DIY. Personal Fabrica1on. Elektronik. Juergen Eckert Informa1k 7
|
|
- Alfred Möller
- vor 8 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 DIY Personal Fabrica1on Elektronik Juergen Eckert Informa1k 7
2 Ätz und LötTutorial Übung: Layout mit Eagle (CadsoL) Slots: 1214, 1416 und 1618Uhr st!!! Blink(1) Clone No1fica1on RGB Led Kostenlos für DIY`ler Foto: wiki.jenkinsci.org
3 Speiseplan Dioden Transistoren Konstantstrom Kühlung Mosfets
4 Halbleiter: Silicium (Si) Element der 4. Hauptgruppe (4 Außene ) SiKristall keine freien Elektronen (e ) Nicht 0 K Foto: Wikipedia Durch Molekularbewegung (Wärme) lösen sich sporadisch e (Loch posi1v geladen) Heißleiter ndo1ert (freie e, Fremdatom pos. gel.) Element aus 5. Hauptgruppe (5e ) in die Struktur einbringen z.b. Phosphor, Arsen oder An1mon pdo1ert (pos. gel. Löcher, Fremdatom neg. gel.) Element aus 3. Hauptgruppe (3e ) in die Struktur einbringen z.b. Bor, Indium, Aluminium oder Gallium
5 (ak1ves Bauteile ab jetzt) Foto: Wikipedia Diode Strom in einer Richtung fast ungehindert Anderen Richtung fast isoliert Anode + + Kathode Durchlassrichtung Sperrrichtung Die Kathode ist NeKathiv
6 Diode: Aunau Raumladungszone (Sperrschicht) P N Diffusion P P N N Durchlassrichtung Sperrrichtung
7 Diode: SpannungStrom Verhalten Wich1ge Parameter: Vorwärtsspannung Forward Voltage Drop (max) Durchlassstrom Forward Current Sperrspannung Reverse Voltage Foto: Wikipedia
8 ZDiode Darf dauerhal in Sperrrichtung im Bereich der Durchbruchspannung betrieben werden Foto: Wikipedia
9 Siehe LötTutorial: USB Data Pin Spannungsanpassung ZDiode Anwendungen Voltage ShiLer Voltage Regulator V out = max(v in V zener, 0V ) Fotos: Wikipedia I
10 LED (lightemisng diode) Arbeitspunkt liegt im steilen Bereich der Kennlinie Konstantstromquelle Vorwiderstand Vorwiderstand dimensionieren: R v = U 0 U AP I AP Foto: Wikipedia
11 Foto: Wikipedia Geschichte der Transistoren Vorher: Elektronenröhre Groß, schwer, hoher Energiebedarf,... Erster Transistor: Bell Telephone Labs 1947 Entwickler: Shockley, Bardeen und Bravain Mo1va1on: Probleme der Röhren besei1gen Erstes Patent bereits 1928 bei Lillenfield Transistor = transfer resistor Aktuelle CPUs haben > 1 Mrd Transistoren
12 Bipolartransistor (BJT) Stromschalter Kollektor (C) C C Basis (B) B N P N B Emiver (E) Wich1ge Parameter: Verstärkung (h fe, β) Spannungsabfall U BE (=U FB ) Spannungsabfall U CE(SAT) E Hier NPN, PNP analog für neg. Spannungen E
13 BJT Opera1onsmodi Sperrbereich (cutoff): U BE < U FB, I B = 0 Wie ein Schalter (ausgeschalten) Ak1ve lineare Region: U BE = U FB, I c = βi B Wie ein Stromverstärker Säsgung: U BE = U FB, I c,max / β < I B Wie ein Schalter (eingeschalten)
14 Emiver- schaltung LED 100mA 2.8V BC548 h FE > 125 V BE = 0.7V V CE = 0.6V I B = 5mA
15 Emiver schaltung LED 100mA 2.8V BC548 h FE > 125 V BE = 0.7V V CE = 0.6V R 1 U uc U BE I B 2.6V = 520Ω I B = 5mA 3.3V 0.7V
16 Emiver schaltung LED v 100mA 2.8V BC548 R 1 U uc U BE I B = 520Ω 2.8V h FE > 125 V BE = 0.7V 2.6V V CE = 0.6V 0.6V I B = 5mA 3.3V 0.7V
17 Emiver schaltung NEVER EVER: LED 100mA 2.8V BC548 h FE *I B benutzen um I C zu regeln R 1 U uc U BE I B = 520Ω v 2.8V h FE > 125 V BE = 0.7V 2.6V V CE = 0.6V 0.6V I B = 5mA 3.3V 0.7V
18 Emiver- schaltung LED 100mA 2.8V BC548 h FE > 125 V BE = 0.7V V CE = 0.6V R 2 5V 2.8V U CE 100mA =16Ω R 1 U uc U BE I B 2.6V = 520Ω 1.6V 2.8V 0.6V I B = 5mA 3.3V 0.7V R 1 = 390 Ohm R 2 = 15 Ohm
19 Konstant- strom LED 100mA 2.8V BC548 h FE > 125 V BE = 0.7V V CE = 0.6V I B = 5mA
20 Konstant- strom LED 100mA 2.8V BC548 h FE > 125 V BE = 0.7V V CE = 0.6V I B = 5mA 270 Ohm 3.3V 1.4V 0.7V 0.7V
21 Konstant LED strom 100mA 2.8V BC548 h FE > 125 V BE = 0.7V V CE = 0.6V I B = 5mA R 2 = 7 Ohm V cc =?? R 2 = U BE I LED = 7Ω 270 Ohm 3.3V 1.4V 0.7V 2.8V 0.7V
22 Konstant LED strom 100mA 2.8V BC548 h FE > 125 V BE = 0.7V V CE = 0.6V I B = 5mA R 2 = 7 Ohm V cc (4.1;??) R 2 = U BE I LED = 7Ω 270 Ohm 3.3V 1.4V 0.7V 2.8V 0.6V 0.7V
23 Festspannung Dimensionierung von R 1 abhängig vom Spannungs- bereich V cc U BE V CC >U OUT + max(u CE,U BE ) R 1 = U R1,min U Z U OUT =U Z U BE U OUT I D1,min + I LOAD,max h fe +1
24 Darlington β β 1 β 2 Schaltung
25 Abwärme Jedes Bauteil produziert Wärme Daumenregel: Je heißer ein Bauteil, desto kürzer ist seine Lebenszeit Leistung P[W] = U I Bsp. LED: Einfache Emiverschaltung 1.6V * 0.1A = 0.16mW (Widerstand) 0.25W Widerstand (gerade so) Konstantstromschaltung: max Vcc? P = (Vcc 3.5V) * 0.1A (Transistor) PD = 625mW (Datenblav BC548) VCC,max = C (kurz vor Magic Smoke) Magic Smoke / Blue Smoke rctech.net
