IFS100S12N3T4_B11. Industrieantriebe, USV, Klimatisierungsgeräte, Solarumrichter industrial drives, UPS, Air conditioning, Solar inverters

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1 IGBT-modules IFS1S12N3T_B11 MIPAQ sense Modul in Sixpack-Konfiguration mit Trench/Feldstopp IGBT, Emitter Controlled Diode und Strommesswiderstand mit integriertem Σ/ -Wandler und galvanisch getrennter digitalen Schnittstelle MIPAQ sense module in Sixpack-configuration with trench/fieldstop IGBT, emitter controlled diode and current sense shunt with integrated Σ/ -converter and galvanical isolation of the digital interface Kenndaten key data Topologie topology B6I Halbleiter-Nenndaten rated semiconductor data 12V, 1A Art der Belastung load type Zielanwendung target application Sensoren sensors Digitale Schnittstelle digital interface ohmsch-induktiv resistive-inductive Industrieantriebe, USV, Klimatisierungsgeräte, Solarumrichter industrial drives, UPS, Air conditioning, Solar inverters Strommesswiderstände für Laststrom, NTC für Bodenplattentemperatur shunts for output current, NTC for baseplate temperature 5V-CMOS, galvanische Trennung nach IEC V-CMOS, galvanic isolation according to IEC Normen standards IEC (Overvoltage Category III, Polution Degree 2, Insulating Material Groupe II), UL9, RoHs Blockschaltbild block diagram σ/δ σ/δ σ/δ ϑ Foto photo prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

2 IGBT-modules IFS1S12N3T_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter / target data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current T C = 95 C, T vj = 175 C I C,nom 1 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t P = 1 ms I CRM 2 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation T C = 25 C, T vj = 175 C P tot 55 W Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V GES +/-2 V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I C = 1 A, V GE = 15 V, T vj = 25 C 1,75 2,1 V collector-emitter saturation voltage I C = 1 A, V GE = 15 V, T vj = 125 C V CE sat 2,5 V I C = 1 A, V GE = 15 V, T vj = 15 C 2,1 V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage I C =, ma, V CE = V GE, T vj = 25 C V GE(th) 5,2 5, 6, V Gateladung gate charge V GE = -15 V V Q G, µc Interner Gatewiderstand internal gate resistor T vj = 25 C R Gint 7,5 Ω Eingangskapazität input capacitance f = 1 MHz,T vj = 25 C,V CE = 25 V, V GE = V C ies 6,3 nf Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1 MHz, T vj = 25 C,V CE = 25 V, V GE = V C res,27 nf Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current V CE = 12 V, V GE = V, T vj = 25 C I CES 1, ma Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current V CE = V, V GE = 2 V, T vj = 25 C I GES 1 na Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = 1 A, V CE = 6 V T vj = 25 C,157 µs turn-on delay time (inductive load) V GE = ±15 V T vj =125 C t d,on,17 µs R Gon = 1,6 Ω T vj =15 C,175 µs Anstiegszeit (induktive Last) I C = 1 A, V CE = 6 V T vj = 25 C,36 µs rise time (inductive load) V GE = ±15 V T vj =125 C t r, µs R Gon = 1,6 Ω T vj =15 C,7 µs Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = 1 A, V CE = 6 V T vj = 25 C,33 µs turn-off delay time (inductive load) V GE = ±15 V T vj =125 C t d,off,1 µs R Goff = 1,6 Ω T vj =15 C, µs Fallzeit (induktive Last) I C = 1 A, V CE = 6 V T vj = 25 C,113 µs fall time (inductive load) V GE = ±15 V T vj =125 C t f,19 µs R Goff = 1,6 Ω T vj =15 C,222 µs Einschaltverlustenergie pro Puls I C = 1 A, V CE = 6 V T vj = 25 C 6,9 mj turn-on energy loss per pulse V GE = ±15 V, di C/dt = 2, ka/µs (Tvj =15 C) T vj =125 C E on 1,2 mj R Goff = 1,6 Ω T vj =15 C 11,9 mj Abschaltverlustenergie pro Puls I C = 1 A, V CE = 6 V T vj = 25 C 6,35 mj V GE = ±15 V, du CE/dt = 3,3 kv/µs (Tvj =15 C) T vj =125 C E off 9,55 mj turn-off energy loss per pulse R Goff = 1,6 Ω T vj =15 C 1,61 mj Kurzschlußverhalten V GE 15 V, V CC = V SC Data V CEmax=V CES -L sce di/dt, t P 1 µs, T vj 15 C I SC 36 A Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro IGBT / per IGBT R thjc,33 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro IGBT / per IGBT λ Paste = 1 W/(m*K) / λ grease = 1 W/(m*K) R thch,6 K/W prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

