Technische Information / technical information FF1200R12KE3
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1 IGBTModule IGBTModules Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage T vj = 25 C V CES 12 V Kollektor Dauergleichstrom DC collector current T c = 7 C T c = 25 C I C, nom 12 A I C 16 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t p = 1ms, T c = 8 C I CRM 24 A Gesamt Verlustleistung total power dissipation T c = 25 C; Transistor P tot 5 kw Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage V GES +/ 2 V Dauergleichstrom DC forward current I F 12 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current t p = 1ms I FRM 24 A Grenzlastintegral I²t value V R = V, t p = 1ms, T vj = 125 C I²t 3 k A²s Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 5Hz, t= 1min. V ISOL 2,5 kv Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung I C = 12A, V GE = 15V, T vj = 25 C, collector emitter satration voltage I C = 12A, V GE = 15V, T vj = 125 C, V CEsat min. typ. max. 1,7 2,15 V 2 t.b.d. V Gate Schwellenspannung gate threshold voltage I C = 48mA, V CE = V GE, T vj = 25 C, V GE(th) 5 5,8 6,5 V Gateladung gate charge V GE = 15V...+15V; V CE=...V Q G 11,5 µc Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, T vj = 25 C, V CE = 25V, V GE = V C ies 86 nf Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, T vj = 25 C, V CE = 25V, V GE = V C res 4 nf Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current V GE = V, T vj = 25 C, V CE = 12V I CES 5 ma Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current V CE = V, V GE = 2V, T vj = 25 C I GES 4 na prepared by: MODD2; Mark Münzer date of publication: 2273 approved: SM TM; Christoph Lübke revision: 2. 1 (8) 2273
2 IGBTModule IGBTModules Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse I C = 12A, V CC = 6V V GE =±15V, R Gon =2,4 T vj =25 C V GE =±15V, R Gon =2,4, T vj = 125 C I C = 12A, V CC = 6V V GE =±15V, R Gon =2,4 T vj =25 C V GE =±15V, R Gon =2,4, T vj = 125 C I C = 12A, V CC = 6V V GE =±15V, R Goff =,62, T vj =25 C V GE =±15V, R Goff =,62,T vj = 125 C I C = 12A, V CC = 6V V GE =±15V, R Goff =,62, T vj =25 C V GE =±15V, R Goff =,62,T vj = 125 C I C = 12A, V CC = 6V, L = 6nH V GE =±15V, R Gon =2,4, T vj = 125 C I C = 12A, V CC = 6V, L = 6nH V GE =±15V, R Goff =,62, T vj = 125 C Kurzschlussverhalten t P 1µs, V GE 15V, T Vj 125 C SC data V CC = 9V, V CEmax = V CES L CE di/dt t d,on t r t d,off t f E on E off min. typ. max.,6 µs,66 µs,23 µs,22 µs,82 µs,96 µs,15 µs,18 µs 245 mj 19 mj I SC 48 A Modulindiktivität stray inductance module L CE 2 nh Leitungswiderstand, AnschlussChip lead resistance, terminalchip T c = 25 C R CC /EE,18 m Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage I F = I C, nom, V GE = V, T vj = 25 C I F = I C, nom, V GE = V, T vj = 125 C V F 2,2 2,8 V 2 V Rückstromspitze peak reverse recovery current I F =I C,nom, di F /dt= 54A/µs V R = 6V, V GE = 15V, T vj = 25 C V R = 6V, V GE = 15V, T vj = 125 C I RM 34 A 53 A Sperrverzögerungsladung recoverred charge I F =I C,nom, di F /dt= 54A/µs V R = 6V, V GE = 15V, T vj = 25 C V R = 6V, V GE = 15V, T vj = 125 C Q r 57 µc 135 µc Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy I F =I C,nom, di F /dt= 54A/µs V R = 6V, V GE = 15V, T vj = 25 C V R = 6V, V GE = 15V, T vj = 125 C E rec 18 mj 35 mj 2 (8) 2273
3 IGBTModule IGBTModules Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Transistor, DC, pro Modul / per module Transistor, DC, pro Zweig / per arm Diode/Diode, DC, pro Modul / per module Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm pro Modul / per module pro Zweig/ per arm; Paste / grease =1W/m*K min. typ. max. R thjc,13 K/W,25 K/W,21 K/W,42 K/W R thck,6 K/W,12 K/W Höchstzulässige Sperrschichttemp. maximum junction temperature T vj max 15 C Betriebstemperatur operation temperature T vj op C Lagertemperatur storage temperature T stg C Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Al 2 O 3 17 mm Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index 1 mm >4 Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Schraube / screw M5 M 4,25 5,75 Nm Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse terminal connection torque Anschlüsse / terminal M4 M 1,7 2,3 Nm Anschlüsse / terminal M8 M 8 1 Nm Gewicht weight G 15 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 3 (8) 2273
4 IGBTModule IGBTModules Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) I C = f(v CE ) V GE = 15V Tvj = 25 C Tvj = 125 C ,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 V CE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f(v CE ) output characteristic (typical) T vj = 125 C Vge=19V Vge=17V Vge=15V Vge=13V Vge=11V Vge=9V,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V CE [V] 4 (8) 2273
5 IGBTModule IGBTModules Übertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) I C = f(v GE ) V CE = 2V Tvj=25 C Tvj=125 C V GE [V] Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f(v F ) forward caracteristic of inverse diode (typical) Tvj = 25 C Tvj = 125 C 15 I F [A] ,,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, 2,2 2,4 2,6 2,8 3, V F [V] 5 (8) 2273
6 IGBTModule IGBTModules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f (I C ), E off = f (I C ), E rec = f (I C ) V GE =±15V, R gon =2,4, R goff =,62, V CE =6V, T vj =125 C Eon Eoff Erec 5 E [mj] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) V GE =±15V, I C =12A, V CE =6V, T vj =125 C Eon Eoff Erec E [mj] R G [ ] 6 (8) 2273
7 IGBTModule IGBTModules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t),1 Z thjc [K/W],1 Zth : IGBT Zth : Diode,1,1,1,1 1 1 t [s] i r i [K/kW] : IGBT 2,99 9,8 9,64 2,57 i [s] : IGBT 6,897E1 5,634E2 2,997E2 3,82E3 r i [K/kW] : Diode 12,5 13,24 13,89 2,82 i [s] : Diode 4,452E1 7,451E2 2,647E2 2,85E3 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) V GE =±15V, T vj =125 C IC,Chip IC,Chip V CE [V] 7 (8) 2273
8 IGBTModule IGBTModules Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) 2273
9 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle die gemeinsame Durchführung eines Risiko und Qualitätsassessments; den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend to perform joint Risk and Quality Assessments; the conclusion of Quality Agreements; to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.
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uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information FZ R 16 KF4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection (to be done) G external connection
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