Technische Information / Technical Information
|
|
- Eleonora Solberg
- vor 6 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V DRM, V RRM V repetitive peak forward off-state and reverse voltages V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V DSM V non-repetitive peak foward off-state voltage V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung T vj = + 25 C...T vj max V RSM V non-repetitive peak reverse voltage V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I TRSMSM 750 A RMS on-state current Dauergrenzstrom T C = 85 C I TAVM 380 A average on-state current T C = 68 C 480 A Stoßstrom-Grenzwert T vj = 25 C, t p = 10 ms I TSM 7200 A surge current T vj = T vj max, t p = 10 ms 6500 A Grenzlastintegral T vj = 25 C, t p = 10 ms I²t A²s I²t-value T vj = T vj max, t p = 10 ms A²s Kritische Stromsteilheit DIN IEC (di T /dt) cr 100 A/µs critical rate of rise of on-state current f=50 Hz, v L = 10 V, i GM = 1 A di G /dt = 1 A/µs Kritische Spannungssteilheit T vj = T vj max, v D = 0,67 V DRM (dv D /dt) cr 1000 V/µs critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung T vj = T vj max, i T = 1200 A v T max. 2,8 V on-state voltage Schleusenspannung T vj = T vj max V T(TO) 1,2 V threshold voltage Ersatzwiderstand T vj = T vj max r T 1,2 mœ slope resistance Zündstrom T vj = 25 C, v D = 6 V I GT max. 250 ma gate trigger current Zündspannung T vj = 25 C, v D = 6 V V GT max. 1,5 V gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom T vj = T vj max, v D = 6 V I GD max. 10 ma gate non-trigger current T vj = T vj max,v D = 0,5 V DRM max. 5 ma Nicht zündende Steuerspannung T vj = T vj max,v D = 0,5 V DRM V GD max. 0,25 mv gate non-trigger voltage Haltestrom T vj = 25 C, v D = 6V, R A = 5 W I H max. 300 ma holding current Einraststrom T vj = 25 C, v D = 6V, R GK >=10 W I L max ma latching current i GM = 1 A, di G /dt = 1 A/µs, t g = 20 µs Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom T vj = T vj max i D, i R max. 100 ma forward off-state and reverse currents v D = V DRM, v R = V RRM Zündverzug DIN IEC t gd max. 4,5 µs gate controlled delay time T vj = 25 C i GM = 1 A, di G /dt = 1 A/µs SZ-MA / 21. Mai 1997, K.-A.Rüther A108/97 Seite/page 1
2 Elektrische Eigenschften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit T vj = T vj max, i TM =I TAVM t q circuit commutatet turn-off time v RM =100V, v DM = 0,67 V DRM dv D /dt = 20 V/µs, -di T /dt = 10 Aµs 4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 350 µs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thjc thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, Ž=180 sin max. 0,0450 C/W beidseitig / two-sided, DC max. 0,0410 C/W Anode / anode, Ž=180 sin max. 0,0690 C/W Anode / anode, DC max. 0,0650 C/W Kathode / cathode, Ž=180 sin max. 0,1140 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,1100 C/W Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thck thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0050 C/W einseitig / single-sided max. 0,0100 C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T vj max 125 C max. junction temperature Betriebstemperatur T c op C operating temperature Lagertemperatur T stg C storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft F 7,5...17,5 kn clamping force Gewicht G typ. 250 g weight Kriechstrecke 30 mm creepage distance Feuchteklasse DIN C humidity classification Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-MA / 21. Mai 1997, K.-A.Rüther A 108 / 97 Seite/page 2
3 SZ-MA / 21 Mai 1997, K.-A.Rüther A108/97 Z. Nr.: 1 Seite/page 3
4 Kühlung cooling Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thjc für DC Analytical ementes of transient thermal impedancez thjc for DC Pos.n beidseitig R thn [ C/W] 0, , ,019 0,016 two-sided τ n [s] 0, , ,085 0,36 anodenseitig R thn [ C/W] 0, , , ,0234 0,036 anode-sided τ n [s] 0, ,0021 0,0376 0,158 2,47 kathodenseitig R thn [ C/W] 0, , ,0132 0,0346 0,0468 cathode-sided τ n [s] 0, , ,0562 0,65 2,91 n max Analytische Funktion / analytical function : Z thjc = R thn ( 1 - EXP ( - t / τ n )) n=1 SZ-MA / 21 Mai 1997, K.-A.Rüther A108/97 Seite/page 4
5 i T [A] ,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 v T [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic it=f(vt) Tvj = Tvj max SZ-MA / 21 Mai 1997, K.-A.Rüther A108/97 Z. Nr.: 2 Seite/page 5
6 Θ = P TAV [W] I TAV [A] Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P TAV =f(i TAV ) Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ SZ-MA / , K.-A.Rüther A108/97 Z.Nr.: 3 Seite/page 6
7 T C [ C] Θ = I TAVM [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C =f(i TAVM ) Beidseitige Kühlung / two sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen). Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately). SZ-MA / K.-A.Rüther A108/97 Z.Nr.: 4 Seite/page 7
8 DC P TAV [W] Θ = I TAV [A] Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P TAV =f(i TAV ) Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ SZ-MA / Juni 97, K.-A.Rüther A108/97 Z.Nr.: 5 Seite/page 8
9 T C [ C] DC Θ = I TAVM [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C =f(i TAVM ) Beidseitige Kühlung / two sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ Berechnungsgrundlage P TAV ( Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses shold be considered separately) SZ-MA / K.-A.Rüther A108/97 Z.Nr.: 6 Seite/page 9
10 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty isgranted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.
