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FP25R12W2T4 T = 100 C, TÝÎ = 175 C T = 25 C, TÝÎ = 175 C I = 25 A, V Š = 15 V I = 25 A, V Š = 15 V I = 25 A, V Š = 15 V

FP10R12W1T4_B11 T = 100 C, TÝÎ = 175 C T = 25 C, TÝÎ = 175 C I = 10 A, V Š = 15 V I = 10 A, V Š = 15 V I = 10 A, V Š = 15 V

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Technische Information / Technical Information

DD 400 S 17 K6C B2. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv. pro Diode / per Diode L sac 20 nh. pro Zweig / per arm R CC +EE 0,16 mω

Marketing Information FF 600 R 12 KF 4

BSM50GB120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

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BSM 15 GD 120 DN2 E3224

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IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Kollektor-D

FP35R12W2T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand

Marketing Information FF 600 R 16 KF4

1700 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C

Technische Information / Technical Information

FZ 400 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FS 225 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C

Technische Information / technical information FF800R12KE3

BSM 100 GB 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 300 GA 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Technische Information / Technical Information FZ2400R17KF6C B2. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 50 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Technische Information / technical information FF1200R12KE3

BSM300GB120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM75GD120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Technische Information / technical information FS35R12KE3 G

Technische Information / technical information FS50R12KE3

Technische Information / Technical Information BSM150GB120DLC. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 2,5 kv

FP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C Pulsed collector current, t p = 1 ms

1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C

Technische Information / Technical Information BSM35GD120DLC E3224. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

DD 200 S 65 K1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv

DD 400 S 65 K1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv

Technische Information / technical information

BSM150GAL120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C

1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C Pulsed collector current, t p = 1 ms

Technische Information / technical information FF1200R12KE3

BSM 200 GB 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 400 GA 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Technische Information / Technical Information FF 800 R 17 KF6 B2. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv

Technische Information / Technical Information BSM 30 GD 60 DLC E3224

Transkript:

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage / V Š» 6 V T = 9 C, TÝÎ = 75 C T = 25 C, TÝÎ = 75 C I ÒÓÑ I t«= ms I ç T = 25 C, TÝÎ = 75 C PÚÓÚ 5 W V Š» +/- V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) nstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) bschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse bschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink I =, V Š = 5 V I =, V Š = 5 V I =, V Š = 5 V V Š ÙÈÚ,45,6,,9 V V V I =,8 m, V Š = V Š, V ŠÚÌ 4,9 5,8 6,5 V V Š = -5 V... +5 V Q, µc R ÍÒÚ,  f = MHz,, V Š = 25 V, V Š = V CÍþÙ 3, nf f = MHz,, V Š = 25 V, V Š = V CØþÙ,95 nf V Š = 6 V, V Š = V, I Š», m V Š = V, V Š = V, I Š» 4 n I =, V Š = 3 V V Š = ±5 V R ÓÒ = 8,2  I =, V Š = 3 V V Š = ±5 V R ÓÒ = 8,2  I =, V Š = 3 V V Š = ±5 V R ÓËË = 8,2  I =, V Š = 3 V V Š = ±5 V R ÓËË = 8,2  I =, V Š = 3 V, L» = nh V Š = ±5 V, di/dt = 26 / (TÝÎ= C) R ÓÒ = 8,2  I =, V Š = 3 V, L» = nh V Š = ±5 V, du/dt = 4 V/ (TÝÎ= C) R ÓËË = 8,2  V Š ù 5 V, V = 36 V V ŠÑÈà = V Š» -LÙ Š di/dt pro IGBT per IGBT pro IGBT / per IGBT ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) t«ù 8, t«ù 6, tá ÓÒ tø tá ÓËË të EÓÒ EÓËË I»,23,23,23,5,8,2,,22,23,,3,4,46,56,65,,,6 3 2 RÚÌœ,66,73 K/W RÚÌ,8 K/W

Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t - value Vçç 6 V IŒ t«= ms IŒç Vç = V, t«= ms, Vç = V, t«= ms, Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge bschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink IŒ =, V Š = V IŒ =, V Š = V IŒ =, V Š = V IŒ =, - diœ/dt = 26 / (TÝÎ= C) Vç = 3 V V Š = -5 V IŒ =, - diœ/dt = 26 / (TÝÎ= C) Vç = 3 V V Š = -5 V IŒ =, - diœ/dt = 26 / (TÝÎ= C) Vç = 3 V V Š = -5 V pro Diode per diode pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) I²t VŒ Iç QØ EØþÊ 3 33,55,,45 6, 68, 72, 2, 3,4 3,95,42,7,83 ²s ²s 2, V V V µc µc µc RÚÌœ,, K/W RÚÌ,85 K/W NTC-Widerstand / NTC-thermistor Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance bweichung von Ræåå deviation of Ræåå Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value T = 25 C Rèë 5, kâ T = C, Ræåå = 493  ÆR/R -5 5 % T = 25 C Pèë, mw Rè = Rèë exp [Bèëõëå(/Tè - /(298,5 K))] Bèëõëå 3375 K 2

Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Modulinduktivität stray inductance module Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature npresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp Gewicht weight RMS, f = Hz, t = min. Vš» 2,5 kv Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal lèoé,5 6,3, 5, CTI > 225 min. typ. max. mm mm LÙ Š 25 nh Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà 75 C Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ -4 C TÙÚÃ -4 25 C F - N G 24 g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 3 effektiv pro nschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 3 rms per connector pin. 3

usgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 5 V usgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) 9 8 9 8 V Š = 9 V V Š = 7 V V Š = 5 V V Š = 3 V V Š = V V Š = 9 V 6 6 I [] I [] 4 4 3 3,,5,,5 2, 2,5 3, V Š [V],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V Š [V] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = V Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ) V Š = ±5 V, R ÓÒ = 8.2 Â, R ÓËË = 8.2 Â, V Š = 3 V 9 8 3, 2,5 EÓÒ, EÓËË, EÓÒ, EÓËË, 2, 6 I [] E [],5 4 3,,5 5 6 7 8 9 2 V Š [V], 3 4 6 8 9 I [] 4

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ) V Š = ±5 V, I =, V Š = 3 V Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ = f (t) 6, 5, EÓÒ, EÓËË, EÓÒ, EÓËË, ZÚÌœ : IGBT 4, E [] 3, ZÚÌœ [K/W] 2,,, 3 4 6 8 9 R [Â] Sicherer Rückwärts-rbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSO) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSO) I = f (V Š) V Š = ±5 V, R ÓËË = 8.2 Â, i: rí[k/w]: τí[s]:,83,5 2,93,5 3,586,5 4,588,2,,,, t [s] Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (VŒ) 9 I, Modul I, Chip 9 8 8 I [] 6 4 IŒ [] 6 4 3 3 3 4 6 V Š [V],,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, VŒ [V] 5

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ = 8.2 Â, V Š = 3 V Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ =, V Š = 3 V,8,6,4 EØþÊ, EØþÊ,,2, EØþÊ, EØþÊ,,2,8 E [],,8 E [],6,6,4,4,2,2, 3 4 6 8 9 IŒ [], 3 4 6 8 9 R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ = f (t) NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-temperature characteristic (typical) R = f (T) ZÚÌœ : Diode RÚáÔ ZÚÌœ [K/W] R[Â] i: rí[k/w]: τí[s]:,57,5 2,337,5 3,758,5 4,598,2,,,, t [s] 4 6 8 4 6 T [ C] 6

Schaltplan / circuit diagram ϑ Gehäuseabmessungen / package outlines 7

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre nwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese nwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen bteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher rt werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir pplication Notes bereit. ufgrund der technischen nforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in nwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden nwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den bschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. ny such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality ssessments; - the conclusion of Quality greements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. 8