3 IGBT-modules IFS1S12N3T_B11 Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj = 25 C V RRM 12 V Dauergleichstrom DC forward current I F 1 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current t P = 1 ms I FRM 2 A Grenzlastintegral I 2 t - value V R = V, t P = 1ms, T vj = 125 C V R = V, t P = 1ms, Tvj = 15 C I 2 t A²s A²s Spitzenverlustleistung maximum power dissipation T C = 25 C, T vj = 175 C P RQM 273 W Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlaßspannung I F = 1 A, V GE = V T vj = 25 C 1,7 2,15 V forward voltage I F = 1 A, V GE = V T vj=125 C V F 1,65 V I F = 1 A, V GE = V T vj=15 C 1,65 V Rückstromspitze I F = 1 A, - di F/dt = 2,9 ka/µs (T vj = 15 C) T vj = 25 C 121 A peak reverse recovery current V R = 6V T vj = 125 C I RM 132 A VGE = -15V T vj=15 C 1 A Sperrverzögerungsladung I F = 1 A, - di F/dt = 2,9 ka/µs (T vj = 15 C) T vj = 25 C,5 µc recovered charge V R = 6V T vj = 125 C Q r 15,9 µc VGE = -15V T vj =15 C 1, µc Abschaltenergie pro Puls I F = 1 A, - di F/dt = 2,9 ka/µs (T vj = 15 C) T vj = 25 C, mj reverse recovery energy V R = 6V T vj = 125 C E rec 6,9 mj VGE = -15V T vj =15 C 7,7 mj Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Diode / per diode R thjc,55 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Diode / per diode λ Paste = 1 W/(m*K) / λ grease = 1 W/(m*K) R thch,15 K/W Strommesswiderstand / shunt Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance Temperaturkoeffizient temperature coefficient (tcr) Betriebstemperatur Strommesswiderstand operation temperature shunt 25 C < T shunt < 2 C R 25 1,5 1,5 1,515 mω 2 C - 6 C ϑ CR < 3 ppm/k T vjop 2 C Innerer Wärmewiderstand; thermal resistance; junction to case R thjc,7 K/W prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

4 s NTC-Widerstand / NTC-thermistor Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance IFS1S12N3T_B11 T C = 25 C R 25 5, kω Abweichung von R 1 deviation of R 1 T C = 1 C, R 1 = 93 Ω R/R -5 5 % Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value T C = 25 C P 25 2, mw R 2 = R 25 exp [B(1/T 2-1/(29,15K))] B 25/ K R 2 = R 25 exp [B(1/T 2-1/(29,15K))] B 25/ 311 K R 2 = R 25 exp [B(1/T 2-1/(29,15K))] B 25/1 333 K Angaben gemäß gültiger Application Note. Specification according to the valid application note. Modul / module min. typ. max. Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material Modulgrundplatte material of module baseplate Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance Vergleichszahl der Kriechwegbildung comperative tracking index RMS, f = 5 Hz, t = 1 min V ISOL 2,5 kv Kontakt - Kühlkörper / Kontakt - Kontakt terminal to heatsink / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / Kontakt - Kontakt terminal to heatsink / terminal to terminal CU Al 2O 3 d creepage 1 mm d clearance 7,5 mm CTI > 2 Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module thermal resistance, case to heatsink λ Paste = 1 W/(m*K) / λ grease = 1 W/(m*K) Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Zulässige Gehäuse-Betriebstemperatur allowed operation case temperature Lagertemperatur storage temperature Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight T C = 25 C, pro Schalter / per switch (Rshunt ist inklusive / Rshunt is inclusiv) Wechselrichter inverter Wechselrichter inverter Bodenplatte / Kontakt base plate / contact Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M5 - mounting according to valid application note min. typ. max. R thch,11 K/W L sce 22 nh R CC +EE 1,2 mω T vj max 175 C T vj op - 15 C T c op C T stg C M 3, - 6, Nm G 316 g prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

