etz Thyristor T 501 60...70 TOH Features: Volle Sperrfähigkeit bei 125 mit 50 Hz Full blocking capability at 125 C with 50 Hz Hohe Stoßströme und niedriger Wärme- High surge currents and low thermal resistance widerstände durch TV-Verbindung by using low temperature-connection TV zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. between silicon wafer and molybdenum. Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I 2 t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state current f = 50 Hz tc = 85 C, f = 50Hz tc = 60 C, f = 50Hz tvj = 25 C, tp = 10ms, tp = 10ms tvj = 25 C, tp = 10ms, tp = 10ms DI IEC 747-6 f = 50Hz, vd = 0,67 VDRM, igm = 3A, dig/dt = 6A/µs, vd = 0,67 VDRM 5. Kennbuchstabe / 5 th letter F t = -40 C t = 0 C V DRM, V RRM vj min vj min 6000 6200 6500 6700 7000 7200 V V V I TRMSM 1350 A I TAVM 640 860 I TSM 13,5 13,0 A A ka ka I 2 t 910 10 3 A 2 s 845 10 3 A 2 s (di/dt) cr 300 A/µs (dv/dt) cr 2000 V/µs BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 1
etz Thyristor T 501 60...70 TOH Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung typ. on-state voltage, it= 1kA v T 2,55 max. 2,65 V Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / slope resistance V (TO) r T typ. 1,25 1,3 max. 1,3 1,35 V mω Durchlaßrechenkennlinie on - state characteristics for calculation ( ) V = A+ B i + C ln i + 1 + D i T T T T 200 A i T 2000 A A B C D typ. 0,0927 0,000967 0,1815 0,01334 max. -0,0921 0,001 0,1841 0,0149 Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 C, vd = 6V I GT 350 ma tvj = 25 C, vd = 6V V GT 2,5 V icht zündender Steuerstrom gate non-trigger current, vd = 6V, vd = 0,5 VDRM I GD 20 10 ma ma nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current, vd = 0,5 VDRM V GD 0,4 V tvj = 25 C, vd = 12V, RA = 4,7Ω I H 350 ma Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Zündverzugszeit gate controlled delay time Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current tvj = 25 C, vd = 12V, RGK 10Ω igm = 3A, dig/dt= 6 A/µs, tg = 20µs vd = VDRM, vr = VRRM DI IEC 747-6 tvj = 25 C, igm = 3A, dig/dt = 6A/µs, itm = ITAVM vrm = 100V, vdm = 0,67 VDRM dvd/dt = 20V/µs, -dit/dt = 10A/µs 4. Kennbuchstabe / 4 th letter O ITM = 1000A, di/dt = 10A/µs VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM ITM = 1000A, di/dt = 10 A/µs VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM I L 3 A i D, i R 200 ma t gd 2,5 µs t q typ. 650 µs Q r 7,2 mas I RM 210 A BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 2
etz Thyristor T 501 60...70 TOH Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature beidseitig / two-sided, Θ = 180 sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode DC Kathode / cathode DC beidseitig / two-sided einseitig / single-sided R thjc 0,0185 0,0170 0,0305 0.0305 R thch 0,005 0,010 t vj max 125 C t c op -40...+125 C t stg -40...+150 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si - Element mit Druckkontakt, Amplifying gate Si - pellet with pressure contact, amplifying gate Anpreßkraft clampig force Gewict weight Kiechstrecke surface creepage distance Feuchteklasse humidity classification Silizium Tablette silicon wafer DI 40040 Seite 4 55T70 F 15..24 k G typ. 550 g 25 mm C Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s 2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 3
etz Thyristor T 501 60...70 TOH Maßbild / Outline BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 4
etz Thyristor T 501 60...70 TOH Durchlaßkennlinien / on-state characteristic i T = f ( v T ) t vj = 125 C 2000 1800 1600 1400 typ. max. 1200 1000 800 600 400 200 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 V T [V] BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 5
etz Thyristor T 501 60...70 TOH Steuerkreischarakteristik mit Zündbereichen Gate characteristic with triggering areas v G = f (i G ), V D = 6V Parameter a b c Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration t g(ms) 10 1 0,5 Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung Max. rated peak power dissipation P GM (W) 20 40 60 30 20 10 5 b c a -40 C 2 +25 C +125 C 1 0,5 0,2 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 10000 i G [m A ] BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 6
etz Thyristor T 501 60...70 TOH Transienter innerer Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z th JC = f (t) doppelseitige Kühlung anodenseitige Kühlung kathodenseitige Kühlung r [K/W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s] 1 0,00848 0,676 0,0192 4,13 0,0281 4,13 2 0,00243 0,132 0,0023 0,4 0,00106 0,45 3 0,00304 0,062 0,0028 0,154 0,00487 0,126 4 0,00272 0,0134 0,00366 0,0607 0,00237 0,0374 5 0,00033 0,0019 0,00254 0,0101 0,0021 0,0091 0,017-0,0305-0,0385 - t / τ n ( 1 ) max Z = R e thjc n n= 1 thn 0,045 k 0,04 0,035 a d 0,03 0,025 0,02 Z (th) JC / [K/W] 0,015 0,01 0,005 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t / [sec.] 0 BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 7
etz Thyristor T 501 60...70 TOH Sperrverzögerungsladung / recoverd charge Q rr = f (di/dt) t vj = 125 C, I TM = 1000A, v R = 0,5 V RRM, v R = 0,8 V RRM 50 40 30 20 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 30 di/dt [A/µs] BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 8
etz Thyristor T 501 60...70 TOH Rückstromspitze / reverse recovery current (typische Abhängigkeit / typical dependence) I RM = f (di/dt) t vj = 125 C, I TM = 1000A, v R = 0,5 V RRM, v RM = 0,8 V RRM 350 300 250 200 150 100 50 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 -di/dt BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 9