mit, so dass der in dieser Weise dotierte Halbleiter viele freie Elektronen enthält. Halbleiterbauelemente bestehen grundsätzlich aus einer Aneinanderreihung von P- und N- dotierten Halbleiterschichten. Die dabei jeweils vorhandenen Übergänge der Schichten nennt man PN-Übergänge. 2. Aufbau und Funktion einer Diode Eine Diode besteht im Prinzip nach Bild 1a aus einer P- und einer N-dotierten Halbleiterschicht mit somit nur einem PN-Übergang. Der mit dem P-Gebiet verbundene elektrische Anschluss heißt Anode (A), der andere Anschluss Kathode (K). Bild 1b zeigt das für eine Diode verwendete Schaltzeichen. A A P N K a) b) K Bild 1: a) Aufbau einer Diode (P = P-dotierte Schicht, N = N-dotierte Schicht) b) Schaltzeichen einer Diode (A = Anode, K = Kathode) Das grundsätzliche Verhalten einer Diode ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Stromfluss nur von A nach K möglich ist. Diese Richtung nennt man deshalb Durchlassrichtung. In umgekehrter Richtung ist dagegen grundsätzlich kein Stromfluss möglich. Diese Richtung heißt daher Sperrrichtung.

3 2 3. Diodenkennlinie Wird eine Diode nach Bild 2a mit einer Spannungsquelle verbunden und wie dargestellt in Durchlassrichtung betrieben, so bekommt man für jede eingestellte Spannung U einen bestimmten Strom I. Trägt man dann nach Bild 2b den Strom I in Abhängigkeit von der Spannung U auf, so erhält man die im ersten Quadranten liegende Kennlinie. Die gekennzeichnete Spannung U S heißt Schleusenspannung. Sie hat zum Beispiel bei einer Siliziumdiode einen Wert von etwa 0,7 V. I I U U Z 0 0 U S U a) b) c) Bild 2: a) Schaltung zur Aufnahme einer Diodenkennlinie, b) Beispiel einer Diodenkennlinie, c) Schaltzeichen eine Zenerdiode Polt man in Bild 2a die Spannung um, betreibt man die Diode also in Sperrrichtung, so erhält man die in Bild 2b im dritten Quadranten dargestellte Kennlinie. Bei niedrigen Spannungen fließt kein Strom. Erst nach Erreichen einer relativ hohen Spannung U Z (bei einem Wert von z. B. 500 V) setzt nach Bild 2b ein Strom ein. Dies führt in der Praxis allerdings meist zu einer Zerstörung der Diode (infolge zu hoher Erwärmung) und muss daher vermieden werden. Die in Bild 2b gekennzeichnete Spannung U Z heißt Durchbruchspannung. Die gesamte in Bild 2b dargestellte Kennlinie nennt man Diodenkennlinie. 4. Zenerdioden Zenerdioden (auch kurz als Z-Dioden bezeichnet) sind im Prinzip genauso aufgebaut wie normale Dioden. Die Halbleiterschichten sind jedoch wesentlich stärker dotiert. Es wird also den Halbleiterschichten mehr Fremdstoff zugesetzt als das bei anderen Dioden der Fall ist. Dies hat zur Folge, dass die in Bild 2b gekennzeichnete Durchbruchspannung U Z, die bei Zenerdioden auch als Zenerspannung bezeichnet wird, sehr niedrig wird und manchmal nur wenige Volt beträgt. Dadurch können Zenerdioden in Sperrrichtung betrieben werden, ohne dass sie infolge zu starker Erwärmung zerstört werden. Angewendet werden Zenerdioden zum Beispiel zur Begrenzung oder zur Stabilisierung von Spannungen. Dabei werden sie grundsätzlich in Sperrrichtung betrieben. In Durchlassrichtung verhalten sich Zenerdioden wie normale Dioden. In Bild 2c ist das Schaltzeichen einer Zenerdiode dargestellt.

4 3 Versuchsdurchführung A I V U Ge Si Z3,6 Z8,2 Bild 3: Versuchsaufbau 1. Kennlinien einer Germanium- und einer Siliziumdiode Nehmen Sie die Kennlinien I = f(u) einer Germanium- und einer Siliziumdiode mit Hilfe der Schaltung nach Bild 3 zuerst bei 10 C und dann bei 60 C auf (I max = 20 ma). Tragen Sie die Werte direkt in ein vorbereitetes Diagramm ein. Millimeterpapier, Hochformat Empfohlener Maßstab für die waagerechte Achse: 1,6 V =ˆ 16 cm, Empfohlener Maßstab für die senkrechte Achse: 20 ma =ˆ 20 cm) Beschriften Sie die vier aufgenommenen Kennlinien und versehen Sie die gesamte Darstellung mit einer aussagefähigen Überschrift. 2. Kennlinien von Zenerdioden Nehmen Sie die Kennlinien I = f(u) der beiden Zenerdioden nach der Schaltung in Bild 3 bei 10 C im Bereich ( 10 ma < I < + 5 ma) auf. Tragen Sie die Werte direkt in ein vorbereitetes Diagramm ein. Da die Zenerdioden normalerweise in Sperrrichtung betrieben werden, muss in Durchlassrichtung nur eine Kennlinie aufgenommen werden und zwar die für die Diode Z3,6. Millimeterpapier, Querformat Waagerechte Achse von ( 9 V) bis (+ 1 V) beziffern, Maßstab:1 V =ˆ 2 cm Senkrechte Achse von ( 10 ma) bis (+ 5 ma) beziffern, Maßstab: 1 ma =ˆ 1 cm Beschriften Sie die aufgenommenen Kennlinien und versehen Sie die gesamte Darstellung mit einer aussagefähigen Überschrift.

