BPY 62. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62. Wesentliche Merkmale

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1 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm Hohe Linearität Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 C Gruppiert lieferbar fmof6019 Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm High linearity Hermetically sealed metal package (TO-18) with base connection suitable up to 125 C Available in groups Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln Applications Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Typ Type BPY 62 BPY 62-2 BPY 62-3 BPY 62-4 BPY ) Bestellnummer Ordering Code Q60215-Y62 Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q62702-P1113 1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. 1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Semiconductor Group

2 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Verlustleistung, T A = 25 C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Wert Value T op ; T stg C T S 260 C T S 300 C V CE 50 V I C 100 ma I CS 200 ma V EB 7 V Einheit Unit P tot 200 mw R thja 500 K/W Semiconductor Group 239

3 Kennwerte (T A = 25 C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S max Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode E e = 0.5 mw/cm 2, V CB = 5 V E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, V CB = 5 V Kapazität Capacitance V CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 V CB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 V EB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Dunkelstrom Dark current V CE = 35 V, E = 0 Wert Value λ S max 850 nm λ nm Einheit Unit A 0.12 mm 2 L B mm mm L W H mm ϕ ± 8 Grad deg. I PCB 4.5 I PCB 17 C CE C CB C EB µa µa pf pf pf I CEO 5 ( 100) na Semiconductor Group 240

4 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Wert Value Einheit Unit Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, V CE = 5 V I PCE I PCE ma ma Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage I C = I PCEmin 1) 0.3, E e = 0.5 mw/cm 2 Stromverstärkung Current gain E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V t r, t f µs V CEsat mv I PCE I PCB 1) 1) I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 241

5 Relative spectral sensitivity S rel = f (λ) Photocurrent I PCE = f (E e ), V CE = 5 V Total power dissipation P tot = f (T A ) Output characteristics I C = f (V CE ), I B = Parameter Output characteristics I C = f (V CE ), I B = Parameter Dark current I CEO = f (V CE ), E = 0 Photocurrent I PCE /I PCE25 o = f (T A ), V CE = 5 V Dark current I CEO /I CEO25 o = f (T A ), V CE = 25 V, E = 0 Collector-emitter capacitance C CE = f (V CE ), f = 1 MHz, E = 0 Semiconductor Group 242

6 Collector-base capacitance C CB = f (V CB ), f = 1 MHz, E = 0 Emitter-base capacitance C EB = f (V EB ), f = 1 MHz, E = 0 Directional characteristics S rel = f (ϕ) Semiconductor Group 243

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