Schunk Die Zukunft schon heute durch Solarenergie sichern. Schunk Kohlenstofftechnik GmbH

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Transkript:

Schunk Die Zukunft schon heute durch Solarenergie sichern Schunk Kohlenstofftechnik GmbH

Solarenergie Technologie der Zukunft Schunk Global Player Die Schunk Kohlenstofftechnik ist als Teil eines internationalen Technologiekonzerns am Weltmarkt aktiv. Wir sind als Anbieter einer Vielzahl von Komponenten für moderne Kristallzuchtanlagen mit dem Herstellungsprozess von Solarzellen direkt verwachsen. Zu unseren Kernkompetenzen gehören die Herstellung, Reinigung und Beschichtung von graphitierten Werkstoffen und kohlenstofffaserverstärktem Kohlenstoff (CFC) für den Hochtemperatureinsatz. Herstellungsprozess Vom Rohmaterial bis zum Energie einspeisenden Solarmodul ist es ein langer und aufwändiger Weg. Wir unterstützen Sie auf diesem Weg, indem wir für die Herstellung von Siliciumeinkristallen hochpräzise Bauteile aus Graphit und CFC fertigen. Ziehen BASF SE ersol Solar Energy AG Rohstoff Reinigen Kontinuierliche Entwicklung und steter Fortschritt im Bereich der Solartechnik helfen bei der Realisierung kundenspezifischer Anforderungen. ersol Solar Energy AG Schleifen, Sägen, Läppen, Polieren und Randkontierung ersol Solar Energy AG Dotierung Verlöten/Laminieren 2

Schunk Ihr Partner Als internationales, führendes Technologieunternehmen umfasst das Leistungsangebot der Schunk Kohlenstofftechnik die gesamte Bandbreite der Kristallzuchtanlagenausstattung. optimale Werkstoffauswahl maßgeschneiderte Lösungen umfassender After-Sales-Service direkter Kontakt von der ersten Idee bis hin zur Serienproduktion Know-how und Flexibilität Anwendungsbereiche Die Schunk Heizer- und Tiegelsysteme aus Graphit und CFC werden in den aktuellen Verfahren zur Einkristallzucht eingesetzt. Czochralski-Verfahren (CZ) Vertical-Gradient-Freeze- Verfahren (VGF) Im Rahmen der mehrstufigen Prozesse, welche zur Gewinnung von Poly- und Monokristallen genutzt werden, dienen diese Systeme zum Schmelzen und zur Speicherung des Rohmaterials. CFC-Heizer in verschiedenen Abmessungen Maximale Abmessungen weltweit einzigartig CFC-Tiegel, von 20 bis 36 Zoll Kontinuierliche Entwicklung gepaart mit langjähriger Erfahrung im Hochtemperatursektor ermöglichen uns die Herstellung nahezu aller Bauteile in maximalen Abmessungen. CZ-Schmelze großes Schmelzenreservoir ausgezeichnete Maßhaltigkeit hohe mechanische Festigkeit 3

Transportsysteme Wafer-Trägersysteme aus Graphit für das PECVD-Verfahren Moderne Solarzellen werden mittels des PECVD-Verfahrens mit einer Antireflexschicht aus Siliciumnitrid versehen. Die Schichtdicke beträgt ca. 70 nm. Die Wafer-Beschichtung wird in einer speziellen Ofenanlage durchgeführt. Dazu werden die Wafer in so genannte Graphitboote eingesetzt, die den Transport und die Positionierung der Wafer in der Beschichtungsanlage gewährleisten. Entsprechend Ihrer Anforderungen bieten wir Ihnen Komponenten in unterschiedlichen Ausführungen und Reinheitsgraden an. Graphitboot Alle gebräuchlichen Trägertypen sind sowohl in Standardabmessungen als auch in kundenspezifischen Abmessungen lieferbar. Eine weitere Variante des Wafertransports erfolgt über CFC-Carrier. Die Vorteile von CFC gegenüber konventionellem Graphit sind: eine geringe thermische Masse eine hohe Festigkeit eine niedrige Wärmekapazität, resultierend in einem geringeren Energieverbrauch beim Aufheizvorgang CFC-Carrier 4