5 4 3. Auswertung 3.1 Germanium- und Siliziumdiode Ermitteln Sie (näherungsweise) die Werte der Schleusenspannungen U S der Dioden bei 10 C und bei 60 C dadurch, dass Sie die bei dem Diodenstrom I = 0,1 I max = 2 ma jeweils auftretenden Diodenspannungen aus den aufgenommenen Kennlinien ablesen. Tragen Sie die Ergebnisse in die nachstehende Tabelle ein. (Bitte Einheiten und Vorzeichen mit eintragen!) Ge-Diode Si-Diode U S bei 10 C U S bei 60 C 3.2 Zenerdioden Ermitteln Sie die Zenerspannungen U Z der Zenerdioden dadurch, dass Sie die bei einem Strom von I = 5 ma jeweils auftretenden Diodenspannungen aus den Kennlinien ablesen. Tragen Sie die Ergebnisse in die nachstehende Tabelle ein. (Bitte Einheiten und Vorzeichen mit eintragen!) Z3,6 Z8,2 U Z bei 10 C

6 5

7 6

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum Elektronik I

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum Elektronik I Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum Elektronik I Fachhochschule Münster niversity of Applied Sciences Versuch: 1 Gruppe: Datum: Antestat: Teilnehmer: Abtestat: (Name) (Vorname) Versuch 1:

Mehr

Lernaufgabe: Halbleiterdiode 1

Lernaufgabe: Halbleiterdiode 1 1 Organisation Gruppeneinteilung nach Plan / Zeit für die Bearbeitung: 60 Minuten Lernziele - Die Funktionsweise und das Schaltverhalten einiger Diodentypen angeben können - Schaltkreise mit Dioden aufbauen

Mehr

Praktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie

Praktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie Praktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie Seite Inhalt 2 Einleitung 2 Vorbereitung 2 1. Statische Messung 3 2. Dynamische Messung 5 3. Einpuls-Mittelpunktschaltung 7 azit 8 Anhang Seite 1 Einleitung Bei

Mehr

Versuch 3: Dioden, Temperaturabhängigkeit der Kennlinie

Versuch 3: Dioden, Temperaturabhängigkeit der Kennlinie Seite 1 Versuch 3: Dioden, Temperaturabhängigkeit der Kennlinie Themen zur Vorbereitung: Kennlinien von einer Germanium-, Silizium-Diode und LED Sperrbereich, Durchlaßbereich, Schwellspannung pn-übergang

Mehr

Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald / Institut für Physik Physikalisches Grundpraktikum

Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald / Institut für Physik Physikalisches Grundpraktikum Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald / Institut für Physik Physikalisches Grundpraktikum Praktikum für Physiker Versuch E11: Kennlinien von Halbleiterdioden Name: Versuchsgruppe: Datum: Mitarbeiter

Mehr

352 - Halbleiterdiode

352 - Halbleiterdiode 352 - Halbleiterdiode 1. Aufgaben 1.1 Nehmen Sie die Kennlinie einer Si- und einer Ge-Halbleiterdiode auf. 1.2 Untersuchen Sie die Gleichrichtungswirkung einer Si-Halbleiterdiode. 1.3 Glätten Sie die Spannung

Mehr

Vorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente

Vorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente Vorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente Marcel Köpke & Axel Müller 15.06.2012 Inhaltsverzeichnis 1 Grundlagen 3 2 Aufgaben 7 2.1 Temperaturabhängigkeit............................ 7 2.2 Kennlinien....................................

Mehr

Weitere Anwendungen einer Diode:

Weitere Anwendungen einer Diode: Diode Diode, elektronisches Bauteil, das Strom nur in einer Richtung durchfließen lässt. Die ersten Dioden waren Vakuumröhrendioden, die aus einer luftleeren Glasoder Stahlhülle mit zwei Elektroden (einer

Mehr

SKT Laborbericht Versuch: Dioden

SKT Laborbericht Versuch: Dioden SKT Laborbericht Versuch: Dioden Andreas Hofmeier Martikelnummer: 94453 Semester: I 2.2 Versuchsgruppe: Axel Schmidt, Andreas Hofmeier Professor: Rainer Versuchsdatum: 05.05.2003 Abgabedatum: 19.05.2003

Mehr

Elektrotechnisches Laboratorium

Elektrotechnisches Laboratorium E Labor Diode, Zenerdiode und Vierschichtdiode 1 Höhere Technische Bundes-, Lehr- u. Versuchsanstalt (BULME) Graz Gösting Abgabedatum: 16. Nov. 2004 Elektrotechnisches Laboratorium Jahrgang: 2004 Gruppe:

Mehr

Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik

Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003 Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 2 30.06.2003 Inhaltsverzeichnis Zustände...3 UND austein ; UND Gatter...4 ODER austein ; ODER Gatter...5 NICHT

Mehr

Schulversuchspraktikum 2000 bei Mag. Monika TURNWALD. Günter EIBENSTEINER Matrikelnummer 9856136 mit Christian J. ZÖPFL

Schulversuchspraktikum 2000 bei Mag. Monika TURNWALD. Günter EIBENSTEINER Matrikelnummer 9856136 mit Christian J. ZÖPFL NTL Baukasten Elektronik Die DIODE Schulversuchspraktikum 2000 bei Mag. Monika TURNWALD Günter EIBENSTEINER Matrikelnummer 9856136 mit Christian J. ZÖPFL INHALTSVERZEICHNIS 1. Lernziele (Seite 3) 2. Stoffliche

Mehr

Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen

Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Elektrotechnisches rundlagen-labor I Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Versuch Nr. 9 Erforderliche eräte Anzahl ezeichnung, Daten L-Nr. 1 Netzgerät 0... 15V 103 1 Netzgerät 0... 30V 227 3

Mehr

HSD FB E I. Hochschule Düsseldorf Fachbereich Elektro- und Informationstechnik. Datum: WS/SS 201.. Gruppe:

