GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 242

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Caroline Beltz
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1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Großer Öffnungskegel Gehäusegleich mit BP 3, BPX 63, SFH 464, SFH 483 Anwendungsklasse nach DIN 4 4 GQC Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Sensorik Lichtgitter Features Fabricated in a liquid phase epitaxy process Cathode is electrically connected to the case High reliability Wide beam Same package as BP 3, BPX 63, SFH 464, SFH 483 DIN humidity caregory in acc. with DIN 4 4 GQG Applications Photointerrupters Sensor technology Light curtains Typ Type ) Bestellnummer Ordering Code LD 242-2/3 Q6273Q4749 > 4. LD 242 E78 Q6273Q gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr measured at a solid angle of Ω =. sr Strahlstärkegruppierung ) (I F = ma, t p = 2 ms) Radiant Intensity Grouping ) I e (mw/sr)

2 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlassstrom Forward current Stoßstrom, τ µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Wert Value T op ; T stg C V R 5 V I F 3 ma I FSM 3 A P tot 47 mw R thja 45 R thjc 6 K/W K/W Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = ma, t p = 2 ms Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max I F = ma, t p = 2 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top Wert Value λ peak 95 nm λ 55 nm ϕ ± 4 Grad deg. A.25 mm 2 L B L W.5.5 mm² H.3.7 mm

3 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics (cont d) Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei I F = ma, R L = 5 Ω Switching times, I e from % to 9% and from 9% to %, I F = ma, R L = 5 Ω Kapazität Capacitance V R = V Durchlassspannung Forward voltage I F = ma I F = A, t p = µs Sperrstrom, V R = 5 V Reverse current Gesamtstrahlungsfluss Total radiant flux I F = ma, t p = 2 ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = ma Temperature coefficient of V F, I F = ma Temperaturkoeffizient von λ peak, I F = ma Temperature coefficient of λ peak, I F = ma Wert Value t r, t f µs C o 4 pf V F.3 (.5) V F.9 ( 2.5) V V I R. ( ) µa Φ e 6 mw TC I.55 %/K TC V.5 mv/k TC λ.3 nm/k

4 Gruppierung der Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr Grouping of Radiant Intensity I e in Axial Direction measured at a solid angle of Ω =. sr Strahlstärke Radiant intensity I F = ma, t p = 2 ms I F = A, t p = µs I e 4 8 I e typ. 5 Werte Values LD LD LD ) > mw/sr mw/sr ) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende:, mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4, mm). Dadurch wird sichergestellt, dass bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.b. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses der Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag E 78, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. ) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture:. mm; distance of aperture to case back side: 4. mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by E 78 added to the type designation

5 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) Ι rel % 8 OHR938 Radiant Intensity Single pulse, t p = 2 µs 2 Ι e Ι e ( ma) I e I e ma = f (I F ) OHR37 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) 3 ma 25 OHR = 6 K/W R thjc 4 5 R thja = 45 K/W nm 6 Forward Current I F = f (V E ) λ A Ι Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), T C = 25 C, duty cycle D = parameter F C TA, T C A OHR4 4 ma 5 t P D = T t P T OHR937 - typ. max DC D = V 4.5 V F s τ Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) OHR877 ϕ

6 Maßzeichnung Package Outlines 2.54 (.) spacing ø.45 (.8) (.6) Chip position ø4.3 (.69) ø4. (.6). (.43).9 (.35). (.43).9 (.35) 4.5 (.57) 2.5 (.492) 3.6 (.42) 3. (.8) ø5.5 (.27) ø5.2 (.25) GETY6625 Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch). Gehäuse Package Anschlussbelegung pin configuration 8 A3 DIN 4876 (TO-8), klares Epoxy-Gießharz 8 A3 DIN 4876 (TO-8), transparent epoxy resin = Anode/ anode 2 = Kathode/ cathode

7 Lötbedingungen Soldering Conditions Wellenlöten (TTW) (nach CECC 82) TTW Soldering (acc. to CECC 82) T 3 C C C. Welle. wave s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY598 5 ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s C... 3 C 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

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