26 Kühlungsdesign Welche Temperatur ist zu erwarten? Reicht die Kühlung aus? Berechnungsgrundlagen bereits bekannt Foto: Wikipedia
27 Kühlung: Junc1on to Ambient Hitze (W) T J R θja = 200 C/W T A Datenblav Umgebungs temperatur Aus Ohm'sches Gesetz: Foto: Datenblav T J = T A + R θja P T J = 25 C C/W * 0.625W = 150 C Leistung[W] Strom Thermischer Widerstand [ C/W] Widerstand Temperatur [ C] Spannung Anmerkung: Sta1onärer Zustand, sonst müssen Kapazitäten berücksich1gt werden KRITISCHER WERT
28 Kühlung: Kühlrippe Junc1on to Case Hitze (W) Foto: Datenblav T J R θjc = 83 C/W [R θch = NA] Aus Ohm'sches Gesetz: T J = T A + R θjc P + R θch P + R θha P T J = 25 C + (83 C/W + 53 C/W) * 0.625W = 110 C NAJA KRITISCHER WERT 58 C T H R θha = 53 C/W T A Umgebungs temperatur Daumenregel: Punkterhitzung des Kühl körpers mit Faktor 1.33 kompensieren
29 MetallOxidHalbleiter Feldeffekvransistor (Mosfet) Spannungsschalter Schneller als BTJ Mehr Strom ESD empfindlich Schutzdiode Selbstsperrend: Aus wenn U GS = 0V Selbstleitend: An wenn U GS = 0V (selten) nkanal und pkanal Foto: Wikipedia, nkanal Mosfet
30 Mosfet Opera1onsmodi Sperrbereich (cutoff): U GS < U th I DS = 0 Wie ein Schalter (ausgeschalten) Lineare Region: U GS > U th und U DS < U GS U th Variabler Widerstand kontrolliert durch U GS Säsgung: U GS > U th und U DS > U GS U th Konstantstrom
31 Mosfet Verhalten Foto: Wikipedia Linearer Bereich schwierig, besser: Operar1onsverstärker Strom limi1erendes Bauteil im Gesäsgten Bereich Als Schalter überdimensionieren!
32 Funk1on + Wich1ge Parameter U th Schwellenspannung R DS Innenwiderstand Wich1g für Hitzeentwicklung P = R DS I D 2 (voll an) Tipp: Gate nicht floaten lassen (z.b. PullDown Widerstand) Foto: Wikipedia
33 PKanal Schalten uc Pin: 0 oder 3.3V Load immer an 3.3V12V P= 3.3V: U GS = 8.7V < U th P= 0V: U GS = 12V < U th PKanal
34 PKanal Schalten uc Pin: 0 oder 3.3V R 2 bes1mmt Schaltgeschw. (Daumenregel: Q2 an, sollten einige ma fließen) P= 3.3V: U GS = 12V < U th An P= 0V: U GS = 0V > U th Aus PKanal NKanal
35 Nächstes mal bei DIY Opera1onsverstärker Spannungsanpassung Baverien Schaltungsentwurf
ρ = 0,055 Ωmm 2 /m (20 C)
134.163 Grundlagen der Elektronik - Übungsbeispiele für den 11.05.2016 Beispiel C1: Berechnen Sie den Widerstand einer Glühlampe mit einem Wolframdraht von 0,024 mm Durchmesser und 30 cm Länge bei Raumtemperatur
Mehr3. Halbleiter und Elektronik
3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden
Mehr1. Kennlinien. 2. Stabilisierung der Emitterschaltung. Schaltungstechnik 2 Übung 4
1. Kennlinien Der Transistor BC550C soll auf den Arbeitspunkt U CE = 4 V und I C = 15 ma eingestellt werden. a) Bestimmen Sie aus den Kennlinien (S. 2) die Werte für I B, B, U BE. b) Woher kommt die Neigung
MehrArbeitspunkt einer Diode
Arbeitspunkt einer Diode Liegt eine Diode mit einem Widerstand R in Reihe an einer Spannung U 0, so müssen sich die beiden diese Spannung teilen. Vom Widerstand wissen wir, dass er bei einer Spannung von
MehrKleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen
Dr.-Ing. G. Strassacker STRASSACKER lautsprechershop.de Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen 1.1 Übersicht Fets sind Halbleiter, die nicht wie bipolare Transistoren
Mehr7. Unipolare Transistoren, MOSFETs
7.1. Funktionsweise Die Bezeichnung MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) deutet auf den Aufbau dieses Transistors hin: Das Halbleiterelement ist mit einer sehr dünnen, isolierenden
MehrGrundlagen der Datenverarbeitung
Grundlagen der Datenverarbeitung Bauelemente Mag. Christian Gürtler 5. Oktober 2014 Mag. Christian Gürtler Grundlagen der Datenverarbeitung 5. Oktober 2014 1 / 34 Inhaltsverzeichnis I 1 Einleitung 2 Halbleiter
MehrFormelsammlung Baugruppen
Formelsammlung Baugruppen RCL-Schaltungen. Kondensator Das Ersatzschaltbild eines Kondensators C besteht aus einem Widerstand R p parallel zu C, einem Serienwiderstand R s und einer Induktivität L s in
Mehr5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden
5.0 Halbleiter 5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.3.0 Bipolare Transistoren 5.4.0 Feldeffekttransistoren 5.5.0 Integrierte Schaltungen 5.6.0 Schaltungstechnik 5.1.0 Grundlagen Was sind Halbleiter? Stoffe,
MehrTO-220 TO-202 TO-92 TO-18. Transistoren mit verschiedenen Gehäusen