HSD FB E I. Hochschule Düsseldorf Fachbereich Elektro- und Informationstechnik. Datum: WS/SS 201.. Gruppe: HSD FB E I Hochschule Düsseldorf Fachbereich Elektro- und Informationstechnik Bauelemente-Praktikum Dioden Datum: WS/SS 2.. Gruppe: Teilnehmer 2 3 Name Matr.-Nr. Testat Versuchsaufbau Nr.: verwendete Geräte:

Mehr

Entstehung der Diffusionsspannung beim pn-übergang

Entstehung der Diffusionsspannung beim pn-übergang 2. Halbleiterdiode 2.1 pn-übergang Die elementare Struktur für den Aufbau elektronischer Schaltungen sind aneinander grenzende komplementär dotierte Halbleitermaterialien. Beim Übergang eines n-dotierten

Mehr

E06. Diodenkennlinien

E06. Diodenkennlinien E06 Diodenkennlinien Dieser Versuch bietet eine erste Einführung in die Elektronik. Nach Untersuchungen von charakteristischen Kennlinien verschiedenartiger Dioden werden einfache Gleichrichterschaltungen

Mehr

Inhaltsverzeichnis. 01.12.01 [PRTM] Seite1

Inhaltsverzeichnis. 01.12.01 [PRTM] Seite1 Inhaltsverzeichnis Dioden...2 Allgemein...2 Kenngrößen...2 Anlaufstrom...2 Bahnwiderstand...2 Sperrschichtkapazität...2 Stromkapazität...3 Durchbruchspannung...3 Rückerholungszeit...3 Diodenarten...3 Backward-Diode...3

Mehr

PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe. E 7 - Dioden

PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe. E 7 - Dioden 1.8.07 PHYSIKALISCHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 7 - Dioden 1. Grundlagen nterschied zwischen Leitern, Halbleitern und Isolatoren, Dotierung von Halbleitern (Eigen- und Fremdleitung, Donatoren

Mehr

h- Bestimmung mit LEDs

h- Bestimmung mit LEDs h- Bestimmung mit LEDs GFS im Fach Physik Nicolas Bellm 11. März - 12. März 2006 Der Inhalt dieses Dokuments steht unter der GNU-Lizenz für freie Dokumentation http://www.gnu.org/copyleft/fdl.html Inhaltsverzeichnis

Mehr

3. Halbleiter und Elektronik

3. Halbleiter und Elektronik 3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden

Mehr

Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 1 - Diode

Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 1 - Diode Universität Göttingen Sommersemester 2010 Prof. Dr. Arnulf Quadt aum D1.119 aquadt@uni-goettingen.de Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 1 - Diode 13. September - 1. Oktober 2010 1. Können die Elektronen

Mehr

Kennlinien von Halbleiterdioden

Kennlinien von Halbleiterdioden ELS-27-1 Kennlinien von Halbleiterdioden 1 Vorbereitung Allgemeine Vorbereitung für die Versuche zur Elektrizitätslehre Bohrsches Atommodell Lit.: HAMMER 8.4.2.1-8.4.2.3 Grundlagen der Halbleiterphysik

Mehr

Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum. Praktikum Nr. 2. Thema: Widerstände und Dioden

Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum. Praktikum Nr. 2. Thema: Widerstände und Dioden Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik Versuchsbericht für das elektronische Praktikum Praktikum Nr. 2 Name: Pascal Hahulla Matrikelnr.: 207XXX Thema: Widerstände und Dioden Versuch durchgeführt

Mehr

E l e k t r o n i k I

E l e k t r o n i k I Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2002/03 Elektronik I Mob.:

Mehr

Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor. durchgeführt am 22. Juni 2007

Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor. durchgeführt am 22. Juni 2007 1 Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor Sascha Hankele sascha@hankele.com Kathrin Alpert kathrin.alpert@uni-ulm.de durchgeführt am 22. Juni 2007 INHALTSVERZEICHNIS 2 Inhaltsverzeichnis

Mehr

Physikalisches Praktikum I

Physikalisches Praktikum I Fachbereich Physik Physikalisches Praktikum I E24 Name: Halbleiterdioden Matrikelnummer: Fachrichtung: Mitarbeiter/in: Assistent/in: Versuchsdatum: Gruppennummer: Endtestat: Dieser Fragebogen muss von

Mehr

Bauelemente und Grundschaltungen Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann

Bauelemente und Grundschaltungen Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann Fachbereich Ingenieurwissenschaften Institut für Informatik, Automatisierung und Elektronik Praktikum: Bauelemente und Grundschaltungen Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann Versuch: BEG 1 Thema:

Mehr

Dabei ist der differentielle Widerstand, d.h. die Steigung der Geraden für. Fig.1: vereinfachte Diodenkennlinie für eine Si-Diode

Dabei ist der differentielle Widerstand, d.h. die Steigung der Geraden für. Fig.1: vereinfachte Diodenkennlinie für eine Si-Diode Dioden - Anwendungen vereinfachte Diodenkennlinie Für die meisten Anwendungen von Dioden ist die exakte Berechnung des Diodenstroms nach der Shockley-Gleichung nicht erforderlich. In diesen Fällen kann

Mehr

Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016

Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016 Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016 Physik-nstitut der Universität Zürich nhaltsverzeichnis 10 Kennlinien elektrischer Leiter

Mehr

Praktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.

Praktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm. Praktikum Physik Protokoll zum Versuch: Kennlinien Durchgeführt am 15.12.2011 Gruppe X Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.de) Betreuer: Wir bestätigen hiermit, dass wir das Protokoll

Mehr

Übung Halbleiterschaltungstechnik

Übung Halbleiterschaltungstechnik Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2011/12 Übungsleiter: Hannes Antlinger Martin Heinisch Thomas Voglhuber-Brunnmaier Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 4040 Linz, Internet:

Mehr

Versuch 21. Der Transistor

Versuch 21. Der Transistor Physikalisches Praktikum Versuch 21 Der Transistor Name: Christian Köhler Datum der Durchführung: 07.02.2007 Gruppe Mitarbeiter: Henning Hansen Assistent: Jakob Walowski testiert: 3 1 Einleitung Der Transistor

Mehr

Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann

Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann Fachbereich Ingenieurwissenschaften Institut für Informatik, Automatisierung und Elektronik Praktikum: Bauelemente und Grundschaltungen Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann Raum: H20 / Labor Schaltungs-

Mehr

Eigenschaften elektrischer Bauelemente

Eigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50 Eigenschaften elektrischer Bauelemente Raum F1-17 INHALTSVERZEICHNIS 1 Inhaltsverzeichnis 1 Leitung 2 1.1 Das Bändermodell................................... 2 1.2 Metalle.........................................

Mehr

Versuch 17.2 Der Transistor

Versuch 17.2 Der Transistor Physikalisches A-Praktikum Versuch 17.2 Der Transistor Praktikanten: Gruppe: Julius Strake Niklas Bölter B006 Betreuer: Johannes Schmidt Durchgeführt: 11.09.2012 Unterschrift: E-Mail: niklas.boelter@stud.uni-goettingen.de

Mehr

Inhalt. Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe. Universität Stuttgart

Inhalt. Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe. Universität Stuttgart Universität Stuttgart Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe Abt. Elektrische Energiewandlung Prof. Dr.-Ing. N. Parspour Inhalt 4 Halbleiterelektronik Diode... 4-1 4.1 Leitungsmechanismus

Mehr

Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden

Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden von B. Kainka, Auszug aus: Grundwissen Elektronik Die Spannung eines einfachen Netzgeräts ist in hohem Maße von der Belastung abhängig. Auch bei Batterieversorgung

Mehr

E l e k t r o n i k II

E l e k t r o n i k II Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k II Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig Vorlesung Thyristor im SS 2003

Mehr

Grundlagen der Datenverarbeitung

Grundlagen der Datenverarbeitung Grundlagen der Datenverarbeitung Bauelemente Mag. Christian Gürtler 5. Oktober 2014 Mag. Christian Gürtler Grundlagen der Datenverarbeitung 5. Oktober 2014 1 / 34 Inhaltsverzeichnis I 1 Einleitung 2 Halbleiter

Mehr

Die erzeugten Reinstsiliziumstäbe werden in sehr dünne Scheiben (Wafer) geschnitten, aus denen schliesslich in vielen weiteren Bearbeitunsgängen die

Die erzeugten Reinstsiliziumstäbe werden in sehr dünne Scheiben (Wafer) geschnitten, aus denen schliesslich in vielen weiteren Bearbeitunsgängen die Halbleiterphysik In der Elektrotechnik wird die elektrische Leitfähigkeit als Kriterium für die Einteilung der Festkörperstoffe verwendet. So erfolgte von Anfang an eine Einteilung der Werkstoffe aufgrund

Mehr

Eigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50

Eigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50 Auswertung Eigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50 Iris Conradi und Melanie Hauck Gruppe Mo-02 21. Juni 2011 Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis 1 Temperaturabhängigkeit 3 2 Kennlinien

Mehr

E Halbleitertechnik. 1 Leitfähigkeit von Stoffen. 1.1 Leitfähigkeit und Atomaufbau. 1.1.1 Leiter. 1.1.2 Nichtleiter

E Halbleitertechnik. 1 Leitfähigkeit von Stoffen. 1.1 Leitfähigkeit und Atomaufbau. 1.1.1 Leiter. 1.1.2 Nichtleiter -IV.E1- E Halbleitertechnik In unserem Alltag haben wir permanent mit elektronischen Bauteilen zu tun, vom Wecker morgens über den Taschenrechner, die Haushaltsgeräte, den Computer u.v.a. mehr bis (eventuel

Mehr

Transistorkennlinien

Transistorkennlinien Transistorkennlinien Grolik Benno, Kopp Joachim 2. Januar 2003 1 Grundlagen des Versuchs Die Eigenschaften von Halbleiterbauelementen erkennt man am besten an sogenannten Kennlinien, die bestimmte Spannungs-

Mehr

Diode und Transistor

Diode und Transistor Physikalisches Schulversuchspraktikum I Diode und Transistor (Oberstufe) marlene hack (9955515/412) Abgabedatum: 28. 11. 2002 Inhaltsverzeichnis Lerninhalt...3 In welcher Klasse?...3 Vorkenntnisse...3

Mehr

2 Diode. 2.1 Formelsammlung. Diffusionsspannung Φ i = kt q ln N AN D n 2 i (2.1) Überschussladungsträgerdichten an den Rändern der Raumladungszone

2 Diode. 2.1 Formelsammlung. Diffusionsspannung Φ i = kt q ln N AN D n 2 i (2.1) Überschussladungsträgerdichten an den Rändern der Raumladungszone 2 Diode 2.1 Formelsammlung Diffusionsspannung Φ i = kt q ln N AN D n 2 i (2.1) Überschussladungsträgerdichten an den Rändern der Raumladungszone ( q ) ] p n( n )=p n0 [ep kt U pn 1 bzw. (2.2) ( q ) ] n

Mehr

Kapitel 1: Diode. Abb. 1.1. Schaltzeichen und Aufbau einer Diode. Metall

Kapitel 1: Diode. Abb. 1.1. Schaltzeichen und Aufbau einer Diode. Metall Kapitel 1: Diode Die Diode ist ein Halbleiterbauelement mit zwei Anschlüssen, die mit Anode (anode,a) und Kathode (cathode,k) bezeichnet werden. Man unterscheidet zwischen Einzeldioden, die für die Montage

