Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in SMT Technologie mit Glasabdeckung Technology: ThinGaN (UX:3)



Ähnliche Dokumente
Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in SMT Technologie mit Glasabdeckung Technology: ThinGaN (UX:3)

OSRAM OSTAR Projection Compact Datasheet Version 1.0 LE UW Q8WP

SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED. full production

CHIPLED 0603 Datasheet Version 1.3 LT Q39E

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Semiconductors designed. Assembly methods: hand made parts Verarbeitungsmethode: Handbestückung

Package: compact lightsource in SMT technology Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in SMT Technologie mit Glasabdeckung Technology: ThinGaN (UX:3)

Mini TOPLED Datasheet Version 1.3 LS M67K. Package: white SMT package, colorless clear resin

OSRAM OSTAR Projection Compact Datasheet Version 1.5 LE A Q8WP. Kompakte Lichtquelle in SMT Technologie, Abdeckung mit Glasfenster, RoHS konform

OSLON SSL Ceramic package - 80 radiation pattern Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD CQ7P. Vorläufige Daten / Preliminary Data

CERAMOS Gen 4.H Datasheet Version 1.5 CW CBLPM1.S1

High Precision Ambient Light Photodiode Hochgenaue Umgebungslicht-Fotodiode Version 1.2 SFH 2270R

CERAMOS Gen 4.H Datasheet Version 1.1 CW CBLPM1.W1

Reflector Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Reflector for 3 mm and 5 mm LED (silver) full production

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 560 nm, E e. = 10 μw/cm 2, V CE

SMARTLED 0603 Datasheet Version 1.2 (Replacement in due course) LG L29K

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ -Charakteristik Version 1.0 SFH 3410 R

PointLED Datasheet Version 1.2 LG P47K

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ

OSRAM OSTAR Projection Compact Datasheet Version 2.0 LE A Q9WM. Compact light source in SMT technology, glass window on top, RoHS compliant

High Precision Ambient Light Photodiode Hochgenaue Umgebungslicht-Fotodiode Version 1.1 SFH 2270R

Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse, farbloser klarer Verguss Technology: InGaN Technologie: InGaN Viewing angle at 50 % I V : 120 (Lambertian Emitter)

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2701

Optical threshold switch Optischer Schalter Pulseformer Pulsformer Counter Zähler

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711

OSRAM OSTAR Projection Compact Datasheet Version 1.1 LE A Q7WP. Compact light source in SMT technology, glass window on top, RoHS compliant

Gehäusetyp: Keramikgehäuse Technology: ThinGaN (UX:3)

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33

OSRAM OSTAR Projection Compact Datasheet Version 1.2 KR CSLNM1.23

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.3 SFH 3015 FA

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.2 SFH 320, SFH 320 FA

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

SIDELED Datasheet Version 1.2 LB A6SG. Package: white SMT package, colorless clear silicone resin

SYNIOS P2720 Datasheet Version 1.0 KS DMLQ31.23

OSLON SSL 150 Datasheet Version 1.0 GW CSHPM1.EM

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

Package: compact lightsource in SMT technology Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in SMT Technologie mit Glasabdeckung Technology: ThinGaN (UX:3)

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 2701

TOPLED Datasheet Version 2.1. LB T673 specified at 2mA

OSRAM OSTAR Projection Compact Datasheet Version 2.0 LE A Q9WM. Package: compact lightsource in SMT

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

CHIPLED 0805 Datasheet Version 1.0 LO R976. Package: SMT package 0805, colorless diffused resin, 2 mm x 1.25 mm x 0.8 mm

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360

Opto Semiconductors. White LED

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

OSLON SSL 80 Datasheet Version 1.4 LH CP7P

Golden DRAGON Engineering Kit Lens LK ACC W01. LK ACC W01 abgekündigt nach OS-PD wird nicht ersetzt werden. no replacement.

IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Double stack emitter. Schwerpunktwellenlänge 810 nm Small package dimensions (LxWxH): 3.5mm x 3.5mm x 2.