Transistoren TO-220 TO-202 SOT-42 TO-3 TO-18 TO-92 TO-5 Transistoren mit verschiedenen Gehäusen Das Wort Transistor ist ein Kunstwort. Es leitet sich von transfer resistor ab und beschreibt damit einen
MehrBei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen.
Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung E/ME-BAC/DIPL Elektronische Bauelemente SS2012 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 18.7.2012 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr. Frey Taschenrechner
MehrE l e k t r o n i k I
Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2002/03 Elektronik I Mob.:
MehrDabei ist der differentielle Widerstand, d.h. die Steigung der Geraden für. Fig.1: vereinfachte Diodenkennlinie für eine Si-Diode
Dioden - Anwendungen vereinfachte Diodenkennlinie Für die meisten Anwendungen von Dioden ist die exakte Berechnung des Diodenstroms nach der Shockley-Gleichung nicht erforderlich. In diesen Fällen kann
MehrFachbereich Physik Dr. Wolfgang Bodenberger
UniversitätÉOsnabrück Fachbereich Physik Dr. Wolfgang Bodenberger Der Transistor als Schalter. In vielen Anwendungen der Impuls- und Digital- lektronik wird ein Transistor als einfacher in- und Aus-Schalter
MehrMarkus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik
Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003 Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 2 30.06.2003 Inhaltsverzeichnis Zustände...3 UND austein ; UND Gatter...4 ODER austein ; ODER Gatter...5 NICHT
MehrWeitere Anwendungen einer Diode:
Diode Diode, elektronisches Bauteil, das Strom nur in einer Richtung durchfließen lässt. Die ersten Dioden waren Vakuumröhrendioden, die aus einer luftleeren Glasoder Stahlhülle mit zwei Elektroden (einer
MehrTransistor FET. Roland Küng, 2010
Transistor FET Roland Küng, 2010 1 Transistor: FET Im Gegensatz zu den stromgesteuerten Bipolartransistoren sind Feldeffekttransistoren spannungsgesteuerte Schaltungselemente. Die Steuerung erfolgt über
MehrLernaufgabe: Halbleiterdiode 1
1 Organisation Gruppeneinteilung nach Plan / Zeit für die Bearbeitung: 60 Minuten Lernziele - Die Funktionsweise und das Schaltverhalten einiger Diodentypen angeben können - Schaltkreise mit Dioden aufbauen
MehrPraktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie
Praktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie Seite Inhalt 2 Einleitung 2 Vorbereitung 2 1. Statische Messung 3 2. Dynamische Messung 5 3. Einpuls-Mittelpunktschaltung 7 azit 8 Anhang Seite 1 Einleitung Bei
MehrKennlinienaufnahme elektronische Bauelemente
Messtechnik-Praktikum 06.05.08 Kennlinienaufnahme elektronische Bauelemente Silvio Fuchs & Simon Stützer 1 Augabenstellung 1. a) Bauen Sie eine Schaltung zur Aufnahme einer Strom-Spannungs-Kennlinie eines
MehrVerbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik
Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik Versuch 5 Untersuchungen an Halbleiterdioden Teilnehmer: Name Vorname Matr.-Nr. Datum der
MehrLaborübung Gegentaktendstufe Teil 1
Inhaltsverzeichnis 1.0 Zielsetzung...2 2.0 Grundlegendes zu Gegentaktverstärkern...2 3.0 Aufgabenstellung...3 Gegeben:...3 3.1.0 Gegentaktverstärker bei B-Betrieb...3 3.1.1 Dimensionierung des Gegentaktverstärkers
MehrStatische Kennlinien von Halbleiterbauelementen
Elektrotechnisches rundlagen-labor I Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Versuch Nr. 9 Erforderliche eräte Anzahl ezeichnung, Daten L-Nr. 1 Netzgerät 0... 15V 103 1 Netzgerät 0... 30V 227 3
MehrÜbungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012
Übungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012 1. In der folgenden Schaltung wird ein Transistor als Schalter betrieben (Kennlinien s.o.). R b I b U b = 15V R c U e U be Damit der Transistor möglichst schnell
MehrHalbleiterbauelemente
Mathias Arbeiter 20. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski Halbleiterbauelemente Statische und dynamische Eigenschaften von Dioden Untersuchung von Gleichrichterschaltungen Inhaltsverzeichnis 1 Schaltverhalten
MehrElektrotechnisches Laboratorium
E Labor Diode, Zenerdiode und Vierschichtdiode 1 Höhere Technische Bundes-, Lehr- u. Versuchsanstalt (BULME) Graz Gösting Abgabedatum: 16. Nov. 2004 Elektrotechnisches Laboratorium Jahrgang: 2004 Gruppe:
MehrMosfet. ELEXBO A-Car-Engineering. ELEXBO Elektro-Experimentier-Box MOSFET-Kit. -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren.
