Technische Highlights



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Transkript:

Samsung SSD 845DC EVO Enterprise Solid State Drive 5hre ja leseintensive Anwendungen. Rechenzentren. Die bewährte 3-Bit MLC-NAND Flash-Technologie bietet in Kombination mit eine kontinuierliche Leistung, die beispielsweise beim Video-Streaming oder in Webservern extrem wichtig sind. Technische Highlights bzw. 410 MB/s (schreibend) Zuverlässigkeit: 2 Millionen Stunden (MTBF) Spezifizierte Schreibdatenmenge: 150/300/600 TB Total Bytes Written* Latenz: 110 µs (Random Read) bzw. 55 µs (Random Write)* Schnittstelle: SATA 6 Gb/s 5 Jahre eingeschränkte Garantie * modellabhängig

Samsung SSD 845DC EVO Serie Modellbezeichnung MZ-7GE240EW MZ-7GE480EW MZ-7GE960EW Allgemein Kapazität 240 GB 480 GB max. 63 g max. 63 g max. 63 g Maße (L x B x H) Geschwindigkeit Lesen/Schreiben bis zu 530 MB/s* bzw. 270 MB/s* bis zu 530 MB/s* bzw. 410 MB/s* bis zu 530 MB/s* bzw. 410 MB/s* Ein-/Ausgabeoperationen Lieferumfang Software Samsung SSD Magician DC-Software** zur Verwaltung der SSD Samsung SSD Magician DC-Software** zur Verwaltung der SSD Samsung SSD Magician DC-Software** zur Verwaltung der SSD Technische Merkmale SSD 845DC EVO Serie Formfaktor 2,5 Zoll Feuchtigkeit Durchschnittliche Leistungsaufnahme im Betrieb*** Durchschnittliche Leistungsaufnahme im Leerlauf*** Glossar 240 GB: 3,1/3,1 W Read/Write (Burst: 3,1/3,4 W) 480 GB: 3,1/4,1 W Read/Write (Burst: 3,1/4,4 W) 1,5 W Zulässige Spannung 5 V ± 5 % Zuverlässigkeit (MTBF) Lebensdauer Schnittstelle QoS (Quality of Service) Latenz Temperatur Mean Time Between Failures (MTBF): 2.000.000 Stunden Unkorrigierbare Bitfehlerrate (UBER): 1 Sektor pro 10hoch17 gelesener Bits End-to-end data protection SATA 6 Gb/s (abwärtskompatibel) Sequential: 55 µs Read/45 µs Write Random: 110 µs Read/50 µs Write Vibration Schock Storage-Speicher Controller DRAM Cache-Speicher Besonderheiten Garantie Zertifizierung Außer Betrieb: 20 ~ 2000 Hz, 20 G Außer Betrieb: 1.500 G, 0,5 ms, 3 Achsen Sequential Read: max. 530 MB/s Sequential Write: max. 270 MB/s (240 GB), 5 Jahre eingeschränkte Garantie 3-Bit MLC-NAND Flash: Samsungs bewährte 3-Bit MLC-NAND Flash- ausgelegt, die vor allem bei Servern (also Systemen) Lesezugriffe TBW/Total Bytes Written: Samsung spezifiziert die Lebensdauer der Server-SSD sollte mit besonderem Augenmerk auf diesen Wert bzw. die Schreibdatenmenge pro Tag ausgewählt werden. Der aktuellste Flash-Controller mit 3 ARM-Rechen- Leistungsfähigkeit der 845DC EVO Serie in Serverumgebungen. SSD. Mindestens 1 MB Cache pro Gigabyte an Speicherplatz steht ECC-Engine: Dieser Mechanismus zur Echtzeiterkennung und Korrektur von Signalfehlern gewährleistet eine hohe Datenintegrität. Kontinuierliche Leistung: auch unter härtesten Workloads zuverlässig planen können. QoS (Quality of Service): Beschreibt den Grad der Vorhersagbarkeit von Kondensatoren aus Tantal bieten eine hohe Schaltfestigkeit und stellen die Datenintegrität bei plötzlichem Spannungsabfall sicher. * *** Die tatsächliche Leistungsaufnahme kann abhängig von der Systemhardware 3. Schreib-Cache aktiviert. 5. Angaben zur unkorrigierbaren Bitfehlerrate (UBER) und zur Haltbarkeit (TBW) basieren auf JEDEC Standards. Samsung Electronics GmbH Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach/Taunus Hotline: 0180 6 726 78 64 (0,20 /Anruf aus dem dt. Festnetz,

Samsung SSD 845DC PRO Enterprise Solid State Drive 5hre ja anspruchsvolle Datenzentren. gebungen entwickelt. Die neue 3D V-NAND Flash-Technologie bietet in Verbindung mit Technische Highlights Schnittstelle: SATA 6 Gb/s 5 Jahre eingeschränkte Garantie

