Gabellichtschranke Slotted Interrupter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 9315

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "Gabellichtschranke Slotted Interrupter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 9315"

Transkript

1 Gabellichtschranke Slotted Interrupter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 9315 Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (95 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Anwendungen Geschwindigkeitsüberwachung Motorsteuerung Überwachung des Papiervorschubs in Druckern, Kopier- und Faxgeräten Speicherlaufwerke Steuerung des Druckkopfes in Druckern Münzdetektion Optoelektronische Schalter Features Compact type GaAs infrared emitter (95 nm) Silicon phototransistor detector with daylight-cutoff filter Applications Speed control Motor control Monitoring of paper feed in printers, copiers, facsimiles Disk drives Control of print head in printers Coin detection Optoelectronic switches Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 9315 Q6511A I CE min. [ma] (I F = 2 ma; V CE = 5 V)

2 Grenzwerte T A = 25 C Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Wert Value Einheit Unit Sender (GaAs-Diode) Emitter (GaAs Diode) Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance V R 5 V I F (DC) 4 ma P tot 65 mw R thja 28 K/W Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (Silicon Phototransistor) Kollektor-Emitter-Spannung Collector-emitter voltage Kollektor-Emitter-Spannung, (t 2 min) Collector-emitter voltage, (t 2 min) Emitter-Kollektor-Spannung Emitter-collector voltage Kollektorstrom Collector current Verlustleistung Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance V CE 15 V V CE 3 V EC 7 I C 15 ma P tot 65 mw R thja 28 K/W Gabellichtschranke Slotted Interrupter Lagertemperatur Storage temperature range Betriebstemperatur Operating temperature range Elektrostatische Entladung Electrostatic discharge T stg C T op ESD 2 kv

3 Kennwerte T A = 25 C Characteristics Bezeichnung Parameter Wert Value Einheit Unit Sender (GaAs-Diode) Emitter (GaAs Diode) Wellenlänge der Strahlung Wavelength of peak emission Durchlaβspannung Forward voltage I F = 2 ma, t p = 2 ms Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Kapazität Capacitance V R = V, f = 1 MHz λ peak 95 nm V F 1.2 ( 1.4) V I R.1 ( 1) µa C 16 pf Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (Silicon Phototransistor) Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spectr. Bereich der Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity S = 1% of S max Kapazität Capacitance V CE = V, f = 1 MHz, E = Dunkelstrom Dark current V CE = 2 V λ S max 92 nm λ nm C CE 4.5 pf I CEO 2 ( 5) na

4 Kennwerte T A = 25 C Characteristics (cont d) Bezeichnung Parameter Wert Value Einheit Unit Gabellichtschranke Slotted interrupter Kollektor-Emitterstrom Collector-emitter current I F = 2 ma; V CE = 5 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter-saturation voltage I F = 2 ma; I C =.2 ma Anstiegs- und Abfallzeit Rise and fall time V CC = 5 V, I C = 1 ma, R L = 1 kω I CE min..7 ma V CE sat.4 V t r 13 t f 17 µs µs

5 Forward Current I F = f (V F ) Single pulse, t p = 2 µs 1 3 OHF63 ma I F Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) 5 ma I F OHF628 Dark Current I CEO = f (T A ) V CE = 2 V, E = Ι 1 3 na CEO OHF = 28 K/W R thja V 5 V F C 1 T A C 1 TA

6 Maßzeichnung Package Outlines (.567) 14. (.551) 5.2 (.25) 4.8 (.189) Optical axis 6.2 (.244) 5.8 (.228) Marking this side 3.5 (.138) 2.5 (.98).6 (.24).4 (.16).5 (.2).3 (.12) 1.5 (.413) 2.74 (.18) 2.34 (.92) 8. (.315) 1.5 (.413) 1.1 (.398).6 (.24).4 (.16) 2.54 (.1) 7.8 (.37) 7.7 (.33) 1.1 (.398) 2. (.79) 1 Circuitry 4 Emitter Sensor 2 3 GPXY61 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch)