Mosfet 1 -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren. Aufbau und Bauteile J-Fet N-Kanal BF244 J-Fet P-Kanal J175 4 Mosfet N-Kanal sperrend IRLZ24NPBF Mosfet-P-Kanal sperrend STP12PF06
MehrHerzlich willkommen zum Sommerfest des PING e.v.
Herzlich willkommen zum Sommerfest des PING e.v. Elektronik Basteltag bei PING! Leuchtdioden (LED) Taschenlampe Schritt-für-Schritt Aufbau Hilfestellung durch die anwesenden PINGels Taschenlampe darfst
MehrElektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente
Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente - Einführung für Studierende der Universität Potsdam - H. T. Vierhaus BTU Cottbus Technische Informatik P-N-Übergang HL-Kristall, Einkristall p-dotiert
MehrPTC-Widerstand. Material. Thema. Aufbau. Experiment. Messergebnisse
PTC-Widerstand 1 Universalsteckbox 1 EIN-AUS-Schalter 1 Widerstand 500 Ω 1 PTC-Widerstand 1 Amperemeter 1 Voltmeter Zündhölzer Der Widerstand von Halbleitern kann von der Temperatur abhängen. Versorgungsspannung:
MehrVersuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor. durchgeführt am 22. Juni 2007
1 Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor Sascha Hankele sascha@hankele.com Kathrin Alpert kathrin.alpert@uni-ulm.de durchgeführt am 22. Juni 2007 INHALTSVERZEICHNIS 2 Inhaltsverzeichnis
MehrAufgabensammlung. a) Berechnen Sie den Basis- und Kollektorstrom des Transistors T 4. b) Welche Transistoren leiten, welche sperren?
Aufgabensammlung Digitale Grundschaltungen 1. Aufgabe DG Gegeben sei folgende Schaltung. Am Eingang sei eine Spannung von 1,5V als High Pegel und eine Spannung von 2V als Low Pegel definiert. R C = 300Ω;
MehrUNIVERSITÄT BIELEFELD
UNIVERSITÄT BIELEFELD Elektrizitätslehre GV: Gleichstrom Durchgeführt am 14.06.06 Dozent: Praktikanten (Gruppe 1): Dr. Udo Werner Marcus Boettiger Philip Baumans Marius Schirmer E3-463 Inhaltsverzeichnis
Mehrh- Bestimmung mit LEDs
h- Bestimmung mit LEDs GFS im Fach Physik Nicolas Bellm 11. März - 12. März 2006 Der Inhalt dieses Dokuments steht unter der GNU-Lizenz für freie Dokumentation http://www.gnu.org/copyleft/fdl.html Inhaltsverzeichnis
MehrLeistungsbauelemente
II (Kurs-Nr. 21646), apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Gliederung Einleitung Physikalische Grundlagen
MehrELEKTRONIK - Beispiele - Dioden
ELEKTRONIK - Beispiele - Dioden DI Werner Damböck (D.1) (D.2) geg: U 1 = 20V Bestimme den Vorwiderstand R um einen maximalen Strom von 150mA in der Diode nicht zu überschreiten. Zeichne den Arbeitspunkt
MehrFachhochschule Düsseldorf Fachbereich Maschinenbau und Verfahrenstechnik. Praktikum Elektrotechnik und Antriebstechnik
FH D FB 4 Fachhochschule Düsseldorf Fachbereich Maschinenbau und Verfahrenstechnik Elektro- und elektrische Antriebstechnik Prof. Dr.-Ing. Jürgen Kiel Praktikum Elektrotechnik und Antriebstechnik Versuch
MehrVersuch 21. Der Transistor
Physikalisches Praktikum Versuch 21 Der Transistor Name: Christian Köhler Datum der Durchführung: 07.02.2007 Gruppe Mitarbeiter: Henning Hansen Assistent: Jakob Walowski testiert: 3 1 Einleitung Der Transistor
Mehr8. Halbleiter-Bauelemente
8. Halbleiter-Bauelemente 8.1 Reine und dotierte Halbleiter 8.2 der pn-übergang 8.3 Die Diode 8.4 Schaltungen mit Dioden 8.5 Der bipolare Transistor 8.6 Transistorschaltungen Zweidimensionale Veranschaulichung
MehrAufbau und Bestückung der UHU-Servocontrollerplatine
Aufbau und Bestückung der UHU-Servocontrollerplatine Hier im ersten Bild ist die unbestückte Platine zu sehen, die Bestückung der Bauteile sollte in der Reihenfolge der Höhe der Bauteile geschehen, also
MehrKÜHLKÖRPER RISIKEN UND NEBENWIRKUNGEN EINE ART BEIPACKZETTEL ALEXANDER C. FRANK, DIPL. ING. ETH ZÜRICH, V1.0 MÄRZ 2008 WWW.CHANGPUAK.
