Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C I C,nom. 35 A DC-collector current T C = 25 C I C 7 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t P = 1 ms, T C = 8 C I CRM 7 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation T C =25 C, Transistor P tot 28 W Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V GES +/- 2V V Dauergleichstrom DC forward current I F 35 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I 2 t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage t P = 1 ms I FRM 7 A V R = V, t p = ms, T Vj = 125 C I 2 t 4 A 2 s RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. V ISOL 2,5 kv Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I C = 35A, V GE = 15V, T vj = 25 C V CE sat - 2,1 2,6 V collector-emitter saturation voltage I C = 35A, V GE = 15V, T vj = 125 C - 2,4 2,9 V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage I C = 1,2mA, V CE = V GE, T vj = 25 C V GE(th) 4,5 5,5 6,5 V Gateladung gate charge V GE = -15V...+15V Q G -,35 - µc Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,T vj = 25 C,V CE = 25V, V GE = V C ies - 2 - nf Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,T vj = 25 C,V CE = 25V, V GE = V C res -,13 - nf Kollektor-Emitter Reststrom V CE = 12V, V GE = V, T vj = 25 C I CES - 2 8 µa collector-emitter cut-off current V CE = 12V, V GE = V, T vj = 125 C - 2 - µa Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current V CE = V, V GE = 2V, T vj = 25 C I GES - - 4 na prepared by: Mark Münzer date of publication: 26-1-31 approved by: M. Hierholzer revision: 4 1(8) Seriendatenblatt_BSM35GD12DLC-E3224.xls
Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = 35A, V CC = 6V turn on delay time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 22Ω, T vj = 25 C t d,on -,5 - µs V GE = ±15V, R G = 22Ω, T vj = 125 C -,6 - µs Anstiegszeit (induktive Last) I C = 35A, V CC = 6V rise time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 22Ω, T vj = 25 C t r -,5 - µs V GE = ±15V, R G = 22Ω, T vj = 125 C -,5 - µs Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = 35A, V CC = 6V turn off delay time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 22Ω, T vj = 25 C t d,off -,25 - µs V GE = ±15V, R G = 22Ω, T vj = 125 C -,3 - µs Fallzeit (induktive Last) I C = 35A, V CC = 6V fall time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 22Ω, T vj = 25 C t f -,3 - µs V GE = ±15V, R G = 22Ω, T vj = 125 C -,7 - µs Einschaltverlustenergie pro Puls I C = 35A, V CC = 6V, V GE = 15V turn-on energy loss per pulse R G = 22Ω, T vj = 125 C, L S = 12nH E on - 4,5 - mws Abschaltverlustenergie pro Puls I C = 35A, V CC = 6V, V GE = 15V turn-off energy loss per pulse R G = 22Ω, T vj = 125 C, L S =12nH E off - 4,3 - mws Kurzschlußverhalten t P µsec, V GE 15V, R G = 22Ω SC Data T Vj 125 C, V CC =9V, V CEmax =V CES -L sce di/dt I SC - 32 - A Modulinduktivität stray inductance module L sce - 6 - nh Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse Chip module lead resistance, terminals chip T C =25 C R CC +EE - 8, - mω Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode min. typ. max. Durchlaßspannung I F = 35A, V GE = V, T vj = 25 C V F - 1,8 2,3 V forward voltage I F = 35A, V GE = V, T vj = 125 C - 1,7 2,2 V Rückstromspitze I F = 35A, - di F /dt = 9A/µsec peak reverse recovery current V R = 6V, VGE = -15V, T vj = 25 C I RM - 36 - A V R = 6V, VGE = -15V, T vj = 125 C - 45 - A Sperrverzögerungsladung I F = 35A, - di F /dt = 9A/µsec recovered charge V R = 6V, VGE = -15V, T vj = 25 C Q r - 3,6 - µas V R = 6V, VGE = -15V, T vj = 125 C - 7,6 - µas Abschaltenergie pro Puls I F = 35A, - di F /dt = 9A/µsec reverse recovery energy V R = 6V, VGE = -15V, T vj = 25 C E rec - 1,3 - mws V R = 6V, VGE = -15V, T vj = 125 C - 2,8 - mws 2(8) Seriendatenblatt_BSM35GD12DLC-E3224.xls
Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC R thjc - -,44 K/W thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC - -,8 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature pro Modul / per module λ Paste = 1 W/m * K / λ grease = 1 W/m * K R thck -,2 - K/W T vj - - 15 C Betriebstemperatur operation temperature T op -4-125 C Lagertemperatur storage temperature T stg -4-15 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index AL 2 O 3 225 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M1 3 6 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse M2 Nm terminal connection torque Gewicht weight G 18 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) Seriendatenblatt_BSM35GD12DLC-E3224.xls
7 Ausgangskennlinie (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) V GE = 15V 6 5 Tj = 25 C Tj = 125 C 4 3 2,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, V CE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) T vj = 125 C 7 6 5 4 3 VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V VGE = 7V 2,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V CE [V] 4(8) Seriendatenblatt_BSM35GD12DLC-E3224.xls
7 Übertragungscharakteristik (typisch) I C = f (V GE ) Transfer characteristic (typical) V CE = 2V 6 5 Tj = 25 C Tj = 125 C 4 3 2 5 6 7 8 9 11 12 V GE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f (V F ) Forward characteristic of inverse diode (typical) 7 6 5 Tj = 25 C Tj = 125 C I F [A] 4 3 2,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, V F [V] 5(8) Seriendatenblatt_BSM35GD12DLC-E3224.xls
12 Schaltverluste (typisch) E on = f (I C ), E off = f (I C ), E rec = f (I C ) Switching losses (typical) V GE =15V, R gon = R goff =22 Ω, V CE = 6V, T j = 125 C Eoff Eon Erec 8 E [mj] 6 4 2 2 3 4 5 6 7 Schaltverluste (typisch) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) Switching losses (typical) V GE =15V, I C = 35A, V CE = 6V, T j = 125 C 24 2 Eoff Eon Erec 16 E [mj] 12 8 4 3 6 9 12 15 18 2 R G [Ω] 6(8) Seriendatenblatt_BSM35GD12DLC-E3224.xls
Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t) 1 Z thjc [K / W],1 Zth:Diode Zth:IGBT,1,1,1,1 1 t [sec] i 1 2 3 4 r i [K/kW] : IGBT 85,88 289,11 22,94 42,6 τ i [sec] : IGBT,9,45,73,229 r i [K/kW] : Diode 47,398 348,913 3,298 93,392 τ i [sec] : Diode,3,22,64,344 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) V GE = 15V, R g = 22 Ohm, T vj = 125 C 8 7 6 5 4 IC,Modul IC,Chip 3 2 2 4 6 8 12 14 V CE [V] 7(8) Seriendatenblatt_BSM35GD12DLC-E3224.xls
Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8(8) Seriendatenblatt_BSM35GD12DLC-E3224
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