Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe Hybrid Pulse Laser Diode with Integrated Driver Stage. SPL LLxx

Transkript

1 Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe Hybrid Pulse Laser Diode with Integrated Driver Stage SPL LLxx Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Kleines kostengünstiges Plastik-Gehäuse Integriert sind ein FET und Kondensatoren zur Impulsansteuerung InAlGaAs/GaAs kompressiv verspannte Quantenfilmstruktur ( < 00 nm) InGaAsP/InP Quantenfilmstruktur ( =1550nm) Hochleistungslaser mit Large-Optical-Cavity (LOC) Struktur = 1550 nm Laser für größere Augensicherheit Schneller Betrieb (< ns Impulsbreite) Niedrige Versorgungsspannung (< 14 V) Anwendungen Entfernungsmessung Sicherheit, Überwachung Beleuchtung, Zündung Test- und Messsysteme Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm behandelt werden. Features Low cost, small size plastic package Integrated FET and capacitors for pulse control Strained InAlGaAs/GaAs Q-structures ( < 00 nm) InGaAsP/InP Q-structures ( = 1550 nm) High power large-optical-cavity laser structure = 1550 nm lasers for a better eye safety High-speed operation (< ns pulse width) Low supply voltage (< 14 V) Applications Range finding Security, surveillance Illumination, ignition Testing and measurement Safety advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC Safety of laser products OPTO SEMICONDUCTORS

2 Typ Type ellenlänge 1) avelength Bestellnummer Ordering Code SPL LL nm Q62702-P3558 SPL LL nm on request SPL LL µm Q62702-P3557 1) Andere ellenlängen im Bereich von 780 nm 980 nm und weitere Ausgangsleistungen (vgl. SPL PL90_x) sind auf Anfrage erhältlich. Other wavelengths in the range of 780 nm 980 nm and other power levels (cf. SPL PL90_x) are available on request. Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Spitzenausgangsleistung Peak output power Gate-Spannung Gate voltage 850 nm 905 nm 1550 nm Versorgungsspannung (Ladespannung) 850 nm Supply voltage (charge voltage) 905 nm 1550 nm Tastverhältnis Duty cycle Betriebstemperatur Operating temperature Lagertemperatur Storage temperature Löttemperatur (t max = s) Soldering temperature (t max = s) erte min. max. P peak P peak P peak 16 3 V g V 14 V V V d.c. 0.1 % T op C T stg C T s C OPTO SEMICONDUCTORS

3 Optische Kennwerte (T A = 25 C) Optical Characteristics Zentrale Emissionswellenlänge 1) Emission wavelength 1) 850 nm 905 nm 1550 nm erte min. typ. max Spektralbreite (Halbwertsbreite) 1) 4 nm Spectral width (FHM) 1) Anstiegs- und Abfallzeit (% 90%) 2) t r, t f 5 ns Rise and fall time (% 90%) 2) Pulsbreite (Halbwertsbreite) 2) t p 50 ns Pulse width (FHM) 2) Austrittsöffnung Aperture size w h µm 2 Strahldivergenz (Halbwertsbreite) 1) Beam divergence (FHM) 1) θ θ 6 34 Grad deg. Temperaturkoeffizient der ellenlänge / T 0.3 nm/k Temperature coefficient of wavelength Thermischer iderstand R th 160 K/ Thermal resistance Einschaltspannung V g on V Switch on voltage Ausschaltspannung Switch off voltage V g off V nm nm nm 1) 2) Betriebsbedingungen: = 9 V, t pls = 20 ns. Operating conditions: = 9 V, t pls = 20 ns. Die Schaltspannung am Gate ist abhängig vom Strom, der die Gate-Kapazität lädt (typ. 300 pf). Switching voltage at gate depends on current, charging the gate capacitance (typ. 300 pf) OPTO SEMICONDUCTORS

4 FET Kennwerte FET Characteristics FET Type: Siemens BSP 318S Chip erte min. typ. max. Gate-Source-Spannung V GS ± 14 V Gate-source voltage Gate Kapazität C G pf Gate capacitance Schwellen-Gate-Spannung Threshold gate voltage 1) V G,th V 1) Die Schaltspannung am Gate ist abhängig vom Strom, der die Gate-Kapazität lädt (typ. 300 pf). Switching voltage at gate depends on current, charging the gate capacitance (typ. 300 pf). Kondensator Kennwerte Capacitor Characteristics Capacitor Type: 0805 B37941-J473-J62 Kapazität Capacitance Toleranz Tolerance erte min. typ. max. C 47 nf ± 5 % OPTO SEMICONDUCTORS

5 Optical Power P opt = f( ), V g = 5 V, t pulse = 20 ns, Duty Cycle = 0.01% SPL LL85 P opt OH00917 SPL LL15 P opt OH Spectrum = 9 V, t pls = 20 ns SPL LL V V 16 Ι rel 0 % OH nm OPTO SEMICONDUCTORS

6 Maßzeichnung Package Outlines 4.9 ± ± ± ± ±0.2 Laser Diode (12.2) (2.35) 8.6 ± Surface not flat Trigger V G FET G D S C C Laser diode 0.4 spacing GND GO06034 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben ( mm = 0,39 inch / 1 inch = 25,4 mm) / Dimensions in mm, unless otherwise specified ( mm = 0.39 inch / 1 inch = 25.4 mm) OPTO SEMICONDUCTORS