KÜHLKÖRPER RISIKEN UND NEBENWIRKUNGEN EINE ART BEIPACKZETTEL ALEXANDER C. FRANK, DIPL. ING. ETH ZÜRICH, V1.0 MÄRZ 2008 WWW.CHANGPUAK.CH EINLEITUNG In Halbleitern entstehen Verluste, die in Form von Wärme
MehrDer Aufbau der Uhr ist sehr einfach, weil nur sehr wenige Bauteile eingelötet werden müssen.
Der Aufbau der Uhr ist sehr einfach, weil nur sehr wenige Bauteile eingelötet werden müssen. Sie benötigen folgende Bauteile um die IN-18 Blue Dream Nixie Clock aufzubauen: Menge Teil Beschreibung 1 BRD1
MehrÜbung zum Elektronikpraktikum Lösung 1 - Diode
Universität Göttingen Sommersemester 2010 Prof. Dr. Arnulf Quadt aum D1.119 aquadt@uni-goettingen.de Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 1 - Diode 13. September - 1. Oktober 2010 1. Können die Elektronen
MehrPraktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.
Praktikum Physik Protokoll zum Versuch: Kennlinien Durchgeführt am 15.12.2011 Gruppe X Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.de) Betreuer: Wir bestätigen hiermit, dass wir das Protokoll
MehrAufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 4 10 am 14.03.1997
Name, Vorname: Matr.Nr.: Hinweise zur Klausur: Aufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 6141 4 10 am 14.03.1997 5 18 6 11 Σ 71 N P Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 1,5 h. Zugelassene Hilfsmittel
MehrElektrotechnik für Maschinenbauer. Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor
Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor 1. Einleitung Transistoren spielen eine zentrale Rolle in der Elektronik. Die Anzahl der Anwendungen ist sehr vielfältig. Daher
Mehr16 Übungen gemischte Schaltungen
6 Übungen gemischte Schaltungen 6. Aufgabe Gemischt (Labor) a) Berechne alle Ströme und Spannungen und messe diese nach! 3 = Rges = + 3 = 4,39kΩ 3 =,939kΩ Iges= Rges =2,46mA=I U = * I = 5,32V = U3 = U
MehrJFET MESFET: Eine Einführung
JFET MESFET: Eine Einführung Diese Präsentation soll eine Einführung in den am einfachsten aufgebauten Feldeffektransistor, den Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, JFET bzw. non-insulated-gate-fet,
MehrElektronik II 2. Groÿe Übung
G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 4. Mai 2015 1/31 Elektronik II 2. Groÿe Übung G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 4. Mai 2015 1. Brückengleichrichter
MehrElektrischer Widerstand
In diesem Versuch sollen Sie die Grundbegriffe und Grundlagen der Elektrizitätslehre wiederholen und anwenden. Sie werden unterschiedlichen Verfahren zur Messung ohmscher Widerstände kennen lernen, ihren
MehrBeispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte
Aufgabe 1: Halbleiterphysik I 1.1) Skizzieren Sie (ausreichend groß) das Bändermodell eines n-halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau, das intrinsische Ferminiveau und das Ferminiveau bei Raumtemperatur,
MehrE-Praktikum Dioden und Bipolartransistoren
E-Praktikum Dioden und Bipolartransistoren Anna Andrle (55727), Sebastian Pfitzner (553983) Gruppe 12 3. Juli 215 Abstract In diesem Versuch werden die Strom-Spannungskennlinien verschiedener Dioden inklusive
MehrDas Formelzeichen der elektrischen Spannung ist das große U und wird in der Einheit Volt [V] gemessen.
