Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 3 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 3 W Peak Power SPL PL90_0

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1 Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 3 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 3 W Peak Power SPL PL90_0 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Kostengünstiges Plastikgehäuse Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material Hochleistungslaser mit Large-Optical-Cavity (LOC) Struktur für ein schmales Fernfeld Laterale Austrittsöffnung 60 µm Anwendungen Entfernungsmessung Sicherheit, Überwachung Beleuchtung, Zündung Test- und Messsysteme Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm behandelt werden. Features Low cost plastic package Reliable strained InGaAs/GaAs material High power large-optical-cavity structure Lateral laser aperture 60 µm Applications Range finding Security, surveillance Illumination, ignition Test and measurement systems Safety Advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC Safety of laser products. Typ Type Opt. Spitzenausgangsleistung Opt. Peak Power Wellenlänge 1) Wavelength 1) Bestellnummer Ordering Code SPL PL90_0 3 W 905 nm Q62702-P5270 1) Andere Wellenlängen im Bereich von 780 nm 980 nm sind auf Anfrage erhältlich. Other wavelengths in the range of 780 nm 980 nm are available on request OPTO SEMICONDUCTORS

2 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Spitzenausgangsleistung Peak output power Durchlaßstrom Forward current Pulsbreite (Halbwertsbreite) Pulse width (FWHM) Tastverhältnis Duty cycle Sperrspannung Reverse voltage Betriebstemperatur Operating temperature Lagertemperatur Storage temperature Löttemperatur (t max = 10 s, 2 mm von Gehäuseunterseite) Soldering temperature (t max = 10 s, 2 mm from bottom edge of case) Werte Values max. min. P peak 3 W I F 5 A t p 100 ns d.c. 0.1 % V R 3 V T op C T stg C T s C Einheit Unit OPTO SEMICONDUCTORS

3 Optische Kennwerte (T A = 25 C) Optical Characteristics Werte Values min. typ. max. Einheit Unit Zentrale Emissionswellenlänge 1) λ peak nm Emission wavelength 1) Spektralbreite (Halbwertsbreite) 1) λ 3 nm Spectral width (FWHM) 1) Betriebsstrom 1) I op 3.5 A Operating current 1) Schwellstrom I th 0.3 A Threshold current Betriebsspannung 1) V F 3 V Operating voltage 1) Anstiegs- und Abfallzeit (10% 90%) t r, t r ns Rise and fall time (10% 90%) Austrittsöffnung Aperture size w h 60 2 µm 2 Strahldivergenz (Halbwertsbreite) Beam divergence (FWHM) Temperaturkoeffizient der Wellenlänge Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der opt. Ausgangsleistung Temperature coefficient of optical power Thermischer Widerstand Thermal resistance θ θ 6 34 Grad deg. λ / T 0.3 nm/k P op /P op T 0.5 %/K R th JA 250 K/W 1) Standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf Pulse mit einer Halbwertsbreite von 90 ns bei einer Frequenz von 10 khz mit 3 W Spitzenleistung in NA = 0.5 bei T A = 25 C. Standard operating conditions refer to pulses of 90 ns (FWHM) at 10 khz rate with 3 W peak power into NA = 0.5 at T A = 25 C OPTO SEMICONDUCTORS

4 Optische Kennwerte Optical Characteristics Optical Output Power P opt vs. Forward Current I F (T A = 25 C) P opt 5 W 4 OHW A 5 Farfield Distribution Parallel to Junction I rel vs. θ Ι rel I F OHW00306 Farfield Distribution Perpendicular to Junction I rel vs. θ Ι rel OHW degree 15 Θ Il degree 50 Θ OPTO SEMICONDUCTORS

5 Maßzeichnung Package Outlines 0.6 Area not flat 0.8 Chip position mm spacing Cathode ø5.1 ø Approx. weight 0.25 g GEO06963 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben (10 mm = 0,39 inch / 1 inch = 25,4 mm) / Dimensions in mm, unless otherwise specified (10 mm = 0.39 inch / 1 inch = 25.4 mm) OPTO SEMICONDUCTORS