BSM 400 GA 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
|
|
- Clara Geiger
- vor 6 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C I C,nom. A DC-collector current T C = 25 C I C 8 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current t P = 1 ms, T C =8 C I CRM 8 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation T C =25 C, Transistor P tot 312 W Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V GES +/- 2V V Dauergleichstrom DC forward current I F A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp = 1 ms I FRM 8 A Grenzlastintegral der Diode I 2 t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage V R = V, t p = 1ms, T Vj = 125 C I 2 t 45. A 2 s RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. V ISOL 3,4 kv Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I C = A, V GE = 15V, T vj = 25 C V CE sat - 2,6 3,2 V collector-emitter saturation voltage I C = A, V GE = 15V, T vj = 125 C - 3,1 3,6 V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage I C = 18mA, V CE = V GE, T vj = 25 C V GE(th) 4,5 5,5 6,5 V Gateladung gate charge V GE = -15V V Q G - 5, - µc Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,T vj = 25 C,V CE = 25V, V GE = V C ies nf Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,T vj = 25 C,V CE = 25V, V GE = V C res - 1,3 - nf Kollektor-Emitter Reststrom V CE = 17V, V GE = V, T vj = 25 C I CES -,1 1 ma collector-emitter cut-off current V CE = 17V, V GE = V, T vj = 125 C - 12 ma Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current V CE = V, V GE = 2V, T vj = 25 C I GES - - na prepared by: Regine Mallwitz date of publication: approved by: Christoph Lübke; revision: 2 (Series) 1(8) BSMGA17DLC
2 Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = A, V CE = 9V turn on delay time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 3,9Ω, T vj = 25 C t d,on -,1 - µs V GE = ±15V, R G = 3,9Ω, T vj = 125 C -,1 - µs Anstiegszeit (induktive Last) I C = A, V CE = 9V rise time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 3,9Ω, T vj = 25 C t r -,1 - µs V GE = ±15V, R G = 3,9Ω, T vj = 125 C -,1 - µs Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = A, V CE = 9V turn off delay time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 3,9Ω, T vj = 25 C t d,off -,8 - µs V GE = ±15V, R G = 3,9Ω, T vj = 125 C -,9 - µs Fallzeit (induktive Last) I C = A, V CE = 9V fall time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 3,9Ω, T vj = 25 C t f -,3 - µs V GE = ±15V, R G = 3,9Ω, T vj = 125 C -,3 - µs Einschaltverlustenergie pro Puls I C = A, V CE = 9V, V GE = 15V turn-on energy loss per pulse R G = 3,9Ω, T vj = 125 C, L S = 6nH E on mws Abschaltverlustenergie pro Puls I C = A, V CE = 9V, V GE = 15V turn-off energy loss per pulse R G = 3,9Ω, T vj = 125 C, L S = 6nH E off mws Kurzschlußverhalten t P 1µsec, V GE 15V, R G = 3,9Ω SC Data T Vj 125 C, V CC =V, V CEmax =V CES -L sce di/dt I SC A Modulinduktivität stray inductance module L sce nh Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm R CC +EE -,5 - mω Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode min. typ. max. Durchlaßspannung I F = A, V GE = V, T vj = 25 C V F - 2,1 2,5 V forward voltage I F = A, V GE = V, T vj = 125 C - 2,1 2,5 V Rückstromspitze I F = A, - di F /dt = A/µsec peak reverse recovery current V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 25 C I RM A V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 125 C A Sperrverzögerungsladung I F = A, - di F /dt = A/µsec recovered charge V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 25 C Q r µas V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 125 C - - µas Abschaltenergie pro Puls I F = A, - di F /dt = A/µsec reverse recovery energy V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 25 C E rec mws V R = 9V, VGE = -1V, T vj = 125 C mws 2(8) BSMGA17DLC
3 Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC R thjc - -,4 K/W thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC - -,75 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module d Paste 5µm / d grease 5µm R thck - -,12 K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature T vj C Betriebstemperatur operation temperature T op C Lagertemperatur storage temperature T stg C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al 2 O 3 Kriechstrecke creepage distance 2 mm Luftstrecke clearance 11 mm CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung max. 5 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminals M4 max. 2 terminal connection torque terminals M6 max. 5 Nm Gewicht weight G 42 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) BSMGA17DLC
4 Ausgangskennlinie (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) V GE = 15V Tj = 25 C Tj = 125 C,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V CE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) T vj = 125 C VGE = 19V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V CE [V] 4(8) BSMGA17DLC