Spannung und Strom E: Klasse: Spannung Die elektrische Spannung gibt den nterschied der Ladungen zwischen zwei Polen an. Spannungsquellen besitzen immer zwei Pole, mit unterschiedlichen Ladungen. uf der
MehrFrühjahr 2000, Thema 2, Der elektrische Widerstand
Frühjahr 2000, Thema 2, Der elektrische Widerstand Referentin: Dorothee Abele Dozent: Dr. Thomas Wilhelm Datum: 01.02.2007 1) Stellen Sie ein schülergemäßes Modell für einen elektrisch leitenden bzw. nichtleitenden
MehrFeldeffekttransistoren
Feldeffekttransistoren ortrag im Rahmen des Seminars Halbleiterbauelemente on Thomas Strauß Gliederung Unterschiede FET zu normalen Transistoren FET Anwendungsgebiete und orteile Die Feldeffekttransistorenfamilie
MehrS7-Hantierungsbausteine für R355, R6000 und R2700
S7-Hantierungsbausteine für R355, R6000 und R2700 1. FB90, Zyklus_R/W Dieser Baustein dient zur zentralen Kommunikation zwischen Anwenderprogramm und dem Modul R355 sowie den Geräten R6000 und R2700 über
MehrGrundlagen der Elektronik
Grundlagen der Elektronik Wiederholung: Elektrische Größen Die elektrische Stromstärke I in A gibt an,... wie viele Elektronen sich pro Sekunde durch den Querschnitt eines Leiters bewegen. Die elektrische
Mehr2. Ohmscher Widerstand
2.1 Grundlagen Der ohmsche Widerstand: ist ein elektrisches Bauelement mit zwei Anschlüssen. ist ein Verbraucher, das heißt er bremst den Strom. wandelt die gesamte aufgenommene elektrische Leistung in
MehrSOLARLADEGERÄT MIT USB ANSCHLUSS FÜR SMARTPHONES
SOLARLADEGERÄT MIT USB ANSCHLUSS FÜR SMARTPHONES Eines unserer wichtigsten Dinge in unserem Leben sind unsere Smartphones, mit denen wir uns sehr viel und gerne beschäftigen. Da wir eigentlich hauptsächlich
MehrMatrix42. Use Case - Sicherung und Rücksicherung persönlicher Einstellungen über Personal Backup. Version 1.0.0. 23. September 2015 - 1 -
Matrix42 Use Case - Sicherung und Rücksicherung persönlicher Version 1.0.0 23. September 2015-1 - Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 3 1.1 Beschreibung 3 1.2 Vorbereitung 3 1.3 Ziel 3 2 Use Case 4-2 - 1 Einleitung
MehrVorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente
Vorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente Marcel Köpke & Axel Müller 15.06.2012 Inhaltsverzeichnis 1 Grundlagen 3 2 Aufgaben 7 2.1 Temperaturabhängigkeit............................ 7 2.2 Kennlinien....................................
MehrDunkel- und Hellkennlinie des Solarmoduls. Beachten Sie die Anweisungen aus der Bedienungsanleitung! Messgerät + V + A. Solarmodul
P s1 Dunkel- und Hellkennlinie des Solarmoduls Material: Solarmodul Verbrauchermodul Strom- und Spannungsmessgeräte 5 Kabel Zusätzliche Komponenten: Schwarze Pappe (Teil 1) Netzteil (Teil 1) Lampe 100-150
MehrStrom - Spannungscharakteristiken
Strom - Spannungscharakteristiken 1. Einführung Legt man an ein elektrisches Bauelement eine Spannung an, so fließt ein Strom. Den Zusammenhang zwischen beiden Größen beschreibt die Strom Spannungscharakteristik.
MehrKleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik
Kleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik Florian Franzmann 21. September 2004 Inhaltsverzeichnis 1 Stromrichtung 4 2 Kondensator 4 2.1 Plattenkondensator...............................
MehrAnleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016
Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016 Physik-nstitut der Universität Zürich nhaltsverzeichnis 10 Kennlinien elektrischer Leiter
MehrSpannungsstabilisierung mit Z-Dioden
Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden von B. Kainka, Auszug aus: Grundwissen Elektronik Die Spannung eines einfachen Netzgeräts ist in hohem Maße von der Belastung abhängig. Auch bei Batterieversorgung
MehrModell P4 Touch Paddle & Elektronischer Keyer Leiterplatine. 5 50 WPM 42 Funktionen des elektronischen Keyers
Modell P4 Touch Paddle & Elektronischer Keyer Leiterplatine Montageanleitung für den Bausatz Fragen und Support: sales@cwtouchkeyer.com 5 50 WPM 42 Funktionen des elektronischen Keyers Lege die Leiterplatine
MehrD a s P r i n z i p V o r s p r u n g. Anleitung. E-Mail- & SMS-Versand mit SSL (ab CHARLY 8.11 Windows)
D a s P r i n z i p V o r s p r u n g Anleitung E-Mail- & SMS-Versand mit SSL (ab CHARLY 8.11 Windows) 2 Inhalt Inhalt 1. E-Mail-Einrichtung 3 1.1 E-Mail-Einrichtung in Windows 3 2. SMS-Einrichtung 5 2.1
MehrPraktikum Nr. 3. Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum
Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik Versuchsbericht für das elektronische Praktikum Praktikum Nr. 3 Manuel Schwarz Matrikelnr.: 207XXX Pascal Hahulla Matrikelnr.: 207XXX Thema: Transistorschaltungen
MehrPraktikum. Elektromagnetische Verträglichkeit
Praktikum Elektromagnetische Verträglichkeit Versuch 1 Stromoberschwingungen und Flicker Gruppe 7 Versuchsdurchführung am 24.05.2006 Blattzahl (inkl. Deckblatt): 20 Seite 1 von 20 Inhaltsverzeichnis 1.
