High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to: OS-PCN A2 IRL 81 A

Ähnliche Dokumente
High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4341

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 IRL 80 A

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4546

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.1 SFH 4853

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH verbunden

Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Same package dimensions as BPX 81 gleiche Gehäuseabmaße wie BPX 81

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH verbunden

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4845

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 4512

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4556P

Infrared Emitter Arrays (940 nm) IR-Lumineszenzdioden-Zeilen (940 nm) Version 1.0 SFH 4942/ 4943/ 4944/ 4945/ 4946/ 4947/ 4948/ 4949/ 4940

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4841

Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 Short switching times Kurze Schaltzeiten

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

High optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1.

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 405

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4056

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Draft Version α.0 SFH DRAFT For Reference only. Subject to change without notice.

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (940 nm) CHIPLED (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4043

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.2 SFH 4544

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4512

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 4860

Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.0 SFH 4811, SFH 4813

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 400

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350

SFH Sensor technology Sensorik Discrete interrupters Diskrete Lichtschranken Discrete optocouplers Diskrete Optokoppler

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA

IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Photointerrupters Lichtschranken Remote control Fernsteuerung BP 104 F 34 ( 25) Q62702P0084

Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package 5 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 LD 274. GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4053

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 PFA

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409

Infrared Emitter Arrays (940 nm) IR-Lumineszenzdioden-Zeilen (940 nm) Draft Version α.1 SFH 4942/ 4943/ 4944/ 4945/ 4946/ 4947/ 4948/ 4949/ 4940

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860

High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeit

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 65

GaAs Infrared Emitters GaAs-IR-Lumineszenzdioden Version 1.0 SFH DRAFT For Reference only. Subject to change.

Transkript:

214-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to: OS-PCN-211-3-A2 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Pink plastic package with lateral emission Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung Short switching times Kurze Schaltzeiten Matches phototransistor LPT 8 A Passend zu Fototransistor LPT 8 A Applications Anwendungen For a variety of manufacturing and monitoring Fertigungs- und Kontrollanwendungen der applications, which require beam interruption Industrie, die eine Unterbrechung des Lichtstrahls erfordern Photointerrupters Lichtschranken Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 6825-1 and IEC 62471. Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 6825-1 und 62471 behandelt werden. 214-1-15 1

Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer I F = 2 ma, t p = 2 ms I e [mw/sr] IRL 81A 25 ( 6.3) Q68A8 Note: Anm.: Measured at a solid angle of Ω =.1 sr Gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T op ; T stg -4... 1 C Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V R 5 V Sperrspannung Forward current I F 1 ma Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p = 2 μs, D = ) I FSM 1 A Total power dissipation Verlustleistung Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung (ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm² each) ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-1 - HBM) P tot 18 mw R thja 375 K / W V ESD 2 kv 214-1-15 2

Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (I F = 1 ma, t p = 2 ms) (typ) λ peak 86 nm Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge der Strahlung (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Half angle Halbwinkel Active chip area Aktive Chipfläche Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall time of I e ( 1% and 9% of I e max ) Schaltzeit von I e ( 1% und 9% von I e max ) (I F = 1 ma, R L = 5 Ω, 1%... 9%) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 A, t p = 1 μs) Reverse current Sperrstrom (V R = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = 2 ma, t p = 2 ms) (typ) λ centroid 85 nm (typ) Δλ 3 nm (typ) ϕ ± 12 (typ) A.9 mm 2 (typ) L x W.3 x.3 mm x mm (typ) t r, t f 12 ns (typ (max)) V F 1.3 ( 1.6) V (typ (max)) V F 2.4 ( 3) V (typ (max)) I R not designed for reverse operation µa (typ) Φ e 12 mw 214-1-15 3

Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Grouping (T A = 25 C) Gruppierung (typ) TC I -.5 % / K (typ) TC V -.7 mv / K (typ) TC λ.3 nm / K Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke I F = 2 ma, t p = 2 ms I F = 2 ma, t p = 2 ms I e, min [mw / sr] I e, max [mw / sr] - Q 6.3 12.5 - R 1 2 - S 16 32 - T 25 5 Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω =.1 sr Only one group in one packing unit (variation lower 1.6:1). gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 1.6:1). 214-1-15 4

1) page 11 Relative Spectral Emission 1) Seite 11 Relative spektrale Emission I rel = f(λ), T A = 25 C I rel 1 % 8 6 OHF4132 1) page 11 Radiant Intensity 1) Seite 11 Strahlstärke I e / I e (1 ma) = f(i F ), single pulse, t p = 25 µs, T A = 25 C I I 1 1 e e (1 ma) 1 5 OHL1715 4 1-1 5 2-2 1 5 7 75 8 85 nm λ 95 1-3 1 5 1 1 5 2 1 3 ma 1 I F 214-1-15 5

Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F, max = f(t A ), RthJA = 375 K/W 12 ma I F 1 8 OHF5577 1) page 11 Forward Current 1) Seite 11 Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = 1 µs, T A = 25 C I F 1 A -1 1 5 OHL1713 6 4 2 1-2 5-3 1 5 2 4 6 8 C 1 T S 1-4.5 1 1.5 2 2.5 V3 V F 1) page 11 Radiation Characteristics 1) Seite 11 Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ) 4 3 2 1 OHF5576 ϕ 1. 5.8 6.6 7.4 8.2 9 1 1..8.6.4 2 4 6 8 1 12 214-1-15 6

Package Outline Maßzeichnung 1.52 (.6) 2.54 (.1) spacing Anode 16.51 (.65) 16. (.63) 1.52 (.6).64 (.25).46 (.18) 1.52 (.6) Plastic marking 5.84 (.23) 5.59 (.22) 1.29 (.51) 1.14 (.45) 2.34 (.92) 2.8 (.82) 4.57 (.18) 4.32 (.17) 2.54 (.1) 2.3 (.8) 1.7 (.67) 1.45 (.57).64 (.25).46 (.18) R =.76 (.3) Approx. weight.2 g GEOY6461 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package Gehäuse Note: Anm: Sidelooker, Epoxy Sidelooker, Harz Light-red colored plastic package, sidelooker, solder tabes 2.54 mm (1/1 ) Hellrot eingefärbtes Kunststoffgehäuse, seitliche Abstrahlung, Anschlüsse im 2,54 mm-raster 214-1-15 7

Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign TTW Soldering / Wellenlöten (TTW) 4.8 (.189) 4 (.157) OHLPY985 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 214-1-15 8

TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC-6176-1 TTW / IEC-6176-1 TTW 3 C T 25 2 15 1 235 C - 26 C First wave Preheating 13 C 12 C 1 C 1 s max., max. contact time 5 s per wave ΔT < 15 K Second wave Typical OHA4645 Continuous line: typical process Dotted line: process limits Cooling ca. 3.5 K/s typical ca. 2 K/s ca. 5 K/s 5 2 4 6 8 1 12 14 16 18 2 22 s 24 t 214-1-15 9

Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 214-1-15 1

Glossary 1) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert. 214-1-15 11

Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg www.osram-os.com All Rights Reserved. 214-1-15 12

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Osram Opto Semiconductor: IRL 81A