FT150R12KE3_B5. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
|
|
- Sara Blau
- vor 6 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 FT5RKE3_B5 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage TÝÎ = 5 C V Š» V T = 8 C T = 5 C I ÒÓÑ I 5 t«= ms, T = 8 C I ç 3 A T = 5 C PÚÓÚ 7 W A A V Š» +/- V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case I = 5 A, V Š = 5 V, TÝÎ = 5 C I = 5 A, V Š = 5 V, TÝÎ = 5 C V Š ÙÈÚ,7,,5 V V I = 6, ma, V Š = V Š, TÝÎ = 5 C V ŠÚÌ 5, 5,8 6,5 V V Š = -5 V V Q, µc TÝÎ = 5 C R ÍÒÚ 5,  f = MHz, TÝÎ = 5 C, V Š = 5 V, V Š = V CÍþÙ,5 nf f = MHz, TÝÎ = 5 C, V Š = 5 V, V Š = V CØþÙ, nf V Š = V, V Š = V, TÝÎ = 5 C I Š» 5, ma V Š = V, V Š = V, TÝÎ = 5 C I Š» na I = 5 A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓÒ =, Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓÒ =, Â, TÝÎ = 5 C I = 5 A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓÒ =, Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓÒ =, Â, TÝÎ = 5 C I = 5 A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓËË =, Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓËË =, Â, TÝÎ = 5 C I = 5 A, V Š = 6 V V Š = ±5 V, R ÓËË =, Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓËË =, Â, TÝÎ = 5 C I = 5 A, V Š = 6 V, L» = 7 nh V Š = ±5 V, R ÓÒ =, Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓÒ =, Â, TÝÎ = 5 C I = 5 A, V Š = 6 V, L» = 7 nh V Š = ±5 V, R ÓËË =, Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓËË =, Â, TÝÎ = 5 C t«ù, V Š ù 5 V TÝÎù5 C, V = 9 V, V ŠÑÈà = V Š» -LÙ Š di/dt pro IGBT per IGBT tá ÓÒ,8,3 tø,,5 tá ÓËË,5,65 të,, EÓÒ 6,5, EÓËË,, I» 6 A RÚÌœ,8 K/W date of publication: revision:.
2 FT5RKE3_B5 Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t - value TÝÎ = 5 C Vçç V IŒ 5 A t«= ms IŒç 3 A Vç = V, t«= ms, TÝÎ = 5 C I²t 55 A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case IŒ = 5 A, V Š = V, TÝÎ = 5 C IŒ = 5 A, V Š = V, TÝÎ = 5 C IŒ = 5 A, - diœ/dt = A/ Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C IŒ = 5 A, -diœ/dt = A/ Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C IŒ = 5 A, -diœ/dt = A/ Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C Vç = 6 V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C pro Diode per diode VŒ,65,65 Iç 9 QØ 7, 3, EØþÊ 7, 3,,5 V V A A µc µc RÚÌœ,3 K/W date of publication: revision:.
3 Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight FT5RKE3_B5 RMS, f = 5 Hz, t = min Vš»,5 kv Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal pro Modul / per module ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) AIèé, 7,5 CTI > 5 min. typ. max. mm mm RÚÌ,9 K/W LÙ Š 3 nh T = 5 C, pro Schalter / per switch R óôššó, mâ TÝÎ ÑÈà 5 C TÝÎ ÓÔ - 5 C TÙÚÃ - 5 C Schraube / screw M5 M 3, - 6, Nm G 3 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics. It is valid with the appropriate technical explanations. date of publication: revision:. 3
4 FT5RKE3_B5 Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 5 V Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) TÝÎ = 5 C TÝÎ = 5 C TÝÎ = 5 C 7 V Š = 9V V Š = 7V V Š = 5V V Š = 3V V Š = V V Š = 9V ,,5,,5,,5 3, 3,5 V Š [V],,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, V Š [V] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = V 3 Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ) V Š = ±5 V, R ÓÒ =, Â, R ÓËË =, Â, V Š = 6 V, TÝÎ = 5 C 7 TÝÎ = 5 C TÝÎ = 5 C 35 3 EÓÒ EÓËË E [] V Š [V] date of publication: revision:.