N Kenndaten Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Kenndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Stoßspitzensperrspannung non-repetitive
MehrTechnische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 25 C...T vj max V RRM 2000 V repetitive peak forward reverse voltage
MehrMarketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45 15 5,5 SW27 M12 Type Circuit symbol Cathode Anode S Connection pin Case U Case Connection pin Ma
MehrDatenblatt / Data sheet D450S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Kenndaten Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrDatenblatt / Data sheet D690S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Kenndaten Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische enndaten orwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = -4 C... T vj max DRM, RRM 12 repetitive
MehrDatenblatt / Data sheet
..K..-K ND89N Elektrische Kenndaten Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften
MehrTechnische Information / Technical Information D 1641 SX 45T. tvj = 0 C... tvj max f = 50Hz. tc = 60 C. f = 50Hz I FRMSM 3200 A
Features pecially designed for operation with small snubber Low losses, soft recovery 140 C imum junction temperature Electroactive passivation by a-c:h Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
MehrTechnische Information / Technical Information D 901 S T. tvj = -40 C... tvj max f = 50Hz. tc = 85 C, f = 50Hz tc = 60 C, f = 50Hz
chnelle Gleichrichterdiode D 901 35... 45 T Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische pitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrTechnische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D1331SH Key enn Par daten ameter s
Key Parameters enndaten V RRM I FAVM I FSM V T r T R thjc Clamping Force Max. Diameter Contact Diameter Height 45 V 131 A (T C =85 C) 28 A 2,13 V,948 mω 7,5 36 52 kn 121 mm 86 mm 26 mm For type designation
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Kenndaten Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Thermische
MehrDatenblatt / Data sheet
TD61N DT61N 5555Kenndaten...-K TD61N...-A DT61N...-K Elektrische Eigenschaften / Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
MehrDatenblatt / Data sheet
TD162N DT162N Kenndaten...-K TD162N...-A Elektrische Eigenschaften / Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
MehrMarketing Information FD 600 R 16 KF4
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information FD R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 C2 E2 E2 G1 C2 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16 18 4
MehrMarketing Information FZ 800 R 12 KF 4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany GmbH + o. KG Marketing Information FZ 8 R 12 KF 4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection to be done
MehrDatenblatt / Data sheet
Key Parameters V DRM / V RRM I TAVM I TSM V T0 r T R thjc Base plate 1800 V 600 A (T C =100 C) 22000 A 0,75 V 0,215 mω 0,0745 60 mm For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog
MehrTechnische Information / Technical Information D 1331 SH 45T
D 1331 45T Features: Speziell entwickelt für beschaltungslosen Betrieb Niedrige Verluste, weiches Ausschalten Volle Sperrfähigkeit bei 14 C mit 5Hz Hohes di/dt und niedriger Wärmewiderstand durch NTV-Verbindung
Mehrг.минск тел.8(017) DD 400 S 17 K6 B2 RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current V CES 1700 V I F 400 A Periodischer Spitzenstrom repetitive
MehrTechnische Information / Technical Information
Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung
MehrTechnische Information / Technical Information
Thyristor Module with Chopper-IGBT TD B6HK 124 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode,
MehrDatenblatt / Data sheet
TZ15N TZ15N Kenndaten Elektrische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive
MehrTechnische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V RRM 1600 V
MehrDatenblatt / Data sheet
...K..-A TD122N Kenndaten Elektrische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
MehrTechnische Information / Technical Information
Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung
MehrMarketing Information BSM 50 GD 170 DL
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM GD 17 DL 118.11 94.5 119 19.5 3.81 121.5 99.9 4 x 19.5 = 76.2 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 3.81 15.24 6 7 8 9 11 12 1.15x1. 5
MehrMarketing Information FZ 800 R 16 KF4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information FZ R 16 KF4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection (to be done) G external connection