Mehr

EL1 - Die Diode. E1 - Die Diode Simon Schlesinger Andreas Behrendt

EL1 - Die Diode. E1 - Die Diode Simon Schlesinger Andreas Behrendt EL1 - Die Diode Einleitung: In diesem Versuch beschäftigen wir uns mit der pn-halbleiterdiode. Im ersten Versuchsteil beschäftigen wir uns mit einer grundlegenden Eigenschaft, nämlich die Kennlinien einer

Mehr

Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1

Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1 Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor latt 1 Aufbau eines Transistors Ein npn-transistor entsteht, wenn man zwei n-dotierte Schichten mit einer dünnen dazwischen liegenden p-dotierten Schicht

Mehr

auf, so erhält man folgendes Schaubild: Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands

auf, so erhält man folgendes Schaubild: Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands Auswertung zum Versuch Widerstandskennlinien und ihre Temperaturabhängigkeit Kirstin Hübner (1348630) Armin Burgmeier (1347488) Gruppe 15 2. Juni 2008 1 Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands

Mehr

7 Transistor. 7.1 Einführung

7 Transistor. 7.1 Einführung 106 7 Transistor 7.1 Einführung Transistoren sind Halbleiterbauelemente mit drei Elektroden. Der Strom zwischen zwei dieser Elektroden kann durch einen viel kleineren Strom (bzw. eine Spannung) am dritten

Mehr

E24 Halbleiterdioden

E24 Halbleiterdioden Physikalisches Anfängerpraktikum Universität Stuttgart SS 2014 Protokoll zum Versuch E24 Halbleiterdioden Johannes Horn, Robin Lang 21. Mai 2014 Verfasser: Robin Lang (BSc. Mathematik) Mitarbeiter: Johannes

Mehr

Fachbereich IEM-Elektrotechnik. Prof. Dr.-Ing. B.K. Glück, Dipl.-Ing.(FH) M. Sader, Dipl.-Ing.(TU) V. Schurig. Versuchsanleitung zum Laborpraktikum

Fachbereich IEM-Elektrotechnik. Prof. Dr.-Ing. B.K. Glück, Dipl.-Ing.(FH) M. Sader, Dipl.-Ing.(TU) V. Schurig. Versuchsanleitung zum Laborpraktikum FACHHOCHSCHULE LAUSITZ UNIVERSITY OF APPLIED SCIENCES Fachbereich IEM-Elektrotechnik Prof. Dr.-Ing. B.K. Glück, Dipl.-Ing.(FH) M. Sader, Dipl.-Ing.(TU) V. Schurig Versuchsanleitung zum Laborpraktikum Elektronische

Mehr

= e kt. 2. Halbleiter-Bauelemente. 2.1 Reine und dotierte Halbleiter 2.2 der pn-übergang 2.3 Die Diode 2.4 Schaltungen mit Dioden

= e kt. 2. Halbleiter-Bauelemente. 2.1 Reine und dotierte Halbleiter 2.2 der pn-übergang 2.3 Die Diode 2.4 Schaltungen mit Dioden 2. Halbleiter-Bauelemente 2.1 Reine und dotierte Halbleiter 2.2 der pn-übergang 2.3 Die Diode 2.4 Schaltungen mit Dioden Zu 2.1: Fermi-Energie Fermi-Energie E F : das am absoluten Nullpunkt oberste besetzte

Mehr

Bau einer Alarmanlage

Bau einer Alarmanlage Bau einer Alarmanlage Saliha Bektas Kurs Naturwissenschaften 8e Inhaltsverzeichnis 1. Einleitung... 3 2. Alarmanlagen... 4 3. Materialien... 5 3.1 Batterie... 6-7 3.2 Transistor... 8 3.3 Leuchtdiode...

Mehr

Leistungsbauelemente

Leistungsbauelemente II (Kurs-Nr. 21646), apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Gliederung Einleitung Physikalische Grundlagen

Mehr

Nr. 11 Transistor als Verstärker Teil A

Nr. 11 Transistor als Verstärker Teil A Nr. 11 Transistor als Verstärker Teil Der Transistor ( Transmitting Resistor ), was so etwas wie steuerbarer Widerstand bedeutet, hat vor Jahrzehnten durch blösung der Elektronenröhre eine technische Revolution

Mehr

ELEXBO Elektro-Experimentier-Box Lehrgang Elektronik

ELEXBO Elektro-Experimentier-Box Lehrgang Elektronik 1 Inhaltsverzeichnis Einleitung.2 Elektronik...2 Theorie der Halbleitertechnik 3 Aufbau der Diode und Darstellung..5 Eigenschaften der Diode...6 Anwendungen der Diode 7 Die Zenerdiode 8 Anwendungen der

Mehr

Die Röhrendiode. Versuchsprotokoll. Dirk Sell. Bärbel Hosenfeld. Grund der Untersuchung. Versuch Nr. 6. Protokollführer: Assistent: Gruppe: B 1

Die Röhrendiode. Versuchsprotokoll. Dirk Sell. Bärbel Hosenfeld. Grund der Untersuchung. Versuch Nr. 6. Protokollführer: Assistent: Gruppe: B 1 Versuchsprotokoll Die Röhrendiode Versuch Nr 6 vom 20 März 1997 Protokollführer: Assistent: Dirk Sell Bärbel Hosenfeld Gruppe: B 1 Grund der Untersuchung 1 Aufnahme der Strom-Spannungskennlinie Ia=f(Ua)

Mehr

5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden

5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.0 Halbleiter 5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.3.0 Bipolare Transistoren 5.4.0 Feldeffekttransistoren 5.5.0 Integrierte Schaltungen 5.6.0 Schaltungstechnik 5.1.0 Grundlagen Was sind Halbleiter? Stoffe,

Mehr

Versuch 21: Der Transistor

Versuch 21: Der Transistor Physikalisches Praktikum Versuch 21: Der Transistor Name: Hendrik Söhnholz, Benedikt Over Datum der Durchführung 6.12.2004 Gruppe 4-a Assistent: Helge Kröger testiert: 1 Einleitung und Motivation Der Transistor

