Surface not flat ø = GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

Transkript

1 SFH 56 IR-mpfänger/Demodulator-Baustein IR-Receiver/Demodulator Device SFH 56 X max. V OUT V S GND Surface not flat.3 B ø.5 B.54 X.5.54 = x R Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Fotodiode mit integriertem Verstärker Angepaßt an verschiedene Trägerfrequenzen Gehäuse schwarz eingefärbt: Verguß optimiert für eine Wellenlänge von 95 nm Hohe Störsicherheit Geringe Stromaufnahme 5 V Betriebsspannung Hohe mpfindlichkeit TTL und CMOS kompatibel Verwendbar bis zu einem Tastverhältnis 4 % GX684 Features Photodiode with hybride integrated circuit Available for several carrier frequencies Black epoxy resin, daylight filter optimized for 95 nm High immunity against ambient light Low power consumption 5 V supply voltage High sensitivity (internal shield case) TTL and CMOS compatibility Continuous transmission possible (t pi /T ) fex684 Anwendungen mpfänger für IR-Fernsteuerungen Applications IR-remote control preamplifier modules Typ Trägerfrequ. Bestellnr. Typ Trägerfrequ. Bestellnr. Type Carrier Frequency khz Ordering Code Type Carrier Frequency khz Ordering Code SFH Q67-P96 SFH Q67-P99 SFH Q67-P97 SFH Q67-P SFH Q67-P98 SFH Q67-P Semiconductor Group 5.97

2 SFH 56 Input Control Circuit k Ω V S PIN AGC Bandpass Demodulator 3 OUT GND OHF98 Blockschaltbild Block Diagram Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operation and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature range Löttemperatur Lötstelle mm vom Gehäuse; Lötzeit t 5 s Soldering temperature soldering joint mm distance from package, soldering time t 5 s Betriebsspannung Pin Supply voltage Betriebsstrom Pin Supply current Ausgangsspannung Pin 3 Output voltage Ausgangsstrom Pin 3 Output current Verlustleistung Total power dissipation T A 85 C Wert Value T A, T stg C T j C T S 6 C V S V I CC 5 ma V OUT V I OUT 5 ma inheit Unit P tot 5 mw Semiconductor Group

3 SFH 56 Kennwerte (T A = 5 C) Characteristics Bezeichnung Description Betriebsspannung Supply voltage Bestrahlungsstärke (Testsignal, s. Figure ) Threshold irradiance (test signal, see Fig. ) Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Range of spectral sensitivity S = % of S max Halbwinkel Half angle Stromaufnahme Pin Current consumption V s = 5 V, v = V s = 5 V, v = 4 Ix, sunlight Ausgangsspannung Pin 3 Output voltage I OUT =.5 ma, e =.7 mw/m, f = f, T p /T = Wert Value V S typ. 5. ( ) (3-4 khz) ) (56 khz) ) e max ) typ..35 (<.5) typ. (<.6) 3 inheit Unit V mw/m W/m λ s max 95 nm λ nm ϕ ± 45 deg. I CC.6 (< ) I CC. ma ma V OUT low < 5 mv ) In Verbindung mit einer typ. SFH 45 bei Betrieb mit I F =.5 A wird eine Reichweite von ca. 35 m erreicht. ) Together with an IRD SFH 45 under operation conditions of I F =.5 A a distance of 35 m is possible. Semiconductor Group 3

4 _< SFH 56 SFH 56/57 *) 4.7 µf *) 33 Ω > k Ω optional +5V 3 µc *) only necessary to suppress power supply disturbances GND OHF97 Figure xterne Beschaltung xternal circuit e t *) t pi V O T *) t pi 4 µ s is recommended for optimal function V OH V OL t po t po = t pi ± 6 µs OHF95 t Figure Testsignal Test signal Semiconductor Group 4

5 SFH 56 Relative sensitivity / e = f (f / f ) Sensitivity vs. dark ambient T p out = f ( e ) λ = 95 nm, optical test signal Sensitivity vs. supply voltage disturbances, = f ( V S RMS ). OHF87 OHF89 OHF9 / e T p out µ s input burst duration mw/m f = f khz Hz f / f - mw/m e - - mv V 3 s RMS Sensitivity vs. electric field disturbance = f (), field strength of disturbance, f = f. mw/m.6.. OHF9. kv/m. Sensitivity vs. duty cycle e = f (t p / T) 9. mw/m OHF t p / T Vertical directivity ϕ y ϕ OHF Relative luminous intensity S rel = f (λ), T A = 5 o C S rel. OHF93 Sensitivity vs. bright ambient = f (), λ = 95 nm, ambient mw/m OHF9 Horizontal directivity ϕ x - ϕ OHF nm 5 λ W/m Semiconductor Group 5

6 SFH 56 Output pulse T on, T off = f( e ). ms OHF34 T on,t off Ton.6 T off. λ = 95 nm mw/m e Semiconductor Group 6