IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage TÝÎ = 25 C V Š» 2 V T = 8 C T = 25 C I ÒÓÑ I t«= ms, T = 8 C I ç A T = 25 C PÚÓÚ 225 W 4 A A V Š» +/-2 V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink I = A, V Š = 5 V, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 5 V, TÝÎ = 25 C V Š ÙÈÚ,,9 2,5 V V I =,5 ma, V Š = V Š, TÝÎ = 25 C V ŠÚÌ 5, 5,8 6,5 V V Š = -5 V... +5 V Q,34 µc TÝÎ = 25 C R ÍÒÚ 6,  f = MHz, TÝÎ = 25 C, V Š = 25 V, V Š = V CÍþÙ 2,5 nf f = MHz, TÝÎ = 25 C, V Š = 25 V, V Š = V CØþÙ,9 nf V Š = 2 V, V Š = V, TÝÎ = 25 C I Š» 5, ma V Š = V, V Š = 2 V, TÝÎ = 25 C I Š» 4 na I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 6 V, L» = 4 nh V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, TÝÎ = 25 C I = A, V Š = 6 V, L» = 4 nh V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C t«ù, V Š ù 5 V TÝÎù25 C, V = 9 V, V ŠÑÈà = V Š» -LÙ Š di/dt pro IGBT per IGBT pro IGBT / per IGBT ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) tá ÓÒ,85,9 tø,2,3 tá ÓËË,42,52 të,5,2 EÓÒ 2,65 3,5 EÓËË 2,65 4, I» 4 A RÚÌœ,55,62 K/W RÚÌ,4 K/W
Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t - value TÝÎ = 25 C Vçç 2 V IŒ A t«= ms IŒç A Vç = V, t«= ms, TÝÎ = 25 C I²t 39 A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink IŒ = A, V Š = V, TÝÎ = 25 C IŒ = A, V Š = V, TÝÎ = 25 C IŒ = A, - diœ/dt = 2 A/ Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C IŒ = A, -diœ/dt = 2 A/ Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C IŒ = A, -diœ/dt = 2 A/ Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 25 C pro Diode per diode pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) VŒ,65,65 Iç 65, 63, QØ 3,8 6,8 EØþÊ,4 2, 2, V V A A µc µc RÚÌœ,5,2 K/W RÚÌ,5 K/W NTC-Widerstand / NTC-thermistor Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance Abweichung von Ræåå deviation of Ræåå Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value T = 25 C Rèë 5, kâ T = C, Ræåå = 493  ÆR/R -5 5 % T = 25 C Pèë 2, mw Rè = Rèë exp [Bèëõëå(/Tè - /(298, 5K))] Bèëõëå 335 K 2
Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature Anpreßkraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp Gewicht weight RMS, f = 5 Hz, t = min Vš» 2,5 kv Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal AlèOé 3,5,5 2,,5 CTI > 225 min. typ. max. mm mm LÙ Š nh T = 25 C, pro Zweig / per arm R óôššó 4, mâ TÝÎ ÑÈà 5 C TÝÎ ÓÔ -4 25 C TÙÚÃ -4 25 C F 4-8 N G 36 g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics. It is valid with the appropriate technical explanations. 3
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 5 V Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) TÝÎ = 25 C 63 56 49 TÝÎ = 25 C TÝÎ = 25 C 63 56 49 V Š = 9V V Š = V V Š = 5V V Š = 3V V Š = V V Š = 9V 42 42 28 28 2 2 4 4,,3,6,9,2,5,8 2, 2,4 2, 3, V Š [V],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V Š [V] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 2 V Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ) V Š = ±5 V, R ÓÒ = 22 Â, R ÓËË = 22 Â, V Š = 6 V, TÝÎ = 25 C,5 63 56 TÝÎ = 25 C TÝÎ = 25 C, 6,5 6, EÓÒ EÓËË 49 5,5 5, 42 4,5 E [] 4, 3,5 28 3, 2 2,5 2, 4,5,,5 5 6 8 9 2 V Š [V], 5 5 2 25 3 4 45 5 55 6 65 4
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ) V Š = ±5 V, I = A, V Š = 6 V, TÝÎ = 25 C Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ = f (t) 9 8 EÓÒ EÓËË ZÚÌœ : IGBT E [] 6 5 4 3 ZÚÌœ [K/W], 2 2 4 6 8 2 4 R [Â] Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA) I = f (V Š) V Š = ±5 V, R ÓËË = 22 Â, TÝÎ = 25 C i: rí[k/w]: τí[s]:,5,38 2,9,24 3,532,46935 4,,254298,,,, t [s] Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (VŒ) 63 56 49 42 28 2 4 I, Modul I, Chip 2 4 6 8 2 4 V Š [V] 65 6 55 5 45 4 3 25 2 5 5 TÝÎ = 25 C TÝÎ = 25 C,,5,,5 2, 2,5 VŒ [V] 5
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ = 22 Â, V Š = 6 V, TÝÎ = 25 C Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ = A, V Š = 6 V, TÝÎ = 25 C 3,5 3,5 3, EØþÊ 3, EØþÊ 2,5 2,5 E [] 2,,5 E [] 2,,5,,,5,5, 5 5 2 25 3 4 45 5 55 6 65 IŒ [A], 2 4 6 8 2 4 R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ = f (t) NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-temperature characteristic (typical) R = f (T) ZÚÌœ : Diode RÚáÔ ZÚÌœ [K/W] R[Â], i: rí[k/w]: τí[s]:,93,49 2,3,445 3,868,23625 4,29,88455,,,, t [s] 2 4 6 8 2 4 6 T [ C] 6
Schaltplan / circuit diagram ϑ Gehäuseabmessungen / package outlines
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