FS35R12YT3. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
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- Dorothea Morgenstern
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1 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage TÝÎ = 25 C V Š» 2 V T = 8 C T = 25 C I ÒÓÑ I t«= ms, T = 8 C I ç A T = 25 C PÚÓÚ 225 W 4 A A V Š» +/-2 V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink I = A, V Š = 5 V, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 5 V, TÝÎ = 25 C V Š ÙÈÚ,,9 2,5 V V I =,5 ma, V Š = V Š, TÝÎ = 25 C V ŠÚÌ 5, 5,8 6,5 V V Š = -5 V V Q,34 µc TÝÎ = 25 C R ÍÒÚ 6,  f = MHz, TÝÎ = 25 C, V Š = 25 V, V Š = V CÍþÙ 2,5 nf f = MHz, TÝÎ = 25 C, V Š = 25 V, V Š = V CØþÙ,9 nf V Š = 2 V, V Š = V, TÝÎ = 25 C I Š» 5, ma V Š = V, V Š = 2 V, TÝÎ = 25 C I Š» 4 na I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 6 V, L» = 4 nh V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 6 V, L» = 4 nh V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C t«ù, V Š ù 5 V TÝÎù25 C, V = 9 V, V ŠÑÈà = V Š» -LÙ Š di/dt pro IGBT per IGBT pro IGBT / per IGBT ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) tá ÓÒ,85,9 tø,2,3 tá ÓËË,42,52 të,5,2 EÓÒ 2,65 3,5 EÓËË 2,65 4, I» 4 A RÚÌœ,55,62 K/W RÚÌ,4 K/W
2 Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t - value TÝÎ = 25 C Vçç 2 V IŒ A t«= ms IŒç A Vç = V, t«= ms, TÝÎ = 25 C I²t 39 A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink IŒ = A, V Š = V, TÝÎ = 25 C IŒ = A, V Š = V, TÝÎ = 25 C IŒ = A, - diœ/dt = 2 A/ Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C IŒ = A, -diœ/dt = 2 A/ Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C IŒ = A, -diœ/dt = 2 A/ Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C pro Diode per diode pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) VŒ,65,65 Iç 65, 63, QØ 3,8 6,8 EØþÊ,4 2, 2, V V A A µc µc RÚÌœ,5,2 K/W RÚÌ,5 K/W NTC-Widerstand / NTC-thermistor Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance Abweichung von Ræåå deviation of Ræåå Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value T = 25 C Rèë 5, kâ T = C, Ræåå = 493  ÆR/R -5 5 % T = 25 C Pèë 2, mw Rè = Rèë exp [Bèëõëå(/Tè - /(298, 5K))] Bèëõëå 335 K 2
3 Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature Anpreßkraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp Gewicht weight RMS, f = 5 Hz, t = min Vš» 2,5 kv Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal AlèOé 3,5,5 2,,5 CTI > 225 min. typ. max. mm mm LÙ Š nh T = 25 C, pro Zweig / per arm R óôššó 4, mâ TÝÎ ÑÈà 5 C TÝÎ ÓÔ C TÙÚÃ C F 4-8 N G 36 g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics. It is valid with the appropriate technical explanations. 3
4 Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 5 V Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) TÝÎ = 25 C TÝÎ = 25 C TÝÎ = 25 C V Š = 9V V Š = V V Š = 5V V Š = 3V V Š = V V Š = 9V ,,3,6,9,2,5,8 2, 2,4 2, 3, V Š [V],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V Š [V] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 2 V Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ) V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, R ÓËË = 22 Â, V Š = 6 V, TÝÎ = 25 C, TÝÎ = 25 C TÝÎ = 25 C, 6,5 6, EÓÒ EÓËË 49 5,5 5, 42 4,5 E [] 4, 3,5 28 3, 2 2,5 2, 4,5,, V Š [V],
5 Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ) V Š = ±5 V, I = A, V Š = 6 V, TÝÎ = 25 C Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ = f (t) 9 8 EÓÒ EÓËË ZÚÌœ : IGBT E [] ZÚÌœ [K/W], R [Â] Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA) I = f (V Š) V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C i: rí[k/w]: τí[s]:,5,38 2,9,24 3,532, ,,254298,,,, t [s] Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (VŒ) I, Modul I, Chip V Š [V] TÝÎ = 25 C TÝÎ = 25 C,,5,,5 2, 2,5 VŒ [V] 5
6 Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ = 22 Â, V Š = 6 V, TÝÎ = 25 C Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ = A, V Š = 6 V, TÝÎ = 25 C 3,5 3,5 3, EØþÊ 3, EØþÊ 2,5 2,5 E [] 2,,5 E [] 2,,5,,,5,5, IŒ [A], R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ = f (t) NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-temperature characteristic (typical) R = f (T) ZÚÌœ : Diode RÚáÔ ZÚÌœ [K/W] R[Â], i: rí[k/w]: τí[s]:,93,49 2,3,445 3,868, ,29,88455,,,, t [s] T [ C] 6
7 Schaltplan / circuit diagram ϑ Gehäuseabmessungen / package outlines
8 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.
