FP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Transkript

1 s Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output V RRM 1600 V I RMSmax 60 A T C = 80 C I d 15 A Stoßstrom Grenzwert t P = 10 ms, T vj = 25 C I FSM 315 A surge forward current t P = 10 ms, T vj = 150 C 260 A Grenzlastintegral t P = 10 ms, T vj = 25 C I 2 t 500 A 2 s I 2 t - value t P = 10 ms, T vj = 150 C 340 A 2 s Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 1200 V Kollektor- Tc = 80 C I C,nom. 15 A DC-collector current T C = 25 C I C 25 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage t P = 1 ms, T C = 80 C I CRM 30 A T C = 25 C P tot 100 W V GES +/- 20V V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I 2 t - value Tc = 80 C I F 15 A t P = 1 ms I FRM 30 A V R = 0V, t p = 10ms, T vj = 125 C I 2 t 60 A 2 s Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 1200 V Kollektor- T C = 80 C I C,nom. 10 A DC-collector current T C = 25 C I C 18 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current t P = 1 ms, T C = 80 C I CRM 20 A T C = 25 C P tot 80 W V GES +/- 20V V Tc = 80 C I F 10 A t P = 1 ms I FRM 20 A prepared by: Andreas Schulz date of publication: approved by: Robert Severin revision: 1 1(11)

2 s Modul Isolation/ Module Isolation Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. NTC connected to Baseplate Charakteristische Werte / Characteristic values V ISOL 2,5 kv Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier min. typ. max. Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Sperrstrom reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip T vj = 150 C, I F = 15 A V F - 0,95 - V T vj = 150 C V (TO) - - 0,8 V T vj = 150 C r T ,5 mω T vj = 150 C, V R = 1600 V I R ma T C = 25 C R AA'+CC' mω Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung V GE = 15V, T vj = 25 C, I C = 15 A V CE sat - 1,7 2,2 V collector-emitter saturation voltage V GE = 15V, T vj = 125 C, I C = 15 A V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current V CE = V GE, T vj = 25 C, I C = 0,5 ma V GE(TO) 5,0 5,8 6,5 V f = 1MHz, T vj = 25 C V CE = 25 V, V GE = 0 V C ies - 1,1 - nf V GE = 0V, T vj = 25 C, V CE = 1200 V I CES ma V CE = 0V, V GE =20V, T vj =25 C I GES na Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = I Nenn, V CC = 600 V turn on delay time (inductive load) V GE = ±15V, T vj = 25 C, R G = 75 Ohm t d,on ns V GE = ±15V, T vj = 125 C, R G = 75 Ohm ns Anstiegszeit (induktive Last) I C = I Nenn, V CC = 600 V rise time (inductive load) V GE = ±15V, T vj = 25 C, R G = 75 Ohm t r ns V GE = ±15V, T vj = 125 C, R G = 75 Ohm ns Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = I Nenn, V CC = 600 V turn off delay time (inductive load) V GE = ±15V, T vj = 25 C, R G = 75 Ohm t d,off ns V GE = ±15V, T vj = 125 C, R G = 75 Ohm ns Fallzeit (induktive Last) I C = I Nenn, V CC = 600 V fall time (inductive load) V GE = ±15V, T vj = 25 C, R G = 75 Ohm t f ns V GE = ±15V, T vj = 125 C, R G = 75 Ohm ns Einschaltverlustenergie pro Puls I C = I Nenn, V CC = 600 V turn-on energy loss per pulse V GE = ±15V, T vj = 125 C, R G = 75 Ohm E on - 2,1 - mws Abschaltverlustenergie pro Puls I C = I Nenn, V CC = 600 V turn-off energy loss per pulse V GE = ±15V, T vj = 125 C, R G = 75 Ohm E off - 1,5 - mws Kurzschlußverhalten t P 10µs, V GE 15V, R G = 75 Ohm SC Data T vj 125 C, V CC = 720 V I SC A L S = L S = 45 nh 45 nh 2(11)

3 s Charakteristische Werte / Characteristic values Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip min. typ. max. L σce nh T C = 25 C R CC'+EE' mω Diode Wechselrichter/ Diode Inverter min. typ. max. Durchlaßspannung V GE = 0V, T vj = 25 C, I F = 15 A V F - 1,65 2,2 V forward voltage V GE = 0V, T vj = 125 C, I F = 15 A - 1,65 - V Rückstromspitze I F =I Nenn, - di F /dt = 400 A/µs peak reverse recovery current V GE = -10V, T vj = 25 C, V R = 600 V I RM A V GE = -10V, T vj = 125 C, V R = 600 V A Sperrverzögerungsladung I F =I Nenn, - di F /dt = 400 A/µs recovered charge V GE = -10V, T vj = 25 C, V R = 600 V Q r - 1,8 - µas V GE = -10V, T vj = 125 C, V R = 600 V µas Abschaltenergie pro Puls I F =I Nenn, - di F /dt = 400 A/µs reverse recovery energy V GE = -10V, T vj = 25 C, V R = 600 V E RQ - 0,55 - mws V GE = -10V, T vj = 125 C, V R = 600 V - 1,1 - mws Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung V GE = 15V, T vj = 25 C, I C = 10 A V CE sat - 1,85 2,5 V collector-emitter saturation voltage V GE = 15V, T vj = 125 C, I C = 10 A - 2,25 - V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Schaltverluste und -bedingungen Switching losses and conditions V CE = V GE, T vj = 25 C, I C = 0,3 ma V GE(TO) 5,0 5,8 6,5 V f = 1MHz, T vj = 25 C V CE = 25 V, V GE = 0 V C ies - 0,6 - nf V GE = 0V, T vj = 25 C, V CE = 1200 V I CES - 5,0 - ma V CE = 0V, V GE = 20V, T vj = 25 C I GES na Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper min. typ. max. Durchlaßspannung T vj = 25 C, I F = 10 A V F - 1,8 2,5 V forward voltage T vj = 125 C, I F = 10 A - 1,85 - V Schaltverluste und -bedingungen Switching losses and conditions siehe Wechselrichter in Dbl FP10R12KE3 see inverter in datasheet FP10R12KE3 siehe Wechselrichter in Dbl FB10R12KE3 see inverter in datasheet FB10R12KE3 NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance T C = 25 C R kω Abweichung von R 100 deviation of R 100 T C = 100 C, R 100 = 493 Ω R/R -5 5 % Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value T C = 25 C P mw R 2 = R 1 exp [B(1/T 2-1/T 1 )] B 25/ K 3(11)

4 s Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. Innerer Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode R thjc K/W thermal resistance, junction to case Trans. Wechsr./ Trans. Inverter - - 1,2 K/W Diode Wechsr./ Diode Inverter - - 1,5 K/W Trans. Bremse/ Trans. Brake - - 1,5 K/W Diode Bremse/ Diode Brake - - 2,3 K/W Übergangs-Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode λ Paste=1W/m*K R thck - 0,08 - K/W thermal resistance, case to heatsink Trans. Wechsr./ Trans. Inverter λ grease=1w/m*k - 0,04 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Diode Wechsr./ Diode Inverter - 0,08 - K/W T vj C T op C T stg C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Innere Isolation internal insulation Al 2 O 3 CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M 3 Nm mounting torque ±10% Gewicht weight 225 G 180 g 4(11)

5 s Schaltplan/ Circuit diagram NTC Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 11(11)