5 s IFS1S12N3T_B11 Sigma-Delta-Wandlereinheit / sigma-delta converter unit Charakteristische Werte / characteristic values V cc1 =.75 V bis / to 5.25 V, V cc2 =.5 V bis / to 5.5 V, T C = 15 C sofern nicht anders spezifiziert / unless otherwise noted. min. typ. max. Maximale Phasenstromfrequenz maximum line current frequency Maximale periodische Isolationsspannung I maximum repetive isolation voltage I Phase / phase U, V, W f SYS 3, khz Logik (SD/CLK) gegen Lastausgänge logik (SD/CLK) to terminals V iorm 12 V Maximale periodische Isolationsspannung II maximum repetive isolation voltage II Leistungshalbleiter gegen Bodenplatte (f = 5Hz, t = 1min) power semiconductor to base plate (f = 5Hz, t = 1min) V ISOL 25 V Spannungsflankensteilheitsfestigkeit voltage slope immunity V IMV = 5V zwschen GND und V.U, V.V bzw. V.W V IMV = 5V between GND and V.U, V.V, V.W, respectively d/dt V slope 5 kv/µs Höchste zulässige Überspannung highest allowable overvoltage Maximale Stoßisolationsspannung maximum surge isolation voltage Isolationswiderstand isolation resistance Zwischen GND und V.U, V.V bzw. V.W Between GND and V.U, V.V, V.W, respectively Zwischen GND und V.U, V.V bzw. V.W Between GND and V.U, V.V, V.W, respectively V IMV = 5V zwschen GND und V.U, V.V bzw. V.W V IMV = 5V between GND and V.U, V.V, V.W, respectively V IOTM 6 V V ISOM 6 V R IO 1 GΩ Maximaler Wechselrichterausgangsstrom für höchstmögliche Auflösung maximum inverter output current for highest resolution Maximaler Wechselrichterausgangsstrom für lineares Wandlerverhalten maximum inverter output current for linear converter behavior Tastverhältnis des Ausganges SD bei A Wechselrichterausgangsstrom duty cycle of output SD at A inverter output current Tastverhältnis des Ausganges SD bei max. positivem Wechselrichterausgangsstrom duty cycle of output SD at max. positive inverter output current Tastverhältnis des Ausganges SD bei max. negativem Wechselrichterausgangsstrom duty cycle of output SD at max. negative inverter output current Differentieller Verstärkungsfehler differential gain error Gleichstrom-Versatz vom Strommesswiderstand zum Ausgang SD DC offset from internal shunt to Pin SD Temperaturdrift des Gleichstrom-Versatz vom Strommesswiderstand zum Ausgang SD DC offset drift due to temperature from shunt to Pin SD Phase / phase U, V, W I M,max,high_res -213, ,3 A Phase / phase U, V, W I M,max,linear -133, ,3 A T C = 25 C; I M = A; Phase / phase U, V, W PDM Izero 9,6 5, 5, % T C = 25 C; I M > 213,3 A; Phase / phase U, V, W PDM Ipos 1, % T C = 25 C; I M < -213,3 A; Phase / phase U, V, W PDM Ineg, % Bedingung: Shunt-Spannungsabfall bis Pin SD conditions: shunt voltage drop to Pin SD G -1,56-1,56 % Bedingung: I M = A, siehe auch Diagramme ΔPDM = f(t a) und PDM = f(v CC1) PDM DC_offset conditions: I M = A, see also diagrams PDM = f(t a) and PDM - -, % PDM = f(v CC1) Bedingung: I M = A, siehe Diagramm PDM = f(t a) conditions: I M = A, see diagram PDM = f(t a) PDM DC_offset,Ta,9 -,135 % PDM 1) 1) 1) 1) 1) Versorgungsspannungsdrift (V dd1) des Gleichstrom- Versatz vom Strommesswiderstand zum Ausgang Bedingung: I M = A, siehe Diagramm PDM = f(v CC1) SD conditions: I M = A, see diagram PDM = f(v CC1) DC Offset drift due to V dd1 from shunt to Pin SD PDM DC_offset,Vdd1,116 -,15 % PDM 1) Effektive Anzahl der Bits (ENOB Auflösung) effective number of bits (ENOB resolution) Signal-Rausch-Abstand signal-to-noise ratio Gesamtklirrfaktor total harmonic disortion Phase U, V, W Bedingungen: I M = [-133,3A; +133,3A], f(i M) = 1kHz, siehe Diagramm ENOB = f(t a) phase U, V, W conditions: I M = [-133,3A; +133,3A], f(i M) = 1kHz, see diagram ENOB = f(t a) Phase U, V, W Bedingungen: I M = [-133,3A; +133,3A], f(i M) = 1kHz, siehe Diagramm SNR = f(t a) phase U, V, W conditions: I M = [-133,3A; +133,3A], f(i M) = 1kHz, see diagram SNR = f(t a) Phase U, V, W Bedingungen: I M = [-133,3A; +133,3A], f(i M) = 1kHz, siehe Diagramm THD = f(t a) phase U, V, W conditions: I M = [-133,3A; +133,3A], f(i M) = 1kHz, see diagram THD = f(t a) ENOB 1 12 bit SNR 65 7 db THD db 1) = Erklärung von PDM%: 1% = alle Pulse sind 1, % = alle Pulse sind, 5% = 5% für jeweils 1 and am Ausgangs-Pin SD. 1) = explanation of PDM%: 1% = all 1, % = all, 5% = 5% for both 1 and at output pin SD. prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

