F5-75R06KE3_B5. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules

Transkript

1 EconoPCK ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EconoPCK modulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandpressfit/ntc / VCES = 6V IC nom = 75 / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplicatio Solarnwendungen Solarpplicatio ElektrischeEigechaften ElectricalFeatures TrenchIGBT TrenchIGBT NiedrigesVCEsat LowVCEsat MechanischeEigechaften MechanicalFeatures IntegrierterNTCTemperaturSeor IntegratedNTCtemperatureseor Kupferbodenplatte CopperBasePlate PressFITVerbindungstechnik PressFITContactTechnology ModuleLabelCode BarcodeCode8 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit ULapproved(E85)

2 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzetrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzepannung Gate-emitterpeakvoltage VCES 6 V TC = 8 C, Tvj max = 75 C IC nom 75 tp = ms ICRM 5 TC = 5 C, Tvj max = 75 C Ptot 5 W VGES +/- V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellepannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetrafercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Eichaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload tiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EichaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditio IC = 75, VGE = 5 V IC = 75, VGE = 5 V IC = 75, VGE = 5 V VCE sat,5,6,7,9 V V V IC =, m, VCE = VGE, VGEth,9 5,8 6,5 V VGE = -5 V V QG,8 µc RGint, Ω f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cies,6 nf f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cres,5 nf VCE = 6 V, VGE = V, ICES, m VCE = V, VGE = V, IGES n IC = 75, VCE = V VGE = ±5 V RGon = 5, Ω IC = 75, VCE = V VGE = ±5 V RGon = 5, Ω IC = 75, VCE = V VGE = ±5 V RGoff = 5, Ω IC = 75, VCE = V VGE = ±5 V RGoff = 5, Ω IC = 75, VCE = V, LS = nh VGE = ±5 V, di/dt = / () RGon = 5, Ω IC = 75, VCE = V, LS = nh VGE = ±5 V, du/dt = V/ () RGoff = 5, Ω VGE 5 V, VCC = 6 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp 8, tp 6, td on tr td off tf Eon Eoff ISC,5,5,5,,,,,,5,6,7,7,5,5,6,,8, 5 8 proigbt/perigbt RthJC,6 K/W proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH, K/W Tvj op - 5 C

3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzeperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzetrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 6 V IF 75 tp = ms IFRM 5 VR = V, tp = ms, VR = V, tp = ms, CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditio IF = 75, VGE = V IF = 75, VGE = V IF = 75, VGE = V IF = 75, - dif/dt = / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V IF = 75, - dif/dt = / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V IF = 75, - dif/dt = / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V I²t VF IRM Qr Erec 66 6,55,5,5 5 5, 6, 7,5,95,5,85 ²s ²s,95 V V V prodiode/perdiode RthJC,95 K/W prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) µc µc µc RthCH, K/W Tvj op - 5 C

4 MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Sperrspannung Drain-sourcebreakdownvoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDraitrom,tplimitiertdurch Tjmax Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Source-Spitzepannung Gate-sourcepeakvoltage VDSS 6 V TC = 8 C TC = 5 C ID nom ID puls TC = 5 C Ptot W VGSS +/- V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Eichaltwiderstand ID = 7, VGS = V, RDS on, mω Drain-sourceonresistance Gate-Schwellepannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance usgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetrafercapacitance Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Eichaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload tiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EichaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditio ID = 9, m, VDS = VGS, VGS(th),, 5, V VGS = V, VDD= 8 V QG,5 µc RGint, Ω f = MHz,, VDS = 5 V, VGS = V Ciss, nf f = MHz,, VDS = 5 V, VGS = V Coss 6,6 nf f = MHz,, VDS = 5 V, VGS = V Crss, nf VDS = 6 V, VGS = V, IDSS µ VDS = V, VGS = V, IGSS, n ID = 7, VDS = V VGS = V RG =, Ω ID = 7, VDS = V VGS = V RG =, Ω ID = 7, VDS = V VGS = V RG =, Ω ID = 7, VDS = V VGS = V RG =, Ω ID = 7, VDS = V, Lσ = nh VGS = V RG =, Ω ID = 7, VDS = V, Lσ = nh VGS = V RG =, Ω ID td on tr td off tf 7 8,8,7,75,75,5,5,,5 RthJC, K/W pro MOS-FET / per MOS-FET λpaste = W/(m*K) /λgrease = W/(m*K) Eon Eoff,9,5 RthCH, K/W Tvj op - 5 C Revers-Diode/reverse-diode min. typ. max. Durchlassspannung IS = 7, VGS = V,8, VSD Forwardvoltage IS = 7, VGS = V,7 V