MehrDD100N16S. Technische Information / technical information. Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module
Key Parameters V DRM / V RRM I FAVM I FSM V T0 r T R thjc Base plate Weight 1600 V 130 A (T C =100 C) 2500 A 3570A (T C =55 C) 0,87 V 2,54 mω 0,19 20 mm 75 g For type designation please refer to actual
MehrFZ 1800 R 17 KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom
MehrLeistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 251 N
European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D N,, E-Cu- mm² E-CE- mm² E-Cu- mm² E-Cu- mm² Siliconschlauch Silicon tube Siliconschlauch
MehrTechnische Information / Technical Information FZ2400R17KF6C B2. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C
MehrMarketing Information FZ 1800 R 16 KF4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information 61,5 13 61,5 M8 31,5 19 171 1 2 57 3 M, tief 2,5 tief G 28 8 79, 7 1,25 2,25 external connection to be done 6 5 7 (for M6 screw)
MehrTechnische Information / technical information
IGBTModule IGBTModules Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage T vj = 25 C V CES 12 V Kollektor
MehrBSM 200 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
s Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties KollektorEmitterSperrspannung collectoremitter voltage V CES V KollektorDauergleichstrom DCcollector current
MehrTDB6HK360N16P. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPACK 4 Modul und PressFIT / NTC EconoPACK 4 module and PressFIT / NTC / V Š» = 1600V I ÒÓÑ = 360A / I ç = 720A Typische Anwendungen Typical Applications Halbgesteuerte B6-Brücke Half Controlled B6-bridge
MehrBSM 75 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 70
MehrTechnische Information / technical information DD710N16K
Key Parameters V DRM / V RRM 1600V I FAVM I FSM 710A (T C =100 C) 3570A 26000A (T C =55 C) v T0 0,75V r T R thjc Baseplate Weight 0,145mΩ 0,062 60mm 1500g For type designation please refer to actual shortform
MehrMarketing Information TT 425 N
Europen Power- Semiconductor nd Electronics Compny GmH + Co. KG Mrketing Informtion TT N screwing depth mx. 18, M1 plug A,8 x,8 K G 7K G 1 1 11 1 1 1 A K AK G K G K VWK Ferury 199 TT N, TD N, DT N Elektrische
MehrFS35R12W1T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC / V Š» = V I ÒÓÑ = / I ç = Typische nwendungen
MehrFP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFB10R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrBSM10GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFB20R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrType V CE I C Package Ordering Code BSM 150 GB 120 DN2 1200V 210A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2108-A70
BSM 15 GB 12 DN2 IGBT Power Module Halfbridge Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate Type V CE Package Ordering Code BSM 15 GB 12 DN2 12V 21 HLFBRIDGE 2 C67762187 Maximum
MehrFF1200R17KE3. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules. Höchstzulässige Werte / maximum rated values
FFR7KE3 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage / V Š» 7 V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
MehrFZ 1800 R 12 KL4C. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C
MehrFP10R12KE3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrBSM150GB120DLC. Technische Information / technical information. IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
6mm C-Serien Modul mit low loss IGBT und EmCon Diode 6mm C-series module with low loss IGBT and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung
MehrBSM50GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrTT250N. Technische Information / technical information. Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
Key Parameters DRM / RRM I TAM I TSM T r T R thjc Base plate Weight 12 18 25 A (T C =85 C) 7 A 357A (T C =55 C),8,7 mω,124 5 mm 8 g For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog
MehrFB20R06KL4B1. Technische Information / technical information. Vorläufig preliminary. Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Elektrische Eigenschaften / electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Diode Gleichrichter/ diode rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrTypenbezeichnungen und Abkürzungen Short Form Catalog 2012
Typenbezeichnungen und Abkürzungen Short Form Catalog 2012 www.infineon.com/highpower Typenbezeichnungen Scheibenbauelemente T640 N 18 T O F T Thyristor D Diode 640 Dauergrenzstrom (A) 0 Standardkeramik-Scheibe
MehrKBU 4AYM. Kunststoffgehäuse
KBU 4AYM Silicon-Bridge Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung 4.0 A 35Y700 V Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx.
MehrFB15R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFZ1200R33KF2C. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
FZ2R33KF2C IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
MehrFF6R12ME4 EconoDUL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoDUL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC / V Š» = 12V I ÒÓÑ = 6 / I
MehrFP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFP40R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFF225R17ME4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EconoDUL 3 Modul mit Trench/Feldstop IGBT4 und Emitter Controlled³ Diode EconoDUL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled³ diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
MehrFP75R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
Mehr2PS1200R17KE3-4G. Technical Information. Vorläufige Daten preliminary data. Key data 1x 571A AC at 690V AC, forced air (fan not implemented)
Key data 1x 571A AC at 690V AC, forced air (fan not implemented) General information for: Stacks for various inverter application. Semiconductors, heat sinks, drivers and sensors included. These are only
Mehrø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 Cathode spacing 2.54mm 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29 27 Area not flat Chip position.8 Approx. weight.2 g Area not flat.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode)
Mehr5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351
5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351 Besondere Merkmale nicht eingefärbtes, teilweise diffuses Gehäuse Lötspieße im 2.54 mm Raster hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich Anzeige unterschiedlicher
MehrFP75R12KT4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPIM 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und EmCon Diode EconoPIM 3 module with trench/fieldstop IGBT and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484
MehrGEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 P 2.54 mm spacing.6.4 Area not flat.7.4.8.2 29 27.8.4 4.5 4. Cathode 3. 2.5 2..7 ø3. ø2.9 3.5 Chip position 4. 3.6.6.4 GEX638
MehrEMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 B32922 X2 MKP/SH 40/100/21/C
EMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 X2 capacitors with very small dimensions Rated ac voltage 275 and 300 V, 50/60 Hz Construction Dielectric: polypropylene (MKP) Plastic case (UL 94
MehrB81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C B81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C. EMI Suppression Capacitors X2 / 275 Vac Not for new design
EMI Suppression Capacitors X2 / X2 capacitors with small dimensions Rated ac voltage 275 V, 50/60 Hz 1) Construction Dielectric: polyester (MKT) Internal series connection Plastic case (UL 94 V-0) Epoxy
MehrSFH 900 SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches
Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken für den
MehrFF450R12IE4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
FF45R2IE4 PrimePACK 2 mit schnell schaltendem Medium Power IGBT4 und NTC für niederinduktiven Umrichteraufbau PrimePACK 2 with fast switching Medium Power IGBT4 and NTC for low inductive set-up IGBT-Wechselrichter
MehrMaβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet für
MehrBPY 62. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62. Wesentliche Merkmale
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet für Anwendungen
MehrKuhnke Technical Data. Contact Details
Kuhnke Technical Data The following page(s) are extracted from multi-page Kuhnke product catalogues or CDROMs and any page number shown is relevant to the original document. The PDF sheets here may have
MehrBPX 80 BPX NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. feo06367 fez06365 Wesentliche Merkmale
MehrOpto Semiconductors. Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package
Schnelle IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im 5 mm Radial- High-Speed Infrared Emitter (95 nm) in 5 mm Radial Package Area not flat 9. 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 fexf6626 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29.5 27.5 Anode ø5.1
Mehr1. Auftraggeber client. 1.1. Firmenname: company name: 1.2. Straße: street: 1.3. Ort: place: 1.4. Telefon: phone: 1.5. Fax: fax:
Seite 1 von 10 page 1 of 10 Antrag zur Zertifizierung eines PV Moduls und einer Fertigungsstätteninspektion des zu zertifizierenden Produkts Information about the certificate owner and the manufacturing
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Kollektor-D
EconoPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC V Š» = V I ÒÓÑ = 5A / I ç = A Typische Anwendungen
Mehrø5.5 ø5.2 GET Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 ø.45 2.7 Chip position..9 2.54 mm spacing 4.5 2.5 3.6 3. Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight.5 g ø4.3 ø4...9 ø5.5
MehrFP25R12W2T4 T = 100 C, TÝÎ = 175 C T = 25 C, TÝÎ = 175 C I = 25 A, V Š = 15 V I = 25 A, V Š = 15 V I = 25 A, V Š = 15 V
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor
MehrEMI Suppression Capacitors X2 / 275 Vac
EMI Suppression Capacitors X2 / B81130 X2 capacitors with very small dimensions Rated ac voltage 275 V, 50/60 Hz Construction ielectric: polypropylene (MKP) Plastic case (UL 94 V-0) Epoxy resin sealing,
MehrHazards and measures against hazards by implementation of safe pneumatic circuits
Application of EN ISO 13849-1 in electro-pneumatic control systems Hazards and measures against hazards by implementation of safe pneumatic circuits These examples of switching circuits are offered free
MehrSFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900
Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900 feo06270 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken
Mehrø5.5 ø5.2 GET Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 ø.45 2.7 Chip position..9 2.54 mm spacing 4.5 2.5 3.6 3. Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight.5 g ø4.3 ø4...9 ø5.5 ø5.2
MehrStandard: ÖVE/ÖNORM E 8200-603. Filler/Tape
PVC-Starkstromkabel PVC power cable Standard: ÖVE/ÖNORM E 8200-603 4 3 2 1 Aufbau: Design: 1 Kupferleiter 2 PVC-Isolierung 3 Füllmischung/Bebänderung 4 Copper PVC insulation Filler/Tape PVC-Mantel PVC
MehrFP10R12W1T4_B11 T = 100 C, TÝÎ = 175 C T = 25 C, TÝÎ = 175 C I = 10 A, V Š = 15 V I = 10 A, V Š = 15 V I = 10 A, V Š = 15 V
FPR1W1T_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-D
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC / ϑ V Š» = 600V I
MehrGaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem
MehrShort Form Catalog 2011 Type Designation and Abbreviations. [ ]
hort orm atalog 2011 ype Designation and bbreviations [ www.ifbip.com ] ypenbezeichnungen cheibenbauelemente 640 18 PowerL Module 162 16 - hyristor mit 2 hyristoren D Diode DD mit 2 Dioden Dauergrenzstrom
MehrSIFI-A Series. SIFI-A for normal insertion loss Rated voltage 250 V~, 50/60 Hz Rated current 1 A to 20 A
2-ine Filters SIFI- Series 4111 SIFI- for normal insertion loss Rated voltage 2 V~, / Hz Rated current 1 to Construction Two-line filter Metal case Polyurethane potting (U 94 V-) Features Compact design
MehrNPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei
MehrSilizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)
Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Kollektor-D
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC V Š» = 50V I ÒÓÑ
MehrTECHNISCHE DATEN Hochleistungsrelais TECHNICAL DATA High Power Relay
TECHNISCHE DATEN Hochleistungsrelais TECHNICAL DATA Seite Modell Bauart Funktion Dauerstrom Elektrischer Anschluß Page Model Design Function Duty rating Electrical link 2-3 Serie 911 Hochleistungsrelais
MehrDC/DC Converter 400 W
Eingangsbereich 4 : 1 Input Range 4 : 1 Wirkungsgrad bis 90 % Efficiency up to 90 % Full Brick Gehäuse Full Brick Case Eingangs-π-Filter Input-π-Filter Beschreibung 10 DC/DC-Wandler stehen in der Serie
MehrInternationale Energiewirtschaftstagung TU Wien 2015
Internationale Energiewirtschaftstagung TU Wien 2015 Techno-economic study of measures to increase the flexibility of decentralized cogeneration plants on a German chemical company Luis Plascencia, Dr.
MehrReflexlichtschranke mit Schmitt-Trigger Reflective Interrupter with Schmitt-Trigger SFH 9240 SFH 9241
Reflexlichtschranke mit Schmitt-Trigger Reflective Interrupter with Schmitt-Trigger SFH 9240 SFH 924 Wesentliche Merkmale IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Schmitt-Trigger IC SFH 9240:
MehrFS150R12PT4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPCK Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und PressFIT / NTC EconoPCK module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC / V Š»
MehrSchnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205
Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)
MehrFundamentals of Electrical Engineering 1 Grundlagen der Elektrotechnik 1
Fundamentals of Electrical Engineering 1 Grundlagen der Elektrotechnik 1 Chapter: Operational Amplifiers / Operationsverstärker Michael E. Auer Source of figures: Alexander/Sadiku: Fundamentals of Electric
Mehr