Typical Electro-Optical Charactersistics Typische Elektrooptische Eigenschaften
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- Barbara Rothbauer
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1 Features: size 3,0(L) x 2,0(W) x,0(h) mm circuit substrate: Al2O3 Ceramics encapsulation: Silicone devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm blister tape, cathode to transporting perforation all devices sorted into luminous intensity and color classes taping: face-up (T) high luminous intensity type high CRI Merkmale: Größe: 3.0 x 2.0 x.0 mm Gehäusematerial: Al2O3 Keramik Vergussmaterial: Silikon Bauteile sind ROHS und REACH konform Bleifrei lötbar, Lötpads vergoldet gegurtet in 8mm Blistergurt, Kathode zur Transportperforation Alle Bauteile in Intensitäts- und Farbklassen sortiert Gurtung: Face-up (T) Typen mit hoher Strahlstärke Hoher Farbwiedergabeindex Typical Electro-Optical Charactersistics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen Type Typ OCL-400 SWW OCL-400 SW T ambient = 23 C; t test 60ms Color U f [V] I V [mcd] Farbe I f [ma] typ max CRI [%] min typ warm white warm weiß 20 3,0 3,60 80% cool white kalt weiß 20 3,0 3,60 95% Page/Seite /7
2 Maximum Ratings Grenzwerte Parameter Symbol Min Max Unit Forward Current Flussstrom I f, max 30 ma Forward Current, pulsed Flussstrom, gepulst t p 00μs, =:0 I f, pulse 20 ma Reverse Voltage Sperrspannung U R 5 V Reverse Current Sperrstrom U R = 5V I R 00 μa Thermal Resistance Wärmewiderstand R th JA 60 K/W Operating Temperature Betriebstemperatur T op C Storage Temperature Lagertemperatur T St C Outline Drawing Zeichnung Recommended Soldering Pad Empfohlenes Lötpad Marking Marking at anode Markierung an der Anode Page/Seite 2/7
3 Typical Performance Diagram Typische Kennlinien 2 0 IF (ma) Iv rel (at 20 ma ) 2,6 2,7 2,8 2,9 3,0 3, 3,2 3,3 3,4 3,5 UF (V) IF (ma) Forward Current vs. Forward Voltage Flussstrom über Flussspannung Intensity vs. Forward Current Strahlstärke über Flussstrom Y 0,48 0,46 0,44 0,42 0,40 0,38 0, K K K Y 0,38 0,34 0,30 0,26 0'000 K K K K K 0,34 0,32 0,39 0,4 0,43 0,45 0,47 0,49 X Color coordinates and classes (warm white) Farbkoordinaten und klassen (warm weiß) 0,22 0,27 0,29 0,3 0,33 0,35 X Color coordinates and classes (cool white) Farbkoordinaten und klassen (kalt weiß) 90 30, ,8 0, IF [ma] 20 0,4 0 0,2 0 0, T op [ C] View Angle Abstrahlung Maximum Forward Current vs. Ambient Temperature Max. Flussstrom über Umgebungstemperatur Page/Seite 3/7
4 Soldering Conditions Lötprofile s C Temperature [ C] C 70 C 3K/s max. 40s max. 4K/s max IR reflow soldering profile for lead containing solder IR Reflow Lötprozess für bleihaltiges Lot Time [s] C 250 C Temperature [ C] K/s max 3K/s max 20s max 80 C 27 C s 60s max 4K/s max IR reflow soldering profile for lead free soldering IR Reflow Lötprozess für bleifreies Lot Time [s] Manual Soldering: Manuelles Löten: max power of iron 25W / 300 C for 3s Max. Leistung des Lötkolben 25W / 300 C für 3s Page/Seite 4/7
5 Ordering Code For Parts Kodierung der Bestellnummer Series Serie Color Farbe Encapsulation Verguss Packaging Verpackung OCL-400 -??????? -? -? T taped up XD uncolored diffused Type definition, e.g. Typenbezeichnung z.b. OCL-400 SWW-XD-T Tape And Reel Packing Gurt und Spule D Parts/reel Page/Seite 5/7
6 Packing Verpackung Label Etikett The reel is sealed in special plastic bag with integrate ESD protection including a silica dry-pack. Shelf life for sealed bag 2 month on max. 30 C and 60% Rh. Floor life 2 month for Europe or 6 month for all other countries on max. 30 C and 60% Rh in a dust free environment. Other bags (i.e. MBB, HIC, Vacuum pack, etc.) on request. Die Rolle wird zusammen mit einem Trockenmittelbeutel in einem Highshield- Antistatic-Beutel verschweißt. Lagerzeit für den verschweißten Beutel beträgt 2 Monate bei max. 30 C und 60% Rh. Lagerzeit bei geöffnetem Beutel 2 Monate in Europa oder 6 Monate für alle anderen Länder bei max. 30 C und 60% Rh in einer staubfreien Umgebung. Andere Verpackungen auf Anfrage möglich. Order No. Bestellnr. Type Typ XXXXXXXXXX???-??????-?-? Customer order No. Bestellnr. des Kunden Intensity group Intensitätsgruppe ZZ Color Class: CC Color Class optional Farbklasse optional Charge No. Chargennr. Quantity Anzahl 22-AAAAAA 9999 LED Luminous Intensity Groups and Subgroups [mcd] Lichtstärkeklassen und Unterklassen (general information not this device specific; Allgemeine Informationen nicht bauteilspezifisch) T: T : T2 : U: U : U2 : V: V : V2 : Measured according to CIE 27. All SMD-LEDs are 00% measured and selected on full automated equipment with an accuracy of ± %. Special service: Brightness selection in sub selections possible. Color selection in 3 sub selections possible (each subgroup per reel). Gemessen nach CIE27. Alle SMD-LEDs sind 00% gemessen und auf automatischen Anlagen mit einer Toleranz von ±% selektiert. Spezieller Service: Selektion der Helligkeit in Unterklassen auf Anfrage möglich. Farbselektion in drei Unterklassen möglich (je eine Unterklasse pro Spule) Page/Seite 6/7