6 s IFS1S12N3T_B11 Versorgungsspannung Shuntseite supply voltage shunt side Versorgungsspannung Logikteil supply voltage logic section Maximaler Stromverbrauch Leistungsteil maximal current consumption power section Maximaler Stromverbrauch Logikteil maximal current consumption logic section min. typ. max. Phase / phase U, V, W V CC1U,V,W,75 5, 5,25 V V CC2,5 5, 5,5 V Phase / phase U, V, W I CC1U,V,W ma I CC ma V CC1U,V,W Unterspannungserkennungsschwelle V CC1U,V,W undervoltage detection threshold Betriebszustand status: operating V UVLOH1,3, V V CC1U,V,W Unterspannungserkennungsschwelle V CC1U,V,W undervoltage detection threshold Hysteresis (V UVLOH1 - V UVLOL1) hystresis (V UVLOH1 - V UVLOL1) V CC2 Unterspannungserkennungsschwelle V CC2 undervoltage detection V CC2 Unterspannungserkennungsschwelle V CC2 undervoltage detection threshold Hysteresis (V UVLOH2 - V UVLOL2) hystresis (V UVLOH2 - V UVLOL2) Unterspannungsfehlerzustand status: undervoltage fault Betriebszustand status: operating Unterspannungsfehlerzustand status: undervoltage fault V UVLOL1 3,9,1 V V HYST1,1,2 V V UVLOH2,,3 V V UVLOL2 3,5 3,7 V V HYST2,2,3 V Digital-Ausgang / digital output V cc1 =.75 V bis / to 5.25 V, V cc2 =.5 V bis / to 5.5 V, T C = 15 C sofern nicht anders spezifiziert / unless otherwise noted. min. typ. max. Ausgangsspannung Low-Pegel: CLK output voltage low: CLK Ausgangsspannung High-Pegel: CLK output voltage high: CLK Ausgangslaststrom Pull-down: CLK output load current pull-down: CLK Ausgangslaststrom Pull-up: CLK output load current pull-up: CLK Ausgangsflankensteilheit, steigend: CLK rising output slope: CLK Ausgangsflankensteilheit, fallend: CLK falling output slope: CLK Ausgangsspannung Low-Pegel: SD output voltage low: SD Ausgangsspannung High-Pegel: SD output voltage high: SD Ausgangslaststrom Pull-down: SD output load current pull-down: SD Ausgangslaststrom Pull-up: SD output load current pull-up: SD Ausgangsflankensteilheit, steigend: SD rising output slope: SD Ausgangsflankensteilheit, fallend: SD falling output slope: SD Taktfrequenz: CLK clock frequency: CLK Tastverhältnis Takt High-Pegel: CLK duty cycle clock high: V cc2 =.5V und / and I O = ma Belastung / load V OCLK,low,12,26 V cc2 =.5V und / and I O = ma Belastung / load V OCLK,high,, V Modus / in mode: pull-down I OCLK,low -22 ma Modus / in mode: pull-up I OCLK,high 1,5 ma Lastkapazität / load capacitance C L = 5pF t CLKRT 1,16 ns Lastkapazität / load capacitance C L = 5pF t CLKFT 1,16 V cc2 =.5V and I O = ma load, valid at falling edge of CLK V OSD,low,17,26 V cc2 =.5V and I O = ma load, valid at falling edge of CLK V OSD,low 3,9,3 V Modus / in mode: pull-down I OSD,low -22 ma Modus / in mode: pull-up I OSD,high 1,5 ma Lastkapazität / load capacitance C L = 5pF t SDRT 1,16 ns Lastkapazität / load capacitance C L = 5pF t SDFT 1,16 ns f CLK 9,3 1, 1,5 MHz T CLK = 1/ f CLK t CLKH/T CLK 2 3 % Daten Einrichtezeit vor steigender Takt-Flanke CLK data setup time prior to rising edge of CLK clock t SDS 1 25 ns Daten Haltezeit nach fallender Takt-Flanke CLK data hold time after rising edge of CLK clock Jitter: CLK jitter: CLK Anstiegszeit steigende Takt-Flanke: CLK rising edge time of clock: CLK Abfallzeit fallende Takt-Flanke: CLK falling edge time of clock: CLK Anstiegszeit steigende Daten-Flanke: SD rising edge time of data: SD Abfallzeit fallende Daten-Flanke: SD falling edge time of data: SD CLK-Anlaufzeit nach Anlegen der Versorgungsspannung first CLK after power-up t SDH = t CLK - t SDS t SDH 5 ns short term, cycle to cycle jitter t CLK 1,3,5 ns t CLKRT,5 1,5 2,5 ns t CLKFT,5 1,5 2,5 ns t SDRT,5 1,5 2,5 ns t SDFT,5 1,5 2,5 ns oscillator output delivers pulses t CLKpulses 25 ns prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