7 Löthinweise Soldering Conditions Bauform Type Tauch-, Schwalllötung Dip, Wave Soldering Reflowlötung Reflow Soldering Kolbenlötung Iron Soldering Peak Temp. (solderbath) Max. Time in Peak Zone Peak Temp. (package temp.) Max. Time in Peak Zone (Iron temp.) SFH C 1 s n. a. 3 C < 5 s Lötbedingungen Soldering Conditions Wellenlöten (TTW) (nach CECC 82) TTW Soldering (acc. to CECC 82) T 3 C C C 1. Welle 1. wave 1 s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s 1 1 C C 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t

8 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an

Mehr

SFH 203 P, SFH 203 PFA

SFH 203 P, SFH 203 PFA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 3 P SFH 3 PFA SFH 3 P SFH 3 PFA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900

SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900 Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900 feo06270 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 31 SFH 31 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 45 nm... 11 nm (SFH 31), 74 nm... 11 nm (SFH 31

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 73... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 214-8-1 Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 47...

Mehr

IR-Empfänger für Fernbedienungen IR-Receiver for Remote Control Systems SFH 5110 SFH 5111

IR-Empfänger für Fernbedienungen IR-Receiver for Remote Control Systems SFH 5110 SFH 5111 IR-Empfänger für Fernbedienungen IR-Receiver for Remote Control Systems SFH 5 SFH 5 Beschreibung SFH 5 und SFH 5 sind Infrarot-Empfänger für die Erkennung von Signalen aus Infrarot-Fernbedienungssystemen

Mehr

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit 27-4-3 GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1. SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Peak wavelength of 95 nm Wellenlänge der Strahlung 95 nm Narrow

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 81. Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 81. Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 2015-06-24 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 81 Features: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Besondere Merkmale: Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.2 BPX 48

Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.2 BPX 48 215-9-4 Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.2 BPX 48 Features: Especially suitable for applications from 4 nm to 11 nm High photosensitivity DIL plastic package with

Mehr

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2701

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2701 28-12-4 High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1. SFH 271 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen von 4 nm bis

Mehr

Display with controlling function Anzeige mit Funktionskontrolle

Display with controlling function Anzeige mit Funktionskontrolle 212-8-17 Multi TOPLED with LED and Phototransistor-Detector Multi TOPLED mit LED und Fototransistor-Detektor Version 1. SFH 722 Features: Besondere Merkmale: Display function can be controlled by built-in

Mehr

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 320, SFH 320 FA

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 320, SFH 320 FA 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 32, SFH 32 FA SFH 32 SFH 32 FA Features: Spectral range of sensitivity: 45

Mehr

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 90/120mW (T Case = 25 C) Typ.

Mehr

0.6 0.4. 4.0 3.6 Chip position. ø2.9 GEO06653. Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified

0.6 0.4. 4.0 3.6 Chip position. ø2.9 GEO06653. Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 39 2.54 mm spacing Collector (Transistor) Cathode (Diode).7 1.8 1.2 29 27.8 Area not flat 5.2 4.5 (3.5) 4.1 3.9 6.3 5.9 ø3.1 ø2.9 4. 3.6 Chip

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Multi-Chip-Gehäuse mit 3 Emittern und einem Detektor Small package: (WxDxH) 4.7 mm x 2.5 mm x 0.9 mm

Multi-Chip-Gehäuse mit 3 Emittern und einem Detektor Small package: (WxDxH) 4.7 mm x 2.5 mm x 0.9 mm ! 2007-05-23 BioMon Sensor Version alpha.3 BioMon Draft - This design is for Reference only. Features: Besondere Merkmale: Multi chip package featuring 3 emitters and one detector Multi-Chip-Gehäuse mit

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Wesentliche Merkmale Punktlichtquelle mit hohem Wirkungsgrad bei

Mehr

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 120mW (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge

Mehr

Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 PRELIMINARY

Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 PRELIMINARY Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 PRELIMINARY Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten

Mehr

Blaue Laser Diode 1.6 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.6 W in TO56 Package PL TB450B PRELIMINARY

Blaue Laser Diode 1.6 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.6 W in TO56 Package PL TB450B PRELIMINARY Blaue Laser Diode 1.6 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.6 W in TO56 Package PL TB450B PRELIMINARY Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 44 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale max.