7 Attention please The information describes the type of component and shall not consider as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change reserved. The data sheet may change without prior information; the valid issue will be on our webpage in internet. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer application by the customer. OSA opto light GmbH does not have the responsibility for the reliability and the degradation behavior of products made with OSA opto light GmbH diodes because they depend not only on the diode but also on the conditions of manufacture or design of the final products. The customer is responsible to approve the long term stability of the product according to customer s requirements. Components used in toys, life support devices or systems or safety devices or systems must be expressly authorized by OSA opto light GmbH for such purpose! Packaging: OSA opto light GmbH uses recyclable packages, please use the recycling operators known to you. Zur Beachtung Dieses Datenblatt beschreibt typische, nicht uneingeschränkt garantierte Bauelementeigenschaften. Es gelten die AGB der OSA opto light GmbH, das Recht zur Änderung dieser ist vorbehalten. Änderungen im Sinne des technische Fortschritts vorbehalten, eine automatische Information erfolgt nicht. Die jeweils gültige Version ist auf unserer Internet- Seite vorhanden. Auf Grund technischer Erfordernisse können die Bauelemente gefährliche Substanzen enthalten. Produkteigenschaften können je nach Anwendung variieren. Die Produkteigenschaften müssen in der Anwendung durch den Kunden geprüft werden. Die OSA opto light GmbH ist nicht für die Zuverlässigkeit und das Alterungsverhalten von Produkten, die unter Verwendung von der OSA opto light GmbH hergestellten Dioden gefertigt wurden, verantwortlich, da Beides nicht nur von den Dioden selbst, sondern auch von Konstruktion und Fertigung des Endproduktes abhängt. Der Kunde ist verpflichtet, das Langzeitverhalten des Produktes gemäß seiner Anforderungen zu prüfen und freizugeben. Werden die Dioden in Spielzeug, lebenserhaltenden oder sicherheitsrelevanten Systemen und Geräten eingesetzt, muss dies durch die OSA opto light GmbH ausdrücklich gestattet werden. Rückgabe von Verpackungsmaterial: Die OSA opto light GmbH verwendet wiederverwertbare Verpackung, bitte wenden Sie sich an einen örtlichen Verwerter. OSA Opto Light GmbH Köpenicker Str.325 / Haus Berlin Germany Tel. +49 (0) contact@osa-opto.com Page/Seite 7/7
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics encapsulation: Silicone devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 8 mm blister
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: package 0805 size: 1,9(L) x 1,2(W) x 1,2(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm blister
Electro-Optical Characteristics (T= 25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: package 0805 size: 1,9(L) x 1,2(W) x 1,2(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm blister
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics encapsulation: Silicone devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 16 mm
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 1206: 3,2(L) x 1,6(W) x 1,2(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm blister tape,
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: package 1206 size: 3.2(L) x 1.6(W) x 1.2(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm blister
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 1206: 3,2(L) x 1,6(W) x 1,2(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm blister tape,
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 1206: 3,2(L) x 1,6(W) x 1,2(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm blister tape,
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: size 1206: 3,2(L) x 1,6(W) x 1,2(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm blister tape,
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: package 1206 size: 3.2(L) x 1.6(W) x 1.2(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm blister
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: with lens, mounting from backside of PCB view angle 40 package 1206 size: 3.2(L) x 1.6(W) x 1.9(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable,
Electro-Optical Characteristics (T= 25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: with lens, mounting from backside of PCB view angle 40 package 1206 size: 3.2(L) x 1.6(W) x 1.9(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable,
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: with lens, mounting from backside of PCB view angle 40 package 1206 size: 3.2(L) x 1.6(W) x 1.9(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable,
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: with lens, mounting from backside of PCB view angle 40 package 1206 size: 3.2(L) x 1.6(W) x 1.9(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable,
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: with lens, mounting from backside of PCB view angle 40 package 1206 size: 3.2(L) x 1.6(W) x 1.9(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable,
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 16 mm blister tape, cathode to
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: with lens, mounting from backside of PCB view angle 40 package 1206 size: 3.2(L) x 1.6(W) x 1.9(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable,
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 1206: 3,2(L) x 1,6(W) x 1,2(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy selected for low forward current devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: with lens, mounting from backside of PCB view angle 40 package 1206 size: 3.2(L) x 1.6(W) x 1.9(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable,
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften. Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Emitting Color Farbe
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 12 mm blister tape, cathode to
