Marketing Information FZ 800 R 16 KF4
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- Victoria Frei
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1 uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information FZ R 16 KF ,5 M8 screwing depth max. 8 31, G M ,5 2,5 18,5 external connection (to be done) G external connection (to be done) VWK Apr. 1997
2 IGBT-Module Höchstzulässige Werte / Maximum rated values lektrische igenschaften / lectrical properties FZ R 16 KF4 Kollektor-mitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V S 1 V Kollektor-Dauergleichstrom D-collector current I A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t p =1 ms I RM 1 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation t =25, Transistor /transistor P tot 625 W Gate-mitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V G ± 2 V Dauergleichstrom D forward current I F A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current t p =1ms I FRM 1 A Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=5 Hz, t= 1 min. V ISOL 3,4 kv harakteristische Werte / haracteristic values: Transistor min. typ. max. Kollektor-mitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage i =A, v G =15V, t vj =25 v sat - 3,3 3,7 V i =A, v G =15V, t vj =125-4,4 4,8 V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage i =65mA, v =v G, t vj =25 v G(TO) 4,5 5,5 6,5 V ingangskapazität input capacity f O =1MHz,t vj =25,v =25V, v G =V ies nf Kollektor-mitter Reststrom collector-emitter cut-off current v =1V, v G =V, t vj =25 i S ma v =1V, v G =V, t vj = ma Gate-mitter Reststrom gate leakage current v =V, v G =2V, t vj =25 i GS - - na mitter-gate Reststrom gate leakage current v =V, v G =2V, t vj =25 i GS - - na inschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) i =A,v =9V,v L =±15V t on v L =±15V, R G =2,4Ω, t vj =25 -,8 - µs v L =±15V, R G =2,4Ω, t vj = µs Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) i =A,v =9V,v L =±15V t s v L =±15V, R G =2,4Ω, t vj =25-1,1 - µs v L =±15V, R G =2,4Ω, t vj =125-1,3 - µs Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) i =A,v =9V,v L =±15V t f harakteristische Werte / haracteristic values Transistor / Transistor v L =±15V, R G =2,4Ω, t vj =25 -,25 - µs v L =±15V, R G =2,4Ω, t vj =125 -,3 - µs inschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse i =A,v =9V,v L =±15V on R G =2,4Ω, t vj =125, L S =7nH mws Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse i =A,v =9V,v L =±15V off Inversdiode / Inverse diode R G =2,4Ω, t vj =125, L S =7nH mws Durchlaßspannung forward voltage i F =A, v G =V, t vj =25 v F - 2,4 2,8 V i F =A, v G =V, t vj =125-2,2 - V Rückstromspitze peak reverse recovery current i F =A, -di F /dt=4,5ka/µs I RM v RM =9V, v G =1V, t vj = A v RM =9V, v G =1V, t vj = A Sperrverzögerungsladung recovered charge i F =A, -di F /dt=4,5ka/µs Q r Thermische igenschaften / Thermal properties v RM =9V, v G =1V, t vj = µas v RM =9V, v G =1V, t vj = µas Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, D R thj,2 /W Diode /diode, D,5 /W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module R thk,1 /W Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature t vj max 15 Betriebstemperatur operating temperature t c op Lagertemperatur storage temperature t stg Mechanische igenschaften / Mechanical properties Innere Isolation internal insulation Al 2 O 3 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque terminals M6 / tolerance ±1% M1 3 Nm Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque terminals M4 / tolerance +5/-1% M2 2 Nm terminals M8 Gewicht weight G ca. 15 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine igenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen rläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes Nm Bedingung für den Kurzschlußschutz / onditions for short-circuit protection t fg = 1 µs V = V v L = ±15V v M = 13 V R GF = R GR = 2,4 Ω i MK1 A t vj = 125 i MK2 A Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v M = V S - 15nH x di c /dt
3 FZ R 16 KF4 1 i 1 i 1 V G = 2 V 15 V 12 V 1 V 9 V 8 V FZ R 16 KF4 / 1 v [V] Bild / Fig. 1 Kollektor-mitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) / ollector-emitter-voltage in saturation region (typical) V G = 15 V t vj = 25 t vj = FZ R 16 KF4 / 2 Bild / Fig. 2 Kollektor-mitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) / ollector-emitter-voltage in saturation region (typical) t vj = 125 v [V] 1 t vj = i 1 i FZ R 16 KF 4 / 3 v G [V] 5 15 FZ R 16 KF4 / 4 v [V] Bild / Fig. 3 Übertragungscharakteristik (typisch) / Transfer characteristic (typical) V = 2 V Bild / Fig. 4 Rückwärts-Arbeitsbereich / Reverse biased safe operating area t vj = 125 v LF = v LR = 15 V R G = 2,4 Ω
4 FZ R 16 KF Z (th)j [ /W] 3 2 Diode IGBT 1 i F FZ R 16 KF4 / 5 Bild / Fig. 5 Transienter innerer Wärmewiderstand (D) / Transient thermal impedance (D) t [s],5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 FZ R 16 KF 4 / 6 v F [V] Bild / Fig. 6 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) / Forward characteristic of the inverse diode (typical) t vj = 25 t vj = 125
5 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. ine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen igenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den insatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame inführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & onditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. hanges of this product data sheet are reserved.
Marketing Information FZ 1800 R 16 KF4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information 61,5 13 61,5 M8 31,5 19 171 1 2 57 3 M, tief 2,5 tief G 28 8 79, 7 1,25 2,25 external connection to be done 6 5 7 (for M6 screw)
MehrMarketing Information FZ 800 R 12 KF 4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany GmbH + o. KG Marketing Information FZ 8 R 12 KF 4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection to be done
MehrMarketing Information FF 600 R 16 KF4
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information FF R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G1 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16 18 4 53 44 57 2,5
MehrMarketing Information FD 600 R 16 KF4
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information FD R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 C2 E2 E2 G1 C2 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16 18 4
MehrMarketing Information FF 600 R 12 KF 4
European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Marketing Information FF 6 R 12 KF 4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G1 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16
MehrDD 400 S 17 K6C B2. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv. pro Diode / per Diode L sac 20 nh. pro Zweig / per arm R CC +EE 0,16 mω
1700V Dual Dioden Modul mit softer EmCon Diode 1700V Dual Diode Module with soft EmCon Diode Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
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Mehrг.минск тел.8(017) DD 400 S 17 K6 B2 RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current V CES 1700 V I F 400 A Periodischer Spitzenstrom repetitive
MehrDD 200 S 65 K1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj =125 C T vj =25 C T vj =-40 C V CES 6500 6300 5800 V Dauergleichstrom DC forward current
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s Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom
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