Mehr

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 29-9-3 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. SFH 487 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

Mehr

Slotted Interrupter Gabellichtschranke Version 1.1 SFH 9540

Slotted Interrupter Gabellichtschranke Version 1.1 SFH 9540 2015-05-08 Slotted Interrupter Gabellichtschranke Version 1.1 SFH 9540 Features: Suitable for surface mounting (SMT) Compact housing out of black LCP GaAs infrared emitter (950 nm) Silicon phototransistor

Mehr

Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 515 PRELIMINARY

Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 515 PRELIMINARY Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 515 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 30mW (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge:

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger

Mehr

Grüne Laser Diode im TO56 Gehäuse Green Laser Diode in TO56 Package PLT5 520 TARGET DATASHEET

Grüne Laser Diode im TO56 Gehäuse Green Laser Diode in TO56 Package PLT5 520 TARGET DATASHEET Grüne Laser Diode im TO56 Gehäuse Green Laser Diode in TO56 Package PLT5 520 TARGET DATASHEET Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 50 &30 mw (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge:

Mehr

GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269

GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 215-6-24 GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 26, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 Features: Besondere Merkmale: GaAs infrared emitting

Mehr

Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4730, SFH 4740. SFH 4730 Black frame to minimize scattered light 3 W optical power

Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4730, SFH 4740. SFH 4730 Black frame to minimize scattered light 3 W optical power Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 473, 473 473 Schwarzer Rahmen zur Streulichtminimierung 3 W optische Leistung Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung 3.6 W optische Leistung Wesentliche

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4235

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4235 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle

Mehr

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750 21-4-21 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) - 14 Version 1.1 SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2

Mehr

Blaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL 450B PRELIMINARY

Blaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL 450B PRELIMINARY Blaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL 450B PRELIMINARY Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden 215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4846 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm

Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm 214-1- Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 61 Features: Besondere Merkmale: Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 4 nm to 1 nm Speziell

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 214-8-5 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BP 13 Features: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 nm Package: Metal Can (TO-18), Epoxy Special: Base connection High

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141 215-1-21 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1. SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow

Mehr

Optical threshold switch Optischer Schalter Pulseformer Pulsformer Counter Zähler

Optical threshold switch Optischer Schalter Pulseformer Pulsformer Counter Zähler 2010-09-15 Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Version 1.0 SFH 5440 Features: Besondere Merkmale: Output: active "low" Ausgang: aktiv "low" Suitable for applications

Mehr

IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit Schmitt-Trigger IC

IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit Schmitt-Trigger IC 202-08-7 Reflective Interrupter with Schmitt-Trigger Reflexlichtschranke mit Schmitt-Trigger Version.0 (not for new design) SFH 9240 Features: Besondere Merkmale: IR-GaAs-emitter in combination with a

Mehr

Laser Diode on Submount 2.0 W cw (C-Mount) Laser Diode in offener Bauform 2.0 W cw (C-Mount) SPL CG94-2S

Laser Diode on Submount 2.0 W cw (C-Mount) Laser Diode in offener Bauform 2.0 W cw (C-Mount) SPL CG94-2S Laser Diode on Submount 2.0 W cw (C-Mount) Laser Diode in offener Bauform 2.0 W cw (C-Mount) SPL CG94-2S Besondere Merkmale Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten Betriebsmodus Zuverlässige

Mehr

InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (632 nm, High Optical Power) InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (632 nm, High Optical Power)

InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (632 nm, High Optical Power) InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (632 nm, High Optical Power) InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (632 nm, High Optical Power) InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (632 nm, High Optical Power) F 1998A Vorläufige Daten/Preliminary Data Wesentliche Merkmale

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 400, SFH 401

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 400, SFH 401 27-12-7 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 4, SFH 41 SFH 4 SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Cathode is electrically connected to the case Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

Mehr

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.2 SFH 320, SFH 320 FA

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.2 SFH 320, SFH 320 FA 214-6-4 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.2 SFH 32, SFH 32 FA SFH 32 SFH 32 FA / FAG Features: Spectral range of sensitivity:

Mehr

Green Laser Diode in TO56 Package Grüne Laser Diode in TO56 Gehäuse Version 0.1 PLT5 520_B1_2_3 DRAFT -

Green Laser Diode in TO56 Package Grüne Laser Diode in TO56 Gehäuse Version 0.1 PLT5 520_B1_2_3 DRAFT - o2007-05-23 Green Laser Diode in TO56 Package Grüne Laser Diode in TO56 Gehäuse Version 0.1 DRAFT - This design is for Reference only. Subject to change PLT5 520 Features Besondere Merkmale Optical output

Mehr

SPL LL85. High-speed operation (< 30 ns pulse width) Low supply voltage (< 9 V) Laser aperture 200 µm x 2 µm

SPL LL85. High-speed operation (< 30 ns pulse width) Low supply voltage (< 9 V) Laser aperture 200 µm x 2 µm Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL LL8 Besondere

Mehr

Green Laser Diode in TO38 ICut Package Grüne Laser Diode in TO38 ICut Gehäuse Version 1.0 PL 520

Green Laser Diode in TO38 ICut Package Grüne Laser Diode in TO38 ICut Gehäuse Version 1.0 PL 520 2007-05-23 Green Laser Diode in TO38 ICut Package Grüne Laser Diode in TO38 ICut Gehäuse Version 1.0 PL 520 Features Besondere Merkmale Optical output power (continuous wave): Optische Ausgangsleistung

Mehr

SPL LL85 2009-03-04 1

SPL LL85 2009-03-04 1 29-3-4 Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: Low cost,

Mehr

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750 2-12-1 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Version 1. SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2 mm² Aktive

Mehr

Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4250

Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4250 Infrarot-LED mit hoher usgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher usgangsleistung

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4554. Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4554. Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 214-11-1 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1. SFH 4554 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 86nm Wellenlänge 86nm Narrow half angle ± 1 Enger Halbwinkel ± 1 Short switching

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4546 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

High Accuracy Ambient Light Sensor Hochgenauer Umgebungslichtsensor Version 1.5 SFH 5711

High Accuracy Ambient Light Sensor Hochgenauer Umgebungslichtsensor Version 1.5 SFH 5711 2015--20 High Accuracy Ambient Light Sensor Hochgenauer Umgebungslichtsensor Version 1.5 SFH 5711 Features: Besondere Merkmale: Opto hybrid with logarithmic current output Optohybrid mit logarithmischem

Mehr

This design is for Reference only. Subject to change - may be necessary in a limited number of cases.

This design is for Reference only. Subject to change - may be necessary in a limited number of cases. 2007-05-23 Cyan Diode in TO56 Package Datasheet Draft Version 0.1 PLT5 488 PLT5 488 Draft- This design is for Reference only. Subject to change - may be necessary in a limited number of cases. Features

Mehr

Green Laser Diode in TO56 Package Grüne Laser Diode in TO56 Gehäuse Version 0.1 PLT5 510

Green Laser Diode in TO56 Package Grüne Laser Diode in TO56 Gehäuse Version 0.1 PLT5 510 o2007-05- Green Laser Diode in TO56 Package Grüne Laser Diode in TO56 Gehäuse Version 0.1 PLT5 510 Features Besondere Merkmale Optical output power (continuous wave): 10 mw (T case = 25 C) Optische Ausgangsleistung