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften. Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Emitting Color Farbe
Features: size 1206: 3.2(L) x 1.6(W) x 1.2(H) mm low current circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften. Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Emitting Color Farbe
Preliminary Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 16 mm blister tape,
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
preliminary Features: with lens, mounting from backside of PCB view angle 40 package 1206 size: 3.2(L) x 1.6(W) x 1.9(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 3,0(L) x 2,0(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: Al 2 O 3 Ceramics encapsulation: Silicone devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 3,0(L) x 2,0(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: Al 2 O 3 Ceramics encapsulation: Silicone devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 16 mm blister tape, cathode to
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 16 mm blister tape, cathode to
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 16 mm blister tape, cathode to
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 16 mm blister tape, cathode to
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 12 mm blister tape, cathode to
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: size 3,0(L) x 2,0(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: Al 2 O 3 Ceramics encapsulation: Silicone devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: size 3,0(L) x 2,0(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: Al 2 O 3 Ceramics encapsulation: Silicone devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm
Typical Electro-Optical Characteristics Typische Elektrooptische Eigenschaften Measurement conditions Messbedingungen
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 16 mm blister tape, cathode to
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: size 3,0(L) x 2,0(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: Al 2 O 3 Ceramics encapsulation: Silicone devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: size 3,0(L) x 2,0(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: Al 2 O 3 Ceramics encapsulation: Silicone devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 12 mm blister tape, cathode to
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 12 mm blister tape, cathode to
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 12 mm blister tape, cathode to
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften. Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Color Farbe
Features: size 1206: 3,2(L) x 1,6(W) x 1,2(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm blister tape,
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
preliminary Features: package 1206 with lens, mounting from backside of PCB view angle 40 size: 3,2(L) x 1,6(W) x 1,9(H) mm circuit substrate: glass laminated epoxy devices are ROHS and REACH conform lead
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
OCU4 UC375 Features: size 3,(L) x 2,(W) x 1,(H) mm circuit substrate: Al2O3 s encapsulation: Silicone devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: gold plated taped in 8 mm
Electro-Optical Characteristics (T=25 C) Elektrooptische Eigenschaften
Features: size 3,8(L) x 3,8(W) x 1,0(H) mm circuit substrate: AlN Ceramics devices are ROHS and REACH conform lead free solderable, soldering pads: silver plated taped in 12 mm blister tape, cathode to
Opto Semiconductors. White LED
Hyper TOPLED White LED Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale GaN-Technologie Farbe: weiß x =.3, y =.32 nach CIE1931 Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler (12 ) ESD-sicher bis 2
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CHIPLED Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale SMT-Gehäusetyp: 63 Farben: grün (572 nm), gelb (59 nm) Abstrahlcharakteristik: extrem breit (16 ) Industriestandard bzgl. Lötpadraster geringe
3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360
3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 Besondere Merkmale eingefärbtes, diffuses Gehäuse als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach
SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED. full production
2006-06-12 SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED full production Applications Signal lamp for front panel installation using clip mounting and a
Overcurrent Protection Leaded Disks, Coated, 12 V, 24 V
B99* C 93 C 99 Applications Overcurrent and short-circuit protection b 3, max. Features Lead-free terminals Manufacturer s logo and type designation stamped on in white Low resistance For rated currents
spacing GEO Detector: Schmitt-Trigger IC SFH 9240: Output active low
Reflexlichtschranke im P-DSO-6-Gehäuse Reflective Interrupter in P-DSO-6 Package Vorläufige Daten / Preliminary Data 0.5 0. 6.2 5.8.4.0 0...0. 2..7 4.2.8 6 2 5 4 0.5 0..27 spacing GEO06840 Type 2 4 5 6
Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 5441
Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 544 Wesentliche Merkmale SFH 5440: Ausgang active low SFH 544: Ausgang
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Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300
Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300 Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Einfache Unterscheidbarkeit von Sender (transparentes
