Cathode GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
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- Nikolas Hoch
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1 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 485 P 2.54 mm spacing Area not flat ø5. ø Chip position Cathode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified GEX636 fex636 Wesentliche Merkmale GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Enge oleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Sehr plane Oberfläche Gehäusegleich mit SFH 27 Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb bis 5 khz LWL Features GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process Small tolerance: Chip surface to case surface Good spectral match to silicon photodetectors Plane surface Same package as SFH 27 Applications Light-reflection switches for steady and varying intensity (max. 5 khz) Fibre optic transmission yp ype Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 485 P Q6273-Q56 5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy- Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster ( / ), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 5 mm LED package ( 3 /4), plane violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm ( / ), anode marking: short lead. Semiconductor Group
2 Grenzwerte ( A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, τ µs Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. mm hermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. mm op ; stg C j C V R 5 V I F I FSM 2.5 A P tot 2 mw R thja 375 K/W Kennwerte ( A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength aeak emission I F = Spektrale Bandbreite bei 5 % von I max, I F = m A Spectral bandwidth at 5 % of I max Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Gehäusevorderseite Distance chip front to case surface λ peak 88 nm λ 8 nm ϕ ±4 Grad deg. A.6 mm 2 L B.4.4 mm L W H.5... mm Semiconductor Group
3 Kennwerte ( A = 25 C) Characteristics (cont d) Schaltzeiten, I e von % auf 9 % und von 9 % auf %, bei I F =, R L = 5 Ω Switching times, I e from % to 9 % and from 9 % to %, I F =, R L = 5 Ω Kapazität Capacitance V R = V, f = MHz Durchlaßspannung Forward voltage I F =, = 2 ms I F = A, = µs Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluß otal radiant flux I F =, = 2 ms emperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = emperature coefficient or I e or Φ e, I F = emperaturkoeffizient von V F, I F = emperature coefficient of V F, I F = emperaturkoeffizient von λ peak, I F = emperature coefficient of λ peak, I F = t r, t f.6/.5 µs C o 25 pf V F.5 (<.8) V 3. (< 3.8) I R. ( ) µa Φ e 25 mw C I.5 %/K C V 2 mv/k C λ.25 nm/k Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr Grouping at radiant intensity I e in axial direction at a solid angle of Ω =. sr e s Strahlstärke Radiant intensity I F =, = 2 ms I e > 3.5 mw/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = A, = µs I e typ. 48 mw/sr Semiconductor Group
4 Relative spectral emission I rel = f (λ) OHR877 I Radiant intensity e I e = f (I F ) Single pulse, = 2 µs 2 OHR878 Max. permissible forward current I F = f ( A ) 25 OHR88 Ι rel % 8 Ι e Ι e () Ι F nm λ C Forward current, I F = f (V F ) Single pulse, = 2 µs A OHR88 Permissible pulse handling capability I F = f (τ), A = 25 C, duty cycle D = parameter D = OHR886 Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board I F = f (I), A = 25 C 2 8 OHR DC 4-2 D = V 8 V F s mm 3 Radiation characteristics I rel = f (ϕ) OHR893 ϕ Semiconductor Group
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GEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 P 2.54 mm spacing.6.4 Area not flat.7.4.8.2 29 27.8.4 4.5 4. Cathode 3. 2.5 2..7 ø3. ø2.9 3.5 Chip position 4. 3.6.6.4 GEX638
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