Mehr

Green Laser Diode in TO56 Package Grüne Laser Diode in TO56 Gehäuse Version 0.1 PLT5 520_B4_5_6 DRAFT -

Green Laser Diode in TO56 Package Grüne Laser Diode in TO56 Gehäuse Version 0.1 PLT5 520_B4_5_6 DRAFT - 2007-05-23 Green Laser Diode in TO56 Package Grüne Laser Diode in TO56 Gehäuse Version 0.1 DRAFT - This design is for Reference only. Subject to change PLT5 520 Features Besondere Merkmale Optical output

Mehr

Red Laser Diode on Submount 0.5 W cw Rote Laser Diode in offener Bauform 0.5 W cw SPL CG65

Red Laser Diode on Submount 0.5 W cw Rote Laser Diode in offener Bauform 0.5 W cw SPL CG65 Red Laser Diode on Submount 0.5 W cw Rote Laser Diode in offener Bauform 0.5 W cw SPL CG65 Besondere Merkmale Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrichbetrieb Zuverlässige kompressiv verspannte InGaP

Mehr

Available on tape and reel Gegurtet lieferbar SMT package with IR emitter (850 nm) and Si-phototransistor

Available on tape and reel Gegurtet lieferbar SMT package with IR emitter (850 nm) and Si-phototransistor 213-8-14 Infrared-Emitter (85 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (85 nm) und Si-Fototransistor Version 1. SFH 725 Features: Besondere Merkmale: Available on tape and reel Gegurtet lieferbar SMT package

Mehr

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 485 P

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 485 P 29-8-21 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

Mehr

Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 25 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 25 W Peak Power

Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 25 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 25 W Peak Power Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage Peak Power SPL LL90 Besondere Merkmale Kleines kostengütiges Plastik-Gehäuse

Mehr

Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten Betriebsmodus Reliable InGa(Al)As strained quantum-well structure

Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten Betriebsmodus Reliable InGa(Al)As strained quantum-well structure 2010-05-12 Laser Diode on Submount 2.0 W cw (C-Mount) Laser Diode in offener Bauform 2.0 W cw (C-Mount) Version 1.0 Features: Besondere Merkmale: Efficient radiation source for cw and pulsed operation

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 212-3-27 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4236 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle

Mehr

Optical threshold switch Optischer Schalter Pulse former Pulsformer Counter Zähler

Optical threshold switch Optischer Schalter Pulse former Pulsformer Counter Zähler 2013-11-05 Reflective Interrupter with Schmitt-Trigger Reflexlichtschranke mit Schmitt-Trigger Version 1.1 SFH 9245 Features: Besondere Merkmale: 940nm emitter in combination with a Schmitt-Trigger IC

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4841. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4841. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC 215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4841 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

OSLON Black Series (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4725S

OSLON Black Series (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4725S OSLON Black Series (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4725S DRAFT - This design is for Reference only. Subject to change without notice. Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad

Mehr

TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770

TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770 TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal

Mehr

Reflexlichtschranke Reflective Optical Switch Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 7740

Reflexlichtschranke Reflective Optical Switch Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 7740 Reflexlichtschranke Reflective Optical Switch Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 7740 not for new design (replacement SFH 7741) Wesentliche Merkmale Arbeitsabstand: 0.5-4 mm Arbeitsbereich einstellbar

Mehr

Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 DIN humidity caregory in acc. with DIN 40 040 GQG

Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 DIN humidity caregory in acc. with DIN 40 040 GQG 27-12-7 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 242 Features: Besondere Merkmale: Fabricated in a liquid phase epitaxy process Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Cathode is electrically

Mehr

Mounting-hole Ø6+0.2 mm. Connection pins. Farbe / colour. gelb / yellow. λ DOM / nm 628 588 570 470 x = 0,25-0,37 y = 0,205-0,375 2φ / 70 70 70 50 50

