Technische Information / Technical Information T 1503 NH TOH

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1 T 1503 H TOH Features: Volle Sperrfähigkeit bei 120 mit 50 Hz Hoher Stoßstrom mit hohem di/dt und niedriger Wärmewiderstand durch TV Verbindung zwischen Silizium. und Mo-Trägerscheibe Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Full blocking capability at 120 C with 50 Hz High surge current with high di/dt and low thermal resistance by using low temperatureconnection TV between silicon wafer. and molybdenum Electroactive passivation by a - C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage f = 50 Hz V RRM t vj min = -40 C t vj min = 0 C V V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I 2 t-value Kritische Stromsteilheit, periodisch critical rate of rise of on-state current, repetitive Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch critical rate of rise of on-state current, non-repetitive tc = 85 C, f = 50Hz tc = 60 C, f = 50Hz tvj = 25 C, tp = 10ms, tp = 10ms tvj = 25 C, tp = 10ms, tp = 10ms DI IEC VD VBO, f = 50Hz, PL = 40mW, trise = 0,5µs VD VBO, it 10kA PL = 40mW, trise = 0,5µs I TRMSM 3800 A I TAVM I TSM A A ka ka I 2 t 10, A 2 s 8, A 2 s (di/dt) cr 300 A/µs (di/dt) cr 5000 A/µs Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state current, vdm = 5kV (dv/dt) cr 2000 V/µs BIP AC / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 1 Seite/page 1

2 T 1503 H TOH Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Schutzündspannung (statisch) protective break over voltage Durchlaßspannung on-state voltage Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / slope resistance Durchlaßrechenkennlinie on-state characteristics for calculations ( ) V = A+ B i + C ln i D i T T T T erforderliche Zündlichtleistung required gate trigger light power Haltestrom holding current 500 A i T 5000 A tvj = 0 C... tvj max V BO min V, it = 4kA v T typ. max. 2,8 3,0 V V TO r T A B C D typ. max. 1,20 1,24 0,40 0,44 typ. max. 0,616-0,0864 0, , ,0342 0,2021 0,0161 0, V mω tvj = 25 C, vd = 50V P LM min. 40 mw tvj = 25 C I H 350 ma Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Zündverzug gate controlled delay time Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current tvj = 25 C, vd = 100V, PLM = 40mW, tan = 0,5µs vd = vr = 7500V vd = 1000V, tvj = 25 C, PLM = 40mW, tan = 0,5µs, itm = ITAVM vrm = 100V, vdm = 0,67 vdrm dvd/dt = 20V/µs, -dit/dt = 10A/µs 4. Kennbuchstabe / 4 th letter O ITM = 2,5 ka, di/dt = 10A/µs VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM ITM = 2,5 ka, di/dt = 10A/µs VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM I L 1 A i D, i R 500 ma t gd typ. 5 µs t q typ. 550 µs Q r 15 mas I RM 350 A BIP AC / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 1 Seite/page 2

3 T 1503 H TOH Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, Θ = 180 sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode DC Kathode / cathode DC R thjc 0,0063 0,0060 0,0106 0,0138 Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided einseitig / single-sided R thck 0,0015 0,003 Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature t vj max +120 C t c op C t stg C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt, Lichtzündung Si-pellet with pressure contact, ligt triggered Anpreßkraft clampig force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification Silizium Tablette silicon wafer DI Seite 4 101LT80 F k G typ g 49 mm C Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s 2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 1 Seite/page 3

4 T 1503 H TOH Maßbild / Outline BIP AC / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 1 Seite/page 4

5 T 1503 H TOH Durchlaßkennlinien i T = f ( v T ) Limiting and typical on-state characteristic t vj = 120 C IT [A] ,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 V T [V] BIP AC / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 1 Seite/page 5

6 T 1503 H TOH Transienter innerer Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z th JC = f (t) Z th JC ( t) = t /τ n ( 1 e ) beidseitige Kühlung / double sided cooling kathodenseitige Kühlung / cathod sided cooling anodenseitige Kühlung / anode sided cooling n R th n [K/W] τ n [s] R th n [K/W] τ n [s] R th n [K/W] τ n [s] 1 0, ,06 0,0102 9,62 0, ,6 2 0, ,301 0, ,268 0, , , ,0674 0, ,0532 0, , ,0005 0,0122 0, ,0107 0, , , ,00761 Σ 0,006-0,0138-0, n R th n 0,015 c 0,010 a Z th [K/W] d 0,005 0,000 0,001 0,01 0, t [s] BIP AC / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 1 Seite/page 6

7 T 1503 H TOH Sperrverzögerungsladung Q rr = f ( - di/dt ) recovered charge ebenbedingungen: t vj = 120 C, I TM = 4000A, v R = 0,5 V RRM, v RM = 0,8 V RRM Q rr [m A s] d i/d t [A /µs] BIP AC / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 1 Seite/page 7

8 T 1503 H TOH Rückstromspitze / reverse recovery current (typische Abhängigkeit / typical dependence) I RM = f (di/dt) t vj = 120 C, I TM = 2500A, v R = 0,5 V RRM, v RM = 0,8 V RRM I RM [A] di/dt [A/µs] BIP AC / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 1 Seite/page 8