Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Vorläufige Daten Preliminary Data Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V DRM, V RRM 3000 3200 V repetitive peak forward off-state and reverse voltages 3400 3600 V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V DSM 3000 3200 V non-repetitive peak foward off-state voltage 3400 3600 V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung T vj = + 25 C...T vj max V RSM 3100 3300 V non-repetitive peak reverse voltage 3500 3700 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I TRSMSM 2200 A RMSM on-state current Dauergrenzstrom T C =85 C I TAVM 930 A average on-state current T C =50 C 1400,4 A Stoßstrom-Grenzwert T vj = 25 C, t p = 10 ms I TSM 19500 A surge current T vj = T vj max, t p = 10 ms 17500 A Grenzlastintegral T vj = 25 C, t p = 10ms I²t 1900 A²s*10³ I²t-value T vj = T vj max, t p = 10ms 1530 A²s*10³ Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (di T /dt) cr 80 A/µs critical rate of rise of on-state current f=50 Hz, v L = 10V, i GM = 1 A di G /dt = 1 A/µs Kritische Spannungssteilheit T vj = T vj max, v D = 0,67 V DRM (dv D /dt) cr 1000 V/µs critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung T vj = T vj max, i T = 3600 A v T max. 2,70 V on-state voltage T vj = T vj max, i T = 1000 A v T max. 1,48 V Schleusenspannung T vj = T vj max V T(TO) 1,00 V threshold voltage Ersatzwiderstand T vj = T vj max r T 0,43 mω slope resistance Durchlaßkennlinie T vj = T vj max A=1,165673 on-state voltage B= 3,49E-04 C= -0,0722537 v T = A + B i T + C Ln( i T + 1 ) + D i T D= 1,45E-02 Zündstrom T vj = 25 C, v D = 6 V I GT max. 250 ma gate trigger current Zündspannung T vj = 25 C, v D = 6V V GT max. 2,2 V gate trigger voltage Nicht zündener Steuerstrom T vj = T vj max, v D = 6 V I GD max. 10 ma gate non-trigger current T vj = T vj max,v D = 0,5 V DRM max. 5 ma Nicht zündene Steuerspannung T vj = T vj max,v D = 0,5 V DRM V GD max. 0,25 V gate non-trigger voltage Haltestrom T vj = 25 C, v D = 6 V, R A = 5 Ω I H max. 500 ma holding current Einraststrom T vj = 25 C, v D = 6 V, R GK >= 10 Ω I L max. 2500 ma latching current i GM = 1 A, di G /dt = 1 A/µs t g = 20 µs Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom T vj = T vj max i D, i R max. 250 ma forward off-state and reverse currents v D = V DRM, v R = V RRM Zündverzug DIN IEC 747-6 t gd max. 4,5 µs gate controlled delay time T vj = 25 C i GM = 1 A, di G /dt = 1 A/µs BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Seite/page 1

Elektrische Eigenschften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Vorläufige Daten Preliminary Data Freiwerdezeit T vj = T vj max, i TM =I TAVM t q circuit commutatet turn-off time v RM =100V, v DM = 0,67 V DRM dv D /dt = 20 V/µs, -di T /dt = 10 A/µs 4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 500 µs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thjc thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, θ=180 sin max. 0,0215 C/W beidseitig / two-sided, DC max. 0,0195 C/W Anode / anode, θ=180 sin max. 0,0406 C/W Anode / anode, DC max. 0,0384 C/W Kathode / cathode, θ=180 sin max. 0,0424 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,0400 C/W Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thjk thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0040 C/W einseitig / single-sided max. 0,0080 C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T vj max 125 C max. junction temperature Betriebstemperatur T c op -40,,,+125 C operating temperature Lagertemperatur T stg -40,,,+150 C storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft F 20...45 kn clamping force Gewicht G typ. 540 g weight Kriechstrecke 32 mm creepage distance Feuchteklasse DIN 40040 C humidity classification Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Seite/page 2

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Kühlung cooling Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thjc für DC Analytical ementes of transient thermal impedance Z thjc for DC Pos.n 1 2 3 4 5 6 7 beidseitig R thn [ C/W] 0,001130 0,002100 0,002290 0,006390 0,007580 two-sided τ n [s] 0,001890 0,006500 0,045600 0,230000 1,134000 anodenseitig R thn [ C/W] 0,000660 0,002910 0,003700 0,007000 0,024100 anode-sided τ n [s] 0,001380 0,006140 0,076500 0,374000 6,160000 kathodenseitig R thn [ C/W] 0,001270 0,002600 0,006000 0,003400 0,027000 cathode-sided τ n [s] 0,002010 0,008430 0,126000 0,560000 6,8300 n max Analytische Funktion / analytical function : Z thjc = Σ R thn ( 1 - EXP ( - t / τ n )) n=1 BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Seite/page 4

