Typenbezeichnungen und Abkürzungen Short Form Catalog 2012



Ähnliche Dokumente
Datenblatt / Data sheet

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

BSM10GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

Marketing Information FF 600 R 16 KF4

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

Datenblatt / Data sheet

Technische Information / Technical Information

DD 200 S 65 K1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv

DD 400 S 65 K1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv

Technische Information / Technical Information

Datenblatt / Data sheet

г.минск тел.8(017) DD 400 S 17 K6 B2 RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv

Datenblatt / Data sheet

Technische Information / Technical Information D 711 N T

Datenblatt / Data sheet

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

Datenblatt / Data sheet

Marketing Information FD 600 R 16 KF4

Datenblatt / Data Sheet

FP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Technische Information / Technical Information BSM35GD120DLC E3224. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information T 501 N TOH

FZ 1800 R 12 KL4C. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Marketing Information TT 425 N

BSM75GB120DLC. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Technische Information / Technical Information BSM150GB120DLC. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 2,5 kv

FS 225 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM300GB120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information D 1641 SX 45T. tvj = 0 C... tvj max f = 50Hz. tc = 60 C. f = 50Hz I FRMSM 3200 A

BSM 150 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 200 GB 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 400 GA 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Short Form Catalog 2011 Type Designation and Abbreviations. [ ]

Technische Information / Technical Information T 1503 NH TOH

Technische Information / Technical Information FF 800 R 17 KF6 B2. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv

BSM 150 GB 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Marketing Information D 56 S D 56 U

Marketing Information FZ 800 R 12 KF 4

Technische Information / Technical Information BSM200GA120DLC. T C =25 C, Transistor P tot 1470 W

BSM150GAL120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FZ 800 R12 KS4. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Datenblatt / Data sheet

FS 450 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Technische Information / technical information FF1200R12KE3

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

N Kenndaten Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

FZ 400 R 33 KF2 B5. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Marketing Information BSM 50 GD 170 DL

SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900

FZ 600 R 65 KF1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

FZ 1800 R 17 KF6C B2

Technische Information / Technical Information T A = 45 C, KM A T A = 45 C, KM A

Technische Information / technical information FS25R12KE3 G

Marketing Information T 2709 N

Technische Information / technical information FS225R12KE3

Technische Information / technical information FS75R12KE3

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

BSM35GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FF200R12KS4. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Marketing Information T 1989 N

BSM300GB120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Marketing Information T 348 N

Technische Information / technical information FS75R12KE3

So testen Sie eine Diodenspannung an einem Mikroprozessor (einem Mikroprozessor)

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860

Technische Information / Technical Information

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Marketing Information T 388 N

Technische Information / technical information FS300R12KE3

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

BSM 75 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Transkript:

Typenbezeichnungen und Abkürzungen Short Form Catalog 2012 www.infineon.com/highpower

Typenbezeichnungen Scheibenbauelemente T640 N 18 T O F T Thyristor D Diode 640 Dauergrenzstrom (A) 0 Standardkeramik-Scheibe 1 Hochleistungskeramik-Scheibe 3 lichtgezündeter Thyristor, Keramik-Scheibe N Netz-Bauelement K Netz-Diode mit Kathode am Gehäuse S schnelle Diode mit Anode am Gehäuse U schnelle Diode mit Kathode am Gehäuse A Avalanche Diode mit Anode am Gehäuse B Avalanche Diode mit Kathode am Gehäuse NH Diode mit softrecovery Verhalten für hohe Strompulse, Thyristor zum Einschalten von hohen Stromanstiegen SH Diode mit softrecovery Verhalten 18 periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung in 100 V PowerBLOCK Module TT 162 N 16 K O F -K TT mit 2 Thyristoren DD mit 2 Dioden ND, DZ, TZ mit 1 Thyristor oder 1 Diode TD, DT mit 1 Thyristor und 1 Diode 162 Dauergrenzstrom (A) N Netz-Element S schnelle Diode 16 periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung in 100 V K mech. Ausführung: Modul A mech. Ausführung: Modul O keine garantierte Freiwerdezeiten (siehe Scheibenbauelemente) F kritische Spannungssteilheit (siehe Scheibenbauelemente) -K Ausführung mit gem. Kathode -A Ausführung mit gem. Anode B01...n Konstruktionsvariante S01...n elektrische Selektion B C E T O mit metrischem Gewinde u. Seil mit metrischem Gewinde u. Lötöse Flachboden Scheibe keine garantierte Freiwerdezeit C F G H kritische Spannungssteilheit: 500V/μs 1000V/μs 1500/μs 2000V/μs B01...n S01...n Konstruktionsvariante elektrische Selektion 7.6

