Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit
|
|
- Heidi Geier
- vor 8 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1. SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Peak wavelength of 95 nm Wellenlänge der Strahlung 95 nm Narrow half angle Enger Abstrahlwinkel High radiant intensity Hohe Strahlstärke Small outline dimensions Geringe Außenabmessungen Same package as phototransistor SFH 3 F Gehäusegleich mit Fototransistor SFH 3 F High coupling factor in light barriers with SFH 3 F Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit Applications Anwendungen Emitter in Photointerrupter Sender für Lichtschranken Tape end detection (VCR e.g.) Bandende Erkennung (z.b. Videorecorder) Data transmission Datenübertragung Position sensing Positionsüberwachung Barcode reader Barcode-Leser For control and drive circuits Messen/Steuern/Regeln Coin counters Münzzähler Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden
2 Version 1. SFH 41 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer I F = 2 ma, t p = 2 ms I e [mw/sr] SFH ( 2.5) Q6272P572 Note: Anm:: Measured at a solid angle of Ω =.1 sr Gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V R 5 V Sperrspannung Forward current I F 6 ma Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p μs, D = ) I FSM 1 A Total power dissipation Verlustleistung Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung P tot mw R thja 28 K / W
3 Version 1. SFH 41 Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (I F = 2 ma, t P = 2 ms) λ peak 95 nm Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Half angle Halbwinkel Active chip area Aktive Chipfläche Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall times of I e ( % and 9% of I e max ) Schaltzeiten von I e ( % und 9% von I e max ) (I F = 2 ma, R L = 5 Ω) Capacitance Kapazität (V R = V, f = 1 MHz) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 2 ma, t P = 2 ms) Reverse current Sperrstrom (V R = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Δλ 55 nm ϕ ± 9 A.625 mm 2 L x W.25 x.25 mm x mm t r / t f 45 / 36 ns C 16 pf V F 1.2 ( 1.4) V I R.1 ( 1) µa Φ e 2 mw TC I -.55 % / K TC V -1.8 mv / K TC λ.3 nm / K
4 Version 1. SFH 41 Grouping (T A = 25 C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke I F = 2 ma, t p = 2 ms I e, min [mw / sr] SFH Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω =.1 sr Special bin selection on request gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Sonderselektion auf Anfrage Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission I rel = f(λ), T A = 25 C Ι rel % 8 6 OHR1938 Radiant Intensity Strahlstärke I e / I e ( ma) = f(i F ), single pulse, t p = 25 µs, T A = 25 C Ι e 1 Ι e ( ma) OHF nm 6 λ ma 3 Ι F
5 Version 1. SFH 41 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F, max = f(t A ) Forward Current Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = µs, T A = 25 C 9 Ι F ma 7 6 R thja = 28 K/W OHF372 4 ma Ι F 3 2 OHF C 12 TA V 4 VF Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter 1 OHF373 Ι F A D =.5 D =.1 D =.2 D =.5 D =.1 D =.2 D = s t P
6 Version 1. SFH 41 Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ) OHF371 ϕ Package Outline Maßzeichnung Emitter/ Cathode 16.5 (.65) 16. (.63) R.9 (.35) R.7 (.28).5 (.2) x (.122) 2.9 (.114) 2.2 (.87) 2. (.79) 2.54 (.) 1.42 (.56) 1.22 (.48).6 (.24).4 (.16) 1.4 (.41).84 (.33) (.7) (.68) 4.1 (.161) 3.9 (.154) 1.4 (.41).84 (.33) 3. (.118) 2.8 (.1).5 (.2).3 (.12).9 (.35).7 (.28) Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch) (.63) 1.4 (.55) 1.3 (.51) 1.1 (.43).84 (.33).64 (.25) GEOY
7 Version 1. SFH 41 Package Gehäuse Miniature Sidelooker, Epoxy Miniature Sidelooker, Harz Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign TTW Soldering / Wellenlöten (TTW) 4.8 (.189) 4 (.157) OHLPY985 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)
8 Version 1. SFH 41 TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC TTW / IEC TTW T 3 C C C 1. Welle 1. wave s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s C C 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t
9 Version 1. SFH 41 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist
10 Version 1. SFH 41 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel
MehrGaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487
29-9-3 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. SFH 487 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten
212-12-3 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4546 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot
MehrOSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750
21-4-21 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) - 14 Version 1.1 SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95 nm Sehr
MehrUV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 4512
211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 4512 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm plastic package 5mm Kunststoffgehäuse
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden
215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4846 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrIR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4546
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 446 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274
211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 405
27-3-3 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 45 Features: Besondere Merkmale: Same package as SFH 35 Gehäusegleich mit SFH 35 Miniature package Miniatur-Gehäuse High reliability
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 415
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute
MehrGaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269
215-6-24 GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 26, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 Features: Besondere Merkmale: GaAs infrared emitting
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 405
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 35 Miniatur-Gehäuse
MehrIR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883
IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Anode galvanisch
MehrStrahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4512
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95nm Gute spektrale
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger : Gehäusegleich mit SFH 3, SFH
MehrInfrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.0 SFH 4811, SFH 4813
28-1-31 Infrared Emitter (95 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1. SFH 4811, SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Features: Besondere Merkmale: Fabricated in a liquid phase
MehrGaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A
GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse,
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrUV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH
27-4-4 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typical peak wavelength 95nm Typische
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
MehrInfrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883
214-9-25 Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883 SFH 4813 Features: Fabricated in a liquid phase epitaxy process Anode is electrically
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 451, SFH 452, SFH 453 SFH 451 SFH 452 SFH 453 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW)
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 431 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 260 LD 262 LD 269
GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 26 LD 262 LD 269 Wesentliche Merkmale GaAs-IR-Lumineszenzdiode Zeilenbauform, lieferbar von 2 bis
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409
211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 49 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit
MehrGaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrSFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ
Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 43 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 81
2007-03-30 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrFertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)
MehrNPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 31 F Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für
MehrOrdering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.