5 Übertragungscharakteristik (typisch) I C = f (V GE ) Transfer characteristic (typical) V CE = 2V Tj = 25 C Tj = 125 C V GE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f (V F ) Forward characteristic of inverse diode (typical) Tj = 25 C Tj = 125 C I F [A] 5,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, V F [V] 5(8) BSMGA17DLC
6 7 Schaltverluste (typisch) E on = f (I C ), E off = f (I C ), E rec = f (I C ) Switching losses (typical) R gon = R goff =3,9Ω, V CE = 9V, T j = 125 C 6 5 Eoff Eon Erec E [mj] Schaltverluste (typisch) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) Switching losses (typical) I C = A, V CE = 9V, T j = 125 C 35 Eoff Eon Erec 25 E [mj] R G [Ω] 6(8) BSMGA17DLC
7 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t) 1,1 Z thjc [K / W],1 Zth:Diode Zth:IGBT,1,1,1,1 1 1 t [sec] i r i [K/kW] : IGBT 4,46 12,91 19,24 3,39 τ i [sec] : IGBT,47,356,613,4669 r i [K/kW] : Diode 13,96 27,66 27,66 5,73 τ i [sec] : Diode,62,473,473,2322 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) R g = 3,9 Ohm, T vj = 125 C IC,Modul IC,Chip V CE [V] 7(8) BSMGA17DLC
8 8(8) BSMGA17DLC
BSM10GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFB15R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFZ 1800 R 17 KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom
MehrTechnische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V RRM 1600 V
MehrMarketing Information BSM 50 GD 170 DL
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM GD 17 DL 118.11 94.5 119 19.5 3.81 121.5 99.9 4 x 19.5 = 76.2 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 3.81 15.24 6 7 8 9 11 12 1.15x1. 5
MehrBSM50GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFP75R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrBSM 75 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 70
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Kenndaten Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Thermische
MehrFP40R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrTechnische Information / Technical Information D 1641 SX 45T. tvj = 0 C... tvj max f = 50Hz. tc = 60 C. f = 50Hz I FRMSM 3200 A
Features pecially designed for operation with small snubber Low losses, soft recovery 140 C imum junction temperature Electroactive passivation by a-c:h Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
MehrMarketing Information FD 600 R 16 KF4
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information FD R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 C2 E2 E2 G1 C2 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16 18 4
MehrTechnische Information / Technical Information
Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung
MehrMarketing Information FZ 800 R 12 KF 4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany GmbH + o. KG Marketing Information FZ 8 R 12 KF 4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection to be done
MehrMarketing Information FZ 800 R 16 KF4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information FZ R 16 KF4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection (to be done) G external connection
MehrTechnische Information / Technical Information
Thyristor Module with Chopper-IGBT TD B6HK 124 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode,
MehrFF450R12IE4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
FF45R2IE4 PrimePACK 2 mit schnell schaltendem Medium Power IGBT4 und NTC für niederinduktiven Umrichteraufbau PrimePACK 2 with fast switching Medium Power IGBT4 and NTC for low inductive set-up IGBT-Wechselrichter
MehrTechnische Information / Technical Information
Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung
MehrFS35R12W1T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC / V Š» = V I ÒÓÑ = / I ç = Typische nwendungen
MehrMarketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45 15 5,5 SW27 M12 Type Circuit symbol Cathode Anode S Connection pin Case U Case Connection pin Ma
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Kollektor-D
EconoPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC V Š» = V I ÒÓÑ = 5A / I ç = A Typische Anwendungen
MehrFF6R12ME4 EconoDUL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoDUL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC / V Š» = 12V I ÒÓÑ = 6 / I
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-D
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC / ϑ V Š» = 600V I
MehrDatenblatt / Data sheet D690S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Kenndaten Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrMarketing Information TT 425 N
Europen Power- Semiconductor nd Electronics Compny GmH + Co. KG Mrketing Informtion TT N screwing depth mx. 18, M1 plug A,8 x,8 K G 7K G 1 1 11 1 1 1 A K AK G K G K VWK Ferury 199 TT N, TD N, DT N Elektrische
MehrTechnische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 25 C...T vj max V RRM 2000 V repetitive peak forward reverse voltage
MehrDatenblatt / Data sheet D450S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Kenndaten Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrKBU 4AYM. Kunststoffgehäuse
KBU 4AYM Silicon-Bridge Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung 4.0 A 35Y700 V Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx.