DURIS S 5 Datasheet Version 1.1 GW PSLM31.EM

TOPLED Datasheet Version 1.3 LV T6SG

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4250

OSLUX Phaser III.1 Datasheet Discontinued LUW F8DN

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

OSCONIQ P 2226 Datasheet Version 1.0 GF DASPA2.24

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61

Golden DRAGON Datasheet Version 1.3 LD W5SM

Package: compact lightsource in SMT technology Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in SMT Technologie mit Glasabdeckung Technology: ThinGaN (UX:3)

Opto Semiconductors. Vorläufige Daten / Preliminary Data

BioMon Sensor Datasheet Version 1.0 SFH7060

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204

FIREFLY E1608 Datasheet Version 1.2 CT DELSS1.12

OSLON Black Series (850 nm) - 90 Version 1.3 SFH 4715S

OSCONIQ P 2226 Datasheet Version 1.1 GH DASPA2.24

OSLON Square Flat Datasheet Version 1.0 KW CSLPM2.PC

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10

Gehäusetyp: SMD Epoxid Gehäuse Technology: InGaAlP Thinfilm

OSLUX S 2.2 Datasheet Version 1.1 CW2 FKAQ81.Z1

SFH 203 P, SFH 203 PFA

Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63

DURIS S 2 Datasheet Version 1.0 GW SBLMA2.EM

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4053

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21

TOPLED Datasheet Version 2.0. LB T673 specified at 2mA

High optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E v

DURIS S 5 Datasheet Version 1.1 GT PSLM Package: white SMT package, colorless clear resin

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)

(BxTxH) 4.7 mm x 2.5 mm x 0.9 mm Light Barrier to block optical crosstalk Lichtsperre zur Unterdrückung von optischem Übersprechen

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001- HBM, Klasse 2 Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines)

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N

Power SIDELED Datasheet Version 1.1 LS B6SP

Spektrale Empfindlichkeit angepasst an die Sensitivity (V λ )

Transkript:

2016-03-21 OSRAM OSTAR Projection Compact Datasheet Version 1.6 Compact light source in SMT technology, glass window on top, RoHS compliant Kompakte Lichtquelle in SMT Technologie, Abdeckung mit Glasfenster, RoHS konform Features: Besondere Merkmale: Package: compact lightsource in SMT technology with glass window on top Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in SMT Technologie mit Glasabdeckung Technology: ThinGaN (UX:3) Technologie: ThinGaN (UX:3) Viewing angle at 50 % I V : 120 Abstrahlwinkel bei 50 % I V : 120 Color: blue (459 nm) Farbe: blau (459 nm) Applications Projection Anwendungen Projektion 2016-03-21 1

Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Power 1) page 22 Ordering Code Typ: Strahlungsleistung 1) Seite 22 Bestellnummer I F = 1400 ma Φ E [mw] -7A6B-W4 1400... 2240 Q65111A8223 Note: Anm.: The above Type Numbers represent the order groups which include only a few brightness groups (see page 5). Only one group will be shipped on each packing unit (there will be no mixing of two groups on each packing unit). E. g. -7A6B-W4 means that only one group 5B, 6B, 7A, 8A will be shippable for any packing unit. In a similar manner for colors where wavelength groups are measured and binned, single wavelength groups will be shipped on any one packing unit. E. g. -7A6B-W4 means that only one wavelength group 2,3,4,W will be shippable. LE B Q8WP-7A6B-W4 means that the device will be shipped within the specified limits as stated on page 5. Die oben genannten Typbezeichnungen umfassen die bestellbaren Selektionen. Diese bestehen aus wenigen Helligkeitsgruppen (siehe Seite 5). Es wird nur eine einzige Helligkeitsgruppe pro Verpackungseinheit geliefert. Z. B. -7A6B-W4 bedeutet, dass in einer Verpackungseinheit nur eine der Helligkeitsgruppen 5B, 6B, 7A, 8A enhalten ist. Gleiches gilt für die Farben, bei denen Wellenlängengruppen gemessen und gruppiert werden. Pro Verpackungseinheit wird nur eine Wellenlängengruppe geliefert. Z. B. -7A6B-W4 bedeutet, dass in einer Verpackungseinheit nur eine der Wellenlängengruppen 2,3,4,W enthalten ist (siehe Seite 5). -7A6B-W4 bedeutet, dass das Bauteil innerhalb der spezifizierten Grenzen geliefert wird. 2016-03-21 2

