Technische Information / technical information FS75R12KE3

Transkript

1 Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage V CES T vj = C 12 V Kollektor Dauergleichstrom DC collector current T c = 8 C T c = C I C, nom A I C 15 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t p = 1ms, T c = 8 C I CRM 15 A Gesamt Verlustleistung total power dissipation T c = C P tot 35 W Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage V GES +2 V Dauergleichstrom DC forward current I F A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current t p = 1ms I FRM 15 A Grenzlastintegral I²t value V R = V, t p = 1ms, T vj = C I²t 12 A²s Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 5Hz, t= 1min V ISOL 2,5 kv Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung V GE = 15V, T vj = C, I C = I C,nom collector emitter saturation voltage V GE = 15V, T vj = C, I C = I C,nom V CEsat min. typ. max. 1,7 2,15 V 2, V Gate Schwellenspannung gate threshold voltage V CE = V GE, T vj = C, I C = 3,mA V GE(th) 5, 5,8 6,5 V Gateladung gate charge V GE = 15V...+15V Q G,7 µc Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, T vj = C, V CE = V, V GE = V C ies 5,3 nf Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, T vj = C, V CE = V, V GE = V C res,2 nf Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current V CE = 12V, V GE = V, T vj = C I CES 5 ma Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current V CE = V, V GE = 2V, T vj = C I GES 4 na prepared by: M. Münzer approved: M. Hierholzer date of publication: 2224 revision: 3 1 (8)

2 Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse I C = I C, nom, V CC = 6V V GE = ±15V, R G = 4,7Ω, T vj = C I C = I C, nom, V CC = 6V V GE = ±15V, R G = 4,7Ω, T vj = C I C = I C, nom, V CC = 6V V GE = ±15V, R G = 4,7Ω, T vj = C I C = I C, nom, V CC = 6V V GE = ±15V, R G = 4,7Ω, T vj = C I C = I C, nom, V CC = 6V, L σ = 7nH I C = I C, nom, V CC = 6V, L σ = 7nH Kurzschlussverhalten t P 1µsec, V GE 15V, T Vj C SC data V CC = 9V, V CEmax = V CES L σce di/dt t d,on t r t d,off t f E on E off min. typ. max. 26 ns 285 ns 3 ns 45 ns 42 ns 52 ns 65 ns 9 ns 7, mj 9,5 mj I SC 3 A Modulinduktivität stray inductance module L σce 19 nh Leitungswiderstand, AnschlussChip lead resistance, terminalchip T c = C R CC /EE 2,5 mω Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung I F = I C, nom, V GE = V, T vj = C forward voltage I F = I C, nom, V GE = V, T vj = C V F 1,65 2,15 V 1,65 V Rückstromspitze peak reverse recovery current I F =I C,nom, di F /dt= 22A/µs V R = 6V, V GE = 15V, T vj = C V R = 6V, V GE = 15V, T vj = C I RM 9 A 96 A Sperrverzögerungsladung recoverred charge I F =I C,nom, di F /dt= 22A/µs V R = 6V, V GE = 15V, T vj = C V R = 6V, V GE = 15V, T vj = C Q r 7,4 µc 13,5 µc Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy I F =I C,nom, di F /dt= 22A/µs V R = 6V, V GE = 15V, T vj = C V R = 6V, V GE = 15V, T vj = C E rec 3, mj 5,5 mj 2 (8)

3 Charakteristische Werte / characteristic values NTCWiderstand / NTCthermistor min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance T c = C R 5 kω Abweichung von R 1 deviation of R 1 T c = 1 C, R 1 = 493Ω R/R 5 5 % Verlustleistung power dissipation T c = C P 2 mw BWert Bvalue R 2 = R 1 exp[b(1/t 2 1/T 1 )] B /5 33 K Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance, junction to case; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter R thjc,35 K/W,58 K/W Übergangs Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λ Paste = 1W/m*K / λ grease = 1W/m*K R thck,2 K/W Höchstzulässige Sperrschichttemp. maximum junction temperature T vjmax 15 C Betriebstemperatur operation temperature T vjop 4 C Lagertemperatur storage temperature T stg 4 C Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al 2 O 3 Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearence CTI comperative tracking index 1 mm 7,5 mm 2 Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Schraube M 5 screw M 5 M 3 6 Nm Gewicht weight G 18 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 3 (8)

4 Ausgangskennlinie (typisch) I C = f(v CE ) output characteristic (typical) V GE = 15V 15 Tvj = C Tvj = C 1 5,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, V CE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f(v CE ) output characteristic (typical) T vj = C 15 1 VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V 5,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V CE [V] 4 (8)

5 Übertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) I C = f(v GE ) V CE = 2V 15 Tvj= C Tvj= C V GE [V] Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f(v F ) forward caracteristic of inverse diode (typical) 15 1 Tvj = C Tvj = C I F [A] 5,,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, 2,2 2,4 V F [V] 5 (8)

6 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f(i C ), E off = f(i C ), E rec = f(i C ) V GE =15V, R Gon =R Goff =4,7Ω, V CE =6V, T vj = C Eon Eoff Erec E [mj] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f(r G ), E off = f(r G ), E rec = f(r G) V GE =15V, I C =A, V CE =6V, T vj = C Eon Eoff Erec E [mj] R G [Ω] 6 (8)

7 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t) 1 Z thjc [K/W],1 Zth : IGBT Zth : Diode,1,1,1,1 1 t [s] i r i [K/W] : IGBT τ i [s] : IGBT r i [K/W] : Diode τ i [s] : Diode 1 3,949E2 2,345E3 5,96E2 3,333E3 2 6,139E2 2,82E1 3,815E1 3,429E2 3 1,58E1 2,82E2 1,99E1 1,294E1 4 8,884E2 1,128E1 3,48E2 7,662E1 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) V GE =15V, R G =4,7Ω, T j = C IC,Chip IC,Modul V CE [V] 7 (8)

8 Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8)