Mehr

q : Ladung v : Geschwindigkeit n : Dichte der Ladungsträger

q : Ladung v : Geschwindigkeit n : Dichte der Ladungsträger D07 Fotoeffekt D07 1. ZIELE Beim Fotoeffekt werden frei bewegliche Ladungsträger durch die Absorption von Licht erzeugt. Man nutzt den Effekt, um Beleuchtungsstärken elektrisch zu messen. Im Versuch werden

Mehr

10. Halbleiter-Grundlagen, die Diode

10. Halbleiter-Grundlagen, die Diode 10. Halbleiter-Grundlagen, die Diode Begriffsverwendung Als Halbleiter werden sowohl die Halbleiterwerkstoffe als auch elektronische Bauelemente aus Halbleiterwerkstoffen bezeichnet. Widerstände werden

Mehr

Vorbereitung: Elektrische Bauelemente. Christine Dörflinger und Frederik Mayer, Gruppe Do-9 27. Juni 2012

Vorbereitung: Elektrische Bauelemente. Christine Dörflinger und Frederik Mayer, Gruppe Do-9 27. Juni 2012 Vorbereitung: Elektrische Bauelemente Christine Dörflinger und Frederik Mayer, Gruppe Do-9 27. Juni 2012 1 Inhaltsverzeichnis 0 Allgemeines 3 0.1 Bändermodell..............................................

Mehr

Grundlagen der Elektronik

Grundlagen der Elektronik Grundlagen der Elektronik Wiederholung: Elektrische Größen Die elektrische Stromstärke I in A gibt an,... wie viele Elektronen sich pro Sekunde durch den Querschnitt eines Leiters bewegen. Die elektrische

Mehr

Dunkel- und Hellkennlinie des Solarmoduls. Beachten Sie die Anweisungen aus der Bedienungsanleitung! Messgerät + V + A. Solarmodul

Dunkel- und Hellkennlinie des Solarmoduls. Beachten Sie die Anweisungen aus der Bedienungsanleitung! Messgerät + V + A. Solarmodul P s1 Dunkel- und Hellkennlinie des Solarmoduls Material: Solarmodul Verbrauchermodul Strom- und Spannungsmessgeräte 5 Kabel Zusätzliche Komponenten: Schwarze Pappe (Teil 1) Netzteil (Teil 1) Lampe 100-150

Mehr

Peter Lawall. Thomas Blenk. Praktikum Messtechnik 1. Hochschule Augsburg. Versuch 4: Oszilloskop. Fachbereich: Elektrotechnik.

Peter Lawall. Thomas Blenk. Praktikum Messtechnik 1. Hochschule Augsburg. Versuch 4: Oszilloskop. Fachbereich: Elektrotechnik. Hochschule Augsburg Fachbereich: Elektrotechnik Arbeitsgruppe: 8 Praktikum Messtechnik 1 Versuch 4: Oszilloskop Arbeitstag :26.11.2009 Einliefertag: 03.12.2009 Peter Lawall Thomas Blenk (Unterschrift)

Mehr

Beispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte

Beispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte Aufgabe 1: Halbleiterphysik I 1.1) Skizzieren Sie (ausreichend groß) das Bändermodell eines n-halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau, das intrinsische Ferminiveau und das Ferminiveau bei Raumtemperatur,

Mehr

Aufnahme der Kennlinien und einiger Arbeitskennlinien der dem Versuch beigegebenen Dioden, Ermittlung der Durchbruchspannung einer Zenerdiode.

Aufnahme der Kennlinien und einiger Arbeitskennlinien der dem Versuch beigegebenen Dioden, Ermittlung der Durchbruchspannung einer Zenerdiode. Die Aufgaben: Meßverfahren: Vorkenntnisse: Aufnahme der Kennlinien und einiger Arbeitskennlinien der dem Versuch beigegebenen Dioden, Ermittlung der Durchbruchsannung einer Zenerdiode. Registrierung der

Mehr

1 Elektrische Leitungsvorgänge

1 Elektrische Leitungsvorgänge 1 lektrische Leitungsvorgänge 1.1 lektrische Leitung in festen Körpern Seite 1 Seite 2 Antwort zu 1.): Antwort zu 2.): Antwort zu 3.): Antwort zu 4.): Antwort zu 5.): Seite 3 1.2 lektrische Leitung in

Mehr

8. Halbleiter-Bauelemente

8. Halbleiter-Bauelemente 8. Halbleiter-Bauelemente 8.1 Reine und dotierte Halbleiter 8.2 der pn-übergang 8.3 Die Diode 8.4 Schaltungen mit Dioden 8.5 Der bipolare Transistor 8.6 Transistorschaltungen Zweidimensionale Veranschaulichung

Mehr

Thyristor. n3 + N. Bild 1: Prinzipieller Aufbau und Ersatzschaltbild eines Thyristors

Thyristor. n3 + N. Bild 1: Prinzipieller Aufbau und Ersatzschaltbild eines Thyristors Beuth Hochschule für Technik Berlin Fachbereich VI Informatik und Medien Labor für utomatisierungstechnik, B054 WiSe 2009/2010 Elektrische Systeme Labor (ESÜ29) Studiengang Technische Informatik Thyristor

Mehr

Stand: 05.07.2001 Seite 3-1

Stand: 05.07.2001 Seite 3-1 Inhaltsverzeichnis: Thema Bereiche Seite Thyristordiode Funktionsweise, Aufbau und Schaltzeichen 3-2 Kennlinie 3-2 Thyristor Funktionsweise, Aufbau und Schaltzeichen 3-3 Kennlinie 3-3 Thyristortetrode

Mehr

Versuchsprotokoll. Die Röhrendiode. zu Versuch 25. (Physikalisches Anfängerpraktikum Teil II)