MehrStand: 05.07.2001 Seite 3-1
Inhaltsverzeichnis: Thema Bereiche Seite Thyristordiode Funktionsweise, Aufbau und Schaltzeichen 3-2 Kennlinie 3-2 Thyristor Funktionsweise, Aufbau und Schaltzeichen 3-3 Kennlinie 3-3 Thyristortetrode
MehrTechnical Note Nr. 101
Seite 1 von 6 DMS und Schleifringübertrager-Schaltungstechnik Über Schleifringübertrager können DMS-Signale in exzellenter Qualität übertragen werden. Hierbei haben sowohl die physikalischen Eigenschaften
MehrBipolartransistoren. Humboldt-Universität zu Berlin Institut für Physik Elektronik-Praktikum. Versuch 2
Versuch 2 Bipolartransistoren 1. Einleitung In diesem Versuch werden zunächst die elementaren Eigenschaften bipolarer Transistoren untersucht. Anschließend erfolgt ihr Einsatz in einigen Verstärker- Grundschaltungen.
MehrUK-electronic 2013/15
UK-electronic 2013/15 Bauanleitung für Manni das Mammut V1.1. Seite 2...Grundlagen Seite 3...Materialliste Seite 4...6...Bestückung der Leiterplatte Seite 7...Verdrahtungsplan Seite 8...Hinweise Seite
MehrAufgaben. 2.1. Leiten Sie die Formeln (9) und (10) her! Vorbetrachtungen. Der High-Fall
Aufgaben 2.1. Leiten Sie die Formeln (9) und (10) her! Vorbetrachtungen I. Die open-collector-gatter auf der "in"-seite dürfen erst einen High erkennen, wenn alle open-collector-gatter der "out"-seite
MehrAGROPLUS Buchhaltung. Daten-Server und Sicherheitskopie. Version vom 21.10.2013b
AGROPLUS Buchhaltung Daten-Server und Sicherheitskopie Version vom 21.10.2013b 3a) Der Daten-Server Modus und der Tresor Der Daten-Server ist eine Betriebsart welche dem Nutzer eine grosse Flexibilität
MehrStufenschaltung eines Elektroofens Berechnen Sie den Gesamtwiderstand des voll eingeschalteten Wärmegerätes!
TECHNOLOGSCHE GUNDLAGEN LÖSUNGSSATZ E.60 Stufenschaltung eines Elektroofens Berechnen Sie den Gesamtwiderstand des voll eingeschalteten Wärmegerätes! 40,3Ω 30V = 80, 6Ω = 80, 6Ω TECHNOLOGSCHE GUNDLAGEN
MehrELEXBO Elektro-Experimentier-Box Lehrgang Elektronik
1 Inhaltsverzeichnis Einleitung.2 Elektronik...2 Theorie der Halbleitertechnik 3 Aufbau der Diode und Darstellung..5 Eigenschaften der Diode...6 Anwendungen der Diode 7 Die Zenerdiode 8 Anwendungen der
MehrWie lässt sich der Vorwiderstand einer LED berechnen? Gruppe: 3. Folgende Website ist im Internet zu finden (leicht abgeändert):
Wie lässt sich der Vorwiderstand einer LED berechnen? Gruppe: 3 Informationen aus dem Internet UE: Klasse: Folgende Website ist im Internet zu finden (leicht abgeändert): http://www.bader-frankfurt.de/widerstandberechn.htm
MehrNANO III. Operationen-Verstärker. Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen
NANO III Operationen-Verstärker Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen Verwendete Gesetze Gesetz von Ohm = R I Knotenregel Σ ( I ) = Maschenregel Σ ( ) = Ersatzquellen Überlagerungsprinzip Voraussetzung:
Mehr1.3.2 Resonanzkreise R L C. u C. u R. u L u. R 20 lg 1 , (1.81) die Grenzkreisfrequenz ist 1 RR C . (1.82)
3 Schaltungen mit frequenzselektiven Eigenschaften 35 a lg (8) a die Grenzkreisfrequenz ist Grenz a a (8) 3 esonanzkreise 3 eihenresonanzkreis i u u u u Bild 4 eihenresonanzkreis Die Schaltung nach Bild
MehrKlausur 23.02.2010, Grundlagen der Elektrotechnik I (BSc. MB, SB, VT, EUT, BVT, LUM) Seite 1 von 6. Antwort (ankreuzen) (nur eine Antwort richtig)
Klausur 23.02.2010, Grundlagen der Elektrotechnik I (BSc. MB, SB, VT, EUT, BVT, LUM) Seite 1 von 6 1 2 3 4 5 6 Summe Matr.-Nr.: Nachname: 1 (5 Punkte) Drei identische Glühlampen sind wie im Schaltbild
MehrSichere E-Mail Anleitung Zertifikate / Schlüssel für Kunden der Sparkasse Germersheim-Kandel. Sichere E-Mail. der
Sichere E-Mail der Nutzung von Zertifikaten / Schlüsseln zur sicheren Kommunikation per E-Mail mit der Sparkasse Germersheim-Kandel Inhalt: 1. Voraussetzungen... 2 2. Registrierungsprozess... 2 3. Empfang
MehrSimulation LIF5000. Abbildung 1
Simulation LIF5000 Abbildung 1 Zur Simulation von analogen Schaltungen verwende ich Ltspice/SwitcherCAD III. Dieses Programm ist sehr leistungsfähig und wenn man weis wie, dann kann man damit fast alles
MehrMessung elektrischer Größen Bestimmung von ohmschen Widerständen
Messtechnik-Praktikum 22.04.08 Messung elektrischer Größen Bestimmung von ohmschen Widerständen Silvio Fuchs & Simon Stützer 1 Augabenstellung 1. Bestimmen Sie die Größen von zwei ohmschen Widerständen
MehrSpannungsversorgung für Mikrocontroller-Schaltungen DH1AAD, Ingo Gerlach, 20.11.2011, e-mail : Ingo.Gerlach@onlinehome.de
Spannungsversorgung für Mikrocontroller-Schaltungen DH1AAD, Ingo Gerlach, 20.11.2011, e-mail : Ingo.Gerlach@onlinehome.de Ziel Der Hintergrund für die Entwicklung diese Netzteiles war, das hier am Computer-Arbeitstisch
MehrLineargleichungssysteme: Additions-/ Subtraktionsverfahren
Lineargleichungssysteme: Additions-/ Subtraktionsverfahren W. Kippels 22. Februar 2014 Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 2 2 Lineargleichungssysteme zweiten Grades 2 3 Lineargleichungssysteme höheren als
MehrLiegt an einem Widerstand R die Spannung U, so fließt durch den Widerstand R ein Strom I.