MehrType V CE I C Package Ordering Code BSM 150 GB 120 DN2 1200V 210A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2108-A70
BSM 15 GB 12 DN2 IGBT Power Module Halfbridge Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate Type V CE Package Ordering Code BSM 15 GB 12 DN2 12V 21 HLFBRIDGE 2 C67762187 Maximum
MehrSFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900
Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900 feo06270 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken
MehrN Kenndaten Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Kenndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Stoßspitzensperrspannung non-repetitive
MehrTypenbezeichnungen und Abkürzungen Short Form Catalog 2012
Typenbezeichnungen und Abkürzungen Short Form Catalog 2012 www.infineon.com/highpower Typenbezeichnungen Scheibenbauelemente T640 N 18 T O F T Thyristor D Diode 640 Dauergrenzstrom (A) 0 Standardkeramik-Scheibe
MehrTechnische Information / Technical Information D 901 S T. tvj = -40 C... tvj max f = 50Hz. tc = 85 C, f = 50Hz tc = 60 C, f = 50Hz
chnelle Gleichrichterdiode D 901 35... 45 T Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische pitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische enndaten orwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = -4 C... T vj max DRM, RRM 12 repetitive
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrDatenblatt / Data sheet
Key Parameters V DRM / V RRM I TAVM I TSM V T0 r T R thjc Base plate 1800 V 600 A (T C =100 C) 22000 A 0,75 V 0,215 mω 0,0745 60 mm For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrF4-75R12MS4. EconoDUAL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUAL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC
EconoDUL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC VCES = 2V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrTDB6HK360N16P. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPACK 4 Modul und PressFIT / NTC EconoPACK 4 module and PressFIT / NTC / V Š» = 1600V I ÒÓÑ = 360A / I ç = 720A Typische Anwendungen Typical Applications Halbgesteuerte B6-Brücke Half Controlled B6-bridge
Mehr0.6 0.4. 4.0 3.6 Chip position. ø2.9 GEO06653. Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 39 2.54 mm spacing Collector (Transistor) Cathode (Diode).7 1.8 1.2 29 27.8 Area not flat 5.2 4.5 (3.5) 4.1 3.9 6.3 5.9 ø3.1 ø2.9 4. 3.6 Chip
MehrFD650R17IE4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules. PrimePACK 2 mit NTC PrimePACK 2 with NTC
PrimePCK 2 mit NTC PrimePCK 2 with NTC IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
MehrIFS100S12N3T4_B11. Industrieantriebe, USV, Klimatisierungsgeräte, Solarumrichter industrial drives, UPS, Air conditioning, Solar inverters
IGBT-modules IFS1S12N3T_B11 MIPAQ sense Modul in Sixpack-Konfiguration mit Trench/Feldstopp IGBT, Emitter Controlled Diode und Strommesswiderstand mit integriertem Σ/ -Wandler und galvanisch getrennter
MehrEin- und Ausgangsspannung 220-240V / Leistung: 800 VA / Abmessungen: 203 x 147 x 445mm / Gewicht: 20kg / Normenzertifikate: EN 60950, EN 60601-1
Produktinformationen Powervar ABCE800-22IEC USV POWERVAR Unterbrechungsfreier Strommanager Der neue Security One USM oder unterbrechungsfreier Strommanager, hat viele neue Funktionen zu bieten. Sie können
MehrDD100N16S. Technische Information / technical information. Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module
Key Parameters V DRM / V RRM I FAVM I FSM V T0 r T R thjc Base plate Weight 1600 V 130 A (T C =100 C) 2500 A 3570A (T C =55 C) 0,87 V 2,54 mω 0,19 20 mm 75 g For type designation please refer to actual