Samsung SSD 845DC PRO Serie Modellbezeichnung MZ-7WD400EW MZ-7WD800EW Allgemein Kapazität max. 65 g max. 65 g 100 x 69,85 x 6,8 mm 100 x 69,85 x 6,8 mm Geschwindigkeit Ein-/Ausgabeoperationen Software zur Verwaltung der SSD zur Verwaltung der SSD Technische Merkmale SSD 845DC PRO Serie Formfaktor 2,5 Zoll Feuchtigkeit 5 % bis 95 %, nicht kondensierend MDX-Controller: Der bewährte Flash-Controller mit 3 ARM-Rechen- - Hochgeschwindigkeits-Puffer auf jeder 845DC PRO ECC-Engine: Dieser Mechanismus zur Echtzeiterkennung und Korrektur von Signalfehlern gewährleistet eine hohe Datenintegrität. - - Zulässige Spannung 5 V ± 5 % Schnittstelle End-to-end data protection SATA 6 Gb/s (abwärtskompatibel) Vibration Schock Storage-Speicher Controller DRAM Cache-Speicher ~ 2000 Hz, 20 G Samsung 3-core MDX-Controller Garantie 5 Jahre eingeschränkte Garantie Temperatur Zertifizierung Glossar 3D V-NAND: Samsungs innovative 3D V-NAND Flash-Technologie ist die Einsatz in anspruchsvollen Serverumgebungen. im Garantiezeitraum komplett beschrieben werden kann. Eine Augenmerk ausgewählt werden. Quäntchen an Maximalleistung, sondern eine sehr hohe und jederzeit abrufbare Performance, mit der Administratoren und Entscheider Kondensatoren aus Tantal bieten eine Spannungsabfall sicher. Die tatsächliche Performance kann je nach Einsatzszenario und -umgebung variieren. 3. Schreib-Cache aktiviert. Samsung Electronics GmbH Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach/Taunus Hotline: 0180 6 726 78 64 (0,20 /Anruf aus dem dt. Festnetz,

Samsung SSD 850 EVO 5hre ja * hoher Effizienz und herausragender Garantie. Technologie ausgestattet. Das macht sie nicht nur schneller als den Vorgänger, sondern Technische Highlights bzw. 520 MB/s (schreibend) Leistungsfähige Magician Software zur Verwaltung des Laufwerks, 5 Jahre Herstellergarantie* 75 TB TBW (Total Bytes Written) bei 120 GB und 250 GB sowie 150 TB TBW bei 500 GB und 1 TB.

Samsung SSD 850 EVO Serie Modellbezeichnung Allgemein Kapazität MZ-75E120B/EU MZ-75E250B/EU MZ-75E500B/EU MZ-75E1T0B/EU 120 GB 250 GB 500 GB 1 TB 40 g 45 g 66 g Maße (L x B x H) Geschwindigkeit Lesen/Schreiben bis zu 540 MB/s* bzw. 520 MB/s* bis zu 540 MB/s* bzw. 520 MB/s* bis zu 540 MB/s* bzw. 520 MB/s* bis zu 540 MB/s* bzw. 520 MB/s* Lieferumfang Software Verwaltung der SSD, Samsung Verwaltung der SSD, Samsung Verwaltung der SSD, Samsung Verwaltung der SSD, Samsung Dokumente Technische Merkmale SSD 850 EVO Serie Maße (L x B x H) Durchschnittliche Leistungs aufnahme im Betrieb*** Durchschnittliche Leistungs aufnahme im Leerlauf*** Schreiben: max. 4,4 W (1 TB) Leerlauf: max. 0,05 W bzw. 0,004 W (1 TB) 5V±5% Sequential Write: max. 520 MB/s 1,5 Mio. Stunden Betriebstemperatur Stoßsicherheit 1.500 G und 0,5 ms (halber Sinus) Lebensdauer 150 TB Total Bytes Written bei 500 GB und 1 TB Schnittstelle Besonderheiten Garantie 5 Jahre eingeschränkte Herstellergarantie (150 TB TBW bei 500 GB und 1 TB, 75 TB TBW bei 250 GB und 120 GB) Glossar managebar. bis zu 25 % des Hauptspeichers werden unter Windows nun TBW/Total Bytes Written: Dient der Spezifizierung der Gesamtschreib datenmenge innerhalb der Garantiezeit. Diese ist dabei so hoch ** www.samsung.com/samsungssd

Samsung SSD 850 PRO 1ah0re j * Technische Highlights *

Samsung SSD 850 PRO Serie Modellbezeichnung MZ-7KE128BW MZ-7KE256BW MZ-7KE512BW MZ-7KE1TOBW max. 66 g max. 66 g max. 66 g max. 66 g 100 x 69,85 x 7 mm 100 x 69,85 x 7 mm 100 x 69,85 x 7 mm 100 x 69,85 x 6,8 mm Allgemein Geschwindigkeit Lesen/Schreiben Lieferumfang Software Dokumente Technische Merkmale SSD 850 PRO Serie max. 66 g Schnittstelle 100 x 69,85 x 6,8 mm Durchschnittliche Leistungs Controller Durchschnittliche Leistungs aufnahme im Leerlauf*** Leistungsaufnahme*** Performance* 2 Mio. Stunden 0 C bis 70 C Stoßsicherheit 1.500 G und 0,5 ms (halber Sinus) Spezifiziertes Garantie Glossar TCG Opal 2.0: weit managebar. Samsung spezifiziert die Lebensdauer der arbeiten kann. ** www.samsung.com/samsungssd

Samsung Portable SSD T1 3hre ja Technische Highlights

Samsung Portable SSD T1 Serie Modellbezeichnung MU-PS250B/EU MU-PS500B/EU MU-PS1T0B/EU Allgemein 250 GB* 500 GB* 1 TB* 26 g 26 g 26 g bis zu 450 MB/s** bis zu 450 MB/s** bis zu 450 MB/s** Geschwindigkeit Software Dokumente Technische Merkmale Portable SSD T1 Serie 250 GB*, 500 GB*, 1 TB* Schnittstelle Abmessungen 26 g Datentransferrate bis zu 450 MB/s** lesend und schreibend AES 256 Bit Sicherheit RoHS2 Garantie Perfektes Datenmanagement immer und überall Gleichzeitig ist die Portable SSD sehr Energieeffizienz und in ihrer auf die Geschwindigkeit zu nehmen. bei sich zu haben: * 1 MB = 1.000.000 Byte, 1 GB = 1.000.000.000 Byte