Programm. Mittwoch, 30. September :15 Quantenpunkte Sitzungsleitung: Kirill Trunov

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1 Programm Mittwoch, 30. September :00 Anmeldung und Beginn der Firmenpräsentation 13:00 Eröffnung Prof. Dr. Andreas Wieck 13:15 Quantenpunkte Sitzungsleitung: Kirill Trunov Sb assisted growth of InAs Quantum Dots Mario Bareiß, Walter Schottky Institut We present the latest results for Sb-assisted growth of InAs quantum dots on InP substrate. A main focus is on samples with a low surface density for single photon generation. GaInP Quantenpunkte auf GaP Substrat Sven Gerhard, Technische Physik, Universität Würzburg Der Vortrag zeigt GaInP Quantenpunkte mit sehr hoher Flächendichte auf GaP Substrat. Die mittels Gas-Quellen MBE gewachsenen Quantenpunkte zeigen dabei Lichtemission bei 4K im optisch roten Spektralbereich. Local Droplet Etching of Nanoholes and Quantum Rings Andrea Stemmann, Universität Hamburg Highly uniform quantum dots fabricated by filling of self-assembled nanoholes Christian Heyn, Universität Hamburg Tailoring the properties of InAs quantum dots by in-situ growth modifications an ex-situ annealing Razvan Roescu, Ruhr-Universität Bochum The ground state emission wave length and the ground state Coulomb blockade energy are fundamental properties with respect to the applications of InAs quantum dots. We discuss one in-situ and one ex-situ method to blue-shift the ground state emission towards 1000 nm at 300 K. Whereas the ex-situ method results in a significant reduced Coulomb blockade energy, this energy remains almost unaltered compared to quantum dots emitting at nearly 1300 nm. We will discuss the reasons for this behaviour. Wachstum und Charakterisierung von invertierten GaAs/AlxGa1-xAs- Heterostrukturen mit eingebetteten InAs-Quantenpunkten. Arne Ludwig, Ruhr-Universität Bochum Es werden Ergebnisse zum Wachstum von InAs-Quantenpunkten und deren Einfluss auf zweidimensionale Elektronengase in invertierten GaAs/AlxGa1-xAs-Heterostrukturen gezeigt. 14:45 Pause Snacks und Getränke mit freundlicher Unterstützung durch Dr. Eberl MBE Komponenten

2 16:00 Quantendrähte Sitzungsleitung: Christian Heyn Zweidimensionale Photonische Kristalle von geätzten Ge Quantenpunkt-Säulen auf vorstrukturierten Si Substraten Svetlana Borisova, Forschungszentrum Jülich Wir untersuchen in der Arbeit zweidimensionale photonische Kristalle, die aus geätzten Ge-Quantenpunkt-Säulen auf vorstrukturierten Si-Substraten bestehen. Zuerst wird eine periodische Struktur von quadratischen Vertiefungen mittels Elektronenstrahl- Lithographie und anschließendem Plasmaätzen auf Si (100) Oberflächen realisiert. Nach dem üblichen Reinigungsprozess werden die Proben mit Hilfe einer Si-Ge MBE-Anlage bewachsen. Nach dem Wachstum der Bufferschicht werden 5 Schichten von Ge- Quantenpunkten mit dazwischen liegenden Si-Schichten gewachsen. Bei passenden Wachstumsparametern findet die Nukleation der Quantenpunkte genau in den Vertiefungen statt. Aufgrund mechanischer Spannungen der Si-Zwischenschichten nukleieren die darauf gewachsenen Ge- Quantenpunkte genau auf denselben Positionen wie im ersten Schicht. Im nächsten Schritt wird selektives Si-Ätzen angewendet, um frei stehende Ge- Quantenpunkt-Säulen auf dem Si-Substrat zu bekommen. Dieser Kristall von den periodisch angeordneten Säulen kann mittels SEM analysiert werden. Bei einer Laser-Bestrahlung zeigt die Probe die Eigenschaften von einem zweidimensionalen photonischen Kristall, z.b. eine Korrelation zwischen der Richtung des gebeugten Strahls und seiner Wellenlänge sowie der Richtung des einfallenden Strahls. Deswegen hat der erhaltene Quantenpunkt-Säulenkristall diverse Perspektiven für zukünftige optoelektronische Anwendungen. GaN Nanowires: The effect of Mg doping Friederich Limbach, FZ Jülich Growth of Si and Mg doped InN nanowires Tobias Gotschke, Forschungszentrum Jülich Growth and optical characterization of Si and Mg doped InN nanowires GaAs and InAs nanowires grown by group III-element assisted MBE Christian, Blömers, Institut für Bio- und Nanosysteme 1,Forschungszentrum Jülich 17:00 Diskussion Öffnungs-, Pump- und Ausheizstrategien Auf dem Podium: Albrecht Fischer, Rudi Lenz, Gregor Mussler, Henning Riechert, Andreas Wieck 18:00 19:00 Abendveranstaltung "zauberhaft gezeichnetes Dinner im LivingRoom" mit freundlicher Unterstützung durch VEECO, RIBER und DFH/UFA