MehrTechnische Information / technical information DD710N16K
Key Parameters V DRM / V RRM 1600V I FAVM I FSM 710A (T C =100 C) 3570A 26000A (T C =55 C) v T0 0,75V r T R thjc Baseplate Weight 0,145mΩ 0,062 60mm 1500g For type designation please refer to actual shortform
MehrErläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters
1 Symbole, Begriffe, Normen Symbole und Begriffe der verwendeten Größen 1 Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode Anode C Kapazität; Kollektor
MehrDC/DC Converter 400 W
Eingangsbereich 4 : 1 Input Range 4 : 1 Wirkungsgrad bis 90 % Efficiency up to 90 % Full Brick Gehäuse Full Brick Case Eingangs-π-Filter Input-π-Filter Beschreibung 10 DC/DC-Wandler stehen in der Serie
MehrAutomation components Bauteile für Automatisierung MINIATURE POWER RELAYS MINIATUR-INDUSTRIERELAIS TRP 312, 314, 322, 324
Automation components Bauteile für Automatisierung MINIATURE POWER RELAYS MINIATUR-INDUSTRIERELAIS TRP 312, 314, 322, 324 TRP 312, 314, 322, 324 New generation of miniature industry relays TRP 3 Compact
MehrCompressed air - dewpoint 10K under ambient temperature - ISO8573-1, Kl. 3 Durchflussrichtung Flow direction EIN: von 1-2 AUS: von 2 3
3/2 Wegeventil mit PIEZO-Pilotventil Baureihe P20 3/2 way valve with Piezo-pilot valve Series P20 P20 381RF-* NW 2 Eigenerwärmungsfrei Ein Produkt für alle Ex-Bereiche Kompatibel zu Microcontrollern Kompatibel
MehrISA-PLAN - Precision Resistor Type PBV
ISA-PLAN - Precision Resistor Type PBV Spec Sheet R361-1/2 July 97 Technical Data Resistance range 0.5 mohm - 1 Ohm Tolerances 0.5 %, 1 %, 5 % Temperature coefficient ( R > 10 mohm ) < 30 ppm/k ( 20 C
MehrAC/DC-Schaltnetzteile 100 W AC/DC Switching Power Supplies 100 W. Merkmale / Features. Eingangsbereich 90...264 V AC
E176177 Merkmale / Features Eingangsbereich 90...264 V AC / Universal Input 90...264 V AC Wirkungsgrad bis zu 90 % / Efficiency up to 90 % Full-Brick Gehäuse / Full Brick Package Aktiv PFC Funktion / Active
MehrDer Elektrische Traktionsantrieb key component für die zukünftige Mobilität
Dieter Gerling Universität der Bundeswehr München Audi Konferenz Center, Ingolstadt 1. Mai 211 Gehirn: IKT ( bits and bytes don t move you forward ) Herz: Batterie, Leistungselektronik Beine: E-Motor Übersicht
MehrB81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C B81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C. EMI Suppression Capacitors X2 / 275 Vac Not for new design
EMI Suppression Capacitors X2 / X2 capacitors with small dimensions Rated ac voltage 275 V, 50/60 Hz 1) Construction Dielectric: polyester (MKT) Internal series connection Plastic case (UL 94 V-0) Epoxy
MehrTaster gerade - Einlöt / SMT / Kappen Straight Tact Switches - Solder-in / SMT / Caps
Technische Daten /Technical Data Gehäuse/Abdeckung/Hebel Thermoplastischer Kunststoff, nach UL94 V-0 Rostfreier Stahl Thermoplastischer Kunststoff, nach UL94 V-0 Case/Cover/Actuator Thermoplastic, rated
MehrMounting-hole Ø6+0.2 mm. Connection pins. Farbe / colour. gelb / yellow. λ DOM / nm 628 588 570 470 x = 0,25-0,37 y = 0,205-0,375 2φ / 70 70 70 50 50
Metallleuchte SMZS 06 Innenreflektor Metal Indicator SMZS 06 Inside Reflector Spezifikation -Leuchte für Schraubbefestigung M6x0,5 mm. Lieferung incl. Unterlegring und Befestigungsmutter (montiert). Specification
MehrWe hereby confirm that all electrical tests on this machine have been performed in accordance with the relevant standards.