5 MOSFETOVP-Zweig/MOSFETOVP-Path HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Sperrspannung Drain-sourcebreakdownvoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDraitrom,tplimitiertdurch Tjmax Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Source-Spitzepannung Gate-sourcepeakvoltage VDSS 6 V TC = 8 C TC = 5 C ID nom ID puls TC = 5 C Ptot W VGSS +/- V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Eichaltwiderstand ID = 7, VGS = V, RDS on,5 mω Drain-sourceonresistance Gate-Schwellepannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance usgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetrafercapacitance Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Eichaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload tiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EichaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditio ID = 9, m, VDS = VGS, VGS(th),5,,5 V VGS = V, VDD= V QG,5 µc RGint, Ω f = MHz,, VDS = 5 V, VGS = V Ciss, nf f = MHz,, VDS = 5 V, VGS = V Coss 5, nf f = MHz,, VDS = 5 V, VGS = V Crss,9 nf VDS = 6 V, VGS = V, IDSS µ VDS = V, VGS = V, IGSS, n ID = 7, VDS = V RG =, Ω ID = 7, VDS = V RG =, Ω ID = 7, VDS = V RG =, Ω ID = 7, VDS = V RG =, Ω ID = 7, VDS = V, Lσ = nh RG =, Ω ID = 7, VDS = V, Lσ = nh RG =, Ω ID td on tr td off tf 7 8,,5,,,,,,5 RthJC, K/W pro MOS-FET / per MOS-FET λpaste = W/(m*K) /λgrease = W/(m*K) Eon Eoff,,8 RthCH, K/W Tvj op - 5 C Revers-Diode/reverse-diode min. typ. max. Durchlassspannung IS = 7, VGS = V,9, VSD Forwardvoltage IS = 7, VGS = V, V 5

6 NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr DeviationofR Verlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolatio-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditio Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight TC = 5 C R5 5, kω TC = C, R = 9 Ω R/R -5 5 % TC = 5 C P5, mw R = R5 exp [B5/5(/T - /(98,5 K))] B5/5 75 K R = R5 exp [B5/8(/T - /(98,5 K))] B5/8 K R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ K RMS, f = 5 Hz, t = min. VISOL,5 kv Cu Basisisolierung(Schutzklasse,EN6) basiciulation(class,iec6) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal lo CTI > promodul/permodule λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K), 7,5 min. typ. max. mm mm RthCH,9 K/W LsCE nh Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper MOSFET Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper MOSFET Tvj max Tvj op Tstg - 5 C SchraubeM5-Montagegem.gültigerpplikatioschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote C C C C M, - 6, Nm G g NTC-Widerstand/NTC-thermistor: KGB-5-5EZ 6

7 usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=5V usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=5 C VGE = 9 V VGE = 7V VGE = 5V VGE = V VGE = V VGE = 9V IC [] 75 IC [] ,,5,,5,,5, VCE [V],,5,,5,,5,,5,,5 5, VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) trafercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±5V,RGon=5.Ω,RGoff=5.Ω,VCE=V Eon, Eoff, Eon, Eoff, 5 9 IC [] 75 E [] VGE [V] IC [] 7

8 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±5V,IC=75,VCE=V TraienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter traientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 6 5 Eon, Eoff, Eon, Eoff, ZthJC : IGBT E [] ZthJC [K/W], RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,6,,98,,9,5,7,,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±5V,RGoff=5.Ω,Tvj=5 C 65 IC, Modul 5 IC, Chip 5 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) 5 5 IC [] IF [] VCE [V],,,,6,8,,,,6,8, VF [V] 8

9 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=5.Ω,VCE=V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=75,VCE=V,,5 Erec, Erec,,,5 Erec, Erec,,,5, E [], E [],5,5,,,5,5, IF [], RG [Ω] TraienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter traientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) SichererrbeitsbereichMOSFET(SO) safeoperatingareamosfet(so) ID=f(VDS) VGS=±5V,Tc=5 C ZthJC : Diode tp = tp = ms DC ZthJC [K/W], ID [] i: ri[k/w]: τi[s]:,57,,5,,,5,755,,,,, t [s], VDS [V] 9

10 TraienterWärmewiderstandMOSFET traientthermalimpedancemosfet ZthJC=f(t) usgangskennliniemosfet(typisch) outputcharacteristicmosfet(typical) ID=f(VDS) Tvj=5 C Zth: Mosfet 8 6 VGS = V VGS = V VGS = 8V VGS = 7V VGS = 6,5V VGS = 6V, ZthJC [K/W] ID [] 8, 6 i: ri[k/w]: τi[s]:,7,,96,,8,5,8,,,,, t [s] VDS [V] SichererrbeitsbereichMOSFETOVP-Zweig(SO) safeoperatingareamosfetovp-path(so) ID=f(VDS) VGS=±5V,Tc=5 C TraienterWärmewiderstandMOSFETOVP-Zweig traientthermalimpedancemosfetovp-path ZthJC=f(t) tp = tp = ms DC Zth: Mosfet, ID [] ZthJC [K/W], i: ri[k/w]: τi[s]:,7,,96,,8,5,8,, VDS [V],,,, t [s]

11 usgangskennliniemosfetovp-zweig(typisch) outputcharacteristicmosfetovp-path(typical) ID=f(VDS) Tvj=5 C 5 VGS = V VGS = V VGS = 8V VGS = 6V VGS = 5,5V VGS = 5V 5 ID [] VDS [V]

12 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon

13 TechnischeInformation/TechnicalInformation Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDateindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigechaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonuProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundibesondereeine spezifischeverwendungunddeneiatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirpplicationNotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteuerproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzeetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebegefährdendenoderlebeerhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeiamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvopeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeiameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditioofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditioofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbecoidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcerthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisrespoibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisrespoibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplicatio,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplicatio,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicatioweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.