CFC-Werkstoffe Materialeigenschaften* CF 226 CF 226/2 Verstärkungsart Typ Gewebe Gewebe Glühtemperatur [ C] 2000 2000 Faservolumengehalt [Vol.-%] 60 60 Rohdichte [g/cm 3 ] 1.50 1.35 Porosität [%] 8 20 Biegefestigkeit [MPa] 120 100 E-Modul (dyn.) [GPa] 60 50 Bruchdehnung [%] 0.23 0.18 Interlaminare Scherfestigkeit [MPa] 8 6 Thermischer I zur Laminatebene 0.8 I zur Laminatebene 1.1 [10 6 /K] Ausdehnungskoeffizient I zur Laminatebene 7.3 I zur Laminatebene 7.0 Spezifischer elektrischer bei Raumtemperatur 28 [μωm] bei Raumtemperatur 25 Widerstand bei 2000 C 14 Wärmeleitfähigkeit [W/mK] I zur Laminatebene 40 I zur Laminatebene 20 I zur Laminatebene 5 I zur Laminatebene 2 Bruchverhalten Art pseudoplastisch pseudoplastisch Graphit und CFC sind außergewöhnliche Hochtemperatur-Werkstoffe mit besonderen und variierbaren Eigenschaften. Graphitwerkstoffe Materialeigenschaften* FU 2584 FU 2590 FU 4501 FU 8957 Rohdichte [g/cm 3 ] 1.94 1.88 1.78 1.75 Porosität [%] 6 10 13 16 Biegefestigkeit [MPa] 60 50 37 55 Zugfestigkeit [MPa] 40 30 23 32 Druckfestigkeit [MPa] 140 110 90 100 E-Modul (dyn.) [GPa] 13 10 10 9.8 Härte Rockwell HR5/40 115 105 90 100 Thermischer Ausdehnungskoeffizient [10 6 /K] 5.8 5.2 5 4.6 Wärmeleitfähigkeit [W/mK] 120 110 90 90 Spez. elektr. Widerstand [μωm] 11 11 12 14 Aschewert [μg/g] 300 300 500 70 Formgebungsverfahren Art isostatisch isostatisch isostatisch isostatisch Mittlere Korngröße [μm] 10 10 12 15 * Die angegebenen Werte sind keine verbindlichen, sondern typische Werte anhand unserer Erfahrungen. Werkstoff- und produktionsspezifische Streuungen sind zu berücksichtigen. 5

Veredelungsprozesse Der schwarze Werkstoff ganz sauber Hochtemperatur-Reinigung Graphit- und CFC-Werkstoffe können durch gezielte Hochtemperatur- Reinigung von nahezu allen Verunreinigungen befreit werden, so dass entsprechende Werkstoffe in höchster Reinheit hergestellt werden können. Die Reinigung erfolgt bei über 2000 C im Vakuum unter Dosierung eines Reinigungsgases. Die Materialverunreinigungen werden in flüchtige Verbindungen umgesetzt und durch den Gasstrom abtransportiert, so dass selbst höchste Reinheitsanforderungen erfüllt werden. Durch permanente Weiterentwicklung im Bereich der Hochtemperatur- Reinigung sind wir in der Lage, eine Vielzahl von Elementverunreinigungen auf Konzentrationen von unter 1 ppm zu reduzieren. Elementkonzentration* ungereinigt gereinigt Cu 0,2 < 0,04 Cr 0,6 < 0,04 Mn 0,3 < 0,02 Zr 0,5 < 0,04 Co 0,2 < 0,02 Ni 0,6 < 0,04 V 0,4 < 0,04 Mo 0,5 < 0,04 Mg 0,7 < 0,04 Ti 7 < 0,04 W 1 < 0,04 Al 3 < 0,05 Fe 15 < 0,07 Ca 10 < 0,07 Glührückstand < 300 ppm <10 ppm * Die angegebenen Werte sind keine verbindlichen, sondern typische Werte anhand unserer Erfahrungen. Werkstoff- und produktionsspezifische Streuungen sind zu berücksichtigen. 6 PyC-beschichteter Ring

Beschichtungsprozesse Die kontinuierliche Weiterentwicklung und Erschließung neuer Anwendungsmöglichkeiten stehen im Fokus der Schunk Kohlenstofftechnik. Durch unterschiedliche Beschichtungen der Basiswerkstoffe eröffnen sich für unsere Kunden ungeahnte Möglichkeiten. SiC-Beschichtung Die Beschichtung mit Siliciumcarbid (SiC) wird durch das Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung (Chemical Vapor Deposition, CVD) realisiert. Im Reaktionsraum bewirkt die thermische Zersetzung von speziellen Gasen und die nachfolgende chemische Ankopplung der Spaltprodukte an die Substratoberfläche die Beschichtung. Durch die Variation der Prozessparameter können unterschiedliche Schichtstärken im Mikrometerbereich erzeugt werden. Weltraumspiegel mit hochorientierter SiC-Beschichtung von Schunk Wir nutzen die herausragenden Eigenschaften von SiC: hohe Zersetzungstemperatur (im Vakuum bis 1600 C) große Härte ausgezeichnete Oxidationsbeständigkeit gute chemische Beständigkeit hohe Wärmeleitfähigkeit PyC-Beschichtung Eine weitere Veredelungsmöglichkeit der Graphit- und CFC-Bauteile stellt das Infiltrations- und Beschichtungsverfahren mit Pyrokohlenstoff (PyC) dar. Die PyC-Schicht hat zur Folge, dass höchstreine Graphitbauteile auch unter aggressiven Umgebungsbedingungen sehr lange Standzeiten aufweisen. Eigenschaften von pyrolytischem Kohlenstoff: defektfreie Gefügestruktur keine offene Porosität ausgeprägte Anisotropie PyC-beschichteter Tiegel 7

Wir sind gerne für Sie da! Wünschen Sie Informationen über: Tiegelsysteme Heizersysteme CFC-Carrier Graphitboote Dann rufen Sie uns an: Franz Benz Tel.: +49 (0) 641608-1974 Fax: +49 (0) 641608-1673 franz.benz@schunk-group.com 21.02/1.000/2009 Schunk Kohlenstofftechnik GmbH Rodheimer Straße 59 35452 Heuchelheim Deutschland Telefon: +49 (0) 641608-0 Telefax: +49 (0) 641608-1223 infobox@schunk-group.com www.schunk-group.com