7 s IFS1S12N3T_B11 Taktdiagramm Modulator Ausgang / timing diagram modulator output Taktdiagramm Anstiegs- / Fallzeit CLK-Ausgang / timing diagram rise / fall time output CLK Taktdiagramm Jitter / timing diagram jitter,16 DC-Offset Σ/Δ-Wandler (typisch) dc offset Σ/Δ converter (typical) ΔPDM = f(ta) VCC1 = 5V,16 DC-Offset Σ/Δ-Wandler (typisch) dc offset Σ/Δ converter (typical) ΔPDM = f(vcc1) Ta = 25 C,1,1,12,12 PDM [%],1,,6 deltapdm [%] PDM [%],1,,6 deltapdm [%],,,2, T a [ C],5,75 5 5,25 5,5 V CC1 [V] prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

8 s IFS1S12N3T_B11 12 ENOB Σ/Δ-Wandler (typisch) ENOB Σ/Δ converter (typical) ENOB = f(ta) VCC1 = 5V 75 SNR Σ/Δ-Wandler (typisch) SNR Σ/Δ converter (typical) SNR = f(ta) VCC1 = 5V 1 7,5 7 73,5 ENOB [bit] 6 ENOB [bit] SNR [db] 73 72,5 72 SNR [db] 2 71, T a [ C] 7, T a [ C] 7 THD Σ/Δ-Wandler (typisch) THD Σ/Δ converter (typical) THD = f(ta) VCC1 = 5V 12 fclk Σ/Δ-Wandler (typisch) fclk Σ/Δ converter (typical) fclk = f(ta) VCC1 = 5V 72 1 THD [db] THD [db] fclk [MHz] 6 fclk [MHz] T a [ C] T a [ C] prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

9 s IFS1S12N3T_B11 Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT inverter (typical) I C = f(v CE ) V GE = 15V Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT inverter (typical) I C = f(v CE ) T vj = 15 C Tvj = 15 C VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V I C [A] 1 I C [A] ,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5,5 5 V CE [V] V CE [V] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT inverter (typical) I C = f(v GE ) V CE = 2V 2 36 Einschaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) turn-on switching losses IGBT inverter (typical) Eon = f(ic) Vge = ±15V, Rgon = 1.6Ω, Vce = 6V I C [A] Tvj = 15 C E on [mj] Tvj = 15 C V GE [V] I C [A] E off [mj] Ausschaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) turn-off switching losses IGBT inverter (typical) Eoff =f(ic) VGE = ±15V, RGoff = 1.6Ω, Tvj = 15 C I C [A] E [mj] Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT inverter (typical) E on = f(r G ), E off = f(r G ) V GE = ±15V, I C = 1A R G [Ω] Eon, Eoff, Eon, Tvj = 15 C Eoff, Tvj = 15 C prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

10 s IFS1S12N3T_B11 Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT inverter (RBSOA) Ic = f(vce) VGE = ±15V, Rgoff = 1.6Ω, Tvj = 15 C 25 Ic, Modul 2 IC, Chip 15 I C [A] V CE [V] I F [A] Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode inverter (typical) I F = f(v F ) Tvj = 15 C -,1,,9 1, 1,9 2, V F [V] E rec [mj] 12 Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode inverter (typical) E rec = f(i F ) V GE = ±15V, R Gon = 1.6Ω, V CE = 6V Tvj = 15 C I F [A] Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode inverter (typical) E rec = f(r G ) V GE = ±15V, I F = 1A, V CE = 6V 6 E rec [mj] 2 Tvj = 15 C R G [Ω] prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

11 s 1 NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC temperature characteristic (typical) R NTC = f(t C ) IFS1S12N3T_B11 RNTC [Ω] 1 R NTC [Ω] T C [ C] prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

12 s Schaltplan / circuit diagram IFS1S12N3T_B11 σ/δ σ/δ σ/δ ϑ Gehäuseabmessungen / package outline Infineon prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_

13 s Nutzungsbedingungen IFS1S12N3T_B11 Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. terms & conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. prepared by: US date of publication: (13) DB_IFS1S12N3T_B11_2V1_