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MehrFP25R12W2T4 T = 100 C, TÝÎ = 175 C T = 25 C, TÝÎ = 175 C I = 25 A, V Š = 15 V I = 25 A, V Š = 15 V I = 25 A, V Š = 15 V
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor
MehrBSM 200 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
s Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties KollektorEmitterSperrspannung collectoremitter voltage V CES V KollektorDauergleichstrom DCcollector current
MehrBSM 50 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties KollektorEmitterSperrspannung collectoremitter voltage V CES 6 V KollektorDauergleichstrom DCcollector current
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-D
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC / ϑ V Š» = 600V I
MehrFP10R06KL4B3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFS35R12W1T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC / V Š» = V I ÒÓÑ = / I ç = Typische nwendungen
MehrMarketing Information FD 600 R 16 KF4
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information FD R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 C2 E2 E2 G1 C2 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16 18 4
MehrFP10R12W1T4_B11 T = 100 C, TÝÎ = 175 C T = 25 C, TÝÎ = 175 C I = 10 A, V Š = 15 V I = 10 A, V Š = 15 V I = 10 A, V Š = 15 V
FPR1W1T_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
MehrFZ 1800 R 12 KL4C. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C
MehrFZ 1800 R 17 KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom
MehrMarketing Information FZ 800 R 12 KF 4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany GmbH + o. KG Marketing Information FZ 8 R 12 KF 4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection to be done
MehrBSM 150 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties KollektorEmitterSperrspannung collectoremitter voltage V CES 6 V KollektorDauergleichstrom DCcollector current
MehrBSM15GP60. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrMarketing Information BSM 50 GD 170 DL
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM GD 17 DL 118.11 94.5 119 19.5 3.81 121.5 99.9 4 x 19.5 = 76.2 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 3.81 15.24 6 7 8 9 11 12 1.15x1. 5
MehrBSM30GP60. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrBSM 15 GD 120 DN2 E3224
BSM 15 GD 1 DN E3 IGBT Power Module Power module 3phase fullbridge Including fast freewheel diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 15 GD 1 DN 1V 5 ECONOPCK C7757
Mehr1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C Pulsed collector current, t p = 1 ms
BSM 150 GAR 120 DN2 IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate Type V CE I C Package Ordering Code BSM 150
Mehr1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C
BSM 1 GD 12 DN2 IGBT Power Module Solderable Power module 3phase fullbridge Including fast freewheel diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 1 GD 12 DN2 12V 15 ECONOPCK
MehrFP35R12W2T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand
EasyPIM Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPIM module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC / Š» = 12 I ÒÓÑ = / I ç
MehrN Kenndaten Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Kenndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Stoßspitzensperrspannung non-repetitive
MehrTDB6HK360N16P. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPACK 4 Modul und PressFIT / NTC EconoPACK 4 module and PressFIT / NTC / V Š» = 1600V I ÒÓÑ = 360A / I ç = 720A Typische Anwendungen Typical Applications Halbgesteuerte B6-Brücke Half Controlled B6-bridge
MehrMarketing Information FZ 800 R 16 KF4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information FZ R 16 KF4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection (to be done) G external connection
MehrBSM25GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
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Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 25 C...T vj max V RRM 1000 V repetitive peak forward reverse voltage
MehrBSM35GP120G. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFB15R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrBSM 75 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 70
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Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 25 C...T vj max V RRM 2000 V repetitive peak forward reverse voltage
MehrBSM10GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFB20R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrMarketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45 15 5,5 SW27 M12 Type Circuit symbol Cathode Anode S Connection pin Case U Case Connection pin Ma
MehrMarketing Information FZ 1800 R 16 KF4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information 61,5 13 61,5 M8 31,5 19 171 1 2 57 3 M, tief 2,5 tief G 28 8 79, 7 1,25 2,25 external connection to be done 6 5 7 (for M6 screw)
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TT B6C 165 N 12...18 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40
MehrFP10R12KE3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
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TT B6C 135 N 16 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T
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TT B6C 165 N 16 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T
MehrBSM50GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Kenndaten Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrFP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrTechnische Information / Technical Information T A = 45 C, KM A T A = 45 C, KM A
TT B6C 95 N 16 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V DRM, V RRM 1600 V repetitive
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
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TT B6C 135 N 16 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T
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Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Kenndaten Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Thermische
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrFP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak and reverse voltages Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
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