5 FT5RKE3_B5 Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ) V Š = ±5 V, I = 5 A, V Š = 6 V, TÝÎ = 5 C Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ = f (t) 35 3 EÓÒ EÓËË ZÚÌœ : IGBT 5 E [] 5 ZÚÌœ [K/W], R [Â] Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA) I = f (V Š) V Š = ±5 V, R ÓËË =, Â, TÝÎ = 5 C i: rí[k/w]: τí[s]:,3,9,39,36 3,96,6,7559,699,,,, t [s] Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (VŒ) TÝÎ = 5 C TÝÎ = 5 C 8 5 IŒ [A] I, Modul I, Chip V Š [V],,,,6,8,,,,6,8,,, VŒ [V] date of publication: revision:. 5
6 FT5RKE3_B5 Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ =, Â, V Š = 6 V, TÝÎ = 5 C Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ = 5 A, V Š = 6 V, TÝÎ = 5 C 8 EØþÊ 8 EØþÊ 6 6 E [] E [] IŒ [A] R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ = f (t) ZÚÌœ : Diode ZÚÌœ [K/W], i: rí[k/w]: τí[s]:,63,9,93,36 3,73,6,83,699,,,, t [s] date of publication: revision:. 6
7 Schaltplan / circuit diagram FT5RKE3_B5 Gehäuseabmessungen / package outlines date of publication: revision:. 7
8 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.
FF450R12IE4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
FF45R2IE4 PrimePACK 2 mit schnell schaltendem Medium Power IGBT4 und NTC für niederinduktiven Umrichteraufbau PrimePACK 2 with fast switching Medium Power IGBT4 and NTC for low inductive set-up IGBT-Wechselrichter
MehrFF6R12ME4 EconoDUL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoDUL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC / V Š» = 12V I ÒÓÑ = 6 / I
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Kollektor-D
EconoPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC V Š» = V I ÒÓÑ = 5A / I ç = A Typische Anwendungen
MehrMarketing Information FD 600 R 16 KF4
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information FD R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 C2 E2 E2 G1 C2 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16 18 4
MehrMarketing Information FZ 800 R 12 KF 4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany GmbH + o. KG Marketing Information FZ 8 R 12 KF 4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection to be done
MehrFZ 1800 R 17 KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom
MehrMarketing Information BSM 50 GD 170 DL
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM GD 17 DL 118.11 94.5 119 19.5 3.81 121.5 99.9 4 x 19.5 = 76.2 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 3.81 15.24 6 7 8 9 11 12 1.15x1. 5
MehrFS35R12W1T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC / V Š» = V I ÒÓÑ = / I ç = Typische nwendungen
MehrMarketing Information FZ 800 R 16 KF4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information FZ R 16 KF4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection (to be done) G external connection
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-D
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC / ϑ V Š» = 600V I
MehrBSM 75 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 70
MehrN Kenndaten Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Kenndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Stoßspitzensperrspannung non-repetitive
MehrMarketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45 15 5,5 SW27 M12 Type Circuit symbol Cathode Anode S Connection pin Case U Case Connection pin Ma
MehrTDB6HK360N16P. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPACK 4 Modul und PressFIT / NTC EconoPACK 4 module and PressFIT / NTC / V Š» = 1600V I ÒÓÑ = 360A / I ç = 720A Typische Anwendungen Typical Applications Halbgesteuerte B6-Brücke Half Controlled B6-bridge
MehrFB15R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrTechnische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 25 C...T vj max V RRM 2000 V repetitive peak forward reverse voltage
