Technische Information / technical information FS225R12KE3

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1 s Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage V CES 12 V Kollektor Dauergleichstrom DC collector current T c = 8 C T c = 25 C I C, nom A I C 325 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t p = 1ms, T c = 8 C I CRM A Gesamt Verlustleistung total power dissipation T c = 25 C P tot 11 W Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage V GES +/- 2 V Dauergleichstrom DC forward current I F A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current t p = 1ms I FRM A Grenzlastintegral I²t value V R = V, t p = 1ms, T vj = 125 C I²t 1 ka²s Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 5Hz, t= 1min V ISOL 2,5 kv Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung V GE = 15V, T vj = 25 C, I C = I C,nom collector emitter satration voltage V GE = 15V, T vj = 125 C, I C = I C,nom V CEsat min. typ. max. - 1,7 2,1 V - 2 t.b.d. V Gate Schwellenspannung gate threshold voltage V CE = V GE, T vj = 25 C, I C = 9mA V GE(th) 5 5,8 6,5 V Gateladung gate charge V GE = -15V...+15V Q G - 2,1 - µc Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, T vj = 25 C, V CE = 25V, V GE = V C ies nf Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, T vj = 25 C, V CE = 25V, V GE = V C res -, - nf Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cutt off current V GE = V, T vj = 25 C, V CE = 6V I CES ma Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current V CE = V, V GE = 2V, T vj = 25 C I GES na prepared by: Mark Münzer approved: Martin Hierholzer date of publication: revision: 3 1/8 Datenblatt V3.xls

2 s Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse I C = I C, nom, V CC = 6V V GE = ±15V, R G = 3,3Ω, T vj = 25 C I C = I C, nom, V CC = 6V V GE = ±15V, R G = 3,3Ω, T vj = 25 C I C = I C, nom, V CC = 6V V GE = ±15V, R G = 3,3Ω, T vj = 25 C I C = I C, nom, V CC = 6V V GE = ±15V, R G = 3,3Ω, T vj = 25 C I C = I C, nom, V CC = 6V, L σ = 8nH I C = I C, nom, V CC = 6V, L σ = 8nH Kurzschlussverhalten t P 1µsec, V GE 15V, T Vj 125 C SC data V CC = 9V, V CEmax = V CES - L σce di/dt t d,on t r t d,off t f E on E off min. typ. max ns - - ns ns ns ns ns ns ns mj mj I SC A Modulindiktivität stray inductance module L σce nh Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip T c = 25 C R CC /EE - 1,1 - mω Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung I F = I C, nom, V GE = V, T vj = 25 C forward voltage I F = I C, nom, V GE = V, T vj = 125 C V F - 1,65 2,1 V - 1,65 t.b.d. V Rückstromspitze peak reverse recovery current I F =I C,nom, -di F /dt= 26A/µs V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 25 C V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 125 C I RM A A Sperrverzögerungsladung recoverred charge I F =I C,nom, -di F /dt= 26A/µs V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 25 C V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 125 C Q r µq µq Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy I F =I C,nom, -di F /dt= 26A/µs V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 25 C V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 125 C E rec mj mj 2/8 Datenblatt V3.xls

3 s Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance T c = 25 C R kω Abweichung von R 1 deviation of R 1 T c = 1 C, R 1 = 493Ω R/R -5-5 % Verlustleistung power dissipation T c = 25 C P mw B-Wert B-value R 2 = R 1 exp[b(1/t 2-1/T 1 )] B 25/5-3 - K Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance, juncton to case; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter R thjc - -,11 K/W - -,19 K/W Übergangs Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λ Paste = 1W/m*K / λ grease = 1W/m*K R thck -,5 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemp. maximum junction temperature T vjmax - - C Betriebstemperatur operation temperature T vjop C Lagertemperatur storage temperature T stg C Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al 2 O 3 CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Schraube M5 screw M5 M 3-6 Nm Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse terminal connection torque Schraube M6 screw M6 M 3-6 Nm Gewicht weight G 8 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. Datenblatt V3.xls 3/8

4 s Ausgangskennlinie (typisch) I C = f(v CE ) output characteristic (typical) V GE = 15V Tvj = 25 C Tvj = 125 C,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 V CE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f(v CE ) output characteristic (typical) T vj = 125 C VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V CE [V] 4/8 Datenblatt V3.xls

5 s Übertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) I C = f(v GE ) V CE = 2V Tvj = 25 C Tvj = 125 C V CE [V] Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f(v F ) forward caracteristic of inverse diode (typical) Tvj = 25 C Tvj = 125 C I F [A],,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, 2,2 2,4 V F [V] 5/8 Datenblatt V3.xls

6 s Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f (I C ), E off = f (I C ), E rec = f (I C ) V GE =15V, R gon =R goff =3,3W, V CE =6V, T j =125 C Eon Eoff Erec 5 E [mj] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) V GE =15V, I C =A, V CE =6V, T j =125 C Eon Eoff Erec 5 E [mj] R G [W] 6/8 Datenblatt V3.xls

7 s Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t) 1 Z thjc [K/W],1,1 Zth : IGBT Zth : Diode,1,1,1,1 1 t [s] i r i [K/kW] : IGBT 46,19 55,37 6,36 2,8 t i [s] : IGBT 6,499E-2 2,61E-2 2,364E-3 1,187E-5 r i [K/kW] : Diode 79,82 95,8 1,79 3,59 t i [s] : Diode 6,499E-2 2,61E-2 2,364E-3 1,187E-5 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) V GE =15V, T j =125 C 525 IC,Chip IC,Chip V CE [V] 7/8 Datenblatt V3.xls

8 s Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8/8 Datenblatt V3.xls