Mounting-hole Ø6+0.2 mm. Connection pins. Farbe / colour. gelb / yellow. λ DOM / nm 628 588 570 470 x = 0,25-0,37 y = 0,205-0,375 2φ / 70 70 70 50 50 Metallleuchte SMZS 06 Innenreflektor Metal Indicator SMZS 06 Inside Reflector Spezifikation -Leuchte für Schraubbefestigung M6x0,5 mm. Lieferung incl. Unterlegring und Befestigungsmutter (montiert). Specification

Mehr

EMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 B32922 X2 MKP/SH 40/100/21/C

EMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 B32922 X2 MKP/SH 40/100/21/C EMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 X2 capacitors with very small dimensions Rated ac voltage 275 and 300 V, 50/60 Hz Construction Dielectric: polypropylene (MKP) Plastic case (UL 94

Mehr

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4045N

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4045N 215-3-2 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 Features: High Power Infrared LED Short switching time small package: (WxDxH) 3 mm x 2.65

Mehr

SFH 426 same package as SFH 325 SFH 426 Gehäusegleich mit SFH 325 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen

SFH 426 same package as SFH 325 SFH 426 Gehäusegleich mit SFH 325 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen 213-1-16 GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse Version 1. (not for new design) SFH 426 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH 4256 Ersatz: SFH 4256 Very

Mehr

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001- HBM, Klasse 2 Narrow half angle (+/- 12 ) Enger Abstrahlwinkel (+/- 12 )

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001- HBM, Klasse 2 Narrow half angle (+/- 12 ) Enger Abstrahlwinkel (+/- 12 ) 2014-03-10 Narrow beam LED in Dragon Dome package (850nm) Engwinklige LED im Dragon Dome Gehäuse (850 nm) Version 1.3 SFH 4783 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle

Mehr

BLUE LINE TM Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LB 3336

BLUE LINE TM Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LB 3336 BLUE LINE TM Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LB 3336 Abgekündigt nach OS-PD-25-2 - wird durch LB 3333 ersetzt werden Obsolete acc. to OS-PD-25-2 - will be replaced by LB 3333 Besondere

Mehr

Green Laser Diode in TO38 ICut Package Grüne Laser Diode in TO38 ICut Gehäuse Version 0.1 PL 520B

Green Laser Diode in TO38 ICut Package Grüne Laser Diode in TO38 ICut Gehäuse Version 0.1 PL 520B 2007-05-23 Green Laser Diode in TO38 ICut Package Grüne Laser Diode in TO38 ICut Gehäuse Version 0.1 Features Besondere Merkmale Optical output power (continuous wave): 80 mw (T case = 25 C) Optische Ausgangsleistung

Mehr

SPL PL90. Pulsed Laser Diode in Plastic Package 25 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 25 W Spitzenleistung Version 1.

SPL PL90. Pulsed Laser Diode in Plastic Package 25 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 25 W Spitzenleistung Version 1. 214-11-28 Pulsed Laser Diode in Plastic Package 25 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 25 W Spitzenleistung Version 1.3 Features: Besondere Merkmale: Optical peak power up to 25 W Optische

Mehr

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011 Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines)

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011 Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines) 214-1-8 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4235 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4250

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4250 213-12-16 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 425 Features: Besondere Merkmale: High forward current allowed at high temperature Hohe

Mehr

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N 213-5-21 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

SIMID 1210-100. Size 1210 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 100 µh Rated current 65 to 800 ma

SIMID 1210-100. Size 1210 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 100 µh Rated current 65 to 800 ma Size 12 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 0 µh Rated current 65 to 800 ma Construction Ceramic or ferrite core Laser-welded winding Flame-retardant encapsulation Features Very wide temperature

Mehr

Narrow beam LED in MIDLED package (850 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (850 nm) Version 1.2 SFH 4650