2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrGaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 IRL 80 A
2013-08-01 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: GaAs infrared emitting diode GaAs-Lumineszenzdiode im Infrarotbereich Clear plastic package with lateral
MehrGEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 spacing 2.54 mm 2.54 mm spacing.6 1.8 1.2.6 29 27 Area not flat Chip position.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor) Cathode.8 Area
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 409
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute
MehrSilicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer
27-3-3 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 11 nm 4
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrEN: This Datasheet is presented by the m anufacturer. Please v isit our website for pricing and availability at ore.hu.
EN: This Datasheet is presented by the m anufacturer. Please v isit our website for pricing and availability at www.hest ore.hu. GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD
MehrOrdering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 74... 8 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ) 74... 8
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface
MehrOrdering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor SFH 314 SFH 314 FA Features: Spectral range of sensitivity: 46 nm...8 nm (SFH 314), 74 nm... 8 nm (SFH 314 FA) Besondere Merkmale: Spektraler
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
MehrGaAs Infrared Emitters GaAs-IR-Lumineszenzdioden Version 1.0 SFH DRAFT For Reference only. Subject to change.
211-3-14 GaAs Infrared Emitters GaAs-IR-Lumineszenzdioden Version 1. SFH 4516 Features: Besondere Merkmale: Good spectral match with silicon photodetectors Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrPhotointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln
29-7-24 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1. BPY 62 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 4... 11 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 4...
MehrWELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //
WELTRON Elektronik GmbH // Tel: 9852 6727- // Fax: 9852 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 FA SFH 23
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA
2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
Mehr650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data
65nm Resonant Cavity LED-Chip 65nm Resonant Cavity LED Die F372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale keine Schwelle hohe Leistung Kurze Schaltzeiten: 15ns Oberflächenstrahler Optimale
MehrWELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //
WELRON Elektronik GmbH // el: 982 6727- // Fax: 982 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product -
MehrInfrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141
215-1-21 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1. SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow
MehrSilizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33
Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 35 nm bis 11 nm Sperrstromarm (typ. 2 pa) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
MehrGaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit gute
MehrSchmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Schmitt-Trigger IC im TO-8 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-8 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5840 SFH 584 Wesentliche Merkmale SFH 5840: Ausgang active
MehrInfrarot-LED Infrared-LED SFH 4281
Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88nm Homogene Abstrahlcharakteristik IR Reflow und TTW Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC Standard J-STD-2A
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität
MehrSchnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package
Schnelle IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (95 nm) in 5 mm Radial Package SFH 451, SFH 452, SFH 453 SFH 451 SFH 452 SFH 453 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit
MehrHigh optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1.
212-3-8 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. / acc. to: OS-PCN-29-21-A2 SFH 458 Features: Besondere Merkmale: High optical power Sehr hohe
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für
MehrInfrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281
Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen Miniaturlichtschranken für Gleich-
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 P SFH 23 PFA SFH 23 P SFH 23 PFA Wesentliche Merkmale
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10
214-11-1 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4544 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow half angle ± 1 Enger Halbwinkel ± 1 Short switching
Mehrø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 Cathode spacing 2.54mm 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29 27 Area not flat Chip position.8 Approx. weight.2 g Area not flat.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode)
MehrGaAs Infrared Emitters GaAs-IR-Lumineszenzdioden Version 1.0 SFH DRAFT For Reference only. Subject to change.
211-3-14 GaAs Infrared Emitters GaAs-IR-Lumineszenzdioden Version 1. SFH 4516 Features: Besondere Merkmale: Good spectral match with silicon photodetectors Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrSilizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 26 K Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 11 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
MehrSilicon NPN Phototransistor with Daylight - Cutoff Filter NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Version 1.
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor with Daylight - Cutoff Filter NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Version 1.3 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 85...
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten
214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4545 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED
MehrSilicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21
Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen
MehrGaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 4860
214-1-16 GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (66 nm) Version 1.1 SFH 486 Features: Besondere Merkmale: Fabricated in a liquid phase epitaxy process Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 13 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrGaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 485
28-5-28 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (88 nm) Version 1. SFH 485 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High
MehrIR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH
IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typische Peakwellenlänge 95nm Hohe Zuverlässigkeit
MehrSilicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA
215-9-1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S1%) 75 nm to 11 nm Wellenlängenbereich (S1%) 75 nm bis 11 nm Short switching time (typ.
MehrGaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 P
27-4-2 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (40mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge
Mehr