Versuchsprotokoll. Die Röhrendiode. zu Versuch 25. (Physikalisches Anfängerpraktikum Teil II) Donnerstag, 8.1.1998 Dennis S. Weiß & Christian Niederhöfer Versuchsprotokoll (Physikalisches Anfängerpraktikum Teil II) zu Versuch 25 Die Röhrendiode 1 Inhaltsverzeichnis 1 Problemstellung 3 2 Physikalische

Mehr

Die Solarzelle als Diode

Die Solarzelle als Diode Die Solarzelle als Diode ENT Schlüsselworte Sonnenenergie, Fotovoltaik, Solarzelle, Diode, Dunkelkennlinie Prinzip Eine Solarzelle ist aus einer p-dotierten und einer n-dotierten Schicht aufgebaut. Bei

Mehr

INSTITUT FÜR ANGEWANDTE PHYSIK Physikalisches Praktikum für Studierende der Ingenieurswissenschaften Universität Hamburg, Jungiusstraße 11

INSTITUT FÜR ANGEWANDTE PHYSIK Physikalisches Praktikum für Studierende der Ingenieurswissenschaften Universität Hamburg, Jungiusstraße 11 Solarzellen INSTITUT FÜR ANGEWANDTE PHYSIK Physikalisches Praktikum für Studierende der Ingenieurswissenschaften Universität Hamburg, Jungiusstraße 11 Abb. 1: Aufbau einer Silizium-Solarzelle 1 Warum geben

Mehr

1. Dioden. 1.1 Grundlagen

1. Dioden. 1.1 Grundlagen ANGEWANDTE ELEKTRONIK DIODEN SEITE 1 1. Dioden 1.1 Grundlagen Leiter Halbleiter Isolatoren Ein elektrischer Strom kann nur dann fließen, wenn Ladungsträger zur Verfügung stehen. Der elementare Ladungsträger

Mehr

Versuch 21 Transistor

Versuch 21 Transistor Physikalisches Praktikum Versuch 21 Transistor Praktikanten: Johannes Dörr Gruppe: 14 mail@johannesdoerr.de physik.johannesdoerr.de Datum: 27.09.2006 Katharina Rabe Assistent: Sebastian Geburt kathinka1984@yahoo.de

Mehr

Facharbeit Zum Thema Aufbau einer

Facharbeit Zum Thema Aufbau einer Facharbeit Zum Thema Aufbau einer Name: Anna Lukyanova Klasse: 12 c Fach: Physik/ Philosophie Lehrer: Herr Götzinger/ Herr Kapteina Datum: 6.02.2003 Inhaltsverzeichnis 1) Einleitung 2) Was ist eine Diode

Mehr

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI Fachhochschule Münster University of Applied Sciences Versuch: 3 Gruppe: Datum: Antestat: Teilnehmer: Abtestat: (Name) (Vorname) Versuch 3:

Mehr

Eine nach Abbildung 1 aufgebaute Diode lässt eine positive Spannung von Anode zu Katode durch. Daraus resultiert ein Durchlassstrom I

Eine nach Abbildung 1 aufgebaute Diode lässt eine positive Spannung von Anode zu Katode durch. Daraus resultiert ein Durchlassstrom I Halbleiterbauelemente I Einleitung In dieser Versuchsreihe geht es um die statischen und dynamischen Eigenschaften von Halbleiterbauelementen. Ermittelt werden unter anderem die Sperrverzögerungszeit von

Mehr

Option 4. Messtechnische Untersuchung von Spannungsverläufen in einer Villard-Schaltung.

Option 4. Messtechnische Untersuchung von Spannungsverläufen in einer Villard-Schaltung. Halbleiterdiode Aufgabenstellung 1. Messtechnische Ermittlung der Strom-Spannungscharakteristik einer Gleichrichterdiode. a) in Durchlassrichtung b) in Sperrrichtung 2. Automatisierte Aufnahme der Strom-Spannungscharakteristik

Mehr

Elektrische Bauelemente

Elektrische Bauelemente Auswertung Elektrische Bauelemente Carsten Röttele Stefan Schierle Versuchsdatum: 22. 05. 2012 Inhaltsverzeichnis 1 Temperaturabhängigkeit von Widerständen 2 2 Kennlinien 4 2.1 Kennlinienermittlung..............................

Mehr

Grundlagen Halbleiter

Grundlagen Halbleiter Grundlagen Halbleiter Arbeitsbuch Mit CD-ROM R 1 R C U B = 12 V I C R m I B K C 2 C 1 G US (Sinus) f = 1 khz U E = 0.1 V R 2 R E C 3 U A R 3 Y 1 Y 2 0 (Y 1) UE 0 (Y 2) UA Festo Didactic 567281 DE Bestell-Nr.:

Mehr

Versuch 26. Gruppe D14. Grundpraktikum Physik. Autor: Kay Jahnke Mail: kay.jahnke@uni-ulm.de. Unterschrift:...

Versuch 26. Gruppe D14. Grundpraktikum Physik. Autor: Kay Jahnke Mail: kay.jahnke@uni-ulm.de. Unterschrift:... Versuch 26 (Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor) Gruppe D14 Grundpraktikum Physik Autor: Kay Jahnke Mail: kay.jahnke@uni-ulm.de Unterschrift:... Autor: Simon Laibacher Mail: simon.laibacher@uni-ulm.de

Mehr

ELEKTRONIK - Beispiele - Dioden

ELEKTRONIK - Beispiele - Dioden ELEKTRONIK - Beispiele - Dioden DI Werner Damböck (D.1) (D.2) geg: U 1 = 20V Bestimme den Vorwiderstand R um einen maximalen Strom von 150mA in der Diode nicht zu überschreiten. Zeichne den Arbeitspunkt

Mehr

2 Grundbegriffe der Halbleitertechnik

2 Grundbegriffe der Halbleitertechnik 2 Grundbegriffe der Halbleitertechnik 2 2.1 Elektrische Leitfähigkeit der Materialien Die Klassifizierung der Werkstoffe hinsichtlich ihrer elektrischen Leitfähigkeit erfolgt mit der Einteilung in Nichtleiter,

Mehr

Bei Anwendung zu Hause, wo es Netzspannung gibt, raten wir, nur einen Teil der erforderlichen Energie mit Solarzellenplatten zu erzeugen.

Bei Anwendung zu Hause, wo es Netzspannung gibt, raten wir, nur einen Teil der erforderlichen Energie mit Solarzellenplatten zu erzeugen. 1) Solarzellenplatten - Basis Eine Solarzelle oder photovoltaische Zelle wandelt Lichtenergie in elektrische Energie um. Eine einzelne Solarzelle erzeugt eine sehr kleine Energiemenge. Um eine brauchbare

Mehr

Elektrotechnik für Maschinenbauer. Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor

Elektrotechnik für Maschinenbauer. Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor 1. Einleitung Transistoren spielen eine zentrale Rolle in der Elektronik. Die Anzahl der Anwendungen ist sehr vielfältig. Daher

Mehr

6. Halbleiterdioden U D

6. Halbleiterdioden U D 6. Halbleiterdioden 6. Halbleiteraufbau und -eigenschaften Ein Gebiet, in dem ein P-Leiter und ein N-Leiter flächig aneinander grenzen, bezeichnet man als PN-Übergang. Ein PN-Übergang stellt eine Halbleiterdiode

Mehr

E-Praktikum Dioden und Bipolartransistoren

E-Praktikum Dioden und Bipolartransistoren E-Praktikum Dioden und Bipolartransistoren Anna Andrle (55727), Sebastian Pfitzner (553983) Gruppe 12 3. Juli 215 Abstract In diesem Versuch werden die Strom-Spannungskennlinien verschiedener Dioden inklusive

Mehr

2.2. AUFBAU UND FUNKTIONSWEISE EINER HALBLEITERDIODE

2.2. AUFBAU UND FUNKTIONSWEISE EINER HALBLEITERDIODE 2. HALBLEITERDIODEN 2.1. EINLEITUNG Um zu verstehen, wie Halbleiterdioden, oder einfach Dioden funktionieren, ist es wichtig, sich mit den Eigenschaften von dotierten Materialien zu befassen. Später wird

Mehr

Arbeitspunkt einer Diode

Arbeitspunkt einer Diode Arbeitspunkt einer Diode Liegt eine Diode mit einem Widerstand R in Reihe an einer Spannung U 0, so müssen sich die beiden diese Spannung teilen. Vom Widerstand wissen wir, dass er bei einer Spannung von

Mehr

Versuch 21. Der Transistor. Wintersemester 2005 / 2006. Daniel Scholz. physik@mehr-davon.de

Versuch 21. Der Transistor. Wintersemester 2005 / 2006. Daniel Scholz. physik@mehr-davon.de Physikalisches Praktikum für das Hauptfach Physik Versuch 21 Der Transistor Wintersemester 2005 / 2006 Name: Mitarbeiter: EMail: Gruppe: Daniel Scholz Hauke Rohmeyer physik@mehr-davon.de B9 Assistent:

Mehr

5 Dioden. 5.1 Grundlagen. 5.1.1 Bandstruktur und Dotierung. 5.1.2 Dotierung

5 Dioden. 5.1 Grundlagen. 5.1.1 Bandstruktur und Dotierung. 5.1.2 Dotierung Dioden sind die wichtigsten passiven nichtlinearen Bauelemente. Sie sind asymmetrische Zweipole, d.h. ihr Widerstand hängt von der Polarität der angelegten Spannung ab. 5.1 Grundlagen 5.1.1 Bandstruktur

Mehr

Praktikum Nr. 3. Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum

Praktikum Nr. 3. Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik Versuchsbericht für das elektronische Praktikum Praktikum Nr. 3 Manuel Schwarz Matrikelnr.: 207XXX Pascal Hahulla Matrikelnr.: 207XXX Thema: Transistorschaltungen

Mehr

Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben.

Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines p-halbleiters.

Mehr

E5 Gleichrichterschaltungen

E5 Gleichrichterschaltungen E5 Gleichrichterschaltungen 28. Oktober 2010 Marcel Lauhoff - Informatik BA Matnr: xxxxxxx xxx@xxxx.xx 1 Einleitung 2 2 Theoretische Grundlagen 3 2.1 Das Bändermodell der Festkörper...............................

Mehr

Grundlagen Halbleiter

Grundlagen Halbleiter Grundlagen Halbleiter Arbeitsbuch Mit CD-ROM R 1 R C U B = 12 V I C R m I B K C 2 C 1 G US (Sinus) f = 1 khz U E = 0.1 V R 2 R E C 3 U A R 3 Y 1 Y 2 0 (Y 1) UE 0 (Y 2) UA Festo Didactic 567281 DE Bestell-Nr.:

Mehr

Skriptum zur Vorlesung Elektronik 1

Skriptum zur Vorlesung Elektronik 1 Skriptum zur Vorlesung Elektronik 1 Inhalte Modul 1 (Januar März) Dr.-Ing. Jens Timmermann Ausgabe: Januar 2012, Version 2.0 Elektronik 1; Dr. Ing. Jens Timmermann - 1 Vorbemerkungen Dieses Skript richtet

Mehr

DIODEN. Weitere Top-Infos unter ITWissen.info

DIODEN. Weitere Top-Infos unter ITWissen.info 1 Inhalt Abstrahlfläche Aussteuerbereich ents APD, avalanche photo diode Diac, diode alternating current switch Diode Fotodiode Gunn-Diode Halbleiter Kapazitätsdiode Laserdiode, LD Leuchtdiode, LED PIN-Diode

Mehr