Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische orwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max DRM, RRM 1400 repetitive peak forward off-state and reverse voltages orwärts-stoßspitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max DSM 1400 non-repetitive peak foward off-state voltage Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung T vj = + 25 C...T vj max RSM 1500 non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I TRSMSM 600 A RMSM on-state current Dauergrenzstrom T C = 85 C I TAM 340 A average on-state current T C = 77 C 382 A Stoßstrom-Grenzwert T vj = 25 C, tp = 10 ms I TSM 7.200 A surge current T vj = T vj max, tp = 10 ms 6.400 A Grenzlastintegral T vj = 25 C, tp = 10ms I²t 260 A²s*10 3 I²t-value T vj = T vj max, tp = 10ms 205 A²s*10 3 Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (di T /dt) cr 200 A/µs critical rate of rise of on-state current f=50 Hz, i GM = 1 A di G /dt = 1 A/µs Kritische Spannungssteilheit T vj = T vj max, v D = 0,67 DRM (dv D /dt) cr 1) 2) critical rate of rise of off-state voltage 5. Kennbuchstabe / 5th letter L 500 50 /µs Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung T vj = T vj max, i T = 1000 A v T max. 1,65 on-state voltage Schleusenspannung T vj = T vj max T(TO) 0,90 threshold voltage Ersatzwiderstand T vj = T vj max r T 0,70 mω slope resistance Zündstrom T vj = 25 C, v D =12 I GT max. 250 ma gate trigger current Zündspannung T vj = 25 C, v D = 12 GT max. 2,2 gate trigger voltage Nicht zündener Steuerstrom T vj = T vj max, v D = 12 I GD max. 10 ma gate non-trigger current T vj = T vj max,v D = 0,5 DRM max. 5 ma Nicht zündene Steuerspannung T vj = T vj max,v D = 0,5 DRM GD max. 0,25 gate non-trigger voltage Haltestrom T vj = 25 C, v D = 12, R A = 10 Ω I H max. 250 ma holding current Einraststrom T vj = 25 C, v D = 12, R GK >= 10 Ω I L max. 1000 ma latching current i GM = 1 A, di G /dt = 1 A/µs t g = 20 µs orwärts- und Rückwärts-Sperrstrom T vj = T vj max i D, i R max. 50 ma forward off-state and reverse currents v D = DRM, v R = RRM Zündverzug DIN IEC 747-6 t gd max. 1,2 µs gate controlled delay time T vj = 25 C i GM = 1 A, di G /dt = 1 A/µs 1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung). / alues to DIN IEC 747-6 (without prior commutation). 2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t q./ Immediately after circuit commutated turn-off-time, see parameters t q. SZ-M / 12.10.98, K.-A. Rüther A 117 / 98 Seite/page 1
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit T vj = T vj max, i TM =I TAM t q circuit commutatet turn-off time v RM =100, v DM = 0,67 DRM dv D /dt = siehe 5. Kennbuchstabe -dit/dt = 20 A/µs 4. Kennbuchstabe N max. 60 µs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thjc thermal resitance, junction to case θ=180 sin max. 0,080 C/W DC max. 0,077 C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T vj max 125 C max. junction temperature Betriebstemperatur T c op -40...125 C operating temperature Lagertemperatur T stg -40...150 C storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellet with pressure contact, amplifying gate Anpreßkraft F 5,5 kn clamping force Gewicht G typ. 630 g weight Kriechstrecke 12 mm creepage distance Feuchteklasse DIN 40040 C humidity classification Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in erbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 12.10.98, K.-A. Rüther A 117 / 98 Seite/page 2
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Kühlung cooling Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thjc für DC Analytical ementes of transient thermal impedance Z thjc for DC Pos.n 1 2 3 4 5 6 7 R thn [ C/W] 0,0106 0,014 0,0168 0,036 τ n [s] 0,00117 0,0405 0,222 0,84 n max Analytische Funktion / analytical function : Z thjc = R thn ( 1 - EXP ( - t / τ n )) n=1 SZ-M / 12.10.98, K.-A. Rüther A117/98 Seite/page 4
1.600 1.400 1.200 1.000 800 i F [A] 600 400 200 0 0,5 1,0 1,5 2,0 v F [] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i T = f(v T ) T vj = T vj max SZ-M / 12.10.98, K.-A. Rüther A 117 / 98 Seite/page 5