IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883
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1 IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Hermetisch dichtes Metallgehäuse Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb IR-Gerätefernsteuerungen Sensorik Features Fabricated in a liquid phase epitaxy process Anode is electrically connected to the case High reliability Matches all Si-Photodetectors Hermetically sealed package Applications Photointerrupters IR remote control of various equipmet Sensor technology Light-grille barrier Typ Type Bestellnummer Ordering Code Q67P53 4(typ. 7) Q67P533 4(typ. 8) Strahlstärke (I F = ma, t p = ms) Radiant Intensity ) I e (mw/sr) 5--7
2 Grenzwerte (T A = 5 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t p = µs, D =. Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance T op ; T stg 4 + C V R 5 V I F ma I FSM.5 A P tot 47 mw R thja 45 R thjc 6 K/W K/W Kennwerte (T A = 5 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength of peak emission λ peak 88 nm Spektrale Bandbreite bei 5% von I max λ 8 nm Spectral bandwidth at 5% of I max Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area ± 5 ± 35 Grad deg. A.6 mm L B L W.4.4 mm 5--7
3 Kennwerte (T A = 5 C) (cont d) Characteristics Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf % Switching times, I e from % to 9% and from 9% to % I F = ma, R L = 5 Ω Kapazität Capacitance V R = V, f = MHz Durchlaβspannung Forward voltage I F = ma, t p = ms I F = A, t p = µs I F =.5 A, t p = µs Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux I F = ma, t p = ms t r, t f 5 ns C o 5 pf.5 (.8).4 ( 3.).9 ( 3.4) V V V I R. ( ) µa Φ e Φ e 5 mw mw Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel von Ω =. sr Radiant Intensity I e in Axial Direction measured at a solid angle of Ω =. sr Strahlstärke Radiant intensity I F = ma, t p = ms Strahlstärke Radiant intensity I F = A, t p = µs I e min 4 I e typ mw/sr mw/sr I e typ 63 7 mw/sr
4 Relative Spectral Emission I erel = f (λ) Radiant Intensity I e /I e ( ma) = f (I F ) Max. Permissible Forward Current I F = f (T A, T C ) OHR7 OHR7 4 OHR946 % Ι erel 8 Ι e Ι e ( ma) Ι F ma 6 6 R thjc = 6 K/W 4-8 = 45 K/W R thja Forward Current I F = f ( ) nm λ -3 3 ma 4 Ι F Radiation Characteristic, I erel = f () C T A, T C Ι F A OHR OHR Radiation Characteristic, I erel = f () 4 3 OHR
5 Maßzeichnungen Package Outlines 6. (.44) 5.4 (.3) ø5.6 (.) Chip position (. (.43)) ø5.3 (.9) ø.43 (.7) ø4.8 (.89) ø4.6 (.8).35 (.4) max..54 (.) spacing (.787) 5. (.5) 8 (.79) 4.9 (.93) GEMY649. (.43).9 (.35). (.43).9 (.35) Chip position (. (.43)) ø.43 (.7) (.787) 8 (.79) ø4.8 (.89) ø4.6 (.8).35 (.4) max. 3.8 (.5) 3.5 (.38). (.43).9 (.35). (.43).9 (.35).54 (.) spacing ø5.6 (.) ø5.3 (.9) GEMY65 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Gehäuse Package Anschlussbelegung Pin configuration TO-46-Metallgehäuse, Glaslinse, hermetisch dicht, Anschlüsse im.54-mm-raster ( / ) TO-46-metal-package, glass lens, hermetically sealed, solder tabs lead spacing.54 mm ( / ) Anschluss : Kathode Pin : cathode
6 Lötbedingungen Soldering Conditions Wellenlöten (TTW) (nach CECC 8) TTW Soldering (acc. to CECC 8) T 3 C 5 35 C... 6 C. Welle. wave s. Welle. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY598 5 ca K/s 5 K/s K/s C... 3 C 5 K/s Zwangskühlung forced cooling 5 5 s 5 t Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components, may only be used in life-support devices or systems with the express written approval of OSRAM OS. A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered
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