6.000 5.000 4.000 i T [A] 3.000 2.000 1.000 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 v T [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i T = f(v T ) T vj = T vj max BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z. Nr.: 2 Seite/page 5

3.500 120 180 90 3.000 60 Θ = 30 2.500 2.000 P TAV [W] 1.500 1.000 500 0 0 500 1000 1500 I TAV [A] Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P TAV = f(i TAV ) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 3 Seite/page 6

140 120 100 T C [ C] 80 60 40 Θ = 30 60 90 120 180 20 0 500 1000 1500 I TAVM [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(i TAVM ) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 4 Seite/page 7

140 120 100 T C [ C] 80 60 40 Θ = 30 60 90 120 180 20 0 200 400 600 800 1000 1200 I TAVM [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(i TAVM ) Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 5 Seite/page 8

140 120 100 T C [ C] 80 60 40 Θ = 30 60 90 120 180 20 0 200 400 600 800 1000 1200 I TAVM [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(i TAVM ) Kathodenseitige Kühlung / cathode sided cooling Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 6 Seite/page 9

140 120 100 T A [ C] 80 60 120 40 180 Θ = 30 60 90 20 0 50 100 150 200 250 300 I TAVM [A] Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T A = f (I TAVM ) Luftselbstkühlung / Natural air-cooling Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 7 Seite/page 10

140 120 100 T A [ C] 80 60 40 Θ = 30 60 90 120 180 20 0 100 200 300 400 500 600 700 800 I TAVM [A] Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T A = f (I TAVM ) Verstärkte Luftkühlung / Forced air-cooling Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F,T A = 35 C, V L = 120 l/s Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 8 Seite/page 11

4.500 DC 4.000 180 3.500 120 90 3.000 60 Θ = 30 30 2.500 P TAV [W] 2.000 1.500 1.000 500 0 0 500 1000 1500 2000 2500 I TAV [A] Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P TAV = f(i TAV ) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 9 Seite/page 12

140 120 100 T C [ C] 80 60 40 Θ = 30 60 90 120 180 DC 20 0 500 1000 1500 2000 2500 I TAVM [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(i TAVM ) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 10 Seite/page 13

140 120 100 T C [ C] 80 60 40 Θ = 30 60 90 120 180 DC 20 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 I TAVM [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(i TAVM ) Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 11 Seite/page 14

140 120 100 T C [ C] 80 60 40 Θ = 30 60 90 120 180 DC 20 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 I TAVM [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(i TAVM ) Kathodenseitige Kühlung / cathode sided cooling Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 12 Seite/page 15

140 120 100 T A [ C] 80 60 40 Θ = 30 60 90 120 180 DC 20 0 50 100 150 200 250 300 350 I TAVM [A] Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T A = f (I TAVM ) Luftselbstkühlung / Natural air-cooling Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 13 Seite/page 16

140 120 100 T A [ C] 80 60 40 Θ = 30 60 90 120 180 DC 20 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 I TAVM [A] Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T A = f (I TAVM ) Verstärkte Luftkühlung / Forced air-cooling Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F, V L = 120 l/s Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 14 Seite/page 17

3000 2000 1000 0 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 Technische Information / Technical Information 3000 20 s 4 s I TAV(vor) [A]=230 200 220 160 100 0 I TINT [A], I TAV(vor) = 0 2000 1000 1 min 4 min 2 h 1 s 0,4 s SD=0,1 s SD ED 40 min 10 min I TAV(vor) I TINT 0 0,1 1 10 100 ED [%] 0 1000 2000 3000 I TINT [A] Höchstzul. Durchlaßstrom bei Ausetzbetrieb / Max. allowable on-state current during intermittent operation I TINT = f(ed) Beidseitig Luftselbstkühlung / two-sided natural cooling K 0.05 F T A = 45 C Parameter: Vorlaststrom / pre-load current I TAV(vor), Spieldauer / cycle duration SD 3500 3000 20 s 4 s 1 s I TAV(vor) [A]=610 510 560 440 330 0 I TINT [A], I TAV(vor) = 0 2500 2000 1500 1 min 4 min 0,4 s SD=0,1s 1000 500 2 h 40 min 10 min 0,1 1 10 100 ED [%] Höchstzul. Durchlaßstrom bei Ausetzbetrieb / Max. allowable on-state current during intermittent operation I TINT = f(ed) Beidseitig verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K 0.05 F T A = 35 C, V L = 120 l/s 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 I TINT [A] Parameter: Vorlaststrom / pre-load current ITAV(vor), Spieldauer / cycle duration SD I TAV(vor) SD ED I TINT BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z. Nr.: 15 Seite/page 18