Maximum Ratings Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating temperature range Betriebstemperatur Storage temperature range Lagertemperatur Junction temperature Sperrschichttemperatur Forward current Durchlassstrom (T S = 25 C) Forward current pulsed Durchlassstrom gepulst (D = 0.5; f = 120 Hz; T S = 25 C) Reverse voltage Sperrspannung (T S = 25 C) ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 - HBM, Class 2) T op -40... 125 C T stg -40... 125 C T j 150 C I F 40... 5000 ma I F pulse 40... 6000 ma V R not designed for reverse operation V ESD 2 kv V 2016-03-21 3

Characteristics (T S = 25 C; I F = 1400 ma) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength at peak emission Wellenlänge d. emittierten Lichtes Dominant Wavelength Dominantwellenlänge 2) page 22 2) Seite 22 (min.) (typ.) λ peak 455 nm (typ.) (max.) λ dom λ dom λ dom Spectral bandwidth at 50% I rel max (typ.) λ 27 nm Spektrale Bandbreite b. 50% I rel max Viewing angle at 50 % I V (typ.) 2ϕ 120 Abstrahlwinkel bei 50 % I V 3) page 22 Forward voltage Durchlassspannung Reverse current Sperrstrom 3) Seite 22 (min.) Partial Flux acc. CIE 127:2007 Partieller Fluss (Φ E 120 = x * Φ E 180 ) Radiating surface Abstrahlende Fläche Real thermal resistance junction / solder point 4) page 22 Realer Wärmewiderstand Sperrschicht / Lötpad 4) Seite 22 (typ.) (max.) V F V F V F I R 448 459 465 2.80 3.05 3.50 not designed for reverse operation (typ.) Φ E/V, 120 0.82 nm nm nm (typ.) A color 1.5 x 1.2 mm² (typ.) (max.) R th JS real 2.6 R th JS real 3.6 V V V K/W K/W "Electrical" thermal resistance junction / solder point 4) page 22 "Elektrischer" Wärmewiderstand Sperrschicht / 4) Seite 22 Lötpad (with efficiency η e = 37 %) (typ.) (max.) R th JS el 1.6 R th JS el 2.3 K/W K/W 2016-03-21 4

Brightness Groups Helligkeitsgruppen Group Radiant Power 1) page 22 Radiant Power Gruppe Strahlungsleistung 1) Seite 22 Strahlungsleistung Dominant Wavelength Groups Dominant Wellenlängengruppen (min.) Φ E [mw] 7A 1400 1590 8A 1590 1800 5B 1800 2010 6B 2010 2240 Group Gruppe (min.) λ dom [nm] 2) page 22 blue W 448 452 2 452 456 3 456 460 4 460 465 2) Seite 22 (max.) λ dom [nm] (max.) Φ E [mw] 1) page 22 1) Seite 22 Note: Anm.: No packing unit / tape ever contains more than one color group for each selection. In einer Verpackungseinheit / Gurt ist immer nur eine Gruppe für jede Farbe enthalten. 2016-03-21 5

Group Name on Label Gruppenbezeichnung auf Etikett Example: 5B-2 Beispiel: 5B-2 Brightness Helligkeit 5B 2 Wavelength Wellenlänge Note: Anm.: No packing unit / tape ever contains more than one group for each selection. In einer Verpackungseinheit / Gurt ist immer nur eine Gruppe für jede Selektion enthalten. 2016-03-21 6

Relative Spectral Emission - V(λ) = Standard eye response curve Relative spektrale Emission - V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Φ rel = f (λ); T J = 25 C; I F = 1400 ma 5) page 22 5) Seite 22 1,0 E rel : V λ : blue 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 λ [nm] Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik I rel = f (ϕ); T J = 25 C 5) page 22 5) Seite 22 40 30 20 10 0 OHL03736 ϕ 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 90 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 2016-03-21 7