MehrBSM10GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrBSM50GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrDatenblatt / Data sheet D450S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Kenndaten Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrFP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrFP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrTechnische Information / Technical Information
Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrDatenblatt / Data sheet D690S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Kenndaten Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrTechnische Information / Technical Information D 901 S T. tvj = -40 C... tvj max f = 50Hz. tc = 85 C, f = 50Hz tc = 60 C, f = 50Hz
chnelle Gleichrichterdiode D 901 35... 45 T Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische pitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrTechnische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V RRM 1600 V
MehrType V CE I C Package Ordering Code BSM 150 GB 120 DN2 1200V 210A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2108-A70
BSM 15 GB 12 DN2 IGBT Power Module Halfbridge Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate Type V CE Package Ordering Code BSM 15 GB 12 DN2 12V 21 HLFBRIDGE 2 C67762187 Maximum
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
MehrFP75R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrTechnische Information / Technical Information
Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung
MehrFP40R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules
s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Kenndaten Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Thermische
MehrDatenblatt / Data sheet
Key Parameters V DRM / V RRM I TAVM I TSM V T0 r T R thjc Base plate 1800 V 600 A (T C =100 C) 22000 A 0,75 V 0,215 mω 0,0745 60 mm For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog
MehrTechnische Information / Technical Information D 1641 SX 45T. tvj = 0 C... tvj max f = 50Hz. tc = 60 C. f = 50Hz I FRMSM 3200 A
Features pecially designed for operation with small snubber Low losses, soft recovery 140 C imum junction temperature Electroactive passivation by a-c:h Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
MehrDatenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische enndaten orwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = -4 C... T vj max DRM, RRM 12 repetitive
MehrDD100N16S. Technische Information / technical information. Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module
Key Parameters V DRM / V RRM I FAVM I FSM V T0 r T R thjc Base plate Weight 1600 V 130 A (T C =100 C) 2500 A 3570A (T C =55 C) 0,87 V 2,54 mω 0,19 20 mm 75 g For type designation please refer to actual
MehrTechnische Information / Technical Information
Thyristor Module with Chopper-IGBT TD B6HK 124 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode,
Mehr2PS1200R17KE3-4G. Technical Information. Vorläufige Daten preliminary data. Key data 1x 571A AC at 690V AC, forced air (fan not implemented)
Key data 1x 571A AC at 690V AC, forced air (fan not implemented) General information for: Stacks for various inverter application. Semiconductors, heat sinks, drivers and sensors included. These are only
MehrLeistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 251 N
European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D N,, E-Cu- mm² E-CE- mm² E-Cu- mm² E-Cu- mm² Siliconschlauch Silicon tube Siliconschlauch
MehrTechnische Information / technical information DD710N16K
Key Parameters V DRM / V RRM 1600V I FAVM I FSM 710A (T C =100 C) 3570A 26000A (T C =55 C) v T0 0,75V r T R thjc Baseplate Weight 0,145mΩ 0,062 60mm 1500g For type designation please refer to actual shortform
MehrKBU 4AYM. Kunststoffgehäuse
KBU 4AYM Silicon-Bridge Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung 4.0 A 35Y700 V Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx.
MehrSFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900
Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900 feo06270 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken
MehrElectrical data DC Link min typ max units Voltage V V Overvoltage shutdown within 5000µs 850 V Unit 2 AC min typ max units Voltage depending o
