FZ400R12KE3_B1. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,10 nf

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1 FZ4R12KE3_B1 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES 12 V TC = 8 C, Tvj max = 15 C TC = 25 C, Tvj max = 15 C IC nom IC 4 65 tp = 1 ms ICRM 8 TC = 25 C, Tvj max = 15 Ptot 225 W VGES +/-2 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 4, VGE = 15 V IC = 4, VGE = 15 V VCE sat 1,7 2, 2,15 V V IC = 16, m, VCE = VGE, VGEth 5, 5,8 6,5 V VGE = -15 V V QG 3,7 µc RGint 1,9 Ω f = 1 MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cies 28, nf f = 1 MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cres 1,1 nf VCE = 12 V, VGE = V, ICES 5, m VCE = V, VGE = 2 V, IGES 4 n IC = 4, VCE = 6 V RGon = 1,8 Ω td on,25,3 nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload IC = 4, VCE = 6 V RGon = 1,8 Ω tr,9,1 bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 4, VCE = 6 V RGoff = 1,8 Ω td off,55,65 Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 4, VCE = 6 V RGoff = 1,8 Ω tf,13,18 EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 4, VCE = 6 V, LS = 85 nh RGon = 1,8 Ω Eon 33, bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse IC = 4, VCE = 6 V, LS = 85 nh RGoff = 1,8 Ω Eoff 59, Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions VGE 15 V, VCC = 9 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp 1, ISC 16 proigbt/perigbt RthJC,55 K/W Tvj op C dateofpublication:

2 FZ4R12KE3_B1 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 12 V IF 4 tp = 1 ms IFRM 8 VR = V, tp = 1 ms, I²t 31 ²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 4, VGE = V IF = 4, VGE = V IF = 4, - dif/dt = 4 / (Tvj=125 C) VR = 6 V VGE = -15 V VF IRM 1,65 1, ,15 V V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 4, - dif/dt = 4 / (Tvj=125 C) VR = 6 V VGE = -15 V Qr 4, 75, µc µc bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy IF = 4, - dif/dt = 4 / (Tvj=125 C) VR = 6 V VGE = -15 V Erec 18, 34, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions prodiode/perdiode RthJC,125 K/W Tvj op C dateofpublication:

3 FZ4R12KE3_B1 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting nzugsdrehmomentf.elektr.nschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kv Cu Basisisolierung(Schutzklasse1,EN6114) basicinsulation(class1,iec6114) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal l2o3 CTI > 425 promodul/permodule λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) 2, 11, min. typ. max. mm mm RthCH,1 K/W LsCE 16 nh TC=25 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE',5 mω Tstg C SchraubeM6-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM4-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM6-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3, - 6, Nm G 34 g M 1,1 2, , 5, Nm Nm dateofpublication:

4 FZ4R12KE3_B1 usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125 C VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 5 5 IC [] 4 IC [] ,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 VCE [V],,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=2V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.8Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=6V Eon, Eoff, IC [] 4 E [] VGE [V] IC [] dateofpublication:

5 FZ4R12KE3_B1 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=4,VCE=6V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 24 Eon, Eoff,,1 ZthJC : IGBT 2 16 E [] 12 ZthJC [K/W], RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]: 1,142,1187 2,3132,2364 3,2777,261 4,23119,6499,1,1,1,1 1 1 t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=125 C 9 IC, Modul IC, Chip 8 7 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) IC [] IF [] VCE [V],,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, 2,2 2,4 VF [V] dateofpublication:

6 FZ4R12KE3_B1 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1.8Ω,VCE=6V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=4,VCE=6V 5 Erec, 4 Erec, E [] E [] IF [] RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) 1 ZthJC : Diode,1 ZthJC [K/W],1 i: ri[k/w]: τi[s]: 1,2367,1187 2,718,2364 3,6367,261 4,52458,6499,1,1,1,1 1 1 t [s] dateofpublication:

7 FZ4R12KE3_B1 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines In fin e o n dateofpublication:

8 8 TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ4R12KE3_B1 dateofpublication: Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirpplicationNotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.