10.000 8.000 6.000 4.000 I TAV (vor) = 0 A 100 A 160 A 200 A 220 A 230 A 3.000 2.000 I T (OV) [A] 1.000 800 600 100 0,01 0,1 1 10 100 1000 10000 t [s] Überstrom / Overload on-state current I T(OV) = f(t) Beidseitige Luftselbstkühlung / Two-sided natural cooling K0.05F T A = 45 C Parameter: Vorlaststrom / pre-load current I TAV(vor) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z. Nr.: 16 Seite/page 19

10.000 8.000 6.000 I TAV (vor)] = 0 A 330 A 440 A 510 A 560 A 610 A 4.000 I T (OV) [A] 3.000 2.000 1.000 0,01 0,1 1 10 100 1000 10000 t [s] Überstrom / Overload on-state current I T(OV) = f(t) Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K0.05F T A = 35 C, V L = 120 l/s Parameter: Vorlaststrom / pre-load current I TAV(vor) BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z. Nr.: 17 Seite/page 20

15.000 a 10.000 T A = 35 C v L =120l/s b I T(OV)M [A] T A = 45 C 5.000 0 0,01 0,1 1 10 t [s] Grenzstrom / Max. overload on-state current I T(OV)M = f(t), v RM = 0,8 V RRM Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Kühlkörper / Heatsink: K 0.05F Belastung aus / Surge current occurs: a - Leerlauf / No-load conditions b - Betrieb mit Dauergrenzstrom / During operation at max. average on-state current I TAVM BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z. Nr.: 18 Seite/page 21

10 1 8 6 4 a b c v G [V] 3 2 10 0 8 6 4 3 2 10-1 10 1 2 3 4 5 6 8 10 2 2 3 4 5 6 8 10 3 2 3 4 5 6 8 10 4 i G [ma] Steuercharakteristik v G = f (i G ) mit Zündbereichen für V D = 6 V Gate characteristic v G = f (i G ) with triggering area for V D = 6 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P GM = f (t g ) : a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.:19 Seite/page 22

10 3 5 2 T 10 2 gd [µs] 5 a 2 10 1 5 b 2 10 0 5 2 10-1 10 1 10 2 10 3 10 4 2 3 4 5 6 8 2 3 4 5 6 8 2 3 4 5 6 8 i G [ma] Zündverzug / Gate controlled delay time t gd = f(i GM ) T vj = 25 C, di G /dt = i GM /1µs a - maximaler Verlauf / limiting characteristic b - typischer Verlauf / typical characteristic BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 20 Seite/page 23

10.000 i TM = 2000A 1000A 8.000 500A 6.000 200A 100A 4.000 Q r [µas] 3.000 50A 2.000 1.000 1 10 100 -di/dt [A/µs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q r = f(di/dt) T vj = T vj max, v R = 0,5 V RRM, v RM = 0,8 V RRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i TM BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Zn. Nr.: 21 Seite/page 24

0,035 Θ = 0,030 30 0,025 60 90 120 180 Z (th) JC [ C/W] 0,020 0,015 0,010 0,005 0,000 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z (th)jc = f(t) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 22 Seite/page 25

0,050 Θ = 30 60 0,040 90 120 180 0,030 Z (th) JC [ C/W] 0,020 0,010 0,000 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z (th)jc = f(t) Anodenseitige Kühlung / Anode-sided sided cooling BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 23 Seite/page 27

0,060 Θ = 0,050 30 60 90 120 180 0,040 Z (th) JC [ C/W] 0,030 0,020 0,010 0,000 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z (th)jc = f(t) Kathodenseitige Kühlung / Cathde-sided cooling BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 24 Seite/page 27

0,035 Θ = 0,030 30 60 90 0,025 120 180 Z (th) JC [ C/W] 0,020 0,015 DC 0,010 0,005 0,000 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z (th)jc = f(t) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 25 Seite/page 28

0,050 Θ = 30 60 90 120 0,040 180 DC 0,030 Z (th) JC [ C/W] 0,020 0,010 0,000 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z (th)jc = f(t) Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 26 Seite/page 29

0,060 Θ 0,050 0,040 30 60 90 120 180 DC Z (th)jc [ C/W] 0,030 0,020 0,010 0,000 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z (th)jc = f(t) Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Z.Nr.: 27 Seite/page 30

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