5) page 22 Relative partial flux Relativer zonaler Lichtstromanteil Φ E (2ϕ)/Φ E (180 ) = f (ϕ); T J = 25 C Φ E ( 2ϕ) Φ E (180 ) 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 5) Seite 22 0.0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 2*ϕ [ ] 2016-03-21 8

Forward Current Durchlassstrom I F = f (V F ); T J = 25 C I F [ma] 5) page 22, 6) page 22 5) Seite 22, 6) Seite 22 6000 : blue Relative Radiant Power Relative Strahlungsleistung Φ E /Φ E (1400 ma) = f(i F ); T J = 25 C 5) page 22, 6) page 22 Φ e Φ e (1400mA) 3,5 : blue 5) Seite 22, 6) Seite 22 5000 3,0 4000 2,5 2,0 3000 1,5 2000 1,0 1000 0,5 40 2,3 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4 3,6 3,8 4,03 V F [V] 0,0 40 1000 2000 3000 4000 5000 I F [ma] 6000 Dominant Wavelength Dominante Wellenlänge Δλ dom = f(i F ); T J = 25 C 5) page 22 5) Seite 22 λ dom [nm] 2 : blue 1 0-1 -2 40 1000 2000 3000 4000 5000 I F [ma] 6000 2016-03-21 9

5) page 22 Relative Forward Voltage 5) Seite 22 Relative Vorwärtsspannung ΔV F = V F - V F (25 C) = f(t j ); I F = 1400 ma 5) page 22 Relative Radiant Power Relative Strahlungsleistung Φ E /Φ E (25 C) = f(t j ); I F = 1400 ma 5) Seite 22 V F [V] 0,3 : blue Φ E Φ E (25 C) 1,2 : blue 0,2 1,0 0,1 0,8 0,0 0,6-0,1 0,4-0,2 0,2-0,3-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 T j [ C] 0,0-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 T j [ C] 5) page 22 Dominant Wavelength 5) Seite 22 Dominante Wellenlänge Δλ dom = λ dom - λ dom (25 C) = f(t j ); I F = 1400 ma λ dom [nm] 10 : blue 5 0-5 -10-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 T j [ C] 2016-03-21 10

Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F = f (T) 5500 I F [ma] 5000 4500 4000 3500 3000 2500 : T s 2000 1500 1000 500 0 Do not use below 40 ma 0 20 40 60 80 100 120 T s [ C] 2016-03-21 11

Package Outline Maßzeichnung 7) page 22 7) Seite 22 Approximate Weight: Gewicht: Note: Anm.: 49 mg 49 mg Package not suitable for any kind of wet cleaning or ultrasonic cleaning. Das Gehäuse ist für alle Arten einer nasschemischen Reinigung oder Ultraschallreinigung nicht geeignet. 2016-03-21 12

7) page 22 Recommended Solder Pad Reflow 7) Seite 22 Empfohlenes Lötpaddesign Reflow-Löten soldering 7) page 22 Recommended Solder Pad Reflow soldering 7) Seite 22 Empfohlenes Lötpaddesign Reflow-Löten Alternative solder pad for exposed copper MCPCB - do not use exposed copper MCPCB for automotive applications. / Alternatives Lötpaddesign für exposed copper MCPCB für Automobil Anwendungen darf kein exposed copper MCPCB verwendet werden. 2016-03-21 13

Note: Anm.: Exposed Copper MCPCB must not exceed thickness of 1mm For superior solder joint connectivity results we recommend soldering under standard nitrogen atmosphere. Package not suitable for any kind of wet cleaning or ultrasonic cleaning. Die Dicke des exposed Copper - MCPCB darf 1mm nicht überschreiten. Um eine verbesserte Lötstellenkontaktierung zu erreichen, empfehlen wir, unter Standard- Stickstoffatmosphäre zu löten. Das Gehäuse ist für alle Arten einer nasschemischen Reinigung und Ultraschallreinigung nicht geeignet. 2016-03-21 14

Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Product complies to MSL Level 2 acc. to JEDEC J-STD-020D.01 300 C T 250 200 240 C 217 C t P t L T p OHA04525 245 C 150 t S 100 50 25 C 0 0 50 100 150 200 250 s 300 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 150 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Symbol Symbol t S T L t L Minimum 60 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s 100 120 2 3 217 Maximum 80 100 OHA04612 Unit Einheit s K/s C s Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to 100 C Time 25 C to T P T P t P 245 260 10 20 30 All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range 3 6 480 C s K/s s 2016-03-21 15

Taping Gurtung 7) page 22 7) Seite 22 2016-03-21 16

Tape and Reel Gurtverpackung 12 mm tape with 1000 pcs. on 180 mm reel W 1 D 0 P 0 P 2 F E W A N 13.0 ±0.25 P 1 Label Direction of unreeling W 2 Direction of unreeling Leader: min. 400 mm * Trailer: min. 160 mm * *) Dimensions acc. to IEC 60286-3; EIA 481-D OHAY0324 Tape dimensions [mm] Gurtmaße [mm] Tape dimensions in mm W P 0 P 1 P 2 D 0 E F 12 + 0.3 / - 0.1 4 ± 0.1 4 ± 0.1 or 8 ± 0.1 2 ± 0.05 1.5 ± 0.1 1.75 ± 0.1 5.5 ± 0.05 Reel dimensions [mm] Rollenmaße [mm] Reel dimensions in mm A W N min W 1 W 2max 180 12 60 12.4 + 2 18.4 2016-03-21 17

_< C). _< 11 0 0144 Bin2: Q-1-20 Bin3: ML 2 2a 220 C R 11 0 (9D) D/C: 0144 Bin2: Q-1-20 Bin3: ML Temp ST 2 220 C R 2a Version 1.6 Barcode-Product-Label (BPL) Barcode-Produkt-Etikett (BPL) OSRAM Opto Semiconductors LX XXXX BIN1: XX-XX-X-XXX-X EXAMPLE (6P) BATCH NO: 1234567890 RoHS Compliant ML Temp ST X XXX C X (1T) LOT NO: 1234567890 (9D) D/C: 1234 (X) PROD NO: 123456789(Q)QTY: 9999 (G) GROUP: Pack: RXX DEMY XXX X_X123_1234.1234 X XX-XX-X-X OHA04563 Transportation Packing and Materials Kartonverpackung und Materialien Barcode label Barcode label CAUTION This bag contains MOISTURE SENSITIVE OPTO SEMICONDUCTORS LEVEL If blank, see bar code label 1. Shelf life in sealed bag: 24 months at < 40 C and < 90% relative humidity (RH). 2. After this bag is opened, devices that will be subjected to infrared reflow, vapor-phase reflow, or equivalent processing (peak package body temp. If blank, see bar code label a) Mounted within at factory conditions of 30 C/60% RH. Floor time see below b) Stored at 10% RH. 3. Devices require baking, before mounting, if: a) Humidity Indicator Card is > 10% when read at 23 C ± 5 C, or b) 2a or 2b is not met. 4. If baking is required, reference IPC/JEDEC J-STD-033 for bake procedure. Bag seal date (if blank, seal date is identical with date code). Date and time opened: Moisture Level 1 Floor time > 1 Year Moisture Level 4 Floor time 72 Hours Moisture Level 2 Floor time 1 Year Moisture Level 5 Floor time 48 Hours Moisture Level 2a Floor time 4 Weeks Moisture Level 5a Floor time 24 Hours Moisture Level 3 Floor time 168 Hours Moisture Level 6 Floor time 6 Hours OSRAM Opto Semiconductors (6P) BATCH NO: 210021998 (1T) LOT NO: 123GH1234 Muster (X) PROD NO: 1 (9D) D/C: 0 425 (Q)QTY: 2000 LSY T676 Bin1: P-1-20 Multi TOPLED Temp ST 240 C R 3 260 C RT Additional TEXT R077 DEMY PACKVAR: R18 (G) GROUP: P-1+Q-1 OSRAM Opto Semiconductors (6P) BATCH NO: 210021998 (1T) LOT NO: 123GH1234 Muster (X) PROD NO: 1 0 425 (Q)QTY: 2000 LSY T676 Bin1: P-1-20 Multi TOPLED 240 C R 3 260 C RT Additional TEXT R077 DEMY PACKVAR: R18 (G) GROUP: P-1+Q-1 OSRAM Packing Sealing label OHA02044 2016-03-21 18