Narrow beam LED in MIDLED package (850 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (850 nm) Version 1.2 SFH 4650 214-1-31 Narrow beam LED in MIDLED package (85 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (85 nm) Version 1.2 SFH 465 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED (6 mw) Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet Elektrische Kenndaten Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Thermische

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V RRM 1600 V

Mehr

B81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C B81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C. EMI Suppression Capacitors X2 / 275 Vac Not for new design

B81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C B81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C. EMI Suppression Capacitors X2 / 275 Vac Not for new design EMI Suppression Capacitors X2 / X2 capacitors with small dimensions Rated ac voltage 275 V, 50/60 Hz 1) Construction Dielectric: polyester (MKT) Internal series connection Plastic case (UL 94 V-0) Epoxy

Mehr

com.tom PORTAL Registrierung

com.tom PORTAL Registrierung com.tom PORTAL Registrierung Copyright 2000-2010 Beck IPC GmbH Page 1 of 6 TABLE OF CONTENTS 1 AUFGABE... 3 2 DEFINITIONEN... 3 3 PRODUKTE... 3 4 REGISTRIERUNG... 3 5 PROJEKT-REGISTRIERUNG... 4 5.1 PROJEKT...

Mehr

KBU 4AYM. Kunststoffgehäuse

KBU 4AYM. Kunststoffgehäuse KBU 4AYM Silicon-Bridge Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung 4.0 A 35Y700 V Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx.

Mehr

Marketing Information FD 600 R 16 KF4

Marketing Information FD 600 R 16 KF4 European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information FD R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 C2 E2 E2 G1 C2 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16 18 4

Mehr

Technische Information / Technical Information D 1641 SX 45T. tvj = 0 C... tvj max f = 50Hz. tc = 60 C. f = 50Hz I FRMSM 3200 A

Technische Information / Technical Information D 1641 SX 45T. tvj = 0 C... tvj max f = 50Hz. tc = 60 C. f = 50Hz I FRMSM 3200 A Features pecially designed for operation with small snubber Low losses, soft recovery 140 C imum junction temperature Electroactive passivation by a-c:h Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Mehr

BSM10GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

BSM10GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

114-18867 09.Jan 2014 Rev C

114-18867 09.Jan 2014 Rev C Application Specification 114-18867 09.Jan 2014 Rev C High Speed Data, Pin Headers 90 / 180 4pos., shie lded High Speed Data, Stiftleiste 90 / 180, geschirmt Description Beschreibung 1. Packaging of pin

Mehr

SPL LL90_3 2009-03-04 1

SPL LL90_3 2009-03-04 1 29-3-4 Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 7 W Peak Power Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 7 W Spitzenleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: Low cost,

Mehr

Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45

Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45 European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45 15 5,5 SW27 M12 Type Circuit symbol Cathode Anode S Connection pin Case U Case Connection pin Ma

Mehr

SIFI-A Series. SIFI-A for normal insertion loss Rated voltage 250 V~, 50/60 Hz Rated current 1 A to 20 A

SIFI-A Series. SIFI-A for normal insertion loss Rated voltage 250 V~, 50/60 Hz Rated current 1 A to 20 A 2-ine Filters SIFI- Series 4111 SIFI- for normal insertion loss Rated voltage 2 V~, / Hz Rated current 1 to Construction Two-line filter Metal case Polyurethane potting (U 94 V-) Features Compact design

Mehr

OSLON Black Series (850 nm) - 90 Version 1.3 SFH 4715S

OSLON Black Series (850 nm) - 90 Version 1.3 SFH 4715S 215-4-21 OSLON Black Series (85 nm) - 9 Version 1.3 Features: IR lightsource with high efficiency Double Stack emitter Low thermal resistance (Max. 11 K/W) Centroid wavelength 85 nm ESD safe up to 2 kv

Mehr

Marketing Information FZ 800 R 12 KF 4

Marketing Information FZ 800 R 12 KF 4 uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany GmbH + o. KG Marketing Information FZ 8 R 12 KF 4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection to be done

Mehr