Einige elektrische Grössen Quelle : http://www.elektronik-kompendium.de Formeln des Ohmschen Gesetzes U = R x I Das Ohmsche Gesetz kennt drei Formeln zur Berechnung von Strom, Widerstand und Spannung.
MehrELEXBO A-Car-Engineering
1 Aufgabe: -Bauen Sie alle Schemas nacheinander auf und beschreiben Ihre Feststellungen. -Beschreiben Sie auch die Unterschiede zum vorherigen Schema. Bauen Sie diese elektrische Schaltung auf und beschreiben
MehrBauanleitung Elektronik Version 1.0. April 2015 M.Haag
April 2015 M.Haag 1 Inhaltsverzeichnis 1. Kontakt...2 2. Benötigtes Werkzeug...3 3. Löten...3 4. Teile Übersicht...4 5. Löten der Elektronik Vorderseite...5 5.1 Widerstand R3 - R5...5 5.2 Widerstand R6
MehrAmateurfunk-Kurs Ortsverband C Ø1, Vaterstetten 16.01.06
Netzteil 1 Netzgerätetechnik Die bei fast allen elektronischen Geräten benötigte Betriebspannung ist eine Gleichspannung, die üblicherweise in einem Bereich von 6..24 V liegt. Um diese Betriebspannungen
MehrÜbung Halbleiterschaltungstechnik
Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2011/12 Übungsleiter: Hannes Antlinger Martin Heinisch Thomas Voglhuber-Brunnmaier Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 4040 Linz, Internet:
Mehr6.2 Scan-Konvertierung (Scan Conversion)
6.2 Scan-Konvertierung (Scan Conversion) Scan-Konvertierung ist die Rasterung von einfachen Objekten (Geraden, Kreisen, Kurven). Als Ausgabemedium dient meist der Bildschirm, der aus einem Pixelraster
MehrB 2. " Zeigen Sie, dass die Wahrscheinlichkeit, dass eine Leiterplatte akzeptiert wird, 0,93 beträgt. (genauerer Wert: 0,933).!:!!
Das folgende System besteht aus 4 Schraubenfedern. Die Federn A ; B funktionieren unabhängig von einander. Die Ausfallzeit T (in Monaten) der Federn sei eine weibullverteilte Zufallsvariable mit den folgenden
MehrElektrotechnisches Laboratorium
E Labor Schutzbeschaltungen 1 Höhere Technische Bundes-, Lehr- u. Versuchsanstalt (BULME) Graz Gösting Abgabedatum: Elektrotechnisches Laboratorium Jahrgang: 2004/05 Gruppe: 3 Name: Schriebl, Forjan, Schuster
MehrThermosensoren Sensoren
Thermosensoren Sensoren (Fühler, Wandler) sind Einrichtungen, die eine physikalische Grösse normalerweise in ein elektrisches Signal umformen. Die Messung der Temperatur gehört wohl zu den häufigsten Aufgaben
MehrFach BK4 Elektrotechnik Serie A. Prüfungsdatum. Kandidat / Nr. ... ... Allgemeine Bestimmungen: Notenschlüssel: Erreichte Punktzahl: Note: Visum:.../.
Kantonale Prüfungskommission Lehrabschlussprüfung Elektromonteure Fach BK4 Elektrotechnik Serie A Prüfungsdatum Kandidat / Nr................ Allgemeine Bestimmungen: ie Aufgaben dürfen nur an der Lehrabschlussprüfung
Mehr6 Wechselstrom-Schaltungen
für Maschinenbau und Mechatronik Carl Hanser Verlag München 6 Wechselstrom-Schaltungen Aufgabe 6.1 Durch ein Grundeintor C = 0,47 µf an der Sinusspannung U = 42 V fließt ein Sinusstrom mit dem Effektivwert
MehrSCHÜEX MECKLENBURG-VORPOMMERN
DEUTSCHE GESELLSCHAFT FÜR ZERSTÖRUNGSFREIE PRÜFUNG E.V. ZfP-Sonderpreis der DGZfP beim Landeswettbewerb Jugend forscht SCHÜEX MECKLENBURG-VORPOMMERN Der Transistor - Anschlussermittlung und Kennlinienaufnahme
MehrPhysik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1
Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor latt 1 Aufbau eines Transistors Ein npn-transistor entsteht, wenn man zwei n-dotierte Schichten mit einer dünnen dazwischen liegenden p-dotierten Schicht
Mehr