_< C). _< WET Please check the HIC immidiately after bag opening. Discard if circles overrun. Avoid metal contact. Do not eat. Version 1.6 Dry Packing Process and Materials Trockenverpackung und Materialien OSRAM Moisture-sensitive label or print Barcode label Humidity indicator Barcode label Comparator check dot 5% 10% 15% If wet, parts still adequately dry. change desiccant If wet, examine units, if necessary bake units If wet, examine units, if necessary bake units CAUTION This bag contains MOISTURE SENSITIVE OPTO SEMICONDUCTORS LEVEL If blank, see bar code label 1. Shelf life in sealed bag: 24 months at < 40 C and < 90% relative humidity (RH). 2. After this bag is opened, devices that will be subjected to infrared reflow, vapor-phase reflow, or equivalent processing (peak package body temp. If blank, see bar code label a) Mounted within at factory conditions of 30 C/60% RH. Floor time see below b) Stored at 10% RH. 3. Devices require baking, before mounting, if: a) Humidity Indicator Card is > 10% when read at 23 C ± 5 C, or b) 2a or 2b is not met. 4. If baking is required, reference IPC/JEDEC J-STD-033 for bake procedure. Bag seal date (if blank, seal date is identical with date code). Date and time opened: Moisture Level 1 Floor time > 1 Year Moisture Level 4 Floor time 72 Hours Moisture Level 2 Floor time 1 Year Moisture Level 5 Floor time 48 Hours Moisture Level 2a Floor time 4 Weeks Moisture Level 5a Floor time 24 Hours Moisture Level 3 Floor time 168 Hours Moisture Level 6 Floor time 6 Hours Desiccant Humidity Indicator MIL-I-8835 OSRAM OHA00539 Note: Moisture-sensitive product is packed in a dry bag containing desiccant and a humidity card. Regarding dry pack you will find further information in the internet and in the Short Form Catalog in chapter Tape and Reel under the topic Dry Pack. Here you will also find the normative references like JEDEC. Anm.: Feuchteempfindliche Produkte sind verpackt in einem Trockenbeutel zusammen mit einem Trockenmittel und einer Feuchteindikatorkarte. Bezüglich Trockenverpackung finden Sie weitere Hinweise im Internet und in unserem Short Form Catalog im Kapitel Gurtung und Verpackung unter dem Punkt Trockenverpackung. Hier sind Normenbezüge, unter anderem ein Auszug der JEDEC-Norm, enthalten. Dimensions of transportation box in mm Width Length Height Breite Länge Höhe 195 ± 5 195 ± 5 30 ± 5 2016-03-21 19

