VDSS = 1200V ID nom = 50A / IDRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern

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1 EasyPACK ModulmitCoolSiC TrenchMOSFETundPressFIT/NTC EasyPACK modulewithcoolsic TrenchMOSFETandPressFIT/NTC / VDSS = 1200V ID nom = 50A / IDRM = A PotentielleAnwendungen PotentialApplicatio AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen HighFrequencySwitchingapplication DC/DCWandler DC/DCconverter Schweißen Welding ElektrischeEigechaften ElectricalFeatures HoheStromdichte Highcurrentdeity NiederinduktivesDesign Lowinductivedesign NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses MechanischeEigechaften MechanicalFeatures IntegrierterNTCTemperaturSeor IntegratedNTCtemperatureseor PressFITVerbindungstechnik PressFITcontacttechnology Robuste Montage durch integrierte Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0

2 MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDraitrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage VDSS 1200 V Tvj = 175 C, VGS = 15 V TH = 60 C ID nom 50 A verifiziertdurchdesign,tplimitiertdurchtvjmax verifiedbydesign,tplimitedbytvjmax ID pulse A VGSS -10 / 20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Eichaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 50 A VGS = 15 V RDS on 22,5 29,5 33,0 Gate-Schwellepannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetrafercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Eichaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload Atiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EichaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditio ID=20,0mA,VDS=VGS,Tvj=25 C (testedafter1mspulseatvgs=+20v) mω VGS(th) 3,45 4,50 5,55 V, VDS = 800 V QG 0,124 µc RGint 2,0 Ω f = 1 MHz, VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mv f = 1 MHz, VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mv f = 1 MHz, VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mv VDS = 800 V, Ciss 3,68 nf Coss 0,22 nf Crss 0,028 nf Eoss 88,0 µj VDS = 1200 V, VGS = -5 V IDSS 0, µa VDS = 0 V RGon = 1,00 Ω RGon = 1,00 Ω RGoff = 1,00 Ω RGoff = 1,00 Ω, Lσ = 35 nh di/dt = 8,30 ka/µs (), RGon = 1,00 Ω, Lσ = 35 nh du/dt = 46,2 kv/µs (), RGoff = 1,00 Ω BodyDiode/Bodydiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent VGS = 20 V VGS = -10 V IGSS td on tr td off tf Eon Eoff 14,3 14,3 14,3 8,40 8,40 8,40 49,4 49,4 49,4 0,43 0,43 0,43 0,11 0,11 0,11 promosfet/permosfet RthJH 0,900 K/W 400 na mj mj Tvj op C Tvj = 175 C, VGS = -5 V TH = 60 C ISD 16 A CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung ISD = 50 A, VGS = -5 V 4,60 5,65 Forwardvoltage ISD = 50 A, VGS = -5 V ISD = 50 A, VGS = -5 V VSD 4,35 4,30 V Datasheet 2 V2.0

3 NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance AbweichungvonR DeviationofR Verlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TNTC = 25 C R25 5,00 kω TNTC = C, R = 493 Ω R/R -5 5 % TNTC = 25 C P25 20,0 mw R2 = R25 exp [B25/50(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/80(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ 3433 K Modul/Module Isolatio-Prüfspannung Isolationtestvoltage InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Lagertemperatur Storagetemperature Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp Gewicht Weight RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,0 kv Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basiciulation(class1,iec61140) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Gehäuse housing Al2O3 6,3 10,0 5,0 CTI > 200 mm mm RTI 140 C min. typ. max. LsCE 10 nh Tstg C F N G 24 g The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN must be coidered to eure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 3 V2.0

4 AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicmosfet(typical) ID=f(VDS) VGS=15V ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) trafercharacteristicmosfet(typical) ID=f(VGS) VDS=20V ,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VDS [V] VGS [V] SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesmosfet(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=1Ω,RGoff=1Ω,VDS=600V SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesmosfet(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=50A,VDS=600V 0,6 Eon, ; Eon, Eoff, ; Eoff, 1,2 1,1 Eon, ; Eon, Eoff, ; Eoff, 0,5 1,0 0,9 0,4 0,8 0,7 E [mj] 0,3 E [mj] 0,6 0,5 0,2 0,4 0,3 0,1 0,2 0,1 0, , RG [Ω] Datasheet 4 V2.0

5 SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareamosfet(rbsoa) ID=f(VDS) VGS=-5V/15V,RG=1Ω,Tvj=150 C TraienterWärmewiderstandMOSFET traientthermalimpedancemosfet ZthJH=f(t) 125 ID, Modul ID, Chip 10 Zth: MOSFET ZthJH [K/W] 0,1 25 i: ri[k/w]: τi[s]: 1 0,0305 0, ,0925 0, ,173 0, ,604 0, VDS [V] 0,01 0,001 0,01 0, t [s] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 000 Rtyp 00 R[Ω] TNTC [ C] Datasheet 5 V2.0

6 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 6 V2.0

7 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany 2019InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabetellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigechaftendesProduktes ( Beschaffenheitsgarantie )dar.fürbeispiele,hinweiseodertypischewerte,dieindiesemdokumententhalteind,und/oderangaben, diesichaufdieanwendungdesproduktesbeziehen,istjeglichegewährleistungundhaftungvoninfineontechnologiesausgeschlossen, eichließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,diegewährdafür,dasskeingeistigeseigentumdritterverletztist. DesWeitereteheämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundeowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundeowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDateindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonuweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendensiesichbitteandasnächstevertriebsbürovoninfineontechnologies( WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinfehlerdesproduktesoderdiefolgendernutzungdesprodukteszu Personenverletzungenführen. IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditioorcharacteristics ( Beschaffenheitsgarantie ).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer scompliancewithitsobligatiostatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer sproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomer sapplicatio. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistherespoibilityofcustomer stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditioandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice( WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies productsmaynotbeusedinanyapplicatiowhereafailureoftheproductoranycoequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.