FF300R12KS4. vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 2.
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- Emil Tiedeman
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1 s Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung T vj = 25 C V CES 12 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T C = 6 C I C,nom. 3 A DC-collector current T C = 25 C I C 37 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral der Diode I 2 t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage t P = 1 ms, T C = 6 C I CRM 6 A T C =25 C; Transistor P tot 195 W V GES +/- 2V V I F 3 A t P = 1 ms I FRM 6 A V R = V, t p = 1ms, T Vj = 125 C I 2 t 18 k A 2 s RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. V ISOL 2.5 V Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I C = 3A, V GE = 15V, T vj = 25 C V CE sat - 3,2 3,75 V collector emitter saturation voltage I C = 3A, V GE = 15V, T vj = 125 C - 3,85 - V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Gateladung gate charge I C = 12 ma, V CE = V GE, T vj = 25 C V GE(th) 4,5 5,5 6,5 V f = 1MHz,T vj = 25 C,V CE = 25V, V GE = V C ies nf f = 1MHz,T vj = 25 C,V CE = 25V, V GE = V C res - 1,4 - nf V GE = -15V V; V CE =...V Q G - 3,2 - µc Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current V CE = 12V, V GE = V, T vj = 25 C I CES ma Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current V CE = V, V GE = 2V, T vj = 25 C I GES na prepared by: MOD-D2; Martin Knecht date of publication : approved by: SM TM; Wilhelm Rusche revision: (9)
2 s Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = 3 A, V CC = 6V turn on delay time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 3, Ω, T vj = 25 C t d,on -,1 - µs V GE = ±15V, R G = 3, Ω, T vj = 125 C -,13 - µs Anstiegszeit (induktive Last) I C = 3 A, V CC = 6V rise time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 3, Ω, T vj = 25 C t r -,9 - µs V GE = ±15V, R G = 3, Ω, T vj = 125 C -,1 - µs Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = 3 A, V CC = 6V turn off delay time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 3, Ω, T vj = 25 C t d,off -,53 - µs V GE = ±15V, R G = 3, Ω, T vj = 125 C -,59 - µs Fallzeit (induktive Last) I C = 3 A, V CC = 6V fall time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 3, Ω, T vj = 25 C t f -,6 - µs V GE = ±15V, R G = 3, Ω, T vj = 125 C -,7 - µs Einschaltverlustenergie pro Puls I C = 3 A, V CC = 6V, V GE = 15V turn-on energy loss per pulse R G = 3, Ω, T vj = 125 C, L σ = 6 nh E on mj Abschaltverlustenergie pro Puls I C = 3 A, V CC = 6V, V GE = 15V turn-off energy loss per pulse R G = 3, Ω, T vj = 125 C, Lσ = 6 nh E off mj Kurzschlußverhalten t P 1µs, V GE 15V SC Data T Vj 125 C, V CC =9 V, V CEmax =V CES -L σce di/dt I SC A Modulinduktivität stray inductance module Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip lead resistance, terminals - chip Anschlüsse / terminals 2-3 L σce nh pro Zweig / per arm, T C =25 C R CC'+EE' -,7 - mω Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode min. typ. max. Durchlaßspannung I F = 3 A, V GE = V, T vj = 25 C V F - 2, 2,55 V forward voltage I F = 3 A, V GE = V, T vj = 125 C - 1,7 - V Rückstromspitze I F = 3 A, - di F /dt = 45 A/µs peak reverse recovery current V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 25 C I RM A V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 125 C A Sperrverzögerungsladung I F = 3 A, - di F /dt = 45 A/µs recovered charge V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 25 C Q r µc V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 125 C µc Abschaltenergie pro Puls I F = 3 A, - di F /dt = 45 A/µs reverse recovery energy V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 25 C E rec mj V R = 6V, V GE = -15V, T vj = 125 C mj 2 (9)
3 s Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor,dc, pro Modul / per module R thjc - -,32 K/W thermal resistance, junction to case Transistor / transistor,dc, pro Zweig / per arm - -,64 K/W Diode / Diode, DC, pro Modul / per module - -,5 K/W Diode / Diode, DC, pro Zweig / per arm - -,1 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature pro Modul / per module λ Paste = 1 W/m*K / λ grease = 1 W/m*K R thck -,1 - K/W T vj max C Betriebstemperatur operation temperature T vj op C Lagertemperatur storage temperature T stg C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Material Modulgrundplatte material of module baseplate Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance CTI comperative tracking index Cu Al 2 O 3 2 mm 11 mm 425 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Schraube / screw M6 M 3, - 6, Nm Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Anschlüsse / terminals M6 M 2,5-5, Nm Gewicht weight G 34 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3 (9)
4 s Ausgangskennlinie (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) V GE = 15V 6 5 Tvj = 25 C Tvj = 125 C 4 I C [A] 3 2 1,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, 5,5 6, V CE [V] 6 Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) T vj = 125 C I C [A] VGE = 8V VGE = 9V VGE = 1V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 2V 2 1,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, 5,5 6, V CE [V] 4 (9)
5 s 6 Übertragungscharakteristik (typisch) I C = f (V GE ) Transfer characteristic (typical) V CE = 2V 5 Tvj = 25 C Tvj = 125 C 4 I C [A] V GE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f (V F ) Forward characteristic of inverse diode (typical) 6 5 Tvj = 25 C Tvj = 125 C 4 I F [A] 3 2 1,,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, 2,2 2,4 2,6 V F [V] 5 (9)
6 s 7 Schaltverluste (typisch) E on = f (I C ), E off = f (I C ), E rec = f (I C ) Switching losses (typical) V GE =±15V, R G = 3, Ω, V CE = 6V, T vj =125 C 6 5 Eoff Eon Erec E [mj] I C [A] Schaltverluste (typisch) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) Switching losses (typical) V GE =±15V, I C = 3 A, V CE = 6V, T vj = 125 C Eoff Eon Erec E [mj] R G [Ω] 6 (9)
7 s Sicherer Arbeitsbereich IGBT (RBSOA) V GE = ±15V, T vj = 125 C Reverse bias safe operation area IGBT (RBSOA) 7 6 I C [A] IC,Chip IC,Modul V CE [V] 7 (9)
8 s Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t),1 Zth:IGBT Zth:Diode Z thjc [K / W],1,1,1,1,1 1 1 t [s] i r i [K/kW] : IGBT 7,16 21,67 28,23 6,94 τ i [s] : IGBT,2,3,66 1,655 r i [K/kW] : Diode 15,47 4,66 41,9 1,97 τ i [s] : Diode,15,327,561, (9)
9 s Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 9 (9)
10 Terms & Conditions of Usage Attention The present product data is exclusively subscribed to technically experienced staff. This Data Sheet is describing the specification of the products for which a warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. Changes to the Data Sheet are reserved. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. Should you require product information in excess of the data given in the Data Sheet, please contact your local Sales Office via / sales & contact. Warning Due to technical requirements the products may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact your local Sales Office via / sales & contact.
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