Bemessungsdaten / Rated Data Spannung / Voltage 690,0 V Betriebsart / Duty type S 1 Frequenz / Frequency 50,0 Hz Wärmeklasse / Temp. class 155(F) Strom / Current 510,0 A Ausnutzung / Utilization F Leistung
MehrNPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei
MehrLFM (mit 3mm LED) LFM (with T1 LED)
LFM (mit 3mm LED) LFM (with T1 LED) Innenreflektor Internal reflector Abmessungen Dimensions Frontplattenbohrung Frontpanel drilling Technische Daten / Technical data 1. Elektrische Kennwerte / Electrical
MehrAM 25 Parameter / Basic data
AM 25 Parameter / Basic data MB-brzdný moment / holding torque / Haltemoment J - moment setrvaènosti / moment of inertia / Trägheitsmoment m- hmotnost / weigth / Gewicht n - max. otáèky / max. speed /
MehrINSTALLATION AND OPERATING INSTRUCTIONS FOR LPS203-M LPS203-M 操 作 指 示
BEDIENUNGSANLEITUNG To comply with the published safety standards, the following must be observed when using this power supply. Um den zur Zeit gültigen Sicherheitsbestimmungen zu genügen, müssen die nachstehenden
MehrTT250N. Technische Information / technical information. Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
Key Parameters DRM / RRM I TAM I TSM T r T R thjc Base plate Weight 12 18 25 A (T C =85 C) 7 A 357A (T C =55 C),8,7 mω,124 5 mm 8 g For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog
Mehrhigh potential insulating transformer Hochpotenzial- Trenntrafo bis 80 kv Potenzialtrennung up to 80 kv potential difference Tauscher Transformatoren
Hochpotenzial - Hochspannungs - Trenntransformatoren pri - sec und einer Leistung von 1 VA bis 3000 VA Isoliertrafo, Isolationstransformator Einsatzmöglichkeiten Hochspannungstrenntransformatoren werden
MehrSPECIFICATION Item No.: T60404-P4640-X150
SPECFCATON tem No.: T60404-P4640-X150 Customer: Standard Type Customer part no..: Page 1 of 6 Electrical data PN Primary nominal r.m.s. current 1000 A R 1 M Measuring resistance 0... 100 Ω SN Secondary
MehrShort Form Catalog 2011 Type Designation and Abbreviations. [ ]
hort orm atalog 2011 ype Designation and bbreviations [ www.ifbip.com ] ypenbezeichnungen cheibenbauelemente 640 18 PowerL Module 162 16 - hyristor mit 2 hyristoren D Diode DD mit 2 Dioden Dauergrenzstrom
MehrEMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 B32922 X2 MKP/SH 40/100/21/C
EMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 X2 capacitors with very small dimensions Rated ac voltage 275 and 300 V, 50/60 Hz Construction Dielectric: polypropylene (MKP) Plastic case (UL 94
MehrDurchführungskondensatoren mit Anschlußdraht Feedthrough capacitors with pin. Baureihe / Series
Durchführungskondensatoren mit Anschlußdraht Feedthrough capacitors with pin Baureihe / Series BDBQ 3-01 2709 BUBQ 5-00 2701 BDBQ 5-00 2701 BDBQ 5-12 2701 BDBQ 5-02 2701 LUEQ 6-01 2703 LDEQ 6-01 2703 DDMN
MehrLeistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 251 N
European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D N,, E-Cu- mm² E-CE- mm² E-Cu- mm² E-Cu- mm² Siliconschlauch Silicon tube Siliconschlauch
MehrVARIOFACE Systemverkabelung
VARIOFACE Systemverkabelung Systemkabel und Übergabemodule für Yokogawa ProSafe-RS INTERFACE Phoenix Contact Dezember 12 Beinhaltet Crossliste......2 Übergabemodule.. 3 VARIOFACE System Cabling System
MehrSIMID 1210-100. Size 1210 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 100 µh Rated current 65 to 800 ma
Size 12 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 0 µh Rated current 65 to 800 ma Construction Ceramic or ferrite core Laser-welded winding Flame-retardant encapsulation Features Very wide temperature
Mehr1. Auftraggeber client. 1.1. Firmenname: company name: 1.2. Straße: street: 1.3. Ort: place: 1.4. Telefon: phone: 1.5. Fax: fax:
Seite 1 von 10 page 1 of 10 Antrag zur Zertifizierung eines PV Moduls und einer Fertigungsstätteninspektion des zu zertifizierenden Produkts Information about the certificate owner and the manufacturing
MehrCeramic tubular trimmer capacitors with metal spindle for PCB mounting
Keramik-Rohrtrimmer-Kondensatoren mit Metallspindel für gedruckte Schaltungen Mit metallischen Anschlussarmaturen im Raster, für den Abgleich senkrecht oder parallel zur Leiterplattenebene. Ceramic tubular
MehrÜberspannungsschutz für Bauteile und Schaltungen mit Hilfe von TVS-Dioden. Circuits using TVS Diodes
Überspannungsschutz für Bauteile und Schaltungen mit Hilfe von TVS-Dioden Overvoltage Protection of Devices and Circuits using TVS Diodes Was ist eine TVS Diode? What is a TVS diode? I F V C V BR V WM
MehrDreiphasige Energie-und Leistungszähler Power and Energy Meter
Dreiphasige Energie-und Leistungszähler Power and Energy Meter Bedienungsanleitung Operation Instructions Direktanschluss 10(63)A 7KT1 162 Wandleranschluß-Zähler 5(6)A 7KT1 165 Direct-connection 10(63)A
MehrTechnische Daten Technical data
Technische Technical PLVario-NET E3010000 PLVario-NET E3010001 PLVario-NET/MBUS E3010002 PLVario-NET/MODBUS/RTU E3010003 PLVario-NET/AE E3010004 PLVario-NET/AE/MBUS E3010005 PLVario-NET/AE/MODBUS/RTU bus
Mehr2PS1200R17KE3-4G. Technical Information. Vorläufige Daten preliminary data. Key data 1x 571A AC at 690V AC, forced air (fan not implemented)
Key data 1x 571A AC at 690V AC, forced air (fan not implemented) General information for: Stacks for various inverter application. Semiconductors, heat sinks, drivers and sensors included. These are only
MehrExplanation of Data Sheet Parameters
Explanation, V1.0, Apr. 2002 Explanation of Data Sheet Parameters Power Management & Supply Never stop thinking. Revision History: 2002-04 V1.0 Previous Version: Page Subjects (major changes since last
MehrKabel und Steckverbindungen. Kabel und Steckverbindungen
Kabel und Steckverbindungen 1 Kabeleigenschaften 2 Aufbau einer Übertragungsstecke Z i Z L ~ Sender Leitung Empfänger d a Zweidrahtleitung d D Koaxialleitung 3 Leitungskenngrößen R, L, G und C R/2 L/2
MehrGS HYBRID SOLAR INVERTER / / AC-
www.geoprotek.com GS HYBRID SOLAR INVERTER Feed von Solar-und Batteriebetrieb, Grid-Backup, Built-in Transfer Switch / Solar Ladegerät / AC- Ladegerät, 500W ~ 3kW, reine Sinuswelle GS HYBRID ist die ideale
MehrFMC. 52 Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH & Co. KG, Germany, Phone +49 (0)8684 18-0, info@rosenberger.de, www.rosenberger.com
The extremely small FMC connector series Flexible Microstrip Connectors are designed for PCB applications in the tightest spaces. Using bullets, equalization of radial and axial misalignments in board-to-board
MehrBei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen.
Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung E/ME-BAC/DIPL Elektronische Bauelemente SS2012 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 18.7.2012 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr. Frey Taschenrechner
MehrTachogeneratoren Vollwelle mit EURO-Flansch B10 Mit eigener Lagerung
Tachogeneratoren Vollwelle mit EURO-Flansch B10 Mit eigener Lagerung, Merkmale Kurze Reaktionszeit Leerlaufspannung 10 150 mv pro U/min Redundanter Ausgang (TDPZ) EURO-Flansch B10 / Vollwelle ø11 mm Sehr
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA
2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrAsynchronous Generators
Asynchronous Generators Source: ABB 1/21 2. Asynchronous Generators 1. Induction generator with squirrel cage rotor 2. Induction generator with woed rotor Source: electricaleasy.com 2/21 2.1. Induction
MehrBZ 873. Trainline Interface. Ident Nr.: 3EH-116802 R0001
Ident Nr.: 3EH-116802 R0001 CH-8108 Dällikon Tel: +41(0)44 8440355 www.bahnelektronik.ch Seite: 1/8 Dritte oder andere Verwertung dieses Dokumentes sind ohne unsere ausdrückliche Zustimmung verboten. B+Z
MehrIR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit Schmitt-Trigger IC
202-08-7 Reflective Interrupter with Schmitt-Trigger Reflexlichtschranke mit Schmitt-Trigger Version.0 (not for new design) SFH 9240 Features: Besondere Merkmale: IR-GaAs-emitter in combination with a
Mehr336 Wannenstiftleisten RM 1,27mm, gerade/gewinkelt Box Headers, 1.27mm Pitch, Straight/Right-Angled
Technische Daten / Technical Data Isolierkörper Thermoplastischer Kunststoff, nach UL94 V-0 Insulator Thermoplastic, rated UL94 V-0 Kontaktmaterial Messing Contact Material Brass Kontaktoberfläche Vergoldet
MehrLeistungshalbleiter Bauelemente
Lehrveranstaltung Leistungselektronik Grundlagen und Standard-Anwendungen Leistungshalbleiter Bauelemente Prof. Dr. Ing. Ralph Kennel (ralph.kennel@tum.de) Technische Universität München Arcisstraße 21
MehrInhalt ESG 10.1. Halbleiterrelais. Typenauswahl... 10.2. Leiterplattenmontage... 10.6. Schraubmontage Einphasig... 10.12
Inhalt ESG 1.1 Halbleiterrelais Typenauswahl... 1.2 Leiterplattenmontage... 1.6 Schraubmontage Einphasig... 1.12 Schraub- oder DIN-Schienenmontage mit integriertem Kühlkörper... 1.26 Schraubmontage Zweiphasig...
MehrLeistungselektronik Grundlagen und Standardanwendungen. Übung 6: Verlustleistung und Kühlung
Lehrstuhl für Elektrische Antriebssysteme und Leistungselektronik Technische Universität München Arcisstraße 21 D 8333 München Email: eal@ei.tum.de Internet: http://www.eal.ei.tum.de Prof. Dr.-Ing. Ralph
MehrDer Zwei-in-Eins-Chip
Der Zwei-in-Eins- Chip Der Bimode Insulated Gate Transistor (BIGT) Munaf Rahimo, Liutauras Storasta, Chiara Corvasce, Arnost Kopta Leistungshalbleiter-Bauelemente, die für szwischenkreis-umrichter (Voltage
MehrInduktive Näherungsschalter inductive proximity switches
Zylindrisch DC cylindric DC Zylindrisch DC Vollmetall cylindric DC full metal Hochtemperatur high temperature Schweißfest weld resistant Druckfest pressure resistant Analog analog Namur namur AC AC Kunststoff
MehrTechnisches Datenblatt Technical Data Sheet 3160-00-00.73A4B. Signalwandler für 4 analoge Eingangssignale 4-20mA auf CAN
Seite/Page 1 von/of 5 MultiXtend CAN 3160-00-00.73A4B Signalwandler für 4 analoge Eingangssignale 4-20mA auf CAN Signal converter for four Thermocouple Type J converting to CAN-Bus Beschreibung Description
MehrKombination Tachogenerator mit integriertem Fliehkraftschalter Vollwelle mit EURO-Flansch B10
Kombination Tachogenerator mit integriertem Fliehkraftschalter Vollwelle mit EURO-Flansch B10 Merkmale Kurze Reaktionszeit Leerlaufspannung 10...150 mv pro U/min Redundanter Tachogeneratorausgang (TDPZ)
MehrProfessur Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit Lehre und Forschung
IEEE German Chapter Meeting 11. / 12. 05. 06 Professur Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit Lehre und Forschung Prof. Dr. Josef Lutz, TU Chemnitz Leistungselektronik und elektromagnetische
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden
215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4846 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrReed-Relais / Reed relays
Reed-Relais / Reed relays Single-in-Line (SIL) / Dual-in-Line (DIL) 20 ; 202 ; 203 ; 204 2/ ; 2/3 ; 22/ 2/2 ; 22/2 23 ; 23/9 2 2/ ; 2/2 2/ ; 2/2 3 ; 32 ; 33 ; 34 20 ; 202 ; 203 ; 204 Relaisdaten / relay
MehrGK-Serie MONOVOLT. DC/DC-Wandler
GK-Serie: MONOVOLT DC/DC-Wandler 30 bis 120 Watt primärgetaktete DC/DC-Einschubwandler mit einer in 3HE-Eurokassetten für den Einsatz in 19"-Baugruppenträgern nach DIN41494 Kompakter Aufbau in stabiler
MehrSerie 49 - Koppel-Relais 8-10 - 16 A
Koppelrelais, 1 oder 2 Wechsler, 15,5 mm breit mit integrierter EMV-Spulenbeschaltung Spulen für AC, DC und DC sensitiv, 500 mw Sichere Trennung zwischen Spule und Kontaktsatz nach VDE 0106, EN 50178,
Mehr