3 Donnerstag, 1. Oktober :30 Apparatives Sitzungsleitung: Klaus Pierz p-dotierung durch Kohlenstoff in GaAs Andreas Wieck, Ruhr-Universität Bochum Kohlenstoff ist für GaAs eine hervorragende p-dotierung geringster Diffusivität. Es werden Ergebnisse einer Elektronenstoß-C-Zelle vorgestellt sowie deren apparative Weiterentwicklung. Außerdem kann C mit einer neuen Flüssigmetall-Quelle in einem UHV-kompatiblen Prozess als fokussierter Ionenstrahl in MBE-gewachsene Schichten eingebracht werden. Band-edge temperature measurements in semiconductor heterostructures. JJ Harris, RTA Instruments Ltd The concept of band-edge thermometry, which uses optical absorption spectroscopy to determine the temperature of semiconducting materials, has been successfully applied in recent years to the measurement of substrate temperatures in MBE and MOCVD systems. Bestimmung der Substrat-Temperatur durch in-situ Diffusionsmethode Gregor Mussler, Forschungszentrum Jülich The MBE facility at the IFW-Dresden Paola Atkinson, IFW Dresden Comments on the new installation and first sample growths Growth of ZnO heterostructures in an ultra compact MBE system Marcel Ruth, University of Paderborn Using ultra compact MBE-systems is attractive for research issues because the running costs can be kept down. However, the special system geometry and the very compact design lead to high requirements on the system. We present a systematic study on the growth conditions for ZnO in such a compact plasma assisted MBE system. Especially, the determination of the flux will be discussed and the grown heterostructures will be characterized for their usability for nanophotonic devices. Hydrogen cleaning for GaAs surface after air exposure Ashish Rai, Ruhr-Universität Bochum Atomic hydrogen irradiation is awesome technique to clean the air contaminations (C, Si, O,etc) on GaAs surface, in situ grown in Molecular Beam Epitaxy (MBE). This is confirmed by Photo-Luminescence (PL) spectra. 10:00 Pause Snacks und Getränke mit freundlicher Unterstützung durch PhysTech

4 11:00 Wachstum Sitzungsleitung: Dirk Reuter Sequentielles Wachstum von VECSELn Christian Manz, Fraunhofer IAF Wir erzielen durch sequentielles Wachstum von Halbleiterscheibenlasern eine Leistungssteigerung von 100% in Bezug auf herkömmliche Wachstumsmethoden mittels Wachstumsunterbrechung an den Grenzflächen zwischen DBR und aktivem Bereich, sowie aktivem Bereich Interbandkaskadenlaserwachstum auf GaSb Adam Bauer, Technische Physik - Universität Würzburg Die speziellen Herausforderungen beim epitaktischen Wachstum von Interbandkaskaden-Lasern auf GaSb werden vorgestellt, wobei insbesondere auf die unterschiedlichen Möglichkeiten der Verspannungskompensation in den InAs/AlSb- Übergittern eingegangen wird. Nah-Infrarot VCSEL zur Anwendung in miniaturisierten Atomuhren Dietmar Wahl, Uni Ulm, Inst. f. Optoelektronik In-situ strain relaxation measurement by RHEED during GaN nanowire nucleation Matthias Knelangen, Paul-Drude-Institut Ionenstrahlunterstützte GdN-Epitaxie Jürgen W. Gerlach, IOM Leipzig Es handelt sich um keinen Tippfehler im Titel, sondern in der Tat um Gadoliniumnitrid. Wachstum von hochbeweglichen Si- und C-dotierten p-algaas/gaas- Heterostrukturen. Kirill Trunov, Ruhr-Universität Bochum Die Herstellung sowohl modulationsdotierter als auch feldinduzierter AlGaAs/GaAs- Heterostrukturen mit hoher Löcherbeweglichkeit, sowie Transport-Messungen in 1Dballistischen p-quantendrähten werden diskutiert. 12:30 Mittagessen mit freundlicher Unterstützung durch CreaTec 13:30 Si/Ge Sitzungsleitung: Gregor Mussler Interdiffusion in SME of Ge on Si(001) Tobias Wietler, Leibniz Universität Hannover Using Sb as a surfactant, relaxed germanium films of high structural perfection can be grown on silicon without any buffer layer. On Si(001) the strain relaxation during surfactant-mediated epitaxy is governed by the amount of superficial Sb. Here, we report on the impact the degree Sb-coverage has on the intermixing of Ge and Si. Gd2O3 on Si(001) for MOS-Applications Dominik Schwendt, Leibniz Universität Hannover Thin crystalline Gd2O3-layers are a promising candidate as a future high-k material replacing SiO2 in various MOS-applications. A new way to improve thermal stability of such crystalline layers up to 1000 C, a crucial temperature for the CMOS process, will be presented.

5 Heusler Legierungs Co2FeSi Filme auf Si Jens Herfort, Paul-Drude-Institut Steile Antimon Dotierübergänge für Si Tunnelbauelemente Michael Oehme, Universität Stuttgart Wachstum von hoch Sb dotierten Si-Schichten auf Germanium Jens Werner, IHT / Universität Stuttgart 14:45 Schlussbemerkungen Prof. Dr. Andreas Wieck Ab ca. 15:15 Laborbesichtigungen Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik