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1 hort orm atalog 2011 ype Designation and bbreviations [ ]

2 ypenbezeichnungen cheibenbauelemente PowerL Module hyristor mit 2 hyristoren D Diode DD mit 2 Dioden Dauergrenzstrom () D, DZ, Z mit 1 hyristor oder 1 Diode 0 tandardkeramik-cheibe D, D mit 1 hyristor und 1 Diode 1 Hochleistungskeramik-cheibe 3 lichtgezündeter hyristor, etz-element eramik-cheibe schnelle Diode Dauergrenzstrom () 16 etz-auelement etz-diode mit athode am Gehäuse periodische Vorwärts- und Rückwärts-pitzensperrspannung in 100 V (nur lachboden oder Gewindebolzen) schnelle Diode mit node am Gehäuse U schnelle Diode mit athode am Gehäuse mech. usführung: Modul mech. usführung: Modul keine garantierte reiwerdezeiten (siehe cheibenbauelemente) (nur lachboden oder Gewindebolzen) kritische pannungssteilheit valanche Diode mit node am Gehäuse valanche Diode mit athode am Gehäu- H hohe trompulse, hyristor zum Ein n elektrische elektion (siehe cheibenbauelemente) (nur lachboden oder Gewindebolzen) - usführung mit gem. athode se (nur lachboden oder Gewindebolzen) - usführung mit gem. node Diode mit softrecovery Verhalten für 01...n onstruktionsvariante schalten von hohen tromanstiegen H Diode mit softrecovery Verhalten 18 periodische Vorwärts- und Rückwärts-pitzensperrspannung in 100 V mit metrischem Gewinde u. eil mit metrischem Gewinde u. Lötöse E lachboden cheibe keine garantierte reiwerdezeit kritische pannungssteilheit: 500V/µs 1000V/µs G 1500/µs H 2000V/µs 01...n onstruktionsvariante 01...n elektrische elektion

3 thyristor with 2 thyristors D diode DD with 2 diodes D, DZ, Z with 1 thyristor or 1 diode D, D with 1 thyristor and 1 diode 930 average on state current () 162 average on state current () 0 standard ceramic disc 1 high power ceramic disc phase control device 3 light triggered thyristor, ceramic disc fast diode 16 repetitive peak off-state and reverse voltage in 100 V phase control device phase control diode with cathode mechanical construction: module on case (only flatbase or stud) mechanical construction: module fast diode U fast diode with cathode on case no guaranteed turn off time critical rate of rise of off-state voltage (see disc devices) (only flatbase or metric) - design with common cathode avalanche diode with cathode - design with common anode on case (only flatbase or metric) 01...n construction variation Diode: soft recovery for high current 01...n electrical selection avalanche diode with anode on case H 18 PowerL Modules 640 ype designation pulses metric thread with cable metric thread with solder pin E flat base disc no guaranteed turn off time critical rate of off-state voltage 500 V/µs 1000 V/µs G 1500 V/µs H 2000 V/µs 01...n contruction variation 01...n electrical selection reverse voltage in 100 V 18 hyristor: high turn-on di/dt capability softrecovery diode repetitive peak off-state and H

4 Letter ymbols/urzzeichen D current gain ollektor-asis-gleichstromverhalten forward biased safe operating area icherer Vorwärts-rbeitsbereich f frequency requenz f o repetition frequency Wiederholfrequenz clamping force npresskraft G weight Gewicht I maximum permissible D collector current höchstzulässiger Dauergleichstrom I VM maximum permiss. average collector current ollektor-dauergrenzstrom I E collector-emitter cut-off current ollektor-emitter-reststrom I GE gate-leakage current Gate-Emitter Reststrom I RM permissible repetitive peak collector current höchstzulässiger periodischer ollektor-pitzenstrom i D forward off-state current Vorwärts-perrstrom i G gate current teuerstrom I GD gate non trigger current nicht zündender teuerstrom i GM peak gate current pitzensteuerstrom I G gate trigger current Zündstrom I H holding current Haltestrom I L latching current Einraststrom i R reverse current Rückwärts-perrstrom I RM RM current trom-effektivwert I RM peak reverse recovery current Rückstromspitze i /i on-state current Durchlassstrom I V /I V on-state current (average value) Durchlassstrom (Mittelwert) I VM /I VM maximum average on-state current Dauergrenzstrom I I /I I on-state current at intermittent duty Durchlassstrom bei ussetzbetrieb I M /I M on-state current (peak value) Durchlassstrom (pitzenwert) I (V) /I (V) on-state current at shorttime duty Überstrom bei urzzeitbetrieb I (V)M /I (V)M maximum overload on-state current Grenzstrom I (R)M repetitive turn-on current (from snubber) periodischereinschaltstrom (aus R) I RMM /I RMM maximum RM on-state current Durchlassstrom-Grenzeffektivwert I M /I M surge non repetitive on-state current toßstrom-grenzwert I D forward current Dauergleichstrom I RM repetitve peak forward current Periodischer pitzenstrom i 2 dt I 2 t value Grenzlastintegral di G /dt rate of rise of gate current teilheit des teuerstromes di /dt/di /dt rate of rise of on-state current teilheit des Durchlassstromes (di/dt) cr critical rate of rise of on-state current kritische tromsteilheit L inductance Induktivität M mounting torque nzugsdrehmoment P turn-on dissipation Einschaltverlustleistung P turn-off dissipation usschaltverlustleistung P power dissipation Verlustleistung P D forward off-state dissipation Vorwärts-perrverlustleistung P G gate dissipation teuerverlustleistung P R reverse power dissipation Rückwärts-perrverlustleistung P RQ turn-off dissipation usschaltverlustleistung P + P RQ switching dissipation chaltverlustleistung P /P on-state power dissipation Durchlassverlustleistung P V /P V on-state power dissipation (average value) Durchlassverlustleistung (arithmetischer Mittelwert) P turn-on dissipation Einschaltverlustleistung P tot total power dissipation Gesamtverlustleistung Q r recovered charge perrverzugsladung Q s lag charge achlaufladung R resistance Widerstand r slope resistance Ersatzwiderstand R th thermal resistance, case to coolant Wärmewiderstand Gehäuse-ühlmittel R th thermal resistance, case to heatsink Übergangs-Wärmewiderstand R thj thermal resistance, junction to coolant Gesamtwärmewiderstand R thj thermal resistance, junction to case innerer Wärmewiderstand R reverse biased safe operating area icherer Rückwärts-rbeitsbereich t time Zeit period Periodendauer

5 Letter ymbols/urzzeichen coolant temperature ühlmitteltemperatur case temperature Gehäusetemperatur op operating temperature etriebstemperatur t g trigger pulse duration teuerimpulsdauer t gd gate controlled delay time Zündverzug h heatsink temperature ühlkörpertemperatur t p current pulse duration (sinusoidal) trompulsdauer (inusform) t q circuit commutated turn-off time reiwerdezeit t rr reverse recovery time perrverzugszeit vj junction temperature perrschichttemperatur vj max maximum permissible junction temperature höchstzul. perrschichttemperatur t w current pulse duration (trapezoidal) tromflusszeit (rapezform) t f fall time allzeit t off turn-off time bschaltzeit t on turn-on time Einschaltzeit t s storage time peicherzeit vj op operating temperature etriebstemperatur stg storage temperature Lagertemperatur v D forward off-state voltage Vorwärts-perrspannung v DM forward off-state voltage (peak value) Vorwärts-perrspannung (pitzenwert) V DRM repetitive peak forward off-state voltage periodische Vorwärtsspitzenspannung V DM non-repetitive peak forward off-state voltage Vorwärts-toßspitzenspannung v G gate voltage teuerspannung V GD gate non trigger voltage nicht zündende teuerspannung V GE (th) gate threshold voltage Gate-chwellenspannung V G gate trigger voltage Zündspannung V IL insulation test voltage Isolat.-Prüfspannung v L no-load voltage of trigger pulse generator Leerlaufspannung des teuergenerators v R reverse voltage Rückwärts-perrspannung V R direct reverse voltage Rückwärts-Gleichsperrspannung V RG reverse gate voltage Rückwärts-teuerspannung V RGM peak reverse gatevoltage Rückwärts-pitzensteuerspannung v RM reverse voltage (peak value) Rückwärts-perrspannung (pitzenw.) V RM V D RM or D voltage value emessungsspannung Effektivwert/Gleichspannung V RRM repetitive reverse voltage periodische Rückwärts-pitzensperrspannung V RRM() repetitive peak reverse voltage after commutation periodische pitzensperrspannung nach der ommutierung V RM non-repetitive peak reverse voltage Rückwärts-toßspitzenspannung v /v on-state voltage Durchlassspannung V () threshold voltage chleusenspannung V M repetitive peak voltage periodische pitzensperrspannung V E sat collector-emitter saturation emitter voltage ollektor-emitter-ättigungsspannung V E, V E maximum permissible collector-voltage höchstzulässige ollektor-emitter-perrspannung dv D /dt rate of rise of forward off-state voltage teilheit der Vorwärts-pannung dv R /dt rate of rise of reverse voltage teilheit der Rückwärts-pannung (dv/dt) cr critical rate of rise of off-state voltage kritische pannungssteilheit V L air quantity Luftmenge V W water quantity Wassermenge W energy Verlustenergie W tot total energy Gesamtverlustenergie Z th transient thermal impedance, case to coolant transienter äußerer Wärmewiderstand Z thj transient thermal impedance, junction to coolant transienter Gesamtwärmewiderstand Z thj transient thermal impedance, junction to case transienter innerer Wärmewiderstand Q current conduct. angle tromflusswinkel

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