Letter Symbols/Kurzzeichen B DC current gain Kollektor-Basis-Gleichstromverhalten FBSOA forward biased safe operating area Sicherer Vorwärts-Arbeitsbereich f frequency Frequenz f o repetition frequency Wiederholfrequenz F clamping force Anpresskraft G weight Gewicht I C maximum permissible DC collector current höchstzulässiger Dauergleichstrom I CAVM maximum permiss. average collector current Kollektor-Dauergrenzstrom I CES collector-emitter cut-off current Kollektor-Emitter-Reststrom I GES gate-leakage current Gate-Emitter Reststrom I CRM permissible repetitive peak collector current höchstzulässiger periodischer Kollektor-Spitzenstrom i D forward off-state current Vorwärts-Sperrstrom i G gate current Steuerstrom I GD gate non trigger current nicht zündender Steuerstrom i GM peak gate current Spitzensteuerstrom I GT gate trigger current Zündstrom I H holding current Haltestrom I L latching current Einraststrom i R reverse current Rückwärts-Sperrstrom I RMS RMS current Strom-Effektivwert I RM peak reverse recovery current Rückstromspitze i T /i F on-state current Durchlassstrom I TAV /I FAV on-state current (average value) Durchlassstrom (Mittelwert) I TAVM /I FAVM maximum average on-state current Dauergrenzstrom I TINT /I FINT on-state current at intermittent duty Durchlassstrom bei Aussetzbetrieb I TM /I FM on-state current (peak value) Durchlassstrom (Spitzenwert) I T(OV) /I F(OV) on-state current at shorttime duty Überstrom bei Kurzzeitbetrieb I T(OV)M /I F(OV)M maximum overload on-state current Grenzstrom I T(RC)M repetitive turn-on current (from snubber) periodischereinschaltstrom (aus RC) I TRMSM /I FRMSM maximum RMS on-state current Durchlassstrom-Grenzeffektivwert I TSM /I FSM surge non repetitive on-state current Stoßstrom-Grenzwert I F DC forward current Dauergleichstrom I FRM repetitve peak forward current Periodischer Spitzenstrom i 2 dt I 2 t value Grenzlastintegral di G /dt rate of rise of gate current Steilheit des Steuerstromes di T /dt/di F /dt rate of rise of on-state current Steilheit des Durchlassstromes (di/dt) cr critical rate of rise of on-state current kritische Stromsteilheit L inductance Induktivität M mounting torque Anzugsdrehmoment P ON turn-on dissipation Einschaltverlustleistung P OFF turn-off dissipation Ausschaltverlustleistung P power dissipation Verlustleistung P D forward off-state dissipation Vorwärts-Sperrverlustleistung P G gate dissipation Steuerverlustleistung P R reverse power dissipation Rückwärts-Sperrverlustleistung P RQ turn-off dissipation Ausschaltverlustleistung P TT + P RQ switching dissipation Schaltverlustleistung P T /P F on-state power dissipation Durchlassverlustleistung P TAV /P FAV on-state power dissipation (average value) Durchlassverlustleistung (arithmetischer Mittelwert) P TT turn-on dissipation Einschaltverlustleistung P tot total power dissipation Gesamtverlustleistung Q r recovered charge Sperrverzugsladung Q s lag charge Nachlaufladung R resistance Widerstand r T slope resistance Ersatzwiderstand R thca thermal resistance, case to coolant Wärmewiderstand Gehäuse-Kühlmittel R thck thermal resistance, case to heatsink Übergangs-Wärmewiderstand R thja thermal resistance, junction to coolant Gesamtwärmewiderstand R thjc thermal resistance, junction to case innerer Wärmewiderstand RBSOA reverse biased safe operating area Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich t time Zeit T period Periodendauer 7.8

Letter Symbols/Kurzzeichen T A coolant temperature Kühlmitteltemperatur T C case temperature Gehäusetemperatur T op operating temperature Betriebstemperatur t g trigger pulse duration Steuerimpulsdauer t gd gate controlled delay time Zündverzug T h heatsink temperature Kühlkörpertemperatur t p current pulse duration (sinusoidal) Strompulsdauer (Sinusform) t q circuit commutated turn-off time Freiwerdezeit t rr reverse recovery time Sperrverzugszeit T vj junction temperature Sperrschichttemperatur T vj max maximum permissible junction temperature höchstzul. Sperrschichttemperatur t w current pulse duration (trapezoidal) Stromflusszeit (Trapezform) t f fall time Fallzeit t off turn-off time Abschaltzeit t on turn-on time Einschaltzeit t s storage time Speicherzeit T vj op operating temperature Betriebstemperatur T stg storage temperature Lagertemperatur v D forward off-state voltage Vorwärts-Sperrspannung v DM forward off-state voltage (peak value) Vorwärts-Sperrspannung (Spitzenwert) V DRM repetitive peak forward off-state voltage periodische Vorwärtsspitzenspannung V DSM non-repetitive peak forward off-state voltage Vorwärts-Stoßspitzenspannung v G gate voltage Steuerspannung V GD gate non trigger voltage nicht zündende Steuerspannung V GE (th) gate threshold voltage Gate-Schwellenspannung V GT gate trigger voltage Zündspannung V ISOL insulation test voltage Isolat.-Prüfspannung v L no-load voltage of trigger pulse generator Leerlaufspannung des Steuergenerators v R reverse voltage Rückwärts-Sperrspannung V R direct reverse voltage Rückwärts-Gleichsperrspannung V R(D) continuous diode reverse voltage Gleichsperrspannung V RG reverse gate voltage Rückwärts-Steuerspannung V RGM peak reverse gatevoltage Rückwärts-Spitzensteuerspannung v RM reverse voltage (peak value) Rückwärts-Sperrspannung (Spitzenw.) V RMS V DC RMS or DC voltage value Bemessungsspannung Effektivwert/Gleichspannung V RRM repetitive reverse voltage periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung V RRM(C) repetitive peak reverse voltage after commutation periodische Spitzensperrspannung nach der Kommutierung V RSM non-repetitive peak reverse voltage Rückwärts-Stoßspitzenspannung v T /v F on-state voltage Durchlassspannung V (TO) threshold voltage Schleusenspannung V M repetitive peak voltage periodische Spitzensperrspannung V CE sat collector-emitter saturation emitter voltage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung V CES, V CE maximum permissible collector-voltage höchstzulässige Kollektor-Emitter-Sperrspannung dv D /dt rate of rise of forward off-state voltage Steilheit der Vorwärts-Spannung dv R /dt rate of rise of reverse voltage Steilheit der Rückwärts-Spannung (dv/dt) cr critical rate of rise of off-state voltage kritische Spannungssteilheit V L air quantity Luftmenge V W water quantity Wassermenge W energy Verlustenergie W tot total energy Gesamtverlustenergie Z thca transient thermal impedance, case to coolant transienter äußerer Wärmewiderstand Z thja transient thermal impedance, junction to coolant transienter Gesamtwärmewiderstand Z thjc transient thermal impedance, junction to case transienter innerer Wärmewiderstand Q current conduct. angle Stromflusswinkel 7.9

Ask Infineon. Get connected with the answers. Where you need it. When you need it. Infineon offers its toll-free 0800/4001 service hotline as one central number, available 24/7 in English, Mandarin and German. Our global connection service goes way beyond standard switchboard services by offering qualified support on the phone. Call us! Germany... 0800 951 951 951 (German/English) China, mainland... 4001 200 951 (Mandarin/English) India... 000 800 4402 951 (English) USA... 1-866 951 9519 (English/German) Other countries... 00* 800 951 951 951 (English/German) Direct access... +49 89 234-0 (interconnection fee, German/English) * Please note: Some countries may require you to dial a code other than 00 to access this international number, please visit www.infineon.com/service for your country! Where to Buy Infineon Distribution Partners and Sales Offices Please use our location finder to get in contact with your nearest Infineon distributor or sales office. www.infineon.com/wheretobuy Infineon Technologies innovative semiconductor solutions for energy efficiency, mobility and security. Published by Infineon Technologies AG 85579 Neubiberg, Germany 2012 Infineon Technologies AG. All Rights Reserved. Visit us: www.infineon.com Order Number: B133-H9378-G3-X-7600 Date: 04 / 2012 ATTENTION PLEASE! The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristics ( Beschaffenheitsgarantie ). With respect to any examples or hints given herein, any typical values stated herein and/ or any information regarding the application of the device, Infineon Technologies hereby disclaims any and all warranties and liabilities of any kind, including without limitation warranties of non-infringement of intellectual property rights of any third party. INFORMATION For further information on technology, delivery terms and conditions and prices please contact your nearest Infineon Technologies Office (www.infineon.com). WARNINGS Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact your nearest Infineon Technologies Office. Infineon Technologies Components may only be used in life-support devices or systems with the express written approval of Infineon Technologies, if a failure of such components can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect the safety or effectiveness of that device or system. Life support devices or systems are intended to be implanted in the human body, or to support and/or maintain and sustain and/or protect human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user or other persons may be endangered.