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS Q976, LO Q976, LY Q976. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS Q976, LO Q976, LY Q976 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: 63 Besonderheit des Bauteils: kleinste Bauform 1,6 mm x,8 mm x,8 mm Wellenlänge:
Semiconductors designed. Assembly methods: hand made parts Verarbeitungsmethode: Handbestückung
2006-06-12 Enstackable clips Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Enstackable clips for 3 mm and 5 mm LED (black) full production Features: Besondere Merkmale: Package: enstackable clips for 3 mm and
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976 Besondere Merkmale Gehäusetyp: 8 Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 2, mm x 1,2 mm x,8 mm Wellenlänge: 632 nm (super-rot), 6 nm (orange),
SFH 900 SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches
Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken für den
5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351
5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351 Besondere Merkmale nicht eingefärbtes, teilweise diffuses Gehäuse Lötspieße im 2.54 mm Raster hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich Anzeige unterschiedlicher
Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9310
Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9310 Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Anwendungen Geschwindigkeitsüberwachung Motorsteuerung
(3.2) (R 2.8) (3.2) GEO06960 (3.2) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GEX GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Gabellichtschranke mit Schmitt-Trigger IC Slotted Interrupter with Schmitt-Trigger-IC SFH 9340 SFH 9341
Gabellichtschranke mit Schmitt-Trigger IC Slotted Interrupter with Schmitt-Trigger-IC SFH 9340 SFH 934 Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse IR-Sender: GaAs (950 nm) Empfänger: Schmitt-Trigger IC Empfänger:
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Schnelle IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im 5 mm Radial- High-Speed Infrared Emitter (95 nm) in 5 mm Radial Package Area not flat 9. 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 fexf6626 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29.5 27.5 Anode ø5.1
Cathode GEX Cathode GEX06305
GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) 484 Area not flat 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6.4.6.4.8.2 29 27.5.8.5 29 27 Area not flat.8.5 9. 8.2 7.8 7.5 5.7 5. 9. 8.2 7.8 7.5
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0805 (2012) drahtgewickelt (AgPd/Ni/Sn Metallisierung) 0805 (2012) wire-wound (AgPd/Ni/Sn Metallisation)
complaint 85 (212) drahtgewickelt (AgPd/Ni/Sn Metallisierung) 85 (212) wire-wound (AgPd/Ni/Sn Metallisation) - 34 - Allgemeine Eigenschaften und technische Informationen zu den drahtgewickelten SMD-Spulen
SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ
Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet
GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit
SMT Chipinduktivitäten SMT Chip Inductors. Baugröße / Size 1812 (4532) Serie / Series 5309, compliant
SMT Chipinduktivitäten SMT Chip Inductors compliant Baugröße / Size 1812 (4532) Serie / Series 539, 559-56 - Allgemeine Eigenschaften und technische Informationen zu den en SMD-Spulen Mit der Baugröße
ø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 Cathode spacing 2.54mm 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29 27 Area not flat Chip position.8 Approx. weight.2 g Area not flat.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode)
Reflector Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Reflector for 3 mm and 5 mm LED (silver) full production
2006-06-12 Reflector Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Reflector for 3 mm and 5 mm LED (silver) full production Features: Besondere Merkmale: Package: reflector for 3 mm and 5 mm LED, Gehäusetyp:
0603 (1608) drahtgewickelt (AgPd/Ni/Sn Metallisierung) 0603 (1608) wire-wound (AgPd/Ni/Sn Metallisation)
compliant 0603 (1608) drahtgewickelt (AgPd/Ni/Sn Metallisierung) 0603 (1608) wire-wound (AgPd/Ni/Sn Metallisation) - 18 - Allgemeine Eigenschaften zu den drahtgewickelten SMD-Spulen Bauform 0603 / Baureihe
SIMID 1210-100. Size 1210 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 100 µh Rated current 65 to 800 ma
Size 12 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 0 µh Rated current 65 to 800 ma Construction Ceramic or ferrite core Laser-welded winding Flame-retardant encapsulation Features Very wide temperature
Sensors Motor Protection, Triple Sensors
B900 M 00 Applications Thermal protection of winding in electric motors Limit temperature monitoring Features Thermistor pellets with insulating encapsulation in series connection (triple sensor) Low-resistance
Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300
Gabellichtschranke Slotted Interrupter Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Einfache Unterscheidbarkeit von Sender (transparentes
ø GEX GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6 Anode.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Area not flat Approx. weight.5 g Area not flat.6.8 9. 8.2 7.8 7.5 5.7
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit
GEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 P 2.54 mm spacing.6.4 Area not flat.7.4.8.2 29 27.8.4 4.5 4. Cathode 3. 2.5 2..7 ø3. ø2.9 3.5 Chip position 4. 3.6.6.4 GEX638
SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900
Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900 feo06270 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken