FZ 1800 R 17 KF6C B2

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1 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C I C,nom. 18 A DC-collector current T C = 25 C I C 29 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t P = 1 ms, T C = 8 C I CRM 36 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation T C =25 C, Transistor P tot 13,9 kw Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V GES +/- 2V V Dauergleichstrom DC forward current I F 18 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I 2 t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms I FRM 36 A V R = V, t p = 1ms, T Vj = 125 C I 2 t 85 ka 2 s RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I C = 18A, V GE = 15V, T vj = 25 C V CE sat 2,6 3,1 V collector-emitter saturation voltage I C = 18A, V GE = 15V, T vj = 125 C 3,1 3,6 V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage I C = 12mA, V CE = V GE, T vj = 25 C V GE(th) 4,5 5,5 6,5 V Gateladung gate charge V GE = -15V V Q G 22 µc Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,T vj = 25 C,V CE = 25V, V GE = V C ies 118 nf Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,T vj = 25 C,V CE = 25V, V GE = V C res 6 nf Kollektor-Emitter Reststrom V CE = 17V, V GE = V, T vj = 25 C I CES 5 ma collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current V CE = V, V GE = 2V, T vj = 25 C I GES 4 na prepared by: A. Wiesenthal date of publication: approved by: Christoph Lübke; revision: 1 (preliminary) 1(8) FZ18R17KF6C B2_V.xls

2 Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = 18A, V CE = 9V turn on delay time (inductive load) V GE = ±15V, R G =,829, T vj = 25 C t d,on,3 µs V GE = ±15V, R G =,829, T vj = 125 C,3 µs Anstiegszeit (induktive Last) I C = 18A, V CE = 9V rise time (inductive load) V GE = ±15V, R G =,829, T vj = 25 C t r,2 µs V GE = ±15V, R G =,829, T vj = 125 C,2 µs Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = 18A, V CE = 9V turn off delay time (inductive load) V GE = ±15V, R G =,829, T vj = 25 C t d,off 1,3 µs V GE = ±15V, R G =,829, T vj = 125 C 1,3 µs Fallzeit (induktive Last) I C = 18A, V CE = 9V fall time (inductive load) V GE = ±15V, R G =,829, T vj = 25 C t f,15 µs V GE = ±15V, R G =,829, T vj = 125 C,16 µs Einschaltverlustenergie pro Puls I C = 18A, V CE = 9V, V GE = 15V turn-on energy loss per pulse R G =,829, T vj = 125 C, L S = 5nH E on 57 mws Abschaltverlustenergie pro Puls I C = 18A, V CE = 9V, V GE = 15V turn-off energy loss per pulse R G =,829, T vj = 125 C, L S = 5nH E off 725 mws Kurzschlußverhalten t P 1µsec, V GE 15V SC Data T Vj 125 C, V CC =1V, V CEmax =V CES -L sce di/dt I SC 72 A Modulinduktivität stray inductance module L sce 1 nh Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm R CC +EE,6 m9 Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode min. typ. max. Durchlaßspannung I F = 18A, V GE = V, T vj = 25 C V F 2,1 2,5 V forward voltage I F = 18A, V GE = V, T vj = 125 C 2,1 2,5 V Rückstromspitze I F = 18A, - di F /dt = 18A/µsec peak reverse recovery current V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 25 C I RM 158 A V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 125 C 186 A Sperrverzögerungsladung I F = 18A, - di F /dt =18A/µsec recovered charge V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 25 C Q r 34 µas V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 125 C 63 µas Abschaltenergie pro Puls I F = 18A, - di F /dt = 18A/µsec reverse recovery energy V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 25 C E rec 19 mws V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 125 C 37 mws 2(8) FZ18R17KF6C B2_V.xls

3 Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC R thjc,9 K/W thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC,17 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module Paste = 1 W/m*K / grease = 1 W/m*K R thck,6 K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature T vj 15 C Betriebstemperatur operation temperature T vj op C Lagertemperatur storage temperature T stg C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation AlN Kriechstrecke creepage distance 32 mm Luftstrecke clearance 2 mm CTI comperative tracking index >4 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M1 5 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminals M4 M2 2 Nm terminal connection torque terminals M8 8-1 Nm Gewicht weight G 15 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) FZ18R17KF6C B2_V.xls

4 36 Ausgangskennlinie (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) V GE = 15V Tvj = 25 C Tvj = 125 C ,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V CE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) T vj = 125 C vge = 2V vge = 15V vge = 12V vge = 1V vge = 9V vge = 8V ,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V CE [V] 4(8) FZ18R17KF6C B2_V.xls

5 36 Übertragungscharakteristik (typisch) I C = f (V GE ) Transfer characteristic (typical) V CE = 2V Tvj = 25 C Tvj = 125 C V GE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f (V F ) Forward characteristic of inverse diode (typical) Tvj = 25 C Tvj = 125 C 24 I F [A] ,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, V F [V] 5(8) FZ18R17KF6C B2_V.xls

6 18 Schaltverluste (typisch) E on = f (I C ), E off = f (I C ), E rec = f (I C ) Switching losses (typical) R gon = R goff =,82 9, V CE = 9V, T j = 125 C, V GE = ± 15V Eoff Eon Erec 12 1 E [mj] Schaltverluste (typisch) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) Switching losses (typical) I C = 12A, V CE = 9V, T j = 125 C, V GE = ± 15V 25 2 Eon Eoff Erec E [mj] R G [9] 6(8) FZ18R17KF6C B2_V.xls

7 ,1 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t) Z thjc [K / W],1 Zth; Diode Zth; IGBT,1,1,1, t [sec] i ri [K/kW] : IGBT,865 4,26 1,8 2,8 JE [sec] : IGBT,3,5,1,95 ri [K/kW] : Diode 1,67 9,11 3,11 3,11 JE [sec] : Diode,3,45,45,75 4 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) R g =,82 Ohm, T vj = 125 C ic; Chip ic; Modul V CE [V] 7(8) FZ18R17KF6C B2_V.xls

8 Äußere Abmessungen / external dimensions 8(8) FZ18R17KF6C B2_V.xls

9 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.