Notes The evaluation of eye safety occurs according to the standard IEC 62471:2008 ("photobiological safety of lamps and lamp systems"). Within the risk grouping system of this CIE standard, the LED specified in this data sheet fall into the class Moderate risk (exposure time 0.25 s). Under real circumstances (for exposure time, eye pupils, observation distance), it is assumed that no endangerment to the eye exists from these devices. As a matter of principle, however, it should be mentioned that intense light sources have a high secondary exposure potential due to their blinding effect. As is also true when viewing other bright light sources (e.g. headlights), temporary reduction in visual acuity and afterimages can occur, leading to irritation, annoyance, visual impairment, and even accidents, depending on the situation. This LED contains metal materials. Corroded metal may lead to a worsening of the optical performance of the LED and can in the worst case lead to a failure of the LED. Do not expose this LED to aggressive atmospheres. Note, that corrosive gases may as well be emitted from materials close to the LED in the final product. Hinweise Die Bewertung der Augensicherheit erfolgt nach dem Standard IEC 62471:2008 ("photobiological safety of lamps and lamp systems"). Im Risikogruppensystem dieser CIE- Norm erfüllen die in diesem Datenblatt angegebenen LEDs folgende Gruppenanforderung - Moderate risk (Expositionsdauer 0,25 s). Unter realen Umständen (für Expositionsdauer, Augenpupille, Betrachtungsabstand) geht damit von diesen Bauelementen keinerlei Augengefährdung aus. Grundsätzlich sollte jedoch erwähnt werden, dass intensive Lichtquellen durch ihre Blendwirkung ein hohes sekundäres Gefahrenpotenzial besitzen. Nach einem Blick in eine helle Lichtquelle (z.b. Autoscheinwerfer), kann ein temporär eingeschränktes Sehvermögen oder auch Nachbilder zu Irritationen, Belästigungen, Beeinträchtigungen oder sogar Unfällen führen. Diese LED enthält teilweise metallische Bestandteile. Korrodiertes Metall kann zu einer Verschlechterung der optischen Eigenschaften und im schlimmsten Fall zum Ausfall der LED führen. Diese LED darf aggressiven Bedingungen nicht ausgesetzt werden. Es ist zu beachten, dass korrosive Gase auch von Materialien emittiert werden können, die sich im Endprodukt in unmittelbarer Umgebung der LED befinden. 2016-03-21 20

Disclaimer Language english will prevail in case of any discrepancies or deviations between the two language wordings. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bei abweichenden Angaben im zweisprachigen Wortlaut haben die Angaben in englischer Sprache Vorrang. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2016-03-21 21

Glossary 1) Brightness: Brightness values are measured during a current pulse of typically 25 ms, with an internal reproducibility of ± 8 % and an expanded uncertainty of ± 11 % (acc. to GUM with a coverage factor of k = 3). 2) Wavelength: The wavelength is measured at a current pulse of typically 25 ms, with an internal reproducibility of ± 0.5 nm and an expanded uncertainty of ± 1 nm (acc. to GUM with a coverage factor of k = 3). 3) Forward Voltage: The forward voltage is measured during a current pulse of typically 8 ms, with an internal reproducibility of ± 0.05 V and an expanded uncertainty of ± 0.1 V (acc. to GUM with a coverage factor of k = 3). 4) Thermal Resistance: Rth max is based on statistic values (6σ). 5) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. 6) Characteristic curve: In the range where the line of the graph is broken, you must expect higher differences between single LEDs within one packing unit. 7) Tolerance of Measure: Unless otherwise noted in drawing, tolerances are specified with ±0.1 and dimensions are specified in mm. Glossar 1) Helligkeit: Helligkeitswerte werden während eines Strompulses einer typischen Dauer von 25 ms, mit einer internen Reproduzierbarkeit von ± 8 % und einer erweiterten Messunsicherheit von ± 11 % gemessen (gemäß GUM mit Erweiterungsfaktor k = 3). 2) Wellenlänge: Die Wellenläge wird während eines Strompulses einer typischen Dauer von 25 ms, mit einer internen Reproduzierbarkeit von ± 0,5 nm und einer erweiterten Messunsicherheit von ± 1 nm gemessen (gemäß GUM mit Erweiterungsfaktor k = 3). 3) Durchlassspannung: Vorwärtsspannungen werden während eines Strompulses einer typischen Dauer von 8 ms, mit einer internen Reproduzierbarkeit von ± 0,05 V und einer erweiterten Messunsicherheit von ± 0,1 V gemessen (gemäß GUM mit Erweiterungsfaktor k = 3). 4) Wärmewiderstand: Rth max basiert auf statistischen Werten (6σ). 5) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert. 6) Kennlinien: Im gestrichelten Bereich der Kennlinien muss mit erhöhten Abweichungen zwischen Leuchtdioden innerhalb einer Verpackungseinheit gerechnet werden. 7) Maßtoleranz: Wenn in der Zeichnung nicht anders angegeben, gilt eine Toleranz von ±0,1. Maße werden in mm angegeben. 2016-03-21 22

Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com All Rights Reserved. 2016-03-21 23