Key data 1x 770 A rms at 400 V rms, forced air (fan included) General information Stacks for various inverter application. Semiconductors, heat sinks, drivers and sensors included. These are only technical
MehrFD650R17IE4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules. PrimePACK 2 mit NTC PrimePACK 2 with NTC
PrimePCK 2 mit NTC PrimePCK 2 with NTC IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
MehrKuhnke Technical Data. Contact Details
Kuhnke Technical Data The following page(s) are extracted from multi-page Kuhnke product catalogues or CDROMs and any page number shown is relevant to the original document. The PDF sheets here may have
MehrSIFI-A Series. SIFI-A for normal insertion loss Rated voltage 250 V~, 50/60 Hz Rated current 1 A to 20 A
2-ine Filters SIFI- Series 4111 SIFI- for normal insertion loss Rated voltage 2 V~, / Hz Rated current 1 to Construction Two-line filter Metal case Polyurethane potting (U 94 V-) Features Compact design
MehrEMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 B32922 X2 MKP/SH 40/100/21/C
EMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 X2 capacitors with very small dimensions Rated ac voltage 275 and 300 V, 50/60 Hz Construction Dielectric: polypropylene (MKP) Plastic case (UL 94
MehrEin- und Ausgangsspannung 220-240V / Leistung: 800 VA / Abmessungen: 203 x 147 x 445mm / Gewicht: 20kg / Normenzertifikate: EN 60950, EN 60601-1
Produktinformationen Powervar ABCE800-22IEC USV POWERVAR Unterbrechungsfreier Strommanager Der neue Security One USM oder unterbrechungsfreier Strommanager, hat viele neue Funktionen zu bieten. Sie können
Mehr0.6 0.4. 4.0 3.6 Chip position. ø2.9 GEO06653. Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 39 2.54 mm spacing Collector (Transistor) Cathode (Diode).7 1.8 1.2 29 27.8 Area not flat 5.2 4.5 (3.5) 4.1 3.9 6.3 5.9 ø3.1 ø2.9 4. 3.6 Chip
MehrB81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C B81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C. EMI Suppression Capacitors X2 / 275 Vac Not for new design
EMI Suppression Capacitors X2 / X2 capacitors with small dimensions Rated ac voltage 275 V, 50/60 Hz 1) Construction Dielectric: polyester (MKT) Internal series connection Plastic case (UL 94 V-0) Epoxy
Mehrfastpim 1 H fast switching H bridge module Features: - 1 Phase Input Rectifier Bridge - 1 Phase fast switching IGBT + FRED full H bridge - NTC
fast switching H bridge module Features: - 1 Phase Input Rectifier Bridge - 1 Phase fast switching IGBT + FRED full H bridge - NTC Copyright by Vincotech 1 Revision: 1 module types / Produkttypen Part-Number
MehrSIMID 1210-100. Size 1210 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 100 µh Rated current 65 to 800 ma
Size 12 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 0 µh Rated current 65 to 800 ma Construction Ceramic or ferrite core Laser-welded winding Flame-retardant encapsulation Features Very wide temperature
MehrF4-75R12MS4. EconoDUAL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUAL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC
EconoDUL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC VCES = 2V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrNPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei
Mehr3-Line Filters for Converters and Power Electronics B84143-G*-R110 B84143-G*-R112
B8443-G*-R0 B8443-G*-R2 Power line filters for three-phase systems Rated voltage 4/275 and 520/300 V~, 50/ Hz Rated current 8 to 220 A Construction Three-line filter Metal case Book size Features High
MehrTypenbezeichnungen und Abkürzungen Short Form Catalog 2012
Typenbezeichnungen und Abkürzungen Short Form Catalog 2012 www.infineon.com/highpower Typenbezeichnungen Scheibenbauelemente T640 N 18 T O F T Thyristor D Diode 640 Dauergrenzstrom (A) 0 Standardkeramik-Scheibe
MehrSFH 203 P, SFH 203 PFA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 3 P SFH 3 PFA SFH 3 P SFH 3 PFA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
Mehr1. Auftraggeber client. 1.1. Firmenname: company name: 1.2. Straße: street: 1.3. Ort: place: 1.4. Telefon: phone: 1.5. Fax: fax:
Seite 1 von 10 page 1 of 10 Antrag zur Zertifizierung eines PV Moduls und einer Fertigungsstätteninspektion des zu zertifizierenden Produkts Information about the certificate owner and the manufacturing
MehrCONTROLLER RECEIVER REPEATER PAIRING SLIM CLIP
ANLEITUNGEN // INSTRUCTIONS CONTROLLER RECEIVER REPEATER PAIRING SLIM CLIP BEDIENUNGSANLEITUNG // INSTRUCTION MANUAL MONTAGEANLEITUNG // ASSEMBLY INSTRUCTION MONTAGEANLEITUNG // ASSEMBLY INSTRUCTION KOPPLUNG
MehrINSTALLATION AND OPERATING INSTRUCTIONS FOR LPS203-M LPS203-M 操 作 指 示
BEDIENUNGSANLEITUNG To comply with the published safety standards, the following must be observed when using this power supply. Um den zur Zeit gültigen Sicherheitsbestimmungen zu genügen, müssen die nachstehenden
MehrISA-PLAN - Precision Resistor Type PBV
ISA-PLAN - Precision Resistor Type PBV Spec Sheet R361-1/2 July 97 Technical Data Resistance range 0.5 mohm - 1 Ohm Tolerances 0.5 %, 1 %, 5 % Temperature coefficient ( R > 10 mohm ) < 30 ppm/k ( 20 C
MehrDC/DC Converter 400 W
Eingangsbereich 4 : 1 Input Range 4 : 1 Wirkungsgrad bis 90 % Efficiency up to 90 % Full Brick Gehäuse Full Brick Case Eingangs-π-Filter Input-π-Filter Beschreibung 10 DC/DC-Wandler stehen in der Serie
MehrVARIOFACE Systemverkabelung
VARIOFACE Systemverkabelung Systemkabel und Übergabemodule für Yokogawa ProSafe-RS INTERFACE Phoenix Contact Dezember 12 Beinhaltet Crossliste......2 Übergabemodule.. 3 VARIOFACE System Cabling System
MehrAC/DC-Schaltnetzteile 100 W AC/DC Switching Power Supplies 100 W. Merkmale / Features. Eingangsbereich 90...264 V AC
E176177 Merkmale / Features Eingangsbereich 90...264 V AC / Universal Input 90...264 V AC Wirkungsgrad bis zu 90 % / Efficiency up to 90 % Full-Brick Gehäuse / Full Brick Package Aktiv PFC Funktion / Active
MehrInternationale Energiewirtschaftstagung TU Wien 2015
Internationale Energiewirtschaftstagung TU Wien 2015 Techno-economic study of measures to increase the flexibility of decentralized cogeneration plants on a German chemical company Luis Plascencia, Dr.
MehrCloud for Customer Learning Resources. Customer
Cloud for Customer Learning Resources Customer Business Center Logon to Business Center for Cloud Solutions from SAP & choose Cloud for Customer https://www.sme.sap.com/irj/sme/ 2013 SAP AG or an SAP affiliate
MehrCameraserver mini. commissioning. Ihre Vision ist unsere Aufgabe
Cameraserver mini commissioning Page 1 Cameraserver - commissioning Contents 1. Plug IN... 3 2. Turn ON... 3 3. Network configuration... 4 4. Client-Installation... 6 4.1 Desktop Client... 6 4.2 Silverlight
MehrFundamentals of Electrical Engineering 1 Grundlagen der Elektrotechnik 1
Fundamentals of Electrical Engineering 1 Grundlagen der Elektrotechnik 1 Chapter: Operational Amplifiers / Operationsverstärker Michael E. Auer Source of figures: Alexander/Sadiku: Fundamentals of Electric
MehrIFS100S12N3T4_B11. Industrieantriebe, USV, Klimatisierungsgeräte, Solarumrichter industrial drives, UPS, Air conditioning, Solar inverters
IGBT-modules IFS1S12N3T_B11 MIPAQ sense Modul in Sixpack-Konfiguration mit Trench/Feldstopp IGBT, Emitter Controlled Diode und Strommesswiderstand mit integriertem Σ/ -Wandler und galvanisch getrennter
MehrNotice: All mentioned inventors have to sign the Report of Invention (see page 3)!!!
REPORT OF INVENTION Please send a copy to An die Abteilung Technologietransfer der Universität/Hochschule An die Technologie-Lizenz-Büro (TLB) der Baden-Württembergischen Hochschulen GmbH Ettlinger Straße
MehrThe following products presented in this data sheet are being withdrawn. B66414B6008T002 2003-08-08 2004-02-29 2004-08-31
EFD/EV/DE Cores Series/Type: EFD /8/ The following products presented in this data sheet are being withdrawn. Ordering Code Substitute Product Date of Withdrawal Deadline Last Orders Last Shipments B66B6008T002
MehrTT250N. Technische Information / technical information. Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
Key Parameters DRM / RRM I TAM I TSM T r T R thjc Base plate Weight 12 18 25 A (T C =85 C) 7 A 357A (T C =55 C),8,7 mω,124 5 mm 8 g For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog
MehrMarketing Information TT 425 N
Europen Power- Semiconductor nd Electronics Compny GmH + Co. KG Mrketing Informtion TT N screwing depth mx. 18, M1 plug A,8 x,8 K G 7K G 1 1 11 1 1 1 A K AK G K G K VWK Ferury 199 TT N, TD N, DT N Elektrische
Mehrhigh potential insulating transformer Hochpotenzial- Trenntrafo bis 80 kv Potenzialtrennung up to 80 kv potential difference Tauscher Transformatoren
Hochpotenzial - Hochspannungs - Trenntransformatoren pri - sec und einer Leistung von 1 VA bis 3000 VA Isoliertrafo, Isolationstransformator Einsatzmöglichkeiten Hochspannungstrenntransformatoren werden
MehrCorporate Digital Learning, How to Get It Right. Learning Café
0 Corporate Digital Learning, How to Get It Right Learning Café Online Educa Berlin, 3 December 2015 Key Questions 1 1. 1. What is the unique proposition of digital learning? 2. 2. What is the right digital
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA
2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrAsynchronous Generators
Asynchronous Generators Source: ABB 1/21 2. Asynchronous Generators 1. Induction generator with squirrel cage rotor 2. Induction generator with woed rotor Source: electricaleasy.com 2/21 2.1. Induction
MehrErläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters
1 Symbole, Begriffe, Normen Symbole und Begriffe der verwendeten Größen 1 Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode Anode C Kapazität; Kollektor
MehrBZ 873. Trainline Interface. Ident Nr.: 3EH-116802 R0001
Ident Nr.: 3EH-116802 R0001 CH-8108 Dällikon Tel: +41(0)44 8440355 www.bahnelektronik.ch Seite: 1/8 Dritte oder andere Verwertung dieses Dokumentes sind ohne unsere ausdrückliche Zustimmung verboten. B+Z
MehrVDE Prüf- und Zertifizierungsinstitut Zeichengenehmigung
usweis-nr. / Blatt / Page 2 ktenzeichen / File ref. Dieses Blatt gilt nur in Verbindung mit Blatt 1 des sausweises Nr.. This supplement is only valid in conjunction with page 1 of the. Terrestrische Photovoltaik-Module
MehrVDE Prüf- und Zertifizierungsinstitut Gutachten mit Fertigungsüberwachung
Blatt / page 2 Dieses Blatt gilt nur in Verbindung mit Blatt 1 des Gutachtens mit Fertigungsüberwachung Nr.. surveillance No.. Steckverbinder für PV-Systeme, AC-Anwendung (COC) Connector for PV-Systems,
MehrPCIe, DDR4, VNAND Effizienz beginnt im Server
PCIe, DDR4, VNAND Effizienz beginnt im Server Future Thinking 2015 /, Director Marcom + SBD EMEA Legal Disclaimer This presentation is intended to provide information concerning computer and memory industries.
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an
MehrURZ 10 x 38 mm gpv DC 1000 V
URZ gpv DC V Sicherungseinsätze für Photovoltaik Anwendungen Fuse-links for photovoltaic applications Größe Size Bemessungsspannung Rated voltage Prüf-Ausschaltspannung Breaking test voltage Bemessungsausschaltvermögen
MehrVDE Prüf- und Zertifizierungsinstitut Zeichengenehmigung
Blatt / Page 2 Dieses Blatt gilt nur in Verbindung mit Blatt 1 des sausweises Nr.. This supplement is only valid in conjunction with page 1 of the. PV-Wechselrichter mit selbsttätiger Freischaltstelle
MehrBetriebsanleitung. Finhol Natural Tube Series - Booster. Technische Daten
Betriebsanleitung Natural Tube Series - Booster Aluminium Druckguss Gehäuse Gewicht ca. 300 gr. Masse: 145 x 95 x 50 mm Regler: Level Fussschalter Output/Input-Buchse 6,3 mm unsymmetrisch DC-Buchse: für
MehrBedienungsanleitung User Manual. PCMCIA Reader B1
Bedienungsanleitung User Manual PCMCIA Reader B1 Einführung Introduction Vielen Dank, dass Sie sich für ein KOBIL Smart Card Terminal entschieden haben. Mit dem KOBIL PCMCIA Reader B1 haben Sie ein leistungsfähiges
MehrWe hereby confirm that all electrical tests on this machine have been performed in accordance with the relevant standards.
Bemessungsdaten / Rated Data Spannung / Voltage 690,0 V Betriebsart / Duty type S 1 Frequenz / Frequency 50,0 Hz Wärmeklasse / Temp. class 155(F) Strom / Current 510,0 A Ausnutzung / Utilization F Leistung
MehrEEX Kundeninformation 2002-08-30
EEX Kundeninformation 2002-08-30 Terminmarkt - Eurex Release 6.0; Versand der Simulations-Kits Kit-Versand: Am Freitag, 30. August 2002, versendet Eurex nach Handelsschluss die Simulations -Kits für Eurex
MehrCeramic tubular trimmer capacitors with metal spindle for PCB mounting
Keramik-Rohrtrimmer-Kondensatoren mit Metallspindel für gedruckte Schaltungen Mit metallischen Anschlussarmaturen im Raster, für den Abgleich senkrecht oder parallel zur Leiterplattenebene. Ceramic tubular
MehrSPECIFICATION Item No.: T60404-P4640-X150
SPECFCATON tem No.: T60404-P4640-X150 Customer: Standard Type Customer part no..: Page 1 of 6 Electrical data PN Primary nominal r.m.s. current 1000 A R 1 M Measuring resistance 0... 100 Ω SN Secondary
MehrATEX-Betriebsanleitung Chipcard-Reader CHALLENGER CRi
ATEX-Betriebsanleitung Chipcard-Reader CHALLENGER CRi MANUAL CRI REV 1.4_ DE.DOC 31.01.07 A.J. 1 Allgemeine Hinweise Bitte lesen Sie vor Beginn der Montage die ganze Bedienungsanleitung! Der CHALLENGER
MehrVDE Prüf- und Zertifizierungsinstitut Zeichengenehmigung
Blatt / page 2 Dieses Blatt gilt nur in Verbindung mit Blatt 1 des sausweises Nr.. This supplement is only valid in conjunction with page 1 of the. Einbauteil für IT Geräte Component for IT equipment Typ(en)
MehrTaster gerade - Einlöt / SMT / Kappen Straight Tact Switches - Solder-in / SMT / Caps
Technische Daten /Technical Data Gehäuse/Abdeckung/Hebel Thermoplastischer Kunststoff, nach UL94 V-0 Rostfreier Stahl Thermoplastischer Kunststoff, nach UL94 V-0 Case/Cover/Actuator Thermoplastic, rated
MehrAKTIVE DVB-T ZIMMERANTENNE ANSCHLUSSHINWEISE ACTIVE DVB-T INDOOR ANTENNA CONNECTION INSTRUCTIONS
K la vi er l ac ko p tik AKTIVE DVB-T ZIMMERANTENNE ANSCHLUSSHINWEISE ACTIVE DVB-T INDOOR ANTENNA CONNECTION INSTRUCTIONS ZA 8970 DRUCKS0682.indd 1 05.09.12 15:15 VerpAckunGsinhAlT UKW / UHF / VHF Flachantenne
MehrÜberspannungsschutz für Bauteile und Schaltungen mit Hilfe von TVS-Dioden. Circuits using TVS Diodes
Überspannungsschutz für Bauteile und Schaltungen mit Hilfe von TVS-Dioden Overvoltage Protection of Devices and Circuits using TVS Diodes Was ist eine TVS Diode? What is a TVS diode? I F V C V BR V WM
MehrXML Template Transfer Transfer project templates easily between systems
Transfer project templates easily between systems A PLM Consulting Solution Public The consulting solution XML Template Transfer enables you to easily reuse existing project templates in different PPM
MehrVDE Prüf- und Zertifizierungsinstitut Zeichengenehmigung
Blatt / page 2 Dieses Blatt gilt nur in Verbindung mit Blatt 1 des sausweises Nr.. This supplement is only valid in conjunction with page 1 of the. Durchflußerwärmer, geschlossen Instantaneous water heater,
MehrGarantiezeiträume / Guarantee Periods
Garantiezeiträume / Guarantee Periods Wegen der verschiedenen Anforderungen an Produkte und Anwendungen können die Garantiezeiträume je nach Produkt oder Produktfamilie unterschiedlich sein. Um die relevanten
MehrCable Tester NS-468. Safety instructions
Cable Tester NS-468 Safety instructions Do not use the cable tester NS-468 if it is damaged. This device is only for use inside dry and